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Fターム[5J055DX22]の内容

電子的スイッチ (55,123) | 出力部 (8,827) | 主スイッチを構成する素子 (3,300) | 電界効果トランジスタ、FET (2,442) | MOSFET、MISFET (1,263)

Fターム[5J055DX22]に分類される特許

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【課題】高電位側スイッチ素子の十分な駆動電圧を実現した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、入力電圧用端子、出力用端子、接地電位用端子、電源電圧用端子、第1端子を有し、入力電圧用端子と出力用端子との間にソースードレイン経路を有する第1MOSを含む第1チップ、出力用端子と接地電位用端子との間にソースードレイン経路を有する第2MOSを含む第2チップ、第1MOSのゲートにその出力が接続された第1駆動回路、第2MOSのゲートにその出力が接続された第2駆動回路、電源電圧用端子に接続されたドレインと、第1端子に接続されたソースとを有するOSとを含む第3チップが一つのパッケージ内に封止され、第1端子と出力用端子との間に容量が接続可能とされ、第2MOSがオンとされるとき、PMOSはオンとされ、第2MOSがオフとされるとき、PMOSはオフとされる(もっと読む)


【課題】低コスト化または小型化を実現可能なマルチバンド対応の高周波モジュールおよび無線通信システムを提供する。
【解決手段】例えば、高周波電力増幅装置HPAIC1は、GSM用のパワーアンプ回路部PABK_LB(PABK_HB)と、GSMかW−CDMAかを選択するモード設定信号Mctlを受けて、アンテナスイッチ制御信号SctlをVSW1レベルかVSW2レベルで出力する制御回路を備える。VSW2は、発振回路OSCからのクロック信号を用いてVSW1を昇圧することで生成される。HPAIC1は、MctlによってGSMが選択された際には、OSCを停止させると共にVSW1レベルのSctlをアンテナスイッチ装置ANTSWに出力し、MctlによってW−CDMAが選択された際には、OSCを用いてVSW2レベルのSctlをANTSWに出力する。 (もっと読む)


【課題】クロック源の消費電力を増大させることなく、動作クロック周波数に応じて駆動能力を変化させることにより消費電力低減可能なクロックバッファ回路を提供すること。
【解決手段】クロック信号を伝達するバッファ部102と、クロック信号の参照クロック信号に対する逓倍数をカウントし、バッファ部102に対して逓倍数に基づいたイネーブル信号を出力する駆動能力切替部101と、を備え、バッファ部102は、当該バッファ部102の入力に接続された入力インバータ7と、イネーブル信号によりオンオフが可能であって、それぞれの出力が当該バッファ部の出力に共通に接続された複数の出力インバータ13〜28と、を備え、入力インバータ7が1個のCMOSインバータからなるクロックバッファ回路。 (もっと読む)


【課題】過電流を検出する機能や過電流から出力スイッチング素子を保護する機能を備えた負荷制御装置を提供する。
【解決手段】スイッチングレギュレータ60から電力が供給されて少なくとも一つの負荷71、72に供給する出力電流I1、I2を制御する負荷制御装置1で、負荷に接続されて出力制御信号に応じて負荷に出力電流を供給するときに導通する出力スイッチング素子21、22と、出力電流が過電流であることに起因してスイッチングレギュレータの出力電圧値が所定電圧値を下回ったことを検出したとき、所定時間に亘り出力スイッチング素子を非通電状態に制御する出力スイッチング素子制御手段11、12、40とを備える。 (もっと読む)


【課題】 高耐圧プロセスを使用することなく、回路的に高耐圧化したレベルシフト回路を実現できるようにする。
【解決手段】 一対のCMOSインバータを有し一方のインバータの出力ノードを他方のインバータのPチャネル型MOSトランジスタのゲート端子に交差結合してなるラッチ回路(22)と、該ラッチ回路のいずれか一方の出力ノードに接続されたCMOSインバータからなる出力段(23)とを有するレベルシフト回路において、ラッチ回路を構成する一対のCMOSインバータの各Pチャネル型のMOSトランジスタ(Mp1,Mp2)とNチャネル型のMOSトランジスタ(Mn1,Mn2)との間に、ゲート端子が電源電圧と接地電位の中間の電位が印加される第3電圧端子(FGND)に接続されたPチャネル型のMOSトランジスタ(Mp4,Mp5)をそれぞれ直列形態で設けた。 (もっと読む)


【課題】高周波スイッチの歪特性の劣化を抑止することができる高周波スイッチを提供する。
【解決手段】アンテナ110へ送信信号が出力される共通ポートCXと、送信信号が入力される送信ポートTX1、TX2と、複数の送信ポートと共通ポートとの間にそれぞれ接続され、各送信ポートから共通ポートへの送信信号を導通または遮断する複数のスイッチ部100A、100Bと、を有し、スイッチ部はシリコン基板に形成された一以上のMOSFETTSWを有し、MOSFETのうち共通ポートに接続されたもののボディ端子と共通ポートに接続された端子との間にキャパシタが接続される。 (もっと読む)


【課題】回路規模が増大する問題があった。
【解決手段】入力信号に応じて、出力端子に接続される負荷に出力電流を供給する出力回路であって、前記出力端子に出力電流を供給する出力トランジスタと、前記出力トランジスタを駆動する出力駆動回路と、前記出力電流を所定の電流値に制限する電流制御信号を生成する電流制限回路と、前記入力信号が供給された後、前記出力端子電圧が所定の電圧値以下の場合には前記電流制御信号に基づいて前記出力電流を制限し、前記所定の電圧値以上の場合には前記出力駆動回路によって前記出力トランジスタを駆動するように制御する制御回路と、を有する出力回路。 (もっと読む)


【課題】挿入損失特性および高調波特性が共に良好な高周波スイッチを実現することを目的とする。
【解決手段】アンテナへ送信信号が出力される共通ポートと、送信信号が入力される送信ポートと、複数の前記送信ポートと前記共通ポートとの間にそれぞれ接続され、各送信ポートと前記共通ポートとを導通または遮断する複数のスイッチ部と、を有し、前記スイッチ部は、シリコン基板に形成され直列に接続された複数のMOSFETを有し、前記複数のMOSFETはボディコンタクト型FETおよびフローティングボディ型FETのいずれかであって、各スイッチ部はボディコンタクト型FETおよびフローティングボディ型FETの両方を含む。 (もっと読む)


【課題】S/N比を向上させたサンプルホールド回路を提供すること。
【解決手段】入力電圧を入力する入力端子と、入力電圧に基づいたサンプリング電圧をホールドする複数の容量と、入力端子と記複数の容量との間に夫々接続された複数の入力スイッチと、複数の容量のホールド電圧を出力する出力端子と、を備え、複数の容量は、複数の入力スイッチによって異なるタイミングで入力電圧をサンプリングし、複数の容量のホールド電圧の平均化処理を行って出力端子に出力する、構成とした。 (もっと読む)


【課題】高周波信号の伝達経路における高調波特性を良好に維持しつつ、回路規模が縮小された高周波スイッチを提供する。
【解決手段】1つの送信ポート10と、1つの受信ポート20と、共通ポート30と、送信側シリーズスイッチ40と、送信側シャントスイッチ50と、受信側シリーズスイッチ60と、受信側シャントスイッチ70とを有する。送信ポートは、送信信号を入力し、受信ポートは、受信信号を出力し、共通ポートは、送信信号を送信するか、または受信信号を受信する。送信側シリーズスイッチは、送信ポートと共通ポートとの間に接続され、送信側シャントスイッチは、送信ポートとグランドとの間に接続され、受信側シリーズスイッチは、受信ポートと共通ポートとの間に接続され、夫々のスイッチはボディコンタクト型FETである。受信側シャントスイッチは、受信ポートとグランドとの間に接続され、フローティングボディ型FETである。 (もっと読む)


【課題】より高速駆動に対応でき、かつ、消費電流を低減することができる負荷駆動装置を提供する。
【解決手段】ダーリントン回路によってスイッチングデバイス2を駆動するようにし、ダーリントン回路を構成する第1PchMOSFET5と第2PchMOSFET6のドレインを共にスイッチングデバイス2を構成するIGBTのゲートに接続する。これにより、第2PchMOSFET6の駆動電流もIGBTの駆動に用いることができるため、消費電流を低減できると共に、より大電流でのIGBT駆動が可能になるため高速駆動を行うことができる。また、第2抵抗4と並列的にスイッチ10を備え、このスイッチ10をプルアップ駆動時にオンさせる。これにより、プルアップ駆動時に第1PchMOSFET5のゲート−ソース間の抵抗値を低下させることが可能となり、駆動スピードが低下することを抑制することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】スイッチング素子の立ち上がりの速度を高速に維持しつつ、スイッチング素子を駆動するドライバ回路の消費電流を削減することができる負荷駆動装置を提供する。
【解決手段】負荷10に接続されるスイッチング素子50と、定電流を生成する定電流生成部30と、定電流生成部30から流れ込む定電流の大きさに応じたオン時間でスイッチング素子50をオンするドライバ回路40と、を備えた構成とする。そして、定電流生成部30は、スイッチング素子50がオンするオン時間に達するまではドライバ回路40に第1電流量の大きさの定電流を流すことでスイッチング素子50の立ち上がりの速度を高速に維持する。また、定電流生成部30は、スイッチング素子50がオンするオン時間が経過した後はドライバ回路40に第1電流量よりも小さい第2電流量の定電流を流すことでドライバ回路40の消費電流を削減する。 (もっと読む)


【課題】制御部及びゲート駆動部によって消費される電力を抑制しつつ、負荷の起動時に突入電流を流しきることが可能な電子リレーを提供する。
【解決手段】商用電源6と負荷7に直列接続され、トランジスタ構造を有するスイッチ素子を用いた開閉部11と、負荷の起動及び停止を制御する制御部12と、制御部12とは絶縁され、スイッチ素子のゲート電極にゲート駆動信号を出力するゲート駆動部13と、制御部12及びゲート駆動部13を動作させるための電力を確保する電源部14を備え、制御部12は、負荷7の起動時に、ゲート駆動部13に、所定時間だけスイッチ素子のゲート電極に対して、定常安定動作時よりも多くの駆動電力を供給させる。 (もっと読む)


【課題】パワー素子にクランプ回路を接続してパワー素子の駆動端子に印加される電圧を所定電圧にクランプするに際し、スイッチング素子を駆動するための定電流の消費電流を削減できる負荷駆動装置を提供する。
【解決手段】クランプ回路50は駆動端子41に接続されており、ドライバ回路30が駆動端子41に定電流を流すことにより駆動端子41に印加される電圧が所定電圧に達すると、駆動端子41に印加される電圧を所定電圧にクランプする。また、ドライバ回路30は、パワー素子40の駆動端子41に定電流を流すことでパワー素子40をオン駆動する。さらに、ドライバ回路30は、駆動端子41に印加される電圧が所定電圧に達した後、駆動端子41に流す定電流の電流量を、駆動端子41に印加される電圧が所定電圧に達するまでに駆動端子41に流す定電流の電流量よりも低減する可変定電流回路32を備えている。 (もっと読む)


【課題】ゲート駆動信号の伝達遅延時間のばらつきを低減することができるゲート駆動回路を提供する。
【解決手段】ゲート駆動回路1は、トランス2を駆動するトランス駆動回路部3と、トランス2の一次側の駆動タイミングを生成すると共に、入力ゲート駆動信号のON状態時とOFF状態時とでトランス2の一次側駆動電圧変化率を異なるように設定するタイミング生成部4と、トランス2の二次側電圧を微分することで、トランス2の二次側電圧変化率を検出する微分回路部5と、入力ゲート駆動信号のOFF状態時の微分値レベルを検出するレベル検出回路部6と、入力ゲート駆動信号のON状態時の微分値レベルを検出するレベル検出回路部7と、検出レベル検出回路部6,7と接続されたR端子及びS端子を有し、出力ゲート駆動信号を生成・保持するフリップフロップ回路部8とを有している。 (もっと読む)


【課題】 負荷への通電を妨げることなく、昇圧した電圧が低下することを防止することができる負荷駆動装置を提供する。
【解決手段】 複数相の駆動回路のうちの少なくとも2相間において昇圧用コンデンサ47,67と第3の電源45,65との接続部に設けられ、昇圧された電圧が出力される昇圧電源端子10,13同士の電気的な接続または遮断を選択する少なくとも1つのスイッチ回路102と、少なくとも1つのスイッチ回路102を制御する少なくとも1つのスイッチ制御回路110とを備えている。 (もっと読む)


【課題】低消費電力で高速シリアル伝送が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、インタフェース部と、駆動回路部と、スイッチ部と、電源回路部と、を備えた半導体装置が提供される。前記インタフェース部は、フローティング状態のバックゲートを有しSOI基板上に設けられた第1のMOSFETを含み、入力したシリアルデータの端子切替信号をパラレルデータに変換する。前記電源回路部は、ソースに接続されたバックゲートを有し前記SOI基板上に設けられた第2のMOSFETを含み、前記インタフェース部に供給される電源の電位よりも高いオン電位を生成する。前記駆動回路部は、ソースに接続されたバックゲートを有し前記SOI基板上に設けられた第3のMOSFETを含み、前記パラレルデータに応じて、前記オン電位をハイレベルとする制御信号を出力する。前記スイッチ部は、前記SOI基板上に設けられ、前記制御信号を入力して端子間の接続を切り替える。 (もっと読む)


【課題】本発明の実施形態は、高周波スイッチ回路の高周波特性の良否を簡便に判定することができる半導体装置およびその検査方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、複数の高周波端子と、共通高周波端子と、の間の信号経路を、前記高周波端子と前記共通高周波端子との間に直列に設けられた複数のFETにより切り替える高周波スイッチ回路を有する半導体装置であって、前記共通高周波端子に接続された複数のFETを含む半導体スイッチと、前記半導体スイッチを介して前記共通高周波端子に接続された発振回路と、前記発振回路の出力を入力とする検波回路と、前記検波回路の出力端子と、を備える。 (もっと読む)


【課題】トランジスタを用いたスイッチ回路を有するデジタル回路において、電源電圧、入力信号の振幅、トランジスタのしきい値電圧の関係に応じて適切に入力信号を補正し、好適な回路動作を可能とする。
【解決手段】電源電位(VDD、VSS)が供給される第1のトランジスタ(32、33)を有するスイッチ回路(31)と、入力信号が印加される入力端(IN)と第1のトランジスタの制御端子(ゲート)との間に接続された補正回路(34、36)とを有し、前記制御端子と入力端との間に接続された容量(C2、C3)と、該容量と前記制御端子との間のノード(N5、N6)と電源電位との間に設けられた、第1のトランジスタと概ね同じしきい値を有するダイオード接続された第2のトランジスタ(35、37)と、第2のトランジスタに直列に接続されたスイッチ(SW2、SW3)とを有するデジタル回路(30)を提供する。 (もっと読む)


【課題】入力信号の変化に応じて直流電源の非接地電圧と接地電圧の間で反転する電圧を出力する回路であり、非接地端子に接続されている電源線に生じる電圧変動を抑制する。
【解決手段】電流制限素子14とスイッチング回路16が直列に接続されており、電流制限素子とスイッチング回路の中間点22の電圧を出力する。スイッチング回路の導通時にスイッチング回路を流れる電流が電流制限素子によって制限される。直流電源の非接地端子に接続されている電源線12に生じる電圧変動が抑制され、電源線12に接続されているアナログ回路等の動作が安定する。 (もっと読む)


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