【課題】画像表示装置の昇圧回路の高効率化を図ることが可能な半導体チップと、それを用いた画像表示装置を提供する。
【解決手段】この携帯電話機では、昇圧回路８のトランジスタ１２の前段にバッファ１４を設け、バッファ１４の入力ノードの寄生容量値をトランジスタ１２のゲートの寄生容量値よりも小さく設定し、トランジスタ１２およびバッファ１４を１つの半導体チップ２１に搭載する。したがって、トランジスタ１２のゲートにおけるＰＷＭ信号φＰのレベル変化の鈍りを抑制することができ、昇圧回路の高効率化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】良好な線形性を有し、かつ電力損失の少ない双方向アナログスイッチの半導体装置を提供する。また、検出精度の高い超音波診断装置を提供する。
【解決手段】双方向にオンまたはオフ可能なスイッチ回路と、前記スイッチ回路の駆動回路を内蔵した双方向アナログスイッチの半導体装置であって、前記駆動回路は第一および第二の電源に接続され、前記第一の電源電圧は、前記スイッチ回路の入出力端子に印加される信号の最大電圧値以上であり、前記第二の電源電圧は、前記スイッチ回路の入出力端子に印加される信号の最小電圧値以下であり、さらに前記駆動回路は前記第一の電源と前記スイッチ回路との間に、直列に接続されたツェナダイオードとＰ型ＭＯＳＦＥＴを備えている。また、超音波診断装置であって、前記半導体装置を備える。 （もっと読む）

【課題】ハイサイドスイッチの過電流が検出された場合に、ハイサイドスイッチだけでなくハイサイドスイッチに接続される回路を保護することが可能なハイサイドスイッチ回路、および、そのハイサイドスイッチ回路を含む装置を提供する。
【解決手段】ゲート電圧降圧部３１は、過電流検出部２０からの電流制限信号に応じて、ＭＯＳトランジスタ１５のゲート電圧を第１の電圧から、第１の電圧と第２の電圧との間の第３の電圧まで、第１の時間変化率で低下させる。これによりＭＯＳトランジスタ１５のオン抵抗がＭＯＳトランジスタ１５の完全オン時のオン抵抗より高くなる。ゲート電圧降圧部３２は、ゲート電圧が第３の電圧に達した後に、ゲート電圧を第３の電圧から第２の電圧まで第２の時間変化率で低下させる。第１の時間変化率は、第２の時間変化率よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】制御電圧以外の電源を用いることなく低消費電力かつ低コストで高性能に切り替え動作を行うことができる高周波用スイッチ回路を提供する。
【解決手段】第１および第２ＭＯＳＦＥＴ回路１１，２１のゲート端子と第１および第２制御端子ＣＴ１，ＣＴ２との間に一端が接続され、他端がグランドＧＮＤに接続されることにより、第１および第２制御端子ＣＴ１，ＣＴ２からグランドＧＮＤへ向かう方向が順方向となるような少なくとも１つの整流素子Ｄ１１，Ｄ１２，Ｄ２１，Ｄ２２を含む第１および第２整流回路１２，２２と、第１および第２整流回路１２，２２の整流素子の少なくとも１つの順方向電流入力端子側と第１および第２ＭＯＳＦＥＴ回路１１，２１の何れかの主端子側とが接続された接続部３とを備えている。 （もっと読む）

【課題】保護回路を内蔵した半導体スイッチ及び充電回路を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、スイッチ素子と駆動回路と保護回路と制御回路とを備えた半導体スイッチが提供される。スイッチ素子は、電源線と出力線との間に接続される。駆動回路は、入力信号に応じて前記スイッチ素子をオンまたはオフに駆動する。保護回路は、前記スイッチ素子の過電流を検出したとき前記スイッチ素子の電流を上限値に制限するクランプモードと、前記スイッチ素子を交互にオンとオフとに切り替えるスイッチングモードと、を有する。制御回路は、前記スイッチ素子がオンしたとき前記保護回路を前記クランプモードに制御し、前記スイッチ素子がオンしてから規定時間経過後に前記出力線の短絡を検出したとき、または前記出力線の短絡を検出せずに前記出力線の電圧が規定値に達したとき前記保護回路をスイッチングモードに制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ハイサイドスイッチの過電流の検出精度を高めることが可能なハイサイドスイッチ回路、および、そのハイサイドスイッチ回路を含む装置を提供する。
【解決手段】ハイサイドスイッチ回路１０は、入力端子１１と出力端子１２との間に電気的に接続されるスイッチ（ＭＯＳトランジスタ１５）と、ゲート制御部１６と、過電流検出部２０とを備える。過電流検出部２０は、抵抗素子２１と、比較器２２とを含む。比較器２２は、抵抗素子２１の電圧Ｖ１がしきい電圧を超える場合に、過電流を検出する。比較器２２は、過電流時の検出電圧Ｖ１がしきい電圧を上回るように、予め調整される。抵抗素子２１の抵抗値の精度が高くない場合にも、比較器２２の調整によって、過電流の検出精度が高められる。 （もっと読む）

【課題】 内部回路の内部ノードが初期状態に設定されたことを精度よく検出し、内部回路が動作を開始するまでの復帰時間を短縮する。
【解決手段】 第１電源スイッチは、内部電源電圧を受けて動作する内部回路の動作を開始させるための第１電源オン信号の活性化中に、外部電源線を内部電源電圧が供給される内部電源線に接続する。第２電源スイッチは、第２電源オン信号の活性化中に、外部電源線を内部電源線に接続する。検知部は、第１電源スイッチのオンにより上昇する内部電源電圧を受けて動作する回路を含む。検知部は、内部電源電圧が第１電圧を超えることにより、内部回路の内部ノードが初期状態に設定されたことを検出したときに第２電源オン信号を活性化する。 （もっと読む）

【課題】負バイアス発生回路を用いずにマージン電圧を改善することができる手段をスイッチ回路に提供する。
【解決手段】Ｎ型ＭＯＳＦＥＴを用いて構成されるスイッチＭ１を、信号をアンテナに同通するスイッチに、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴを用いて構成されるスイッチＭ２を、信号を接地するシャント用にそれぞれ用いる。各スイッチを構成するＭＯＳＦＥＴのゲート端子に共通の制御信号を入力する。この制御信号の反転信号をスイッチＭ２の接地端に接続することで、各ＭＯＳＦＥＴのゲート端子の電位を接地電圧に設定できる。 （もっと読む）

【課題】より効果的に逆起電圧の発生を抑え、過電圧による素子の破壊を防ぐことが可能な保護回路を提供する。
【解決手段】第１の実施形態の保護回路２は、抵抗値可変スイッチ１０，過電流検出部２０，制御電圧印加部３０，容量部４０，制御端子電圧変更部５０および外部端子１１を備える。抵抗値可変スイッチ１０は、制御端子１０ａ，第１端子１０ｂおよび第２端子１０ｃを有する。制御端子電圧変更部５０は、抵抗値可変スイッチ１０の制御端子１０ａと基準電位端子との間に直列的に設けられたスイッチ５１および抵抗器５２を含む。 （もっと読む）

【課題】アンテナスイッチのコスト削減を図る観点から、特に、アンテナスイッチをシリコン基板上に形成された電界効果トランジスタから構成する場合であっても、アンテナスイッチで発生する高調波歪みをできるだけ低減できる技術を提供する。
【解決手段】ＲＸスルートランジスタ群ＴＨ（ＲＸ）は、互いに直列に接続されたＭＩＳＦＥＴＱ１〜Ｑ５において、それぞれのＭＩＳＦＥＴのボディ領域と、隣接するＭＩＳＦＥＴのソース領域あるいはドレイン領域とを、それぞれ、ダイオード（整流素子）を介して接続する。そして、特に、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴの場合、ＭＩＳＦＥＴのボディ領域から隣接するＭＩＳＦＥＴのソース領域あるいはドレイン領域へ向う向きが順方向となるようにダイオードを接続する。 （もっと読む）

【課題】一導電型のＴＦＴのみを用いて回路を構成することにより工程削減が可能であり
、かつ出力信号の電圧振幅が正常に得られる表示装置の駆動回路を提供する。
【解決手段】出力ノードに接続されているＴＦＴ２０３のゲート−ソース間に容量２０５
を設け、ＴＦＴ２０１、２０２からなる回路は、ノードαを浮遊状態とする機能を有する
。ノードαが浮遊状態のとき、容量２０５によるＴＦＴ２０３のゲート−ソース間の容量
結合を利用してノードαの電位をＶＤＤよりも高い電位とし、これによって、ＴＦＴのし
きい値に起因する振幅減衰が生ずることなく、正常にＶＤＤ−ＧＮＤ間の振幅を持った出
力信号を得ることが出来る。 （もっと読む）

【課題】回生電流がモータ等の負荷から駆動回路を構成するプリドライバ回路側に流れても、駆動回路の制御に影響を与えないようにすること。
【解決手段】第１の電源電圧（ＶＭ）に接続された第１の駆動トランジスタと、接地に接続された第２の駆動トランジスタとの間の負荷に接続される接続ノード（Ｎ１）を出力端子とするブリッジ回路に接続されたプリドライバ回路において、接続ノード（Ｎ１）である出力端子に接続された出力モニタ回路を有し、該出力モニタ回路を用いて、出力端子に現れる電圧（Ｖｏｕｔ）に基づいて電圧のみをフィードバックさせる第１のフィードバック信号（Ｓ１）を生成し、第１のフィードバック信号（Ｓ１）に基づいて第２のフィードバック信号（Ｓ２）を生成して、出力端子に現れる電圧（Ｖｏｕｔ）が第１の電源電圧（ＶＭ）に近づくように、第１の駆動トランジスタを駆動制御する。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチがオフ状態からオン状態へ、或いはオン状態からオフ状態へ切換えられるときに半導体スイッチの損失を低減する新規な半導体スイッチの多段ドライブ回路を実施するための方法及び装置を提供する。
【解決手段】損失の低減は、半導体スイッチが切換える第１の時間期間中に半導体スイッチ両端のｄｖ／ｄｔに影響を与えることなく達成される。この損失の低減は、従って半導体スイッチが切換えるときの第１の時間期間中の急速なｄｖ／ｄｔによって発生する雑音をごくわずかしか増大させずに達成される。スイッチングロスのこの低減を達成するための回路の構成は、同様の結果を達成するための他の半導体スイッチドライブ方式よりも製造中の許容誤差及び温度の影響を受けにくい利点を有する。 （もっと読む）

【課題】リーク電流がスイッチ回路に接続される回路に影響を与えることを抑制することが可能なスイッチ回路の提供。
【解決手段】第１の電位と第２の電位の間の接続状態をオンオフする第１のトランジスタと、該第１のトランジスタのドレインにソースが接続され、前記第１のトランジスタと略同一の特性を有する第２のトランジスタとを備え、前記第１のトランジスタをオフした時に、前記第１のトランジスタのゲート−ソース間電圧Ｖ_GS1と、前記前記第２のトランジスタのゲート−ソース間電圧Ｖ_GS2が略等しくなることを特徴とするスイッチ回路。 （もっと読む）

【課題】装置規模を大型化することなく、複数の系列のリレー回路のうちの一つのリレー回路にて異常検出信号が発生した際、即時に全てのリレー回路を停止させて負荷回路を保護することが可能な負荷駆動装置を提供する。
【解決手段】電源と負荷との間に複数のリレー回路を設け、各リレー回路を連動して作動させて負荷の駆動、停止を制御する負荷駆動回路において、各リレー回路のダイアグ端子及び入力端子をそれぞれ接続する。そして、通常時にはダイアグ端子を開放し、入力端子にＨレベルの信号を供給することにより、リレー回路を作動させる。また、いずれかのリレー回路にて異常が発生した場合には、このリレー回路のダイアグ端子をＬレベルとする。これにより、各入力端子がＬレベルに転じて、各リレー回路動作が遮断される。その結果、負荷回路を過電流や過熱から保護することができる。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子をオフするように制御しているにもかかわらず、オフできない異常状態を検出することができる電子装置を提供する。
【解決手段】ＩＧＢＴ１１０ｄに流れる電流が電流閾値より大きくなると、電流検出回路１２５は、ＩＧＢＴ１１０ｄに電流が流れていると判断する。制御回路１２８は、駆動信号がＩＧＢＴ１１０ｄのオフを指示しているにもかかわらず、電流検出回路１２５がＩＧＢＴ１１０ｄに電流が流れていると判断すると、ＩＧＢＴ１１０ｄをオフできない異常状態にあると判断する。そして、駆動用電源回路１２０の動作を停止させ、駆動用電源回路１２０からの電圧の供給を遮断する。その結果、ゲート電圧がオン、オフする閾値電圧より低くなり、ＩＧＢＴ１１０ｄがオフする。そのため、駆動信号がＩＧＢＴ１１０ｄのオフを指示しているにもかかわらず、ＩＧＢＴ１１０ｄをオフできない異常状態を検出することができ、ＩＧＢＴ１１０ｄの熱破壊を防止できる。 （もっと読む）

【課題】オン駆動用スイッチング素子がオン故障等した場合であっても、スイッチング素子の熱破壊を防止することができる電子装置を提供する。
【解決手段】オン駆動用抵抗１２１ｂとオフ駆動用抵抗１２２ｂの抵抗値は、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａとオフ駆動用ＦＥＴ１２２ａがともにオンした場合に、ＩＧＢＴ１１０ｄのゲート電圧が、オン電圧が増加するオン、オフの閾値電圧付近の所定範囲外であって、オン、オフの閾値電圧より低くなるように設定されている。そのため、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａがオン故障等したときにオフ駆動用ＦＥＴ１２２ａがオンしても、オン電圧が増加してＩＧＢＴ１１０ｄの発熱が増大することなく、ＩＧＢＴ１１０ｄをオフすることができる。従って、ＩＧＢＴ１１０ｄの熱破壊を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】電源ユニットの出力ラインにおける地絡などの故障に対し、電源の保護及び故障の検知を行う。
【解決手段】サブ電源供給ラインＬＳに、サブ電源１０１側をソースとして第１ＭＯＳＦＥＴ１０２を直列に接続し、第１ＭＯＳＦＥＴ１０２のドレインにドレインを接続させて第２ＭＯＳＦＥＴ１０３を直列に接続する。制御ユニット２００内のサブ電源供給ラインＬＳにも、サブ電源１０１側をソースとして第３ＭＯＳＦＥＴ２０２を直列に接続し、第３ＭＯＳＦＥＴ２０２のドレインにドレインを接続させて第４ＭＯＳＦＥＴ２０３を直列に接続し、第１〜第４ＭＯＳＦＥＴを制御することで、サブ電源１０１の電力を負荷２０１に対して供給する。各ＭＯＳＦＥＴのドレイン電圧、及び、第２ＭＯＳＦＥＴ１０３と第３ＭＯＳＦＥＴ２０２との間の電圧をモニタし、ＭＯＳＦＥＴの故障及びサブ電源供給ラインＬＳの故障を診断する。 （もっと読む）

【課題】電源電圧の変動に起因した書込電流の変動を抑制する。
【解決手段】ドライブ回路２５において、第１のＭＯＳトランジスタＰＭは、第１および第２の電源ノード２８，２９間にデータ書込線ＤＬと直列に設けられる。第２のＭＯＳトランジスタＰＳは、第１のＭＯＳトランジスタＰＭと並列に設けられる。第３および第４のＭＯＳトランジスタＰａ，Ｐｂは、互いに同じ電流電圧特性を有する。第１の素子Ｅａは、第１および第２の電源ノード２８，２９間に第３のＭＯＳトランジスタＰａと直列に接続される。第２の素子Ｅｂは、第１および第２の電源ノード２８，２９間に第４のＭＯＳトランジスタＰｂと直列に接続され、第１の素子Ｅａの電流電圧特性曲線と交差する電流電圧特性を有する。比較器３０は、第１の素子Ｅａにかかる電圧と第２の素子Ｅｂにかかる電圧とを比較し、比較結果に応じて第２のＭＯＳトランジスタＰＳをオンまたはオフにする。 （もっと読む）

【課題】オン駆動用スイッチング素子がオン故障してスイッチング素子をオフできない異常状態になっても、スイッチング素子の熱破壊を防止することができる電子装置を提供する。
【解決手段】制御回路１２８は、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａのゲート電圧がオンしない電圧であるにもかかわらず、ドレイン−ソース間電圧がオンした際の電圧であるとき、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａがオン故障していると判断する。そして、駆動用電源回路１２０の動作を停止させ、駆動用電源回路１２０からの電圧の供給を遮断する。その結果、ゲート電圧がオン、オフする閾値電圧より低くなり、ＩＧＢＴ１１０ｄがオフする。そのため、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａがオン故障してＩＧＢＴ１１０ｄをオフできない異常状態になっても、ＩＧＢＴ１１０ｄの熱破壊を防止できる。 （もっと読む）