【課題】大型化せずに高耐電力化が図れるとともに、低損失化が図れる高周波スイッチ回路を得ること。
【解決手段】１／４波長の長さを有し、一方端が入力端子６に接続され、他方端が出力端子７に接続される信号線路３と、１／４波長の長さを有して前記信号線路の短手方向の両側に並置され、前記信号線路の一方端に対応する端部が信号グランドに接続される結合線路４ａ，４ｂと、スイッチング素子８とインダクタ９との並列接続で構成され、前記スイッチング素子のオフ動作時に並列共振を生ずる並列回路であって、前記並列接続の一方の接続端が前記結合線路の他方端に接続され、他方の接続端が信号グランドに接続される並列回路５ａ，５ｂとを備えている。 （もっと読む）

【課題】双方向整流素子の漏れ電流による影響を抑制することが可能な信号出力回路、検出スイッチ及び多光軸光電スイッチを提供する。
【解決手段】信号出力回路２９は、出力端子４３に第１スイッチング回路３０に対応する負荷５０が接続されたときに当該負荷のローレベルライン側に接続される一方で、出力端子４３に前記第２スイッチング回路３０に対応する負荷６０が接続されたときに当該負荷のハイレベルライン側に接続される接続端子４４と、前記接続端子４４レベルがローレベルの場合に前記第１スイッチング回路３０からの出力信号Ｓ１を前記出力端子４３に与え、前記接続端子４４レベルがハイレベルの場合に前記第２スイッチング回路３０からの出力信号Ｓ１を前記出力端子４３に与える選択手段を備え、前記出力端子４３と前記接続端子４４との間に双方向整流素子７０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子をパルス制御する場合に、パルス幅低減の要請を緩和できる半導体回路を提供する。
【解決手段】インバータ装置を駆動する半導体回路であって、インバータ装置の高圧側スイッチング素子を制御する入力信号を受けてパルス信号を発生するパルス発生回路３１と、高圧側スイッチング素子を駆動する駆動回路３８と、パルス発生回路３１で発生したパルス信号を駆動回路３８へ伝達する伝達回路２３と、を含み、この伝達回路２３においてワイドギャップ半導体を使用した。 （もっと読む）

【課題】電源を用いることなく、かつ、摩擦により磨耗するなどの接触式のスイッチ構造の不都合を抑制することが可能なスイッチング素子を提供する。
【解決手段】このスイッチング素子１０は、ｐチャネルトランジスタ４と、ｐチャネルトランジスタ４に対して相対的に移動可能なように設けられ、電荷を蓄積することが可能なエレクトレット部材９とを備えている。そして、エレクトレット部材９のｐチャネルトランジスタ４に対する相対的な位置により、静電誘導を用いてｐチャネルトランジスタ４のオン状態およびオフ状態を制御する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、印加電圧の変化幅に応じた放電制御を行って容量性負荷に印加する多値の電圧を高速に可変制御できる容量性負荷駆動回路を提供することを目的とする。
【解決手段】容量性負荷に多値の電圧を印加して駆動する容量性負荷駆動回路において、電圧制御信号を生成して出力する電圧制御信号生成手段と、前記電圧制御信号を電圧増幅する電圧増幅手段と、前記電圧増幅手段の出力を電流増幅して前記容量性負荷の充電を行う電流増幅手段と、前記電圧制御信号の立ち下がりの幅が所定値を超えるとき所定パルス幅の立ち下がりパルスを発生する立ち下がり制御信号発生手段と、前記立ち下がりパルスの供給により前記容量性負荷の放電を行うスイッチ手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】電流駆動素子の温度異常時にも負荷への通電を継続させた上で、電流駆動素子を確実に保護可能な負荷駆動制御装置を提供する。
【解決手段】電流駆動素子であるトランジスタの温度が過剰に高い温度異常状態かどうかかが判定され（Ｓ１０１）、温度異常状態でない場合には（Ｓ１０１：Ｎｏ）、トランジスタがＰＷＭ制御される。また、温度異常状態であり（Ｓ１０１：Ｙｅｓ）、且つ、トランジスタがＰＷＭ制御中の場合には（Ｓ１０２：Ｙｅｓ）、トランジスタがフルＯＮ固定状態に制御される（Ｓ１０３）。そして、温度異常状態であり、且つ、トランジスタがＰＷＭ制御中でない場合には（Ｓ１０２：Ｎｏ）、トランジスタを制御するための制御信号のデューティ比やスイッチング周波数を低い値に設定することにより、フルＯＮ固定状態にした場合よりもスイッチング損失が低くなるようにトランジスタが低損失制御される（Ｓ１０４）。 （もっと読む）

【課題】ゼロボルトスイッチング（ＺＶＳ）によりスイッチング時の損失を最小限にすることができ、これにより、スイッチング素子の発熱、損失、高調波、ノイズの殆ど無い、電力制御装置を提供する。
【解決手段】商用電源１をブリッジで（ＤＢ１）整流し、ローパスフィルタＬ２、Ｃ２に入力し、負荷２に直列に接続したインダクタＬ１と並列にコンデンサＣ３を接続した負荷回路の一方を前記ローパスフィルタＬ２、Ｃ２に、他方を並列にダイオードＤ１を接続しているスイッチング素子Ｑ１に接続する電力制御装置において、前記コンデンサＣ３、インダクタＬ１、負荷２からなる前記負荷回路の共振周波数に合わせてスイッチングオフ時間を生成するオフ時間生成手段３を備える。 （もっと読む）

【課題】高電圧のインバータのＩＧＢＴのスイッチング時の回路電圧の変動により様々なノイズが発生し、各種センサや保護回路に混入する。ノイズが混入すると保護回路が誤動作し、異常が発生しないのに異常を検知した状態になり、その結果、指令部は保護回路からの誤った異常信号により、インバータを停止してしまうという問題があった。
【解決手段】ＩＧＢＴの制御信号を生成する指令部と、ＩＧＢＴを制御するゲート回路と、ＩＧＢＴの主電流またはコレクタ電圧を監視する監視回路と、監視回路からの出力が所定の値を超えた時にゲート回路を制御し、指令部に異常を通知する保護回路と、前記保護回路からの異常通知を受け、その回数をカウントするカウント回路とを備え、カウント数が少なくとも２以上になった場合に司令部が異常が発生したと判定する。 （もっと読む）

【課題】レーザ接続端子の電圧と駆動回路の電源電圧もしくは接地電圧の関係に依存することなくパルスの立下り時間を短くすることを可能にする。
【解決手段】可変電流源１０３からの電流と第１のパルス制御信号１０１とが入力され第１のパルス制御信号１０１に同期した第１の駆動電流を出力する第１の駆動回路１０５と、第１のパルス制御信号１０１の立ち下がりエッジ検出時にパルス信号を出力するパルス出力回路１０７と、可変電流源１０４からの電流と第２のパルス制御信号１０２とが入力され第２のパルス制御信号１０２に同期した第２の駆動電流を生成するとともに、第２の駆動電流において少なくともパルス信号に同期したタイミングで電流値を低下させて出力する第２の駆動回路１０６とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】光ファイバ伝送路、光分岐挿入スイッチのいずれの障害に対しても、少なくとも１つの両方向の波長パスが障害の影響を受けず、他のスイッチングモジュールが処理している波長パスからの影響も受けない。
【解決手段】入力ポート（Ｉｎ）から信号光を入力し、第１スルーポート（ＴｈｒＯｕｔ）とドロップポート（Ｄｒｏｐ）の少なくとも一方に出力するドロップ処理部（２１１Ｗ）と、第２スルーポート（ＴｈｒＩｎ）からの信号光を入力し、アドポート（Ａｄｄ）からの信号光を入力し、いずれか一方の入力を選択して出力ポート（Ｏｕｔ）から信号光を出力するアド処理部（２１２Ｗ）とを含む複数の光分岐挿入スイッチ（２０１Ｗ）を備え、隣接して配置されたドロップ処理部およびアド処理部において、ドロップ処理部を通過する信号光の波長とアド処理部を通過する信号光の波長とが異なる。 （もっと読む）

【課題】 ＳＰＤＴスイッチにおけるスイッチ特性を改善し、大電力のスロットルの後の小電力のスロットルの立ち上がり遅延を低減する。
【解決手段】 ＳＰＤＴスイッチ２において、アンテナ用端子２ａと基準電位ＶＳＳとの間にリークパス用抵抗２７が接続されている。このリークパス用抵抗２７によって、送信信号端子２ｂ，２ｃ、ならびに受信信号端子２ｄ〜２ｇにそれぞれ接続されているＤＣカット容量として設けられている静電容量素子８〜１３，２８に蓄積した電荷容量を放電し、アンテナ端子２ａの電位を速やかに低下させることができる。 （もっと読む）

【課題】 化合物半導体による高周波スイッチ回路において、高周波スイッチ回路を有する高周波装置の低歪み化を図る。
【解決手段】 スイッチ回路１１を構成する電界効果トランジスタＦＥＴが形成される化合物半導体基板１が絶縁部２を介して配置され、基板１１に所要の正電位の電圧を印加することによって、歪みの低減を図ることができた。 （もっと読む）

蓄積電荷シンク（ＡＣＳ）を用いてＭＯＳＦＥＴの線形性を改善する方法及び装置が開示される。この方法及び装置は、ＳＯＩ型ＭＯＳＦＥＴ内の蓄積電荷を除去、低減あるいはその他の方法で制御し、それによりＦＥＴ性能の改善をもたらす。典型的な一実施形態において、少なくとも１つのＳＯＩ型ＭＯＳＦＥＴを有する回路は、蓄積電荷レジームで動作するように構成される。ＳＯＩ型ＭＯＳＦＥＴのボディに動作可能に結合されたＡＣＳが、該ＦＥＴが蓄積電荷レジームで動作するときの蓄積電荷を排除、除去あるいはその他の方法で制御し、それによりＳＯＩ型ＭＯＳＦＥＴのオフ状態での寄生ソース−ドレイン間容量の非線形性を低減させる。ＳＯＩ型ＭＯＳＦＥＴを用いて実現されるＲＦスイッチング回路において、ＳＯＩ型ＭＯＳＦＥＴが蓄積電荷レジームで動作するときの蓄積電荷を除去あるいはその他の方法で制御することによって、高調波歪み及び相互変調歪みが低減される。
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【課題】パッケージサイズの縮小化を妨げることがなく、しかも低電圧・低消費電力系の素子と一体的に形成することが可能な程度に低電圧・低消費電力の可動素子、ならびにその可動素子を内蔵する半導体デバイス、モジュールおよび電子機器を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に、信号を伝送するための信号線路１１と、信号線路を機械的に継断するための継断部１２と、継断部１２を切り替えるための切替部１３と、継断部１２の切り替え後の状態を保持するための保持部１４とを備える。継断部１２および保持部１４は互いに対向配置された一組の固定子１２Ａ，１４Ａおよび可動子１２Ｂ，１４Ｂを、切替部１３は保持部１４の可動子１４Ｂと対向配置された可動子１３Ｂをそれぞれ有する。切替部１３の可動子１３Ｂおよび保持部１４の可動子１４Ｂの少なくとも一方が、弾性部１５を介して継断部１２の可動子１２Ｂと接続されている。 （もっと読む）

【課題】電圧源の電圧測定機能と絶縁検出機能とを有するフライングキャパシタ方式電圧測定装置を提供すること。
【解決手段】フライングキャパシタ３に接続され、高圧電源Ｖの各電圧源Ｖ１〜Ｖ５の個別電圧を測定する電圧測定モードと高圧電源の絶縁状態を検出する絶縁検出モードとの２つの動作モードを選択する動作モード選択回路４と、サンプルスイッチ５と電圧計測手段７との間に接続され、サンプルスイッチ５を介して供給される電圧を接地電位に対する電圧に変換して電圧計測手段７に供給するインターフェース回路６と、動作モード選択回路４の動作モードを選択すると共に、選択された動作モードに応じて、マルチプレクサ１，２のスイッチＳ１〜Ｓ６およびサンプルスイッチ４の開閉を制御する制御手段７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 ＳＰＤＴスイッチにおけるスイッチ特性を改善し、高調波歪みを大幅に低減する。
【解決手段】 ＳＰＤＴスイッチ２において、トランジスタＱｔｘ１〜Ｑｔｘ４，Ｑｒｘ１は、２つのゲートが設けられたデュアルゲートＦＥＴよりなり、これらトランジスタＱｔｘ１〜Ｑｔｘ４，Ｑｒｘ１には、ゲート制御電圧供給用抵抗であるＲ２〜Ｒ５，Ｒ１１〜Ｒ１４，Ｒ２０〜Ｒ２２とは別に新たに設けられたゲート耐電力容量間の抵抗Ｒ６，Ｒ７，Ｒ１５，Ｒ１６，Ｒ２３，Ｒ２４がそれぞれ接続されている。これら抵抗Ｒ６，Ｒ７，Ｒ１５，Ｒ１６，Ｒ２３，Ｒ２４は、トランジスタＱｔｘ１〜Ｑｔｘ４，Ｑｒｘ１におけるゲート−ソース間容量Ｃｇｓ、ゲート−ドレイン間容量Ｃｇｄにかかる電圧Ｖｇｓ，Ｖｇｄの位相が変化させ、それにより高調波歪み量を低減させる。 （もっと読む）

【課題】ＥＳＤ保護素子が高周波特性に影響を与えることなく、かつ、ＥＳＤ保護素子が有効に動作することができるようにする。
【解決手段】信号通過用スイッチＦＥＴ素子としての第１及び第２のスイッチＦＥＴ素子１，２のゲートとスイッチ制御回路１０２との間には、第１及び第２の分離スイッチ６１，６２がそれぞれ設けられ、バイパス用スイッチＦＥＴ素子３，４のゲートとスイッチ制御回路１０２との間には、第３及び第４の分離スイッチ６３，６４がそれぞれ設けられ、非動作時において第１乃至第４のスイッチＦＥＴ素子１〜４のゲートは、第１乃至第４の分離スイッチ６１〜６４によってスイッチ制御回路１０２と電気的に遮断され、開放状態となり、ＥＳＤ保護素子２１，２２によるＥＳＤサージの放電が確実に行えるよう構成されたものとなっている。 （もっと読む）

【課題】挿入損失を増大させることなくマルチゲートのゲート間の電位安定化が可能なスイッチング素子並びにそれを用いたアンテナスイッチ回路及び高周波モジュールを提供すること。
【解決手段】電界効果型トランジスタを成すように、半導体基板上に形成された２個のオーミック電極３９，４０と、上記２個のオーミック電極の間に配置された少なくとも２個のゲート電極４１，４２と、隣り合うゲート電極の間に挟まれて配置された導電領域４５とが備えられる。導電領域は、一端に、上記隣り合うゲート電極に挟まれている導電領域よりも幅が広い幅広部分を有し、隣り合うゲート電極の間の距離が幅広部分の幅よりも狭い。更に、幅広部分を介して２個のオーミック電極の間に直列に抵抗４４，４６が接続されている。 （もっと読む）

本発明は、ギガビット／秒程度のデータ速度で、特にレーザ・ダイオード（７００）または変調器を駆動するための駆動回路（１００）を提供する。駆動回路（１０）はレーザ・ダイオード（７００）または変調器を効率的に駆動できる低電圧高速出力段を有する。ドライバ回路（１０）は、一連の回路を備えており、前記一連の回路は、スルーレート制御回路、少なくとも１つのトランスリニア増幅器（２００、２０１、２０２）、プッシュプル段（３００）、および負荷電流を駆動する出力段（４００）を備える。その多様性により、このドライバは他の用途、例えばライン・ドライバ、ケーブル・ドライバ、バックプレーン相互接続用の高速シリアル・インターフェースなどに使用されてよい。ドライバは、高い電力効率でもって、例えば公称３．３Ｖで２．７Ｖまでの低電源電圧で動作することができる。１つの主要な手がかりは、出力段によって生成された大きな信号電流全部を、例えば駆動されるレーザ・ダイオード中で、電源線路で電流を浪費することなく使用することである。
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【課題】光絶縁素子のターンオン時間及びターンオフ時間をともに短縮することで、応答性を向上することができるインタフェース回路を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の入力側サンプリングスイッチは、フォトモスリレーと、トランジスタと、電流制御回路とから構成されている。電流制御回路は並列接続された抵抗及びコンデンサを有している。そして、電流制御回路で、フォトモスリレーをオンさせるときには、オン電流閾値より大きいターンオン電流を、オフさせるときには、ターンオン電流より小さくオン電流閾値より大きいターンオフ電流入力端子に流す。これにより、フォトモスリレーのターンオン及びターンオフ時間を短縮して、入力側サンプリングスイッチの応答性を向上することができる。 （もっと読む）