スイッチングタイプのＤＣ−ＤＣパワー・コンバータのＭＯＳＦＥＴメインスイッチ・トランジスタ（１０２）のドレインとゲートとの間にプルダウンＭＯＳＦＥＴ（１１０）が結合される。プルダウンＭＯＳＦＥＴ（１１０）のゲートは、キャパシタ１１８によってメインスイッチ・トランジスタ（１０２）のドレインに結合され、抵抗（１２０）によってメインスイッチ・トランジスタ（１０２）のソースに接続される。プルダウンＭＯＳＦＥＴ（１１０）は、メインスイッチ・トランジスタ（１０２）にわたる電圧降下への容量性結合によって動作され、ミラー効果によるメインスイッチ・トランジスタ（１０２）の意図しないターンオンを避ける又は低減するため、メインスイッチ・トランジスタ（１０２）のゲートをそのソース電位にまたはその近辺に保持するために用いられ得る。

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【課題】チャネルが非晶質半導体によって構成される薄膜トランジスタを単極性の駆動回路に用いる際、しきい値電圧の変動の程度に応じてしきい値電圧を補正する駆動回路を提供することを課題の一とする。
【解決手段】半導体層の上下に絶縁層を介して配置された第１のゲート及び第２のゲートを有する単極性のトランジスタで構成される駆動回路において、第１のゲートには、トランジスタのスイッチングを制御するための第１の信号が入力され、第２のゲートには、トランジスタのしきい値電圧を制御するための第２の信号が入力され、第２の信号は、トランジスタのソースとドレインとの間を流れる電流を含む、駆動回路の消費電流の値に応じて制御されるものとする。 （もっと読む）

【課題】回路面積の削減しつつ、消費電流やピーク電流の増大を抑制することが可能な半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】昇圧回路は、第１ないし第４の整流素子と、第１ないし第４のＭＯＳトランジスタと、第１ないし第４のキャパシタと、スイッチ回路と、を備える。スイッチ回路は、第１のＭＯＳトランジスタの他端と第３の整流素子の一端との間の第１の接続点、および、第２のＭＯＳトランジスタの他端と第４の整流素子の一端との間の第２の接続点に接続された低レベル端子と、第３のＭＯＳトランジスタの他端、および、第４のＭＯＳトランジスタの他端に接続された高レベル端子と、を有し、低レベル端子の電圧または高レベル端子の電圧を切り換えて、出力端子に出力するスイッチ回路と、を含む。 （もっと読む）

【課題】クロックゲーティングを行う論理回路において、待機電力を低減すること又は誤動作を抑制すること。
【解決手段】論理回路は、クロック信号が供給されない期間に渡って、ソース端子及びドレイン端子に電位差が存在する状態でオフするトランジスタを有する。該トランジスタのチャネル形成領域は、水素濃度が低減された酸化物半導体によって構成される。具体的には、当該酸化物半導体の水素濃度は、５×１０^１９（ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３）以下である。そのため、当該トランジスタのリーク電流を低減することができる。その結果、当該論理回路の待機電力を低減すること及び誤動作を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】通常動作モード、低消費電力動作モードでの省電力化等を図れる集積回路装置及び電子機器等の提供。
【解決手段】集積回路装置は、外部電源電圧ＶＤＤＥを受けて、外部電源電圧ＶＤＤＥを降圧した第１の電源電圧ＶＤＤＡを出力する第１のレギュレーターＲＧ１と、外部電源電圧ＶＤＤＥを受けて、外部電源電圧ＶＤＤＥを降圧した第２の電源電圧ＶＤＤＢを出力する第２のレギュレーターＲＧ２と、第１の電源電圧ＶＤＤＡが供給され、通常動作モード及び低消費電力動作モードにおいて動作する第１のロジック回路ＬＧ１と、第２の電源電圧ＶＤＤＢが供給され、通常動作モードにおいて動作し、低消費電力動作モードでは非動作になる第２のロジック回路ＬＧ２を含む。 （もっと読む）

【課題】 双方向スイッチにおいて、ドレイン電圧またはドレイン-ソース間電圧に基づいて、上記スイッチのゲート-ソース間電圧を制御する手段と、上記制御手段を介して、上記スイッチのゲート端子に電圧を印加するスイッチドライバとを備えている双方向スイッチを提供する。
【解決手段】 双方向スイッチであるメインスイッチと、上記メインスイッチのゲート-ソース間電圧を、上記メインスイッチのドレイン電圧、ソース電圧に基づいて制御する手段と、上記制御手段を介して上記メインスイッチのゲート端子に電圧を印加するスイッチドライバとを備えている双方向スイッチを構成する。 （もっと読む）

【課題】多チャンネルの高周波信号切り替えを小規模の回路構成にて容易に実現できる多チャンネル高周波信号切替装置を提供する。
【解決手段】多チャンネルの高周波信号を扱う切替回路を、四辺形のマトリクス配線領域１１を囲繞するように例えば８組の高周波信号切替スイッチ１２Ａ〜１２Ｈを設け、各チャンネルに共通のマトリクス配線領域に集成して、多チャンネル集成型の高周波信号切替回路を構成した。 （もっと読む）

【課題】従来の負荷駆動装置は、電源が正常に接続された場合の待機時において消費電流が増大するという問題があった。
【解決手段】本発明にかかる負荷駆動装置は、電源端子ＰＷＲと出力端子ＯＵＴとの間に接続された出力トランジスタＴ１と、出力端子ＯＵＴと接地端子ＧＮＤとの間に接続された負荷１１と、出力トランジスタＴ１のゲートと接地端子ＧＮＤとの間に設けられ、電源１１の極性が逆になった場合に出力トランジスタＴ１を導通状態にする保護トランジスタＭＮ３と、電源１０の極性が正常の場合に接地端子ＧＮＤと保護トランジスタＭＮ３のバックゲートとを導通状態に制御するバックゲート制御回路１７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】パワー半導体素子を駆動するためのドライバを低コストで得ることが可能な半導体装置およびそれを備えた電子機器を提供する。
【解決手段】半導体装置１０１は、ハイサイド駆動部６２からの駆動信号を受ける第１のスイッチング機能部と、ローサイド駆動部６４からの駆動信号を受ける制御電極とを有する第２のスイッチング機能部とを備え、ハイサイド駆動部６２は、ノーマリーオン型の電界効果トランジスタを含み、スイッチング制御信号の基準電圧を出力ノードの電位へシフトした駆動信号を出力し、第１のスイッチング機能部はノーマリーオン型の第１の電界効果トランジスタＴｒ１を含み、第２のスイッチング機能部はノーマリーオン型の第２の電界効果トランジスタＴｒ２を含み、ハイサイド駆動部６２および第１の電界効果トランジスタＴｒ１は第１の半導体チップ７１に含まれている。 （もっと読む）

【課題】回路構成の簡素化を図り、経年変化の影響を受けることなく、スイッチング素子のジャンクション又はチャネルを熱的破壊から保護することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】縦型のＭＯＳＦＥＴからなる保護トランジスタ２０は、半導体基板２の一面にゲート電極２３及びソース電極２２を、他面にドレイン電極２１を形成してある。出力トランジスタ１０が形成された半導体基板１の一面に存するソース電極１２と、半導体基板２の一面とを導電性の接着剤６で接着して、ソース電極１２にソース電極２２及びゲート電極２３を電気的に接続し、熱的に密結合させる。出力トランジスタ１０のゲート電極１３は、リード線３２で保護トランジスタ２０のドレイン電極２１と接続する。高温の場合、保護トランジスタ２０は閾値が０Ｖ以下に低下してオンし、出力トランジスタ１０が遮断される。 （もっと読む）

【課題】オン時の信号歪みが少なく、かつオフ時の抵抗を高くして確実に信号を遮断することができるスイッチ回路を提供する。
【解決手段】第１の端子から入力された電圧信号と切替電圧が入力される増幅器の入力端子と出力端子を結ぶ経路の途中およびこの増幅器の出力側に第１、第２のダイオードを配置し、また第２の端子が接続される経路で、第２のダイオードが接続されていない経路中にスイッチ素子を配置して、このスイッチ素子のオンオフを、第２のダイオードと同じように制御するようにした。信号歪みが少なく、かつスイッチ素子を用いて信号を遮断するので、確実に信号を遮断できる。 （もっと読む）

【課題】差動入力信号の振幅中心電圧が高い場合でも、差動出力信号の振幅変動やジッタを抑制することができるドライバ回路を提供することである。
【解決手段】本発明にかかるドライバ回路は、トランジスタＭ１と、トランジスタＭ１のソースと電源端子との間に接続された負荷素子Ｒ１と、トランジスタＭ１とカレントミラー回路を構成するトランジスタＭ２と、入力された差動入力信号に応じた差動出力信号を出力すると共に、トランジスタＭ２によりソースにバイアス電流が供給される一対のトランジスタを備える差動対と、トランジスタＭ２のソースと電源端子との間に接続された負荷素子Ｒ２と、非反転入力端子がトランジスタＭ１のソースと接続され、反転入力端子がトランジスタＭ２のソースと接続され、出力が差動対を構成する一対のトランジスタのバックゲートに接続されたオペアンプＡＭＰ１と、を有する。 （もっと読む）

【課題】単調に減衰するだけの出力電圧特性に比べて、急峻に減衰した後に緩やかに減衰する出力電圧特性が得られる時定数回路等を提供する。
【解決手段】時定数回路１０は、抵抗素子１１１と容量素子１２１との並列回路１３１，…が第一の端子１４と第二の端子１５との間に複数直列に接続されて成る直並列回路１６と、第二の端子１５に接続された第三の端子１７と第四の端子１８との間に接続された分圧用抵抗素子１９と、を備えている。並列回路１３１は抵抗素子１１１と容量素子１２１とから成り、並列回路１３２は抵抗素子１１２と容量素子１２２とから成り、・・・、並列回路１３ｎは抵抗素子１１ｎと容量素子１２ｎとから成る。ｎは、並列回路１３１〜１３ｎの数であり、２以上の整数である。 （もっと読む）

【課題】ＰＫＧの設計期間を遅延させることなくクロストーク耐性を向上させることが可能な半導体集積回路を提供する。
【解決手段】複数の信号配線を有するＣｈｉｐ２０において、一の信号配線と前記一の信号配線に隣接する一方の隣接信号配線と前記一の信号配線に隣接する他方の隣接信号配線との間で生じるクロストークの発生量を抑制するための補正係数３１と、前記一の信号配線に送出される一の信号、前記一方の隣接信号配線に送出される一方の隣接信号、および前記他方の隣接信号配線に送出される他方の隣接信号の組み合わせパターンと、に基づいて、前記一の信号のスルーレートの低減度合を示す補正量を演算する補正量演算部４２ａ〜４２ｃと、前記補正量に基づいて、前記一の信号のスルーレートを調整するドライバ４１ａ〜４１ｃと、を備える。 （もっと読む）

【課題】並列接続された複数の出力アンプ回路において所望の駆動能力を実現することができる駆動装置、及び表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係る駆動装置（ソースドライバ１）は、並列接続された複数の出力アンプ回路１０と、複数の出力アンプ回路１０に、バイアス電圧供給源２５からバイアス電圧を供給するバイアス配線（幹バイアス配線２２）と、複数の出力アンプ回路１０に、電源電圧供給源３５から電源電圧を供給する電源配線３１と、複数の出力アンプ回路１０に供給される電源電圧とバイアス電圧との差が所望となるように、バイアス電圧にオフセット電圧を重畳する補正手段（バッファ２６）とを備えた。 （もっと読む）

【課題】プルアップ回路（バスホールド回路）の電源電圧Ｖｃｃ及び入力端子ＩＮに電位差が生じる場合でもリーク電流を発生させない手段を提供する。
【解決手段】パスホールド回路に制御端子ＣＮＴを設ける。この制御端子ＣＮＴの反転出力で動作するスイッチとしてＭＯＳＦＥＴ１３を備える。一方入力端子ＩＮと制御端子ＣＮＴの入力はＮＯＲゲート３１に入力され、このＮＯＲゲート３１の出力がパスホールド回路の入力端子・電源電圧間の接続を制御するＭＯＳＦＥＴ１２のゲート端子に入力される。ＭＯＳＦＥＴ１２及びＭＯＳＦＥＴ１３を直列に接続することで、入力端子・電源電圧間の接続をより制度よく制御し、リーク電流の発生を抑止する。 （もっと読む）

【解決手段】多重入出力（Ｉ／Ｏ）システムは、選択された入力チャネルにおけるリーク電流を検出する。当該システムは、複数の入力チャネルのうちの１つから選択された出力を供給するために接続されたリーク電流検出マルチプレクサを含んでいる。また、リーク検出マルチプレクサは、選択された入力チャネルに関し測定されたリーク電流を当該出力の一部として供給する。検出されたリーク電流に基づき、検出されたリーク電流がマルチプレクサの出力のインテグリティを喪失させたか否かに関する測定を行うことが可能である。更に、当該検出されたリーク電流は、マルチプレクサによって供給される出力を補正するために使用され、選択されたチャネルにおけるリーク電流の存在を補償することが可能である。 （もっと読む）

ＮチャネルＭＯＳＦＥＴＭＢ）及びＰチャネルＭＯＳＦＥ（ＭＡ）を含む少なくとも１つのスイッチであって、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴＭＢ）及びＰチャネルＭＯＳＦＥ（ＭＡ）の各々は、スイッチのオン／オフ状態を変化させるための駆動信号を受けるように構成されたゲートを有する、少なくとも１つのスイッチと、スイッチのオン／オフ状態を変化させるための１対の駆動信号を選択的に加えるように構成され配置された駆動回路（５ＤＣ）であって、（ａ）スイッチのオン／オフ状態を変化させるのに十分な１対のＤＣ信号成分と、（ｂ）１対の時間変動信号成分（Ｖｏｎｎ、Ｖｏｎｐ）との関数として、上記駆動信号を発生させるように構成され配置された駆動回路とを備え、前記１対の時間変動信号成分は、各ＭＯＳＦＥＴのソース端子上に存在する信号の少なくとも部分的な複製としての１対の時間変動信号成分であり、ＤＣ信号とともにｎチャネルＭＯＳＦＥＴ及びｐチャネルＭＯＳＦＥＴのゲートにそれぞれ加えられたときに、上記駆動信号は、スイッチのオン／オフ状態を保持し、各ＭＯＳＦＥＴのゲート−ソース電圧をＭＯＳＦＥＴのゲート−ソース絶縁破壊限界内に維持するように、適切なレベルになる、時間変動入力信号をスイッチするためのスイッチング回路。
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本発明は、十分に大きい電圧レベルを検出するため、また、十分な出力を供給するためのトリガ回路に関する。更に本発明は、従来の解決手段に比べて、同じ出力電圧で効果的により多くの出力を供給する整流器に関する。トリガ回路及び整流回路は、特に圧電式のマイクロジェネレータを有するエネルギ自立型のマイクロシステムにおいて使用することができる。
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電圧調整器のチャージポンプ回路の各スイッチング素子は、並列に接続される比較的大型のＭＯＳトランジスタと関連付けられた、比較的小型のＭＯＳトランジスタを備える。第１の動作モードにおいて、小型のトランジスタのみがスイッチングされ、一方、第２の動作モードにおいて、大型のトランジスタがスイッチングされる。このようにして、第１の動作モードにおけるスイッチング損失を減少させることができる。
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