【課題】アンテナスイッチのコスト削減を図る観点から、特に、アンテナスイッチをシリコン基板上に形成された電界効果トランジスタから構成する場合であっても、アンテナスイッチで発生する高調波歪みをできるだけ低減できる技術を提供する。
【解決手段】直列に複数個接続されたそれぞれのＭＩＳＦＥＴＱ_Ｎ１〜Ｑ_Ｎ５のソース領域とドレイン領域の間に、ソース領域の電位を基準としてドレイン領域に正電圧を印加する場合と、ソース領域の電位を基準としてドレイン領域に負電圧を印加する場合のいずれの状態においても、ソース領域の電位とドレイン電極の電位が同電位の状態よりも容量が減少する電圧依存性を持つ歪補償用容量回路ＣＡＰＣ２が接続されている。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの遮断遅延を抑制し、絶縁ゲート型トランジスタ（ＩＧＢＴ）の保護動作を向上できるゲート駆動回路を提供する。
【解決手段】絶縁ゲート型トランジスタ３１のゲートに、相補型の対のトランジスタ４１Ａ，４１Ｂを接続し、対のトランジスタ４１Ａ，４１Ｂのベースライン４２の電流制御により絶縁ゲート型トランジスタ３１を駆動するゲート駆動回路２５において、トランジスタ４１Ａ，４１Ｂのベースライン４２に、ターンオン時にベースライン電流で充電されるコンデンサＣｓと、ターンオフ時にコンデンサＣｓに充電された電荷を消費すると共に、絶縁ゲート型トランジスタ３１のゲート電位上昇によりトランジスタ４１Ａのベースに供給された電荷を消費する抵抗Ｒｂ２とを並列接続した電荷消費回路４３Ａを設けた。 （もっと読む）

【課題】２つのクロック信号を切り替えて出力する切替回路において、出力信号のデューティ比を、入力されるクロック信号のデューティ比に保つこと。
【解決手段】切替回路１００は、制御信号ＣＯＮＴに応じて、入力信号ＩＮ１，ＩＮ２を切り替えて出力信号ＯＵＴとして出力する。具体的には、制御信号ＣＯＮＴが「Ｌレベル」のときには、クロックドインバーターＸ２が動作し、信号ＩＮ１が信号ＯＵＴとして出力され、制御信号ＣＯＮＴが「Ｈレベル」のときには、クロックドインバーターＸ４が動作し、信号ＩＮ２が信号ＯＵＴとして出力される。 （もっと読む）

【課題】一つの切替信号によってスイッチ動作を制御可能とする。
【解決手段】デプレッション型電界効果トランジスタ２０１とエンハンスメント型電界効果トランジスタ３０１が直列接続されて設けられ、デプレッション型電界効果トランジスタ２０１のゲートが第１のゲート抵抗器を介して接地される一方、エンハンスメント型電界効果トランジスタ３０１のゲートには、第２のゲート抵抗器を介して外部から切替信号が印加可能とされ、前記切替信号の電圧レベルを変化させることで、デプレッション型電界効果トランジスタ２０１とエンハンスメント型電界効果トランジスタ３０１の導通、非導通を相補的に切替可能にし、第１乃至第３の高周波入出力端子１０１〜１０３における高周波信号の入出力を制御可能としてなるものである。 （もっと読む）

【課題】電源検知回路において、ＢＴ劣化によって比較回路のミスマッチが増大することに起因する電源検知信号の精度の劣化を抑制する。
【解決手段】検知用比較回路１０４は、入力切替信号生成回路１１２によって、その出力の活性状態と非活性状態との切替時付近では、入力信号１０２と基準電圧１０３とを入力して、その両者の比較を行う。一方、前記切替時付近以外では、比較回路非使用時入力電圧１１０が検知用比較回路１０４に入力されて、その差動入力が同電位に固定される。従って、ＢＴ劣化による電源検知精度の経年劣化が有効に抑制される。 （もっと読む）

【課題】 低価格で誤差が少ない長期間タイマーを提供する。
【解決手段】 一次電池１０を所定時間高放電させる高放電回路２０と、一次電池１０を長期間連続して低放電させる低放電回路３０と、高放電回路２０による放電が終了した後に一次電池の初期出力電圧を検出する電圧検出部４０と、一次電池の出力電圧が前記初期出力電圧に基づいて設定された基準電圧以下になったことを検知して報知する手段とを備えることを特徴。 （もっと読む）

【課題】低周波帯域において線形性劣化のない半導体スイッチ回路を提供する。
【解決手段】入出力端子間に直列にソースおよびドレインを接続した１又は２以上の電界効果トランジスタと、電界効果トランジスタのゲートに接続した抵抗を備えた半導体スイッチ回路において、電界効果トランジスタのゲート−ドレイン間およびゲート−ソース間に、キャパシタをそれぞれ接続可能とした。
【効果】ＦＥＴのゲート−ドレイン間およびゲート−ソース間すべてにキャパシタを接続したことにより、従来より低い周波数帯域においてゲート電極に接続する抵抗よりＦＥＴのインピーダンスが十分低くなるため、線形性を向上させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ミリメートル波周波数において有効な切替え可能減衰器を提供する。
【解決手段】入力減衰器２２は、直列結合されているＲＦ＿ＩＮ＋端子、第１のノード、伝送線路ＴＬ３、直流遮断キャパシタＣｂｌ３、第２のノード、第３のノード、及び出力端子を有する第１の入力回路２１５を有する。第１のノードは、直列結合されているキャパシタＣｍ３及び第１のシリコンゲルマニウムヘテロ接合バイポーラトランジスタＱ９を介して選択的に接地へ結合される。第２のノードは、キャパシタＣｍ１を介して接地へ結合されている。第３のノードは、直列結合されている直流遮断キャパシタＣｂｌ１、抵抗Ｒａｔｔ１及び第２のシリコンゲルマニウムヘテロ接合バイポーラトランジスタＱ７を介して選択的に接地へ結合される。入力減衰器２２は、更に、第１の入力回路２１５と並列に、第１の入力回路２１５と同じ構造を有する第２の入力回路２１６を有する。 （もっと読む）

【課題】 外部から回路をオン、オフ制御するための制御端子を有するレギュレータ用ＩＣにおいて、制御信号による起動直後に出力端子に向かってラッシュ電流が流れるのを防止できるようにする。
【解決手段】 制御回路のオン、オフを指示する制御信号が入力される外部制御端子（ＣＥ）とを備えたレギュレータ用ＩＣにおいて、電圧入力端子または出力端子と接地電位端子との間に直列に接続された電流源（Ｔｒ０，Ｒ３）と基準電圧回路（Ｔｒ２，Ｔｒ３）を設け、該電流源と基準電圧回路との接続ノードは外付けのコンデンサが接続される外部端子（ＣＳ）に接続し、基準電圧回路はデプレッション型ＭＯＳトランジスタとエンハンスメント型ＭＯＳトランジスタが直列に接続され、それらのトランジスタのしきい値電圧の差に相当する電圧を出力するように構成した。 （もっと読む）

【課題】出力波形のリップルを低減可能な半導体集積回路を提供する。
【解決手段】例えば、高周波スイッチ回路ＲＦＳＷと、そのオン・オフを制御するスイッチ制御回路ＳＷＣＴＬを備え、ＳＷＣＴＬは、２個のダウンコンバータ回路ＶＧＥＮ１，ＶＧＥＮ２と、レベルシフト回路ＬＳ［１］〜ＬＳ［４］を備える。各ＬＳ［ｎ］は、レベルシフト段ＬＳＳＧ［ｎ］とその後段に接続された出力段ＯＴＳＧ［ｎ］を持ち、ＲＦＳＷは、ＯＴＳＧ［ｎ］からの制御信号ＯＵＴ［ｎ］によって制御される。ＬＳＳＧ［ｎ］は、ＶＧＥＮ１からの負の電源電圧（−ＶＳＳ１）を用いて動作し、ＯＴＳＧ［ｎ］は、ＶＧＥＮ２からの負の電源電圧（−ＶＳＳ２）を用いて動作する。−ＶＳＳ１では、ＬＳＳＧ［ｎ］のレベルシフト動作に伴いリップルが生じ得るが、−ＶＳＳ２ではＯＴＳＧ［ｎ］の動作がスイッチング動作であるためリップルが生じ難い。 （もっと読む）

【課題】２次高調波歪みの発生を抑制することができる高周波スイッチ回路を提供することである。
【解決手段】本発明にかかる高周波スイッチ回路は、共通端子と第１の端子との間に配置された第１のスイッチ（Ｔ１１〜Ｔ１４）と、共通端子と第２の端子との間に配置された第２のスイッチ（Ｔ２１〜Ｔ２４）と、を少なくとも備える。第１のスイッチが備える電界効果トランジスタには、第１のスイッチがオフ状態の時に生成される寄生容量を相殺する補償容量（Ｃｄｂ１１〜Ｃｄｂ１４）がドレインとボディとの間、またはソースとボディとの間に形成されている。また、第２のスイッチが備える電界効果トランジスタには、第２のスイッチがオフ状態の時に生成される寄生容量を相殺する補償容量（Ｃｄｂ２１〜Ｃｄｂ２４）が、ドレインとボディとの間、またはソースとボディとの間に形成されている。 （もっと読む）

【課題】過電流保護の判定を高精度に行うパワーモジュールの提供を目的とする。
【解決手段】本発明のパワーモジュールは、主電極及びセンス電極を有する半導体デバイス１と、一端が半導体デバイス１のセンス電極Ｓに接続され、半導体デバイス１の主電流に応じたセンス電流を電圧変換するセンス抵抗Ｒ_sと、センス抵抗Ｒ_sの他端を制御グランドに接続する第１配線４と、主電極を主端子Ｅに接続する第２配線５と、第２配線５の主電極側を第１配線４のセンス抵抗Ｒ_s側に接続する第１電流経路６と、第１配線４の制御グランド側を第２配線５の主端子Ｅ側に接続する第２電流経路７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】可変ゲート電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）及びこのＦＥＴを備える電気電子装置を提供する。
【解決手段】熱によるＦＥＴのソース及びドレイン間の電流減少の問題を効果的に解決し、またＦＥＴの温度を低めることができる可変ゲートＦＥＴ及びこのＦＥＴを備える電気電子装置を提供し、可変ゲートＦＥＴは、ＦＥＴと、ＦＥＴの表面または発熱部分に取り付けられ、回路的には、ＦＥＴのゲート端子に連結されておりゲート端子の電圧を変化させるゲート制御素子と、を備え、ＦＥＴの温度が所定温度以上に上昇しているときに、ゲート制御素子が、ゲート端子の電圧を変化させて、ＦＥＴのソース及びドレイン間のチャンネル電流を制御する。 （もっと読む）

【課題】電源投入時に初期状態を確実に設定できる電子回路、パワーオンリセット回路、集積回路装置及び電子機器等を提供すること。
【解決手段】電子回路は、各回路素子がトランジスターで構成される複数の回路素子ＸＡ１〜ＸＢ２と、第１の高電位電源電圧ＶＤＤが供給され、ＶＤＤが所定の電圧レベルになるまでは、低電位電圧レベルに設定され、ＶＤＤが所定の電圧レベルを越えると、ＶＤＤに追従して電圧レベルが上昇する第２の高電位電源電圧ＶＩＮＴを出力する電源出力回路１００とを含む。複数の回路素子のうち、初期状態においてその出力ノードが高電位電圧レベルになる回路素子である第１のグループの回路素子ＸＡ１、ＸＡ２には、ＶＤＤが供給され、初期状態においてその出力ノードが低電位電圧レベルになる回路素子である第２のグループの回路素子ＸＢ１、ＸＢ２には、ＶＩＮＴが供給される。 （もっと読む）

【課題】 しきい値を的確に可変して過電流検出の誤作動を防止する。
【解決手段】 過電流検出回路6Bは、Ｑ２のエミッタと出力端子Ｏの間の電流検出抵抗Ｒ11の両端間に抵抗Ｒ21、Ｒ31が接続されている。Ｒ31の両端が過電流検出トランジスタＱ５のベース−エミッタ間に接続されており、出力端子Ｏと−Ｖ_B の間にダイオードＤ21、抵抗Ｒ61が接続されており、Ｄ21のカソードがＱ５のエミッタと接続されている。Ｒ21とＲ31の接続点とグランド間には抵抗Ｒ51とＤ11が接続されており、Ｒ51とＤ11の接続点とＱ２のエミッタの間にコンデンサＣ21が接続されている。Ｒ51、Ｄ11、Ｃ21のしきい値可変回路９Ａは出力電圧の大きさが大きくなるとしきい値を大きくし、出力電圧の大きさが小さくなるとしきい値を小さくするが、Ｃ21とＤ11により、出力電圧の大きさが増加するときはしきい値を早く増大変化させ、減少するときはしきい値をゆっくり減少変化させる。 （もっと読む）

【課題】信号経路に挿入されたフローティングボディ型のトランジスタを用いて高速動作と低消費電力動作が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置において、フローティングボディ型のトランジスタＱ１０は、センスアンプの出力ノードＮＳ（第１の回路ノード）とローカル入出力線ＬＩＯ（第２の回路ノード）との間に挿入されている。トランジスタＱ１０のゲートにカラム選択信号ＹＳ（第１の信号）が供給され、カラム選択信号ＹＳがトランジスタＱ１０を非導通に保つ第１の論理レベルと導通方向に導く第２の論理レベルとの間で変化する。トランジスタＱ１０を利用しない回路状態時に、第２の論理レベルに近い第１及び第２の電圧レベルが出力ノードＮＳ及びローカル入出力線ＬＩＯに供給される。これにより、フローティングボディ型のトランジスタＱ１０のＣＶ特性を適切に制御し、ゲート容量を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】常温環境のみで初期校正を行ない、実用温度環境においても正確な電流制御を行なう。
【解決手段】所定の温度特性を有する電流検出抵抗126の側近位置に温度センサ171を配置して、校正環境と実用環境における抵抗値を推定すると共に、目標負荷電流に対応した校正環境における実測負荷電流を制御特性データとして記憶し、目標負荷電流に対応した補正目標電流を算出し、電流検出抵抗の変動比率に基づく換算目標電流を電流制御の目標電流として制御する。温度センサ171では完全には検知できない電流検出抵抗126の発熱による抵抗変動分は、制御特性データの中で補正され、制御特性の線形性が改善される。 （もっと読む）

【課題】トレンチゲート型などの微細ＭＯＳＦＥＴにおいて、ＭＯＳＦＥＴの動作電流とダイオード電流を検出することができる半導体基板を提供する。
【解決手段】半導体基板において、半導体基板１は、主電流領域２と主電流領域２に流れる主電流より小さい電流が流れる電流センス領域３を有し、主電流領域２は、主面にソース電極８が配置され、ソース電極８はｐ型半導体領域（ボディ）６とｎ^＋型半導体領域（ソース）７に接触し、電流センス領域３は、主面にＭＯＳＦＥＴ電流検出用電極１０およびダイオード電流検出用電極１１が配置され、ＭＯＳＦＥＴ電流検出用電極１０はｐ型半導体領域（ボディ）６とｎ^＋型半導体領域（ソース）７に接触し、ダイオード電流検出用電極１１はｐ型半導体領域（ボディ）６に接触する。 （もっと読む）

【課題】チップやパッケージのサイズやコストの増加を抑えるとともに、安定動作が実現できる半導体スイッチ集積回路を提供する。
【解決手段】制御電圧印加端子と、オン状態のＦＥＴとオフ状態のＦＥＴの接続点との間に、抵抗素子を接続する。さらにオフ状態のＦＥＴのソース端子とドレイン端子との間に抵抗素子を接続する。その結果、制御電圧以外に外部からＧＮＤ電位を含めたＤＣ電圧を加えなくとも、半導体スイッチ集積回路を構成するＦＥＴのドレイン端子、ソース端子に安定に電圧を供給することができ、オフ状態のＦＥＴのソース端子およびドレイン端子の電位を所定の電位に設定することができる。 （もっと読む）

【課題】 電源遮断機能を有するLSIにおいて、電源遮断をオンオフするときにリーク電流による電流が急激に変化すると電源線にノイズを生ずる。
【解決手段】 情報処理装置であって、回路ブロックと、前記回路ブロックに電源を供給するためのローカル電源線と、電源線と、前記電源線と前記ローカル電源線の間にそのソース―ドレイン経路が設けられる第１のトランジスタとを有し、前記第１のトランジスタは、第１の状態においてはオフ状態に制御され、第２の状態においてはオン状態に制御され、前記第１の状態から前記第２の状態に移行する際に、前記第１のトランジスタは、前記第１のトランジスタのソース―ドレイン経路を流れる電流の変化率が、所定の値を超えないように制御されることを特徴とする。 （もっと読む）