【課題】内部電源と入出力セル電源の電源投入順を考慮しなくとも、外部デバイスとの間に好ましくない貫通電流が流れない半導体装置及びそれを用いた電子機器を提供する。
【解決手段】内部回路用駆動電源に基づいて生成される第１の入出力切り替え制御信号に基づいて入出力の動作を切り替える入出力セル回路を備えた半導体装置において、前記内部回路用駆動電源とは異なる、入出力セル回路用駆動電源と、前記内部回路用駆動電源が投入されずに入出力セル回路用駆動電源が投入されている場合には、内部回路用駆動電源及び入出力セル回路用駆動電源により生成された第２の入出力切り替え制御信号が有効となり、前記入出力セル回路の出力端子をハイインピーダンス状態とするように制御する制御回路とを備える。 （もっと読む）

【課題】回路遅延の増大を抑制しながら、回路しきい値電圧のバラツキを抑制できる集積回路を提供する。
【解決手段】
集積回路１は、高位側電源ＶＤＤと出力端子ＯＵＴの間に接続されたＰＭＯＳトランジスタＭＰ１と、低位側電源ＶＳＳと出力端子ＯＵＴの間に接続されたＮＭＯＳトランジスタＭＮ１と、高位側電源ＶＤＤと出力端子ＯＵＴの間に直列に接続されたＰＭＯＳトランジスタＭＰ２及びＮＭＯＳトランジスタＭＮ３と、低位側電源ＶＤＤと出力端子ＯＵＴの間に直列に接続されたＮＭＯＳトランジスタＭＮ２及びＰＭＯＳトランジスタＭＰ３とを備えている。ＰＭＯＳトランジスタＭＰ１、ＭＰ２、及びＮＭＯＳトランジスタＭＮ１、ＭＮ２のゲートが入力端子ＩＮに接続されている。また、ＮＭＯＳトランジスタＭＮ３のゲートは高位側電源に接続され、ＰＭＯＳトランジスタＭＰ３のゲートは低位側電源に接続されている。 （もっと読む）

【課題】分割抵抗回路で消費される消費電力を低減することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、抵抗分割回路で抵抗分割された分割電圧を受けるための入力端子と、入力端子から供給される分割電圧と、所定の基準電圧と、の電圧差を検出する検出回路と、外部から入力信号を受けるための信号入力端子と、分割電圧と入力信号の電圧を比較するカレントミラー回路と、を備え、カレントミラー回路は、検出回路が検出した電位差に応じて、カレントミラー回路に入力される分割電圧を実効的に補正する電位補正回路と、を含む。 （もっと読む）

【課題】サージ印加時における内部回路の誤動作を防止する。
【解決手段】半導体チップ（１０）は、複数のパッド（Ｐ１１、Ｐ１２）と、複数のパッド（Ｐ１１、Ｐ１２）と電源ライン（１５、１６）との間に接続された複数の静電破壊保護素子（１１Ｈ、１１Ｌ、１２Ｈ、１２Ｌ）と、複数のパッドのうち少なくとも２つのパッド（Ｐ１１、Ｐ１２）に現れる印加電圧（Ｓ１１、Ｓ１２）が同一の論理レベルか否かを監視するサージ検出部（１３）と、サージ検出部（１３）の検出結果（Ｓ１３）に応じてその動作が許可／禁止される内部回路（１４）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】高電位信号を低電位信号に変換する入力回路であって、適切なターゲット反転電位で動作可能な入力回路を提供する。
【解決手段】入力回路は、高電源電位が入力される入力端子とグランド端子との間に接続された抵抗と、抵抗中の第１ノードに接続された第２ノードと、第２ノードと第３ノードとの間に接続されたインバータと、抵抗を通した入力端子とグランド端子との間の電気的接続をＯＮ／ＯＦＦ制御するスイッチと、を備える。ターゲット反転電位は、インバータの反転電位よりも高い。入力端子の電位がターゲット反転電位の場合、第２ノードの電位がその反転電位となる。第２ノードの電位が反転電位より低い場合、インバータは低電源電位を第３ノードに出力し、且つ、スイッチは上記の電気的接続をＯＮする。一方、第２ノードの電位が反転電位より高い場合、インバータはグランド電位を第３ノードに出力し、且つ、スイッチは上記の電気的接続をＯＦＦする。 （もっと読む）

【課題】複数段構成におけるソースフォロア回路において入出力レンジを確保する。
【解決手段】ソースフォロア部ＳＦ１１、ＳＦ１２間に、ゲートドレイン間がダイオード接続され且つソースフォロア部ＳＦ１１およびＳＦ１２を構成するＭＯＳトランジスタＭ１１およびＭ１２と同一チャネル種類のＭＯＳトランジスタＭ１３とそのドレインに接続された電流源Ｃ１３とからなる接続部１１を設け、前段のソースフォロア部ＳＦ１１の出力端とＭＯＳトランジスタＭ１３のソースとを接続し、ＭＯＳトランジスタＭ１３のドレインと後段のソースフォロア部ＳＦ１２の入力端とを接続する。接続部１１における入出力間の電圧レベルのシフト方向は、ソースフォロア部ＳＦ１１、ＳＦ１２における入出力間の電圧レベルのシフト方向と逆となり、電圧シフトを打ち消す方向に作用するため、電圧レベルのシフトにより入出力レンジが狭くなることを抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】プルアップ又はプルダウンのための専用端子を設けず、ソフトウェアによる初期化を待たずにプルアップ又はプルダウンの有無を設定する。
【解決手段】複数の端子を有する半導体装置であって、複数の端子を任意の数の端子毎に任意の数のグループにそれぞれ区分する第一の区分手段と、区分されたグループのそれぞれに含まれる任意の数の端子を、マスタ端子とスレーブ端子とに区分する第二の区分手段と、マスタ端子に対して論理レベルの設定を行う論理レベル設定手段と、マスタ端子に設定された論理レベルに応じて、スレーブ端子をプルアップ状態又は開放状態に切り替える切り替え手段と、を含む。 （もっと読む）

【課題】不具合の発生が抑制された半導体集積回路を提供する。
【解決手段】電圧レベルの高いＨｉ信号、及び、該Ｈｉ信号よりも電圧レベルの低いＬｏ信号が異なるタイミングで入力される第１入力端子と、Ｈｉ信号が常時入力される第２入力端子と、第１入力端子のＨｉ信号によって第１動作状態、第１入力端子のＬｏ信号によって第２動作状態に制御される素子と、を有する半導体集積回路であって、第２入力端子とグランドとの間にスイッチング素子が設けられており、該スイッチング素子は、第１入力端子にＨｉ信号が入力されている時にＯＦＦ状態、第１入力端子にＬｏ信号が入力されている時にＯＮ状態となる。 （もっと読む）

【課題】ストローブ信号の変化によって基準電位に重畳するノイズを低減し、これにより、基準電位を用いる入力レシーバ回路の動作マージンの低下を防止する。
【解決手段】ストローブ信号ＩＤＱＳＴによって活性化され、入力信号ＤＱの電位と基準電位ＶＲＥＦとを比較することによって出力信号ＩＤＱＲを生成する入力レシーバ回路１７Ｒと、ストローブ信号ＩＤＱＳＴの変化によって基準電位ＶＲＥＦに生じるノイズをキャンセルするノイズキャンセラ１００Ｔとを備える。本発明によれば、ノイズキャンセラ１００Ｔによって基準電位ＶＲＥＦに生じるノイズがキャンセルされることから、入力レシーバ回路１７Ｒの動作マージンを十分に確保することができる。これにより、高速なデータ転送を行うことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】出力バッファ回路のインピーダンスを切り替えるためのタイミングマージンを拡大する。
【解決手段】制御期間Ｔ１においてはプルアップバッファ回路１００をオン、プルダウンバッファ回路２００をオフとし、制御期間Ｔ２においてはリードデータＤＱに基づいてプルアップバッファ回路１００及びプルダウンバッファ回路２００の一方をオン、他方をオフとする。制御期間Ｔ１においてはプルアップバッファ回路１００のインピーダンスをインピーダンスコードＯＤＴＣに基づいて設定し、制御期間Ｔ２においてはプルアップバッファ回路１００及びプルダウンバッファ回路２００の前記一方のインピーダンスをインピーダンスコードＲＯＮＣに基づいて設定する。制御期間Ｔ３中にプルアップバッファ回路１００のインピーダンスをコードＯＤＴＣに基づく値からコードＲＯＮＣに基づく値に変化させる。 （もっと読む）

【課題】受信動作への切換時に発生するノイズを抑制する。
【解決手段】受信回路１０は、圧電センサ２の受信信号ＳＰ及びＳＮを増幅するアンプ１５と、圧電センサ２の一端とアンプ１５の一端との間に並列接続されて受信動作への切換時に位相をずらしてオンされる複数のトランジスタ１１ａ及び１１ｂ（ないしは１２ａ及び１２ｂ）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】外部装置に接続された所定の入出力端子の信号レベルに基づいて、外部装置に対応したシリアルインターフェースを接続する。
【解決手段】外部装置と接続された入出力端子から得られる信号に基づいて、前記外部装置に対応したシリアルインターフェースを接続するシリアルインターフェース装置であって、前記入出力端子に接続された切り離し可能なプルダウン回路と、前記プルダウン回路の接続又は切り離しを制御するプルダウン制御手段と、前記プルダウン制御手段により前記プルダウン回路が接続されているとき、前記入出力端子の信号レベルを検出する信号レベル検出手段と、前記信号レベル検出手段の検出結果に応じて、前記外部装置に対応したシリアルインターフェースに切り替える切替手段とを有することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 差動増幅回路の出力信号の特性を改善する。
【解決手段】入力データ信号が‘Ｌｏｗ’レベルになると、トランジスタ１６に流れる電流Ｉ１の電流が減少し、抵抗１４と抵抗１４ａとの接続部（ノードＤ）の電位が高くなる。この電位は、トランジスタ１８にゲートに入力（負帰還）され、該ゲート電位が高くなることによって、テイル電流量Ｉ＿ＴＡＩＬが増加する方向に調整される。入力データ信号が‘Ｈｉｇｈ’レベルになると、電流Ｉ１の電流が多く流れ、ノードＤの電位が下がる。これによって、トランジスタ１８のゲート電位（負帰還）が下がり、テイル電流量Ｉ＿ＴＡＩＬを絞る方向に調整される、これによって入力波形の立上りと立下りとで、それぞれ出力波形との遅延時間の差が小さくなる。 （もっと読む）

【課題】貫通電流を抑制しつつ、ドライブ能力を向上することが可能なＣＭＯＳ論理回路を提供する。
【解決手段】ＣＭＯＳ論理回路は、第１の電圧線に一端が接続され、印加される電圧に対して非線形となるインピーダンス特性を有する抵抗性素子と、第１、第２のＭＯＳトランジスタで構成される第１のインバータ回路を備える。ＣＭＯＳ論理回路は、第３、第４のＭＯＳトランジスタからなる第２のインバータ回路を備える。ＣＭＯＳ論理回路は、抵抗性素子と並列に接続され、ゲートが第３のＭＯＳトランジスタＰ２の他端に接続された第５のＭＯＳトランジスタを備える。ＣＭＯＳ論理回路は、第１の電圧線と第１の出力端子との間に接続され、ゲートが第３のＭＯＳトランジスタの他端に接続された第６のＭＯＳトランジスタを備える。 （もっと読む）

【課題】高い周波数の差動信号をシングルエンドの信号に変換可能な信号変換回路、当該信号変換回路を備えたアイソレータ回路及び信号変換方法を提供すること
【解決手段】本発明にかかる信号変換回路１０は、差動信号である信号Ｄ１及び信号Ｄ２が入力されるヒステリシスコンパレータ１、２及び変換バッファ３を備える。ヒステリシスコンパレータ１は、信号Ｄ１の電位Ｖ１と信号Ｄ２の電位Ｖ２との大小の比較結果を信号Ｅ１として出力する。ヒステリシスコンパレータ２は、電位Ｖ１と電位Ｖ２との大小を比較し、当該比較結果を信号Ｅ１の反転信号である信号Ｅ２として出力する。変換バッファ３は、信号Ｅ１及び信号Ｅ２をシングルエンド信号Ｆに変換する。 （もっと読む）

【課題】信号転送ラインの充放電によって消費される電力を低減する。
【解決手段】フリップフロップ構成のアンプ回路ＡＭＰを含むレシーバ回路Ｒ０ｋと、データバスＤＢとレシーバ回路Ｒ０ｋの入力端Ｔ２との間に挿入され、データバスＤＢがＶＰＥＲＩ−ＮＶｔｈに達するとオフするトランジスタＭ７を備える。本発明によれば、トランジスタＭ７によって入力端Ｔ２の振幅が制限されることから、データバスＤＢがローレベルからハイレベルに変化する際の転送速度が向上する。しかも、アンプ回路ＡＭＰがフリップフロップ構成を有していることから、フリップフロップが反転した後は貫通電流が生じない。これにより、消費電力がより一層低減される。 （もっと読む）

【課題】高速に伝送されてくるデータを安定して受信する差動入力インターフェース回路を提供する。
【解決手段】一対の差動信号を受信して正相データ信号ＰＡ１１を出力する第１の差動アンプ１０３と、一対の差動信号を受信して負相データ信号ＮＡ１１を出力する第２の差動アンプ１０４と、一対の差動クロック信号を受信して正相クロック信号ＦＸ１１を出力する第３の差動アンプ１０５と、正相データ信号ＰＡ１１と負相データ信号ＮＡ１１とを正相クロック信号ＦＸ１１に同期してラッチすることにより、ラッチ出力信号ＰＤを出力するデータラッチ回路３０３と、ラッチ出力信号ＰＤよりシングルエンドのデータ信号Ｌ１３を生成するデータ生成回路３０２とを備える。 （もっと読む）

【課題】効果的に雑音レベルを低減した半導体集積回路を提供する。
【解決手段】差動入力トランジスタであるＰチャネル型ＭＯＳトランジスタＭ１，Ｍ２は、雑音レベルを低減するために薄いゲート酸化膜を有している。これらのＰチャネル型ＭＯＳトランジスタＭ１，Ｍ２を過電圧から保護する保護回路は、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタＭ３，Ｍ４を含んで構成されている。Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタＭ３はＰチャネル型ＭＯＳトランジスタＭ１を過電圧から保護する第１の保護トランジスタであり、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタＭ１のドレイン側に直列に接続されている。Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタＭ４は、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタＭ２を過電圧から保護する第２の保護トランジスタであり、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタＭ２のドレイン側に直列に接続されている。 （もっと読む）

【課題】ソースが共通接続されそれぞれのゲートが二つの入力端子に接続さた二つのトランジスタを有する差動対を備える差動入力回路において、より適正に入力オフセットをより小さくする。
【解決手段】トランジスタＴｉｎ１，トランジスタＴｉｎ２のドレインに高電圧印加回路６０を接続し、トランジスタＴｉｎ１のソースおよびトランジスタＴｉｎ２のソースと接地電圧印加点ＧＮＤとの間にトランジスタＴｓｅｎを設け、論理ローレベルの電圧の制御信号ＳＥＮをスイッチング回路７０に入力すると共に制御信号Ｔｃとしてクロック信号を入力して入力端子ＩＮ１に電圧Ｖ１を印加すると共に入力端子ＩＮ２に電圧Ｖ２を印加し、検出した出力端子ＯＵＴ，ＯＵＴＢの電圧に応じてトランジスタＴｉｎ１，Ｔｉｎ２のドレインに高電圧印加回路６０により電源電圧Ｖｄｄｈを印加する （もっと読む）

【課題】ウエハーテストにおいて、キャリブレーション動作の評価を、容易、かつ高精度に行うことができる半導体装置を提供する。
【解決手段】キャリブレーション端子ＺＱを駆動するレプリカバッファ（１３１）と、レプリカバッファの出力インピーダンスを変化させる際に目標となるインピーダンスが設定され、キャリブレーション端子ＺＱに接続される可変インピーダンス回路（１７０）と、を備える。 （もっと読む）