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Fターム[5J056AA40]の内容

Fターム[5J056AA40]に分類される特許

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【課題】本発明は、デュアル・プル・アップ及びプル・ダウン・トランジスタの複数の個々に制御できるセグメントのパラレル構成を有するセグメント化自己直列終端(SSST)送信機の設計を用いて振幅、プリ・エンファシス及びスルー・レートの柔軟な制御を可能にする回路設計方法及び送信機を提供する。本発明は、供給電圧を調整することにより、自己直列終端(SST)送信機の全体にわたって正確な出力を供給/維持する機構をも提供する。
【解決手段】振幅制御、スルー・レート制御及びプリ・エンファシス制御は、様々なセグメントに対する通常入力または反転入力の操作/選択により可能になる。供給電圧の調整は従来のシリアル・リンク受信機ターミネーション電圧との互換性を可能にし、これら電圧が装置への通常の供給よりも大きければ送信機出力装置を保護する。 (もっと読む)


【課題】被検査装置(DUT)の出力インピーダンスを許容インピーダンスの所定の範囲内に実質的に正確に較正することを行う。
【解決手段】DUTは、ソース直列終端(SST)シリアル・リンク送信器の一部であり、当該送信器において、並列トランジスタの2つの分岐は、それぞれ、並列分岐の特定のトランジスタがオンになる場合に、インピーダンス値を提供する。当該インピーダンス値は、直列接続された抵抗器に付加されて、出力インピーダンスを提供する。DUTは、抵抗器に直列な並列トランジスタの1つの分岐からなる。DUTの出力インピーダンスは、基準抵抗器の抵抗と比較され、比較器は、出力インピーダンスが基準抵抗の予め設定されたパーセンテージ変動内に収まるかどうかに基づいて、制御信号を提供する。制御信号は、DUTインピーダンス値が所望の範囲内に収まるまで、並列分岐内のトランジスタを個別にオンまたはオフするように動作するFSM(有限ステート・マシン)によって処理される。 (もっと読む)


【課題】 ZQキャリブレーション回路を備えた半導体装置は、使用状態によりそのインピーダンスは異なるために、実使用状態においては適時ZQキャリブレーションされる。しかし、実動作中の短期間の規定されたクロック数内では正しくZQキャリブレーションできないという問題がある。
【解決手段】 ZQキャリブレーションコマンドと異なる外部からのコマンドからZQキャリブレーションコマンドを内部生成し、ZQキャリブレーション動作を自動的に追加実施させる。入力されたコマンドから次のコマンド入力までのコマンド間隔を有効活用することにより、ZQキャリブレーション期間を確保する。このコマンドとしては、セルフリフレッシュコマンドがより好ましい。ZQキャリブレーション動作を追加することでZQキャリブレーション間隔が短くなりより正確なZQキャリブレーション動作が行えるZQキャリブレーション回路が得られる。 (もっと読む)


【課題】並列同調回路の同調周波数の変化時にアンテナインピーダンスとの整合調整が不要で良好な周波数選択度と改善した雑音指数の受信機入力回路を提供する。
【解決手段】R−∞形ローパスフィルタ2と小容量結合キャパシタ素子3と並列同調回路4とからなり、ローパスフィルタ2は、直列接続インダクタ素子8及び第1キャパシタ素子9と分路接続第2キャパシタ素子10とを有しており、第1及び第2キャパシタ素子8、9は、通常の分路接続キャパシタ素子を2分割したもので、その総合容量値を通常の分路接続キャパシタ素子の容量値に等しく選び、並列同調回路4は同調用第1可変容量キャパシタ素子12を用い、結合キャパシタ素子3に第2可変容量キャパシタ素子を用い、並列同調回路4の同調周波数を第1可変容量キャパシタ素子12の容量を調整して変化させる際、その容量の調整に連動して結合キャパシタ素子3の容量値を変更させる。 (もっと読む)


【課題】出力インピーダンスを伝送インピーダンス及び受信インピーダンスに效率的にマッチングさせることができる出力ドライバーを提供する。
【解決手段】モードレジスターセットを用いてインピーダンスを制御する出力ドライバーが掲示される。本発明の出力ドライバーは、データ信号によるメイン信号を所定の伝送線で出力及びドライビングするメインドライビング回路、補助信号を前記伝送線で出力及びドライビングする補助ドライビング回路及びモードレジスターセットを備える。モードレジスターセットは、インピーダンス制御信号群、ドライビング幅制御信号群及び遅延制御信号群を生成する。前記インピーダンス制御信号群、前記ドライビング幅制御信号群及び前記遅延制御信号群によって、補助インピーダンス(SIM)の大きさ、補助信号(XSDR)のドライビング幅及びドライビング時点に対する制御が可能である。 (もっと読む)


【課題】オンダイターミネーションが動作する周波数に関係なく、遅延固定ループクロックと内部クロックとの間のクロックドメインエラーを解決し、所望のタイミングにオンダイターミネーション動作を行うことができるオンダイターミネーション制御方法及びそれに係る制御回路を提供する。
【解決手段】外部クロック及び遅延固定ループクロックを受信して、それぞれのクロックがトグルされる数を設定された値からカウントするカウンタ部と、オンダイターミネーション命令信号に応答し、前記外部クロックカウント値と前記遅延固定ループカウント値とを比較し、その値に応じてオンダイターミネーションの動作を制御する比較制御部とを備える。 (もっと読む)


【課題】レイテンシ情報を利用してオンダイターミネーション(ODT;On Die Termination)回路のイネーブル時間を決定できるようにする技術を提供すること。
【解決手段】オンダイターミネーション制御信号をバッファリングして内部クロックに同期された互いに異なる遅延時間を有する複数個の制御信号を出力し、第1レイテンシ情報に応じて複数個の制御信号のうちいずれかを選択してレイテンシ制御信号を出力するレイテンシブロックと、レイテンシ制御信号のアクティブの時、第2レイテンシ情報を初期値として内部クロックをカウントした第1制御信号と、出力クロックをカウントして発生した第2制御信号を比較して、オンダイターミネーションイネーブル信号のアクティブの時点を制御するイネーブル信号発生部と、ターミネーションの抵抗値を制御するオンダイターミネーション部とを備える。 (もっと読む)


【課題】本発明はオンダイターミネーション制御装置に関し、特に、ODT(On−Die Termination)とDLL(Delay Locked Loop)のディセーブル状態でクロック信号を制御し電流の無駄使いを抑えることのできるオンダイターミネーション制御装置を提供すること。
【解決手段】本発明のオンダイターミネーション制御装置は、モード設定に応じて状態が異なるようにするクロック制御信号を出力するモードレジスタセットと、前記クロック制御信号のアクティブ状態に応じて第1内部クロックと第1同期クロックを受信し、第2内部クロックと第2同期クロックを選択的に出力するクロック制御部と、ODT制御信号を受信し、前記第2内部クロックと前記第2同期クロックに同期して、オンダイターミネーションブロックの動作を制御するオンダイターミネーション制御部とを備える。 (もっと読む)


【課題】差動出力信号の変化速度を調節する。
【解決手段】第1電流源10は、高電位側に設けられ、第1駆動電流Idrv1を生成する。第2電流源12は、低電位側に設けられ、第1電流源10と略同一の第2駆動電流Idrv2を生成する。第1スイッチ群14は、第1電流源10および第2電流源12の間に設けられ、差動入力信号Sin1に応じて相補的にオンオフする第1トランジスタM1、第2トランジスタM2を含む。第2スイッチ群16は、第1スイッチ群14と並列に設けられ、差動入力信号Sin2にもとづき、第1スイッチ群14とは逆相で相補的にオン、オフする第3トランジスタM3、第4トランジスタM4を含む。第1出力端子24と第2出力端子26の間には、可変抵抗素子Rvarが設けられる。第1駆動電流Idrv1、第2駆動電流Idrv2は、第1出力端子24、第2出力端子26間の合成インピーダンスに反比例するように設定される。 (もっと読む)


【課題】分岐された差動配線での放射ノイズの低減を図った配線基板を提供する。
【解決手段】差動信号出力素子からの差動信号が接続点から差動信号バス配線に入力され、接続点と両端それぞれN対の分岐配線で分岐され、2N個の差動信号入力素子に入力される。差動信号出力素子から差動信号入力素子間の配線の実効長を半波長とする周波数fにおいて、分岐配線および差動信号入力素子の全体での入力インピーダンスZbnと、差動バス配線の特性インピーダンスZ1とが0.8・Z1≦Zbn/N≦1.2・Z1の関係を満たす。 (もっと読む)


【課題】波形品質の劣化、電源バウンス、及び電磁波放射を抑制して、高速動作を実現すると共に、使用ピンの数の増大及び回路規模の拡大を抑制することができるようにする。
【解決手段】バス回路10は、伝送線路12と、伝送線路12の送信端に接続されたオープンドレインのPMOS素子からなる駆動スイッチング回路14と、一端が伝送線路12の受信端に接続された終端抵抗16と、インダクタンス成分を有する接続回路20を介して、終端抵抗16の他端に接続され、終端電位となっている電源22と、終端抵抗16の一端に接続され、かつ、信号を受信するためのレシーバ素子18とを備える。バス回路10は、ドレインが、終端抵抗16を迂回するように接続回路20を介して電源22に接続され、ソースが接地されているNMOS素子からなる迂回スイッチング回路24を備え、迂回スイッチング回路24のゲートは伝送線路12の受信端に接続されている。 (もっと読む)


【課題】 伝送信号の反射による不要輻射を抑圧する。
【解決手段】 送信信号駆動等価回路部装置11と信号受信等価回路部装置13との間を基板伝送線路部装置12で接続してパルス信号を伝送する伝送システムにおいて、伝送線路部装置12の信号受信等価回路部装置13に接続される端部に、伝送線路インピーダンス相当のインピーダンスを有する一次終端回路121を並列接続し、基板伝送線路部装置12の信号受信等価回路部装置13に接続される端部に、伝送線路インピーダンスの半分相当のインピーダンスを有する二次終端回路を直列接続する。 (もっと読む)


【課題】 信号の減衰を防止し、素子内でインピーダンスマッチングが取れるSAWフィルタモジュールおよび信号伝送装置を提供する。
【解決手段】 SAWフィルタモジュール10は、SAWフィルタ20と、前記SAWフィルタ20の入力側および出力側に接続されたマッチング回路と、前記SAWフィルタ20の入力側および出力側の少なくともいずれか一方に接続された信号増幅回路と、を備えた構成である。そしてマッチング回路、またはマッチング回路と信号増幅回路は、バッファ32,34を構成している。 (もっと読む)


【課題】インピーダンスマッチングにおける電流を低減しつつ、コストの増大および装置の大型化を抑制することを目的とする。
【解決手段】印刷装置1にCPU7と画像メモリ8とを設ける。さらに、CPU7と画像メモリ8との間で、画像データを表現する信号を入出力するインターフェース回路装置10を設ける。インターフェース回路装置10は複数のSSTL回路11ないし18によって構成する。また、画像データにおいて、互いに隣接する画素P1,P2のうち、画素P1を非反転画素、画素P2を反転画素とする。画素P1を表現する信号が入力されるSSTL回路11ないし14では、入力信号を反転させないように非反転素子21に入力信号を入力する。一方、反転画素である画素P2を表現する信号が入力されるSSTL回路15ないし18では、入力信号を反転させるように反転素子23に入力信号を入力させる。 (もっと読む)


【課題】メモリコントローラ側からOCDインピーダンス調整機能を用いたDDR2メモリの出力バッファのインピーダンス調整を行う。
【解決手段】入力信号を共通に受け、インピーダンスが可変自在な、プルアップ及びプルダウン用の第1の出力バッファ(P1、N1)と第2のバッファ(P2、N2)を備え、第1及び第2のバッファから出力される第1及び第2の信号をそれぞれ受ける第1及び第2の端子(DQS、DQSB)と、第1の端子と前記第2の端子の間に直列に接続された第1及び第2のスイッチ(SW1、SW2)と、第1、第2のスイッチの接続点D1の電圧と基準電圧VREFとを比較する比較器12と、比較器からの比較結果を受け、第1及び/又は第2のバッファのインピーダンスを可変に設定する制御を行うとともに、前記第1および第2のスイッチ(SW1、SW2)のオン・オフ制御を行う制御回路11を備える。 (もっと読む)


【課題】低電圧差動信号受信器及びそれの終端抵抗値の設定方法を提供する。
【解決手段】低電圧差動信号受信器は、外部から提供される基準電圧を感知して第1信号を出力する第1受信部、抵抗制御コードに基づいて可変される可変終端抵抗部の両端に外部から提供される基準電流によって形成される電圧を感知して第2信号を出力する第2受信部を含む。低電圧差動信号受信器は、第1信号と第2信号とを比較してカウンタ制御信号を出力する比較部及びカウンタ制御信号に応答して可変終端抵抗部の抵抗値を変動させるための抵抗制御コードを可変終端抵抗に出力するアップ/ダウンカウンタ部を更に含む。アップ/ダウンカウンタ部は、可変終端抵抗部に抵抗制御コードを提供する。 (もっと読む)


【課題】
抵抗値の変動を低減することができる半導体回路及び抵抗値制御方法を提供すること。
【解決手段】
本発明にかかる半導体回路は、Pchトランジスタ11が設けられた終端抵抗回路10と、Pchトランジスタ11のゲート端子に制御信号27を出力し、終端抵抗回路10の抵抗値を制御する制御回路20とを備えた半導体回路であって、制御回路20がPchトランジスタ11の抵抗値を変化させる特定のパラメータに対してPchトランジスタ11と同じ方向に抵抗値が変化するPchトランジスタ21と、Pchトランジスタ21よりも抵抗値の変動の小さい抵抗23とを備え、Pchトランジスタ21と抵抗23との間の電圧に基づいて制御信号27を出力するものである。 (もっと読む)


【課題】ODT動作タイミングを容易に調節できる半導体メモリ装置を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体メモリ装置は、データ入力パッドと、外部から入力されるODT信号を入力されたデコード値に対応するインピーダンス値の選択信号として出力するODT動作制御部と、前記インピーダンス値の選択信号に応答しインピーダンス値を調節するためのインピーダンス調整回路部と、内部生成されるODT制御信号を、第1タイミングと同じタイミングだけ遅延させて出力するための第1遅延調整部と、前記出力された信号を第2タイミングと同じタイミングだけ遅延させて出力するための第2遅延調整部と、現在の状態が、モジュールの第1ランクと第2ランクのどちらで用いられるのかによって、前記第1遅延調整部の出力または第2遅延調整部の出力を前記ODT信号の制御で行うODTタイミング制御部とを備える。 (もっと読む)


【課題】 ノイズが大きい環境下で、高精度なインピーダンス調整を可能ならしめ,かつその回路規模が小さくコストパフォーマンスに優れるインピーダンス制御回路およびインピーダンス制御方法を提供する。
【解決手段】 第1のバイナリカウンタ(nビット)と,第2のバイナリカウンタ(n+kビット)と,タイミング制御回路とを備える。第1のバイナリカウンタは、整合回路のレプリカにnビットのインピーダンス制御コードを順次送出する。第2のバイナリカウンタは、整合回路のレプリカの出力とレファレンス電圧との比較結果に基づき、比較結果が1となる回数をカウントする。タイミング制御回路は、この一連の制御を2回繰り返して行い、第2のバイナリカウンタの上位nビット出力を取り込む。そして、上位nビット出力を、タイミング信号とともに整合回路に送信して当該整合回路のインピーダンス値を所望の値に制御する。 (もっと読む)


【課題】 簡単な制御により高周波数での有効出力データ期間の確保を可能にした出力回路を備えた半導体集積回路装置及びデータ転送レートを高くすることができる半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】 CMOS出力回路を構成するNチャネル出力MOSFETにゲートが共通接続され、上記CMOS出力回路を構成するPチャネル出力MOSFETのゲート容量と上記Nチャネル出力MOSFETのゲート容量の差分に対応したゲート容量を持つようにされたダミーMOSFETを設け、Nチャネル出力MOSFETの入力容量とPチャネル出力MOSFETの入力容量を同等とする。 (もっと読む)


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