【課題】スリープ状態の論理回路ブロックにおける寄生容量を用いることにより、電源共振雑音などの電源ノイズを大幅に低減する。
【解決手段】電源ノイズ測定回路９によって電源電圧ＶＤＤをモニタし、電源電圧ＶＤＤが任意の基準電圧以上となると、制御信号ＣＯＮを出力し、スイッチコントローラ８は、仮想基準電位ＶＳＳＡに蓄積された電荷を放出し、その後、任意の期間が経過すると、仮想基準電位ＶＳＳＡに電荷を蓄積するようにスイッチ部６を制御することによって、基準電位ＶＳＳ、および電源電圧ＶＤＤの電位を下降／上昇させ、電源電圧ＶＤＤの電源共振雑音をキャンセルする。 （もっと読む）

【課題】スタンバイ時における半導体装置の消費電力を低減する。
【解決手段】電源線ＶＤＤＴＬ，ＶＳＳＴＬ間に接続された回路ブロック１０Ａと、電源線ＶＤＤＴＬ，ＶＳＳＬ間又は電源線ＶＤＤＬ，ＶＳＳＴＬ間に接続された回路ブロック１０Ａの出力信号を受ける論理回路１０Ｂ−１と、電源線ＶＤＤＬ，ＶＳＳＬ間に接続された論理回路１０Ｂ−１の出力信号を受ける回路ブロック２０と、を備える。電源線ＶＤＤＴＬ，ＶＳＳＴＬ間には、アクティブ状態においては第１の電圧、スタンバイ状態においては第１の電圧よりも低い第２の電圧が供給され、電源線ＶＤＤＬ，ＶＳＳＬ間には、アクティブ状態及びスタンバイ状態のいずれにおいても第１の電圧が供給される。これにより、サブシュレッショルド電流低減を維持しつつ、クリティカルパスの高速化を実現することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 負荷が大きい信号線に起因する消費電力を低減して半導体集積回路の低消費電力化を実現する。
【解決手段】 負荷が大きい信号線ＧＬ２１を負論理のパルス信号である入力信号Ｓ２１に応じて駆動する駆動回路ＤＣ２１は、ｐＭＯＳトランジスタＴＤ２１、ＴＤ２２を有する。ｐＭＯＳトランジスタＴＤ２１は、ソースおよびドレインがそれぞれ信号線ＧＬ２１および接地線ＶＳＳに接続され、ゲートが入力信号Ｓ２１を受ける。ｐＭＯＳトランジスタＴＤ２２は、ソースおよびドレインがそれぞれ電源線ＶＤＤおよび信号線ＧＬ２１に接続され、ゲートが入力信号Ｓ２１の反転信号を受ける。 （もっと読む）

【課題】変換する電位差が大きくても、小規模な回路で、高速に、低電圧から高電圧へ信号レベルを変換することのできるレベルシフト回路を提供する。
【解決手段】低電圧電源電圧ＶＤＤＬで動作する低電圧部１００からは、入力信号Ｓｉｎと同相の同相信号Ｓおよび逆相の逆相信号ＳＮが出力され、能動バイアス制御部１は、入力された逆相信号ＳＮの信号レベルに応じて、出力するバイアス信号ＶＭの電位を、高電圧電源電圧ＶＤＤＨに近い電位、または接地電位ＧＮＤに近い電位に、能動的に制御し、出力部２は、高電圧電源線ＶＤＤＨと反転出力端ＶＱとの間の導通が同相信号Ｓおよびバイアス信号ＶＭにより制御され、接地電位電源線ＧＮＤと反転出力端ＶＱとの間の導通が同相信号Ｓにより制御され、反転出力端ＶＱの信号の極性がインバータＩＮＶ１により反転される。 （もっと読む）

【課題】ノイズなどの不要成分の影響を極力抑制して信頼性良く断線検出できるようにする。
【解決手段】電源Ｖｃ−グランド間には、負荷Ｍ、ＭＯＳトランジスタＭ１、抵抗Ｒ１が直列接続されている。第１電圧検出回路３は抵抗Ｒ１の端子電圧を検出する。制御回路２は、第１電圧検出回路３により検出された抵抗Ｒ１の検出電圧について閾値電圧ｒｅｆ１と比較した検出結果に基づいて断線を検出する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の製造ばらつきや動作環境による特性変動の影響を低減し、安定した動作を可能にする半導体回路、及びコンピュータシステムを提供することにある。
【解決手段】降圧回路１００は、制御電圧Ｖｒｅｆが供給されるＮＭＯＳトランジスタ１０１が電流源として駆動するカレントミラー回路２０が、制御電圧Ｖｒｅｆに応じて出力電圧を変化させるＮＭＯＳトランジスタ１０２を駆動し、更に、補償回路３０は、ＮＭＯＳトランジスタ１０１と１０２の特性変動によって生じる降圧電位ＶＤＤＩの変動を低減する。 （もっと読む）

【課題】フリーホイールダイオードを用いることなく、より低い電圧のアンダーシュートでも低減できる送信ドライバ回路を提供する。
【解決手段】ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ２２のドレインをグランドに接続して、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１，ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ２２のソースをそれぞれ信号線３Ｈ，３Ｌに接続する。第１データ電圧設定部４１は、信号出力部がハイレベル信号を出力すると、ゲート２１Ｇ，２２Ｇ間の電位差を（２・Ｒ１・Ｉref）にする電圧信号を設定し、第２データ電圧設定部４２は、信号出力部がロウレベル信号を出力すると、ゲート２１Ｇ，２２Ｇ間の電位差をゼロにする電圧信号を設定する。これらの作用により、伝送線路３を構成する信号線３Ｈ，３Ｌ間の電圧を変化させて差動信号を伝送する。 （もっと読む）

【課題】内部波形や出力波形の振幅を保ちつつ、入力された信号の振幅よりも大きな振幅の信号を出力できるレベルシフト回路を得る。
【解決手段】第１および第２の入力信号（セット信号ＶＳおよびリセット信号ＶＲ）が供給される第１の入力回路（ＭＯＳトランジスタ１１，１２）と、第１および第２の入力信号が供給される第２の入力回路（ＭＯＳトランジスタ１３，１４）と、第１の入力信号に同期した第３の入力信号（反転セット信号ＶＳｂ）が一方に供給され、他方が第２の入力回路の出力端子に接続された第１の容量素子２２と、第２の入力回路の出力端子と電源ＰＶＳＳとの間に挿入配置された第２の容量素子２３と、第１および第２の入力回路の出力電圧に基づいて、前記第１から第３の入力信号の振幅よりも大きな振幅の出力信号ＶＯｕｔを生成する出力回路（ＭＯＳトランジスタ１６，１７）とを備える。 （もっと読む）

【課題】出力電圧の立ち上がるタイミングのばらつきを低減することの可能な駆動回路、およびこの駆動回路を備えた表示装置を提供する。
【解決手段】バッファ回路１は、互いに直列に接続されたインバータ回路１０およびインバータ回路２０を備えている。インバータ回路２０は、３つのトランジスタＴｒ₂₁，Ｔｒ₂₂，Ｔｒ₂₃を有している。そのうちの２つのトランジスタＴｒ₂₁，Ｔｒ₂₂は、デュアルゲート型のトランジスタである。これらトランジスタＴｒ₂₁，Ｔｒ₂₂のバックゲートの電圧を調整することにより、トランジスタＴｒ₂₁，Ｔｒ₂₂の閾値電圧を調整することができる。 （もっと読む）

【課題】消費電流を低減することができ、信号伝達に必要な電源電圧を低減することができ、電源電圧が揺れても正確に信号を伝達することができるレベルシフト回路を得る。
【解決手段】本発明のレベルシフト回路は、インバータ回路ＩＮＶ２、レベルシフト素子ＭＯＳ１、第１の抵抗Ｒ１及びカレントミラー回路ＣＭ１を備える。インバータ回路ＩＮＶ２は、入力信号を反転して出力する。レベルシフト素子ＭＯＳ１は、入力信号を反転した信号をゲート信号として動作する。第１の抵抗Ｒ１の一端は、インバータ回路の出力に接続されている。カレントミラー回路ＣＭ１は、第１の抵抗Ｒ１を介してインバータ回路ＩＮＶ２の出力から入力した電流に対応する電流をレベルシフト素子ＭＯＳ１のソースから接地点に流す。 （もっと読む）

【課題】入力信号のＨレベルまたはＬレベルを正しく検知できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、閾値調整信号に基づいて論理閾値電位を調整可能な入力バッファ（入力ＣＭＯＳ回路１１）と、入力バッファの入力と出力とが結線されたレプリカ（レプリカ１２）と、予め設定された基準電位（ノードＮｄＨの電位）を発生する基準電位発生回路（基準電位発生回路１３）と、レプリカ（レプリカ１２）の出力電位（ノードＮｄＲの電位）と基準電位（ノードＮｄＨの電位）とを比較し、閾値調整信号（閾値調整信号ＣＴＲＬ）を入力バッファ（入力ＣＭＯＳ回路１１）とレプリカ（レプリカ１２）とに出力する比較回路（比較回路１４）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】電圧調整回路を提供するための改善された技法を提供する。
【解決手段】供給電圧ノードを出力電圧ノードに接続するプルアップｐ型閾値デバイスであって、制御信号に依存してオフに切り替えられるように構成されるプルアップｐ型閾値デバイスを備える電圧調整回路が提供される。プルダウンスタックは、出力電圧ノードを基準電圧ノードに接続し、プルダウンスタックは、直列で接続されるプルダウンｐ型閾値デバイスおよびプルダウンｎ型閾値デバイスを備える。インバータは、出力電圧ノードから入力を受け取るように構成され、カットオフ信号を生成するように構成され、プルダウンｎ型閾値デバイスは、制御信号に依存してオンに切り替えられるように構成され、プルダウンｐ型閾値デバイスは、カットオフ信号に依存してオフに切り替えられるように構成される。 （もっと読む）

【課題】プルアップ駆動部とプルダウン駆動部が同時に駆動される期間を相殺して、常に一定の内部電圧を維持することができる内部電圧発生器を提供すること。
【解決手段】本発明の内部電圧発生器は、基準電圧を用いて内部電圧のレベルを検出する検出部２１０と、該検出部の出力信号に応じて、前記内部電圧を出力する内部電圧端を放電駆動する第１の駆動部２２０と、該第１の駆動部に流れる放電電流を感知する電流感知部２３０と、該電流感知部の出力信号に応じて、前記内部電圧端を充電駆動する第２の駆動部２４０とを備える。 （もっと読む）

【課題】短絡時にＦＥＴの破壊を防ぐこと。
【解決手段】本発明の駆動回路（１４）はＦＥＴ（ＭＰ１、ＭＰ２、ＭＮ１、ＭＮ２、ＭＰ３、ＭＮ３、ＭＰ４）を具備する。ＦＥＴ（ＭＮ１）は、ＦＥＴ（ＭＰ１）に接続され、そのゲートに信号ＩＮ１が供給される。ＦＥＴ（ＭＰ１、ＭＮ１）の接点Ａ１にはＦＥＴ（ＭＰ２）のゲートが接続されている。ＦＥＴ（ＭＮ２）は、ＦＥＴ（ＭＰ２）に接続され、そのゲートに信号ＩＮ２が供給される。ＦＥＴ（ＭＰ２、ＭＮ２）の接点Ｂ１にはＦＥＴ（ＭＰ１）のゲートが接続されている。ＦＥＴ（ＭＰ３）は、ノードＯＵＴに接続され、そのゲートが接点（Ｂ１）に接続されている。ＦＥＴ（ＭＮ３）は、ノードＯＵＴに接続され、そのゲートに信号ＩＮ３が供給される。ＦＥＴ（ＭＰ４）は、そのソースが接点Ａ１に接続され、そのドレインがノードＯＵＴに接続され、そのゲートが接点Ｂ１に接続されている。 （もっと読む）

【課題】電源スイッチがオフからオンの状態に遷移するときの突入電流を防ぐことにより電源スイッチオンに起因する電源ノイズの発生を防止する半導体装置及び電源スイッチ回路を提供する。
【解決手段】電源スイッチ回路が、ソースが第１の電源にドレインが前記機能回路に接続された電源スイッチトランジスタと、電源スイッチトランジスタのオンオフを制御する制御信号を入力とし、電源スイッチトランジスタのドレインと、ソースと、ゲートとにそれぞれ接続され制御信号に基づいて電源スイッチトランジスタをオフからオンの状態にスイッチさせるとき、電源スイッチトランジスタのソースドレイン間電圧が小さくなるほど電源スイッチトランジスタのソースゲート間電圧が大きくなるように電源スイッチトランジスタのゲート電圧を制御する電源スイッチトランジスタ制御回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層を含むトランジスタと、酸化物半導体以外の半導体材料を用いて構成された論理回路と、を有し、前記トランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方と、前記論理回路の少なくとも一の入力とは電気的に接続され、前記トランジスタを介して、前記論理回路に少なくとも一の入力信号が供給される半導体装置である。ここで、トランジスタのオフ電流は１×１０^−１３Ａ以下であるのが望ましい。 （もっと読む）

【課題】 消費電力を抑制することができるバッファ回路を提供すること。
【解決手段】 検波回路１１が、入力信号ＩＤのレベルに応じた入力レベル判定信号ＳＷを制御回路９へ供給し、入力信号ＩＤの振幅が比較的小さい場合には、制御回路９が、低レベル入力用回路６を選択して、トータルゲインを十分に上げ、入力信号ＩＤの振幅が比較的大きい場合には、制御回路９が、高レベル入力用回路５を選択して、無用な消費電流の増大を抑制する。 （もっと読む）

【課題】回路面積の削減しつつ、消費電流やピーク電流の増大を抑制することが可能な半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】昇圧回路は、第１ないし第４の整流素子と、第１ないし第４のＭＯＳトランジスタと、第１ないし第４のキャパシタと、スイッチ回路と、を備える。スイッチ回路は、第１のＭＯＳトランジスタの他端と第３の整流素子の一端との間の第１の接続点、および、第２のＭＯＳトランジスタの他端と第４の整流素子の一端との間の第２の接続点に接続された低レベル端子と、第３のＭＯＳトランジスタの他端、および、第４のＭＯＳトランジスタの他端に接続された高レベル端子と、を有し、低レベル端子の電圧または高レベル端子の電圧を切り換えて、出力端子に出力するスイッチ回路と、を含む。 （もっと読む）

【課題】電源電圧の定格範囲のうち最大値で駆動される場合にも特性の劣化を抑制することができるレベルシフト回路を提供する。
【解決手段】レベルシフト回路２Ａは、第１入力端子１１、第２入力端子１２、第３入力端子１３、第１出力端子２１、第２出力端子２２、第１ＰＭＯＳトランジスタ３１、第２ＰＭＯＳトランジスタ３２、第１ＮＭＯＳトランジスタ４１、第２ＮＭＯＳトランジスタ４２、第１バッファ回路５１Ａ、第２バッファ回路５２Ａおよび第１インバータ回路６０を備える。第１バッファ回路５１Ａは、ＰＭＯＳトランジスタＱＰ_１１およびＮＭＯＳトランジスタＱＮ_１１からなる前段のインバータ回路と、ＰＭＯＳトランジスタＱＰ_１２およびＮＭＯＳトランジスタＱＮ_１２からなる後段のインバータ回路とが、縦列接続されて構成され、更にＰＭＯＳトランジスタＱＰ_１３を備える。 （もっと読む）

【課題】 低電力モードを有するＬＳＩにおいて、低電力モードで電力が低減されていない場合にも、ＬＳＩを搭載する機器が性能劣化等に至るのを防止することが可能なＬＳＩを提供する。
【解決手段】 動作モードを指示し、そのモードの通りに動作しているかを検出する回路であって、低電力モード時の電流を擬似的に測定し、低電力モードに移行したにもかかわらず実際には電流が低減されていない場合に警告信号を発する。 （もっと読む）