【解決手段】ｐ−チャネル電界効果トランジスタタイプの第１および第２のトランジスタ（Ｐ１，Ｐ２）を備えるカップリング回路において、第１のトランジスタ（Ｐ１）のドレイン端子は信号入力端子（１）に接続し、第１および第２のトランジスタ（Ｐ１，Ｐ２）のソース端子はともに信号出力端子（２）に接続し、第１および第２のトランジスタ（Ｐ１，Ｐ２）のバルク端子はともに第２のトランジスタ（Ｐ２）のドレイン端子に接続し、第１のトランジスタ（Ｐ１）のゲート端子は第２のトランジスタ（Ｐ２）のゲート端子に接続する。このカップリング回路には、さらに 負電圧を生成する電荷ポンプ回路（１１０）を含むゲート制御回路（１０）も設ける。このゲート制御回路（１０）は、負電圧に基づいて、第１および第２のトランジスタ（Ｐ１，Ｐ２）のゲート端子におけるゲート電圧を制御する。 （もっと読む）

【課題】回路規模を増大することなくトランジスタの劣化具合を正確に評価することができる電圧出力回路、劣化検出システム及び劣化検出方法を提供すること
【解決手段】本発明にかかる劣化検出回路１０は、電源（ＶＤＤ）１００と電源（ＶＤＤ）１００よりも電位が低い電源（ＧＮＤ）１１０との間に設けられたＭＯＳトランジスタ３０と、電源（ＶＤＤ）１００と電源（ＧＮＤ）１１０との間においてＭＯＳトランジスタ３０と直列に接続され、ＭＯＳトランジスタ３０の劣化進行度よりも遅い劣化進行度を有する抵抗部２０と、ＭＯＳトランジスタ３０と抵抗部２０との接点における電圧を、ＭＯＳトランジスタ３０の劣化度を測定するために出力する劣化度測定用出力端子４０と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】回路規模の増大を抑え、高速化を実現するレベルシフト回路の提供。
【解決手段】第１の電圧ＶＥ１を与える第１給電端子Ｅ１と、第２電圧ＶＥ２を与える第２の給電端子Ｅ２の間に接続され、レベルシフト回路の入力信号ＩＮが第３の電圧ＶＥ３に対応した値のとき、第１の回路Ｍ４を導通させ、出力端子４が第１の電圧ＶＥ１に対応した値であることを示しているときは、入力信号ＩＮの値によらずに第１の回路Ｍ４を非導通とする制御を行う第３の回路Ｍ３、Ｍ１、Ｍ２とを備え、第２の回路Ｍ５は、入力信号の反転信号ＩＮＢが第３の電圧ＶＥ３に対応した値のとき、導通し、第４の電圧ＶＥ４に対応した値のとき、非導通とし、第１乃至第４の電圧はＶＥ２≦ＶＥ４＜ＶＥ３＜ＶＥ１の関係とする。 （もっと読む）

【目的】ハーフブリッジ回路などに用いることができ、最小の遅延時間でdv/dtノイズによる誤信号をブロックすることができるレベルシフト回路を提供する。
【構成】高電位側駆動回路１０中のレベルシフト回路に、ラッチ回路３０およびラッチ回路３０の前段に、２つの入力Ｖ１，Ｖ２が共にＬであることを検出すると出力を高インピーダンスにする伝達回路２０を設けたので、dv/dtノイズによる誤信号を効果的にブロックすることができる。この伝達回路２０は、ブロックを完全にするために回路の一部の遅延をわざと長くすることは必要ないので、最小の遅延時間でdv/dtノイズによる誤信号をブロックすることができる。 （もっと読む）

【課題】レベルシフタを備える半導体装置、ディスプレイ装置及びその動作方法を提供する。
【解決手段】第１論理状態を有する一つのビット及び第２論理状態を有する少なくとも一つのビットを含むコードを生成するコード生成部と、複数の電圧制御部及び複数の電圧変換部を備え、コードに応答して複数の出力端から第１電圧レベルまたは第２電圧レベルを有する出力信号を出力するレベルシフタと、を備え、複数の電圧制御部のうち一つの電圧制御部を除いた残りの電圧制御部は、出力端のうち一つの出力端を除いた残りの出力端を通じて出力される第１信号を、少なくとも一つのビットに応答して第１電圧レベルに制御し、複数の電圧変換部のうち一つの電圧変換部は、除いた一つの出力端を通じて出力される第２信号を、第１信号に応答して第２電圧レベルに制御する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】レベルシフタによる面積の増加や電力の増加がなく、高耐圧Ｐ型ＦＥＴの電流能力を分散させるレベルシフト出力回路を提供すること。
【解決手段】レベルシフタ４０は、電源ＮＶＤＤ３と電源ＮＧＮＤ間に接続され、入力信号Ｓｉｎ１“Ｌ”に応じて出力信号“Ｌ”を出力し、入力信号Ｓｉｎ２“Ｈ”に応じて出力信号“Ｈ”を出力する。高圧インバータ５０−１〜５０−ｚは、電源ＮＶＤＤ３と電源ＮＧＮＤ間に接続され、制御信号Ｓｃｔｒ１“Ｌ”とレベルシフタ４０からの出力信号“Ｌ”とに応じて出力信号“Ｈ”を出力し、制御信号Ｓｃｔｒ２“Ｈ”とレベルシフタ４０からの出力信号“Ｈ”とに応じて出力信号“Ｌ”を出力する。高耐圧Ｐ型ＦＥＴ６０−１〜６０−ｚは、電源ＮＶＤＤ３と電源出力ノードＮＶＤＤ２間に接続され、それぞれ、高圧インバータ５０−１〜５０−ｚからの出力信号“Ｌ”に応じて電圧ＶＤＤ３を供給する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、中央処理装置の低消費電力モード時に外部から供給されるアナログ信号の正確なＡＤ変換を行うことができる半導体集積回路を提供することを目的とする。
【解決手段】割込み信号のエッジ検出を行ってエッジ検出信号を生成するエッジ検出手段１１と、外部から供給されるアナログ信号をエッジ検出信号により保持し、中央処理装置１３からの制御により、保持しているアナログ信号をＡＤ変換して中央処理装置に供給するＡＤ変換手段１２とを有し、割込み信号又はエッジ検出信号によって中央処理装置が低消費電力モードからクロックを高速とする通常モードとなった後にＡＤ変換手段１２に保持しているアナログ信号をＡＤ変換したデジタルデータを中央処理装置１３に取り込む。 （もっと読む）

【課題】低電圧の制御信号を高電圧の制御信号に変換して出力する高圧用のドライブ回路において、待機時の消費電力を削減することができるようにする。
【解決手段】低圧部１からの制御信号ａ１〜ｄ１及びａ２〜ｄ２により高圧部２のトランジスタＭＮ１〜ＭＮ８を駆動し、操作対象３に駆動信号を出力する。その際、低圧部１からの制御信号ａ１〜ｄ１をそれぞれ論理積ゲートＱ１〜Ｑ４の一方の入力端子を介して高圧部２のトランジスタＭＮ１，ＭＮ３，ＭＮ５，ＭＮ７のゲートに入力し、論理積ゲートＱ１〜Ｑ４の他方の入力端子には高圧部２のオン／オフ信号を入力する。 （もっと読む）

【課題】入力信号の振幅が入力トランジスタのしきい値電圧より小さい場合でも、正常に動作可能な振幅変換回路を提供する。
【解決手段】振幅の小さい入力信号ＩＮＳを、振幅の大きな出力信号／ＯＵＴＳに変換する振幅変換回路において、出力端子ＯＵＴを放電するトランジスタＱ５のゲートには、容量素子Ｃ１を介して入力信号ＩＮＳが供給される。充放電回路１は、入力信号ＩＮＳの非活性期間に、トランジスタＱ５のゲート電圧を、しきい値電圧に略等しい電圧にする。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの特性劣化の程度を小さくし、回路内の誤動作を低減し、より確度の高い動作を保証する駆動回路を提供する。
【解決手段】シフトレジスタに設けられたパルス出力回路において、パルスの出力が行われない非選択期間、ゲート電極がオンするように浮遊状態となっているトランジスタのゲート電極が接続されたノードに対し、クロック信号がトランジスタのゲート電極に入力されるように設けることで、定期的に電位を供給する。また、ブートストラップ動作を行うトランジスタのゲートにゲートが固定電位に接続されたトランジスタを設ける。 （もっと読む）

【課題】消費電力を削減するために、クロック反転信号を用いることなくクロック信号に同期してデータの転送および保持を行わせる。
【解決手段】記憶ノードＭ、ＭＢを持つ状態保持回路Ｆ１１において、Ｐチャンネル電界効果トランジスタＭ１、Ｍ２のゲートおよびＮチャンネル電界効果トランジスタＭ３、Ｍ４のゲートにはクロック信号ＣＫを入力し、Ｐチャンネル電界効果トランジスタＭ１を介してデータ反転信号ＤＢを記憶ノードＭＢに印加させ、Ｐチャンネル電界効果トランジスタＭ２を介してデータ信号ＤＢＢを記憶ノードＭに印加させ、Ｎチャンネル電界効果トランジスタＭ３を介して出力信号Ｑ１を記憶ノードＳに印加させ、Ｎチャンネル電界効果トランジスタＭ４を介して出力反転信号ＱＢ１を記憶ノードＳＢに印加させる。 （もっと読む）

【課題】電源電圧変動除去比を悪化させることなく、低電圧動作を維持したまま消費電流の低い基準電圧回路を実現すること。
【解決手段】ＥＤ型基準電圧のデプレッショントランジスタを直列に接続した複数のデプレッショントランジスタで構成し、カスコード用デプレッショントランジスタのゲート端子をＥＤ型基準電圧のデプレッショントランジスタの接続点に接続する構成とした。 （もっと読む）

【課題】回路によりトランジスタの高耐圧化を図り、信頼性の向上、あるいは設計・プロセス裕度の拡大を図った表示装置を提供する。
【解決手段】単チャネルシフトレジスタを有し、前記単チャネルシフトレジスタは、多段に縦続接続されるｎ（ｎ≧２）個の基本回路を有し、前記基本回路は、Ｖ１の基準電圧が印加される電源線に第１の電極が接続される第１のトランジスタと、第１の電極が、前記第１のトランジスタの第２の電極に接続され、制御電極に、Ｖｃのバイアス電圧が印加される第２のトランジスタとを有し、前記第１のトランジスタがオフ状態のときに、前記第２のトランジスタの第２の電極に印加される最大電圧をＶ２とするとき、Ｖ１＜Ｖｃ＜Ｖ２を満たし、前記基本回路は、制御電極が、前記第２のトランジスタの第２電極に接続されるセット用トランジスタと、前記セット用トランジスタの第２電極と制御電極との間に接続される容量素子とを有する。 （もっと読む）

信頼性を向上させるため、スイッチング性能向上のための接続バルクと均一電圧分布のためのバイアス抵抗器とを備えるスイッチが説明される。一例示的設計において、スイッチ（７００）はスタックに結合された複数のトランジスタ（７１０ａ−ｋ）と、スタック内の少なくとも１つの中間ノードへ結合された少なくとも１つの抵抗器（７４０ａ−ｋ）とを含む。トランジスタは、（ｉ）スタック内の第１のトランジスタへ印加される第１の電圧と、（ｉｉ）第１の電圧より低く、トランジスタのバルクノードへ印加される、第２の電圧（Ｖ_ＢＵＬＫ）とを有する。抵抗器（７４０ａ−ｋ）は、トランジスタ（７１０ａ−ｋ）がオフのときにトランジスタ（７１０ａ−ｋ）の整合バイアス状態を維持する。一例示的設計では、各トランジスタのソースおよびドレイン間に１つの抵抗器が結合される。別の例示的設計では、各中間ノードと第１の電圧との間に１つの抵抗器が結合される。この抵抗器は各トランジスタのソースを第１の電圧に維持する。
（もっと読む）

【課題】プリアンブルに続く最初のハイレベル又はローレベルの区間の長さを、その後のクロッキング部分のハイレベル又はローレベルの区間の長さに一致させる。
【解決手段】 出力ドライバは、第１の電源と出力端子との間に接続される第１のドライバと、第２の電源と出力端子との間に接続される第２のドライバとを有する。第１のドライバ及び第２のドライバの一方は、互いに並列接続された２つの駆動部を備える。これら２つの駆動部の各々と、第１のドライバ及び第２のドライバの他方とは、それぞれ独立した入力信号に応じて動作する。 （もっと読む）

【課題】データ通信回路において電圧緩和トランジスタの耐圧破壊を抑制する。
【解決手段】ドライバ(101)は、供給ノード(N101)を介してデータ信号を供給する。電圧緩和トランジスタ(102)は、ドライバの供給ノード(N101)に接続されたソースと、信号線に接続される信号ノード(N1)に接続されたドレインと、信号ノード(N1)の電圧(V1)が与えられるゲートとを有する。 （もっと読む）

【課題】回路の誤作動を防止することができる信号中継回路、信号中継装置及び信号中継方法を提供すること
【解決手段】本発明にかかる信号中継回路は、２つの入力信号の電圧差に基づいて差動信号を生成する差動信号受信回路４１と、差動信号受信回路４１に入力される２つの入力信号の電圧差の有無を検出する電圧差検出回路４２と、電圧差検出回路４２により電圧差が検出されない場合には、所定の値を有する信号を出力し、電圧差検出回路４２により電圧差が検出される場合には、差動信号受信回路４１により生成された差動信号を出力する差動信号出力回路４３と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】 入出力インターフェース回路におけるラッチアップの発生を確実に防止すること。
【解決手段】 本発明の入出力インターフェース回路は、入出力端子Ｔ１と、入力バッファー１０２と、フローティングウエル領域Ｎ４に形成される第１導電型の第１ＭＯＳトランジスタＭＰ１（ＦＮＷＬ）を有し、入出力端子を経由して外部に信号を出力するための出力バッファーＩＮＶ１と、静電保護回路３９０と、フローティングウエル電位調整回路１０８と、を含み、前記静電保護回路は、第１抵抗Ｒ１と、第１抵抗Ｒ１の他端と高レベル電源電位ＶＤＤとの間に接続されるダイオードＤ１と、を有し、フローティングウエル電位調整回路１０８は、入出力端子Ｔ１に一端が接続される第２抵抗Ｒ２と、第２抵抗Ｒ２の他端に一端が接続され、他端がフローティングウエル領域Ｎ４に接続され、ゲートに高レベル電源電位ＶＤＤが接続される、第１導電型の第２ＭＯＳトランジスタＭＰ２（ＦＮＷＬ）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】送信機または受信機における入出力（Ｉ／Ｏ）終端電圧基準の設定を容易にする方法およびシステムを提供する。
【解決手段】送信機及び受信機はそれぞれ、所望の結合方式に基づく適切な終端基準電圧を選択するための終端回路を有する。送信機は、送信ドライバに連結された終端回路を有し、送信ドライバの終端電圧基準として、電源電圧、接地電圧または電源電圧の半分の電圧のうちのいずれか一つを選択する。また、受信機は、受信機の終端電圧基準として、電源電圧または接地電圧のいずれかを選択する終端回路を有する。 （もっと読む）

【課題】低消費電流でノイズ耐性に優れた高圧側パワートランジスタを駆動する回路を提供する。
【解決手段】低圧側入力信号（ＨＩＮ）に従って短い期間活性状態となるワンショットパルス（ＯＮ＿Ｂ）を生成するワンショット回路（１１）を設ける。第１および第２の電流供給部（１４，１６）により、入力信号およびワンショットパルスの発生するワンショットパルス信号に従って内部ノード（１５）に電流を供給する。第１の内部ノードを流れる電流をウイルソンカレントミラー回路（２０）で受け、電流検出部（Ｒ３）により電圧信号に変換し、ゲートドライバ（ＤＲＶ）により、スイッチングパワートランジスタの駆動信号を生成する。 （もっと読む）