【課題】簡単な方法でインピーダンス値の補正用の正確なセッティング値を決定し、セッティング値を利用してインピーダンス値を正確に補正可能にするインピーダンスコード生成回路、それを備えた半導体装置、及び半導体装置のターミネーションインピーダンス値の設定方法を提供すること。
【解決手段】インピーダンスコード生成回路は、キャリブレーションノードの電圧と基準電圧ＶＲＥＦとを比較して第１インピーダンスコードＰＣＯＤＥを生成する第１コード生成部３１０と、セッティング値に応じて第１インピーダンスコードを演算し、変更されたインピーダンスコードを生成するコード変更部３２０と、変更されたインピーダンスコードに基づいて、第２インピーダンスコードＮＣＯＤＥを生成する第２コード生成部３３０とを備える。 （もっと読む）

【課題】ワイヤ上の信号遷移を支援する回路及び方法を提供する。
【解決手段】回路は、第１のサブ回路を含み、サブ回路は、回路の出力（３４）に結合されている第１のトランジスタ（１６）を、立ち上がり遷移の間ターンオンさせ、その後ターンオフさせる。第１のトランジスタ（１６）は、出力（３４）を高状態に駆動して、立ち上がり遷移を支援する。回路は、第２のサブ回路を含み、第２のサブ回路は、回路の出力（３４）に結合されている第２のトランジスタ（２５）を、立ち下がり遷移の間ターンオンさせ、その後ターンオフさせる。第２のトランジスタ（２５）は、出力（３４）を定状態に駆動して、立ち下がり遷移を支援する。 （もっと読む）

【課題】駆動回路及びこれを含む電源装置及び電気装置を提供する。
【解決手段】制御端子及び出力端子を有するスイッチング素子、及び制御端子と出力端子との間の電圧が臨界電圧以下に維持されるように、前記スイッチング素子を制御するための駆動電圧が目標レベルに達するのにかかる上昇時間を制御する制御部を含み、制御端子と出力端子との間の電圧が臨界電圧より高ければ、制御端子と出力端子との間に漏れ電流が発生する電源装置である。 （もっと読む）

【課題】出力波形のリップルを低減可能な半導体集積回路を提供する。
【解決手段】例えば、高周波スイッチ回路ＲＦＳＷと、そのオン・オフを制御するスイッチ制御回路ＳＷＣＴＬを備え、ＳＷＣＴＬは、２個のダウンコンバータ回路ＶＧＥＮ１，ＶＧＥＮ２と、レベルシフト回路ＬＳ［１］〜ＬＳ［４］を備える。各ＬＳ［ｎ］は、レベルシフト段ＬＳＳＧ［ｎ］とその後段に接続された出力段ＯＴＳＧ［ｎ］を持ち、ＲＦＳＷは、ＯＴＳＧ［ｎ］からの制御信号ＯＵＴ［ｎ］によって制御される。ＬＳＳＧ［ｎ］は、ＶＧＥＮ１からの負の電源電圧（−ＶＳＳ１）を用いて動作し、ＯＴＳＧ［ｎ］は、ＶＧＥＮ２からの負の電源電圧（−ＶＳＳ２）を用いて動作する。−ＶＳＳ１では、ＬＳＳＧ［ｎ］のレベルシフト動作に伴いリップルが生じ得るが、−ＶＳＳ２ではＯＴＳＧ［ｎ］の動作がスイッチング動作であるためリップルが生じ難い。 （もっと読む）

【課題】 １つの入出力回路により差動信号またはシングルエンド信号を伝達することで、回路規模を削減する。
【解決手段】 入出力回路は、一端が第1の基準電位に結合される第１の負荷と、第１の負荷の他端にドレイン端が結合された第１のＭＯＳトランジスタと、一端が第１の基準電位に結合される第２の負荷と、第２の負荷の他端にドレイン端が結合された第２のＭＯＳトランジスタと、第１のＭＯＳトランジスタのソース端及び第２のＭＯＳトランジスタのソース端との間にソース端またはドレイン端が接続された第３のＭＯＳトランジスタと、第１のＭＯＳトランジスタのソース端と第２の基準電位との間に結合される第１の定電流源と、第２のＭＯＳトランジスタのソース端と第２の基準電位との間に結合される第２の定電流源とを有する。 （もっと読む）

【課題】プリエンファシス機能を有する出力バッファ回路の出力インピーダンスを、調整可能なプリエンファシス量とプリエンファシスタップ数、及び動作タイミングに依らず一定で、伝送線路の特性インピーダンスと整合して出力バッファの出力端子で再反射することなく、高速動作可能な出力バッファ回路を提供する。
【解決手段】インバータ1〜3と、一定の時間遅延させる遅延回路1〜3と、バッファ1〜3とを備え、伝送径路に論理信号を送信し、伝送径路の信号減衰量に応じて、送信側で4種以上の信号電圧を有する波形を生成する機能を有する出力バッファ回路で、プリエンファシス量を可変とし、バッファのオン抵抗Ｒｓを一定とする。バッファの前段にセクレタ回路1〜3を有し、インバータは、セレクタ論理によりバッファに入力する信号を選択可能で、データ信号を反転し、セレクタ論理のセレクト信号により、プリエンファシス量とプリエンファシスタップ数を調整する。 （もっと読む）

【課題】小面積で広帯域特性及び低位相雑音特性を得ることが可能な同期回路を提供する。
【解決手段】位相検出器１１は、参照信号と帰還信号との位相差を検出する。電圧生成器１２，１３は、位相検出器の出力信号に基づき電圧を発生する。パルス発生器１６は、参照信号に基づきパルス信号を生成する。電圧制御発振器１４は、パルス信号に同期して、発振信号を発振する。分周器１５は、電圧制御発振器からの信号を分周し、帰還信号を生成する。電圧制御発振器１４は、電圧発生回路から供給される電圧レベルをシフトするレベルシフト回路１４ｃと、電圧発生回路からの電圧とレベルシフト回路からのレベルシフトされた電圧により駆動される複数のインバータ回路１４ａ、１４ｂからなるリング発振器とにより構成され、インバータ回路の１つにパルス信号が供給される。 （もっと読む）

【課題】入力信号に基づいて位相の一致した相補の出力信号を生成する。
【解決手段】入力信号ＩＮＴを受けて反転信号ＩＮＢを出力するインバータ１１と、反転信号ＩＮＢを受けて内部信号ＩＮＴＴを出力するインバータ１２と、反転信号ＩＮＢを電源とし、入力信号ＩＮＴを受けて内部信号ＩＮＢＢを出力するインバータ２１と、を備える。本発明によれば、一方の信号パス上の信号を他方の信号パスに含まれるインバータの電源として用いていることから、調整用の容量や抵抗を付加することなく、一対の出力信号の位相を正確に一致させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】高い耐圧を有する入出力バッファ回路を備えた半導体集積回路装置を、中耐圧の素子のみで構成すること。
【解決手段】入出力バッファ回路を備えた半導体集積回路装置であって、入出力バッファ回路は、低スルーレートを実現するための帰還容量素子として、直列に接続された第１の容量素子及び第２の容量素子を有するとともに、第１の容量素子と第２の容量素子との間のノードの電位を入出力モードに応じて調整する電位調整回路を有する。 （もっと読む）

【課題】入力側及び出力側の端子を接地電位に保持可能にすることで、消費電力を低減させたレベルシフタを提供すること。
【解決手段】本発明の一態様のレベルシフタは、接地電位と第２電位レベルとの間で変化する入力信号ＩＮを接地電位と第３電位レベルとの間で変化する出力信号ＯＵＴに変換するレベルシフタである。このレベルシフタは、特に、入力信号ＩＮが入力される入力端子の電位を接地電位に保持可能に構成された第１回路と、出力信号ＯＵＴが出力される出力端子の電位を接地電位に保持可能に構成された第２回路とを備える。 （もっと読む）

【課題】消費電力を抑えつつ、出力電圧のばらつきをなくすことの可能なインバータ回路、およびこのインバータ回路を備えた表示装置を提供する。
【解決手段】５Ｔｒ２Ｃで構成されるインバータ回路において、容量素子Ｃ₁がトランジスタＴｒ₅のソースに接続されるとともに、トランジスタＴｒ₄を介してトランジスタＴｒ₂のソースに接続されている。これにより、入力端子ＩＮに立下り電圧が入力され、トランジスタＴｒ₁，Ｔｒ₃がオフしたときに、Ｖ_dd2が充電された容量素子Ｃ₁によって、トランジスタＴｒ₂のゲートがＶ_SS＋Ｖ_th2以上の電圧にチャージされ、トランジスタＴｒ₂がオンする。 （もっと読む）

【課題】インピーダンスの調整精度が低下する可能性があった。
【解決手段】外付け抵抗が接続される第１、第２の外部端子と、前記第１の外部端子と第１の電源線間に接続される第１のスイッチ及び第１の制御信号に応じて出力インピーダンスが調整される第１のダミーバッファ部と、前記第２の外部端子と第２の電源線間に接続される第２のスイッチ及び第２の制御信号に応じて出力インピーダンスが調整される第２のダミーバッファ部と、前記第１のスイッチを導通、前記第２のスイッチを非導通とし、前記第１の外部端子の電圧に応じ、前記第１のダミーバッファ部の出力インピーダンスを前記第１の制御信号で設定し、前記第１のスイッチを非導通、前記第２のスイッチを導通とし、前記第２の外部端子の電圧に応じ、前記第２のダミーバッファ部の出力インピーダンスを前記第２の制御信号で設定する制御部とを有するインピーダンス調整回路。 （もっと読む）

【課題】
内部電源電圧を遮断するパワーダウンモードへの移行を誤動作無く確実に実行するパワーダウンモードの移行シーケンスを備えた電子回路を提供する。
【解決手段】
電源電圧から降圧してシステム電圧を発生するシステム電圧発生回路１０と、システム電圧を供給されて動作する第１の内部回路３０と、電源電圧を供給されて動作する入出力回路２４と、第１の内部回路３０からの信号を入力し、電源電圧の電圧レベルに変換するレベルシフタ２３と、システム電圧発生回路１０を制御する制御回路４０とを備え、制御回路４０は起動信号Ｐ４を入力し、この起動信号に所定の遅延時間を与えた短絡制御信号Ｐ５を出力する遅延回路１００を有し、起動信号はレベルシフタ２３を非活性又は活性として制御し、短絡制御信号はシステム電圧発生回路１０を停止状態又は動作状態として制御する構成とした。 （もっと読む）

【課題】低振幅のデジタル入力信号を高振幅の電圧信号に高速にレベル変換可能としレベル変換信号の安定な保持を可能とし、構成を簡易化する。
【解決手段】第１のトランジスタＭ１のゲートと、第２及び第３のトランジスタＭ２、Ｍ３の一方のトランジスタのゲートには、第１の制御信号Ｓ１が共通に入力され、第２及び第３のトランジスタＭ２、Ｍ３の他方のトランジスタのゲートには、第１の電源と第２の電源の電源振幅よりも低振幅の入力信号ＩＮが入力される入力端子１に接続される。第２の制御信号Ｓ２によりオン又はオフに制御されるクロックドインバータ１０と、第１の出力端子３に入力が接続されたインバータ２０と、第１のノード２とインバータ２０の出力との間に接続され、第３の制御信号Ｓ３によりオン又はオフに制御されるスイッチＳＷ１を備えている。 （もっと読む）

【課題】パストランジスタを流れる漏洩電流の削減、また入力数の増加に対するトランジスタ数の増加の割合が小さいパストランジスタを用いた論理回路、および集積回路を提供する。
【解決手段】低電源電圧回路の低論理信号振幅の第一の論理信号がドレインに印加され、ゲートに第二の論理信号で制御するパストランジスタＭＮ１を用いた論理回路であって、低電源電圧回路の低論理信号振幅の第三の論理信号を入力ノードに印加して高電源電圧で動作する第一のＣＭＯＳインバータＩＮＶＨ１を有し、第三の論理信号の電圧変化範囲が高電源電圧の高電源電位と低電源電位に挟まれ、かつＩＮＶＨ１の遷移領域を含むように高電源電圧の高電源電位と低電源電位が設定され、かつ高電源電圧の高電源電位と低電源電圧回路の高電源電位との差がパストランジスタのしきい値電圧よりも大きく設定されたＩＮＶＨ１の出力信号を第二の論理信号とする。 （もっと読む）

【課題】より良い動作を実現する半導体装置を提供する。
【解決手段】第１のトランジスタと、第１のトランジスタのゲートに電気的に接続される第２のトランジスタとを有し、第１のトランジスタの第１の端子は第１の配線に電気的に接続され、第１のトランジスタの第２の端子は第２の配線に電気的に接続され、第１のトランジスタのゲートは第２のトランジスタの第１の端子又は第２の端子に電気的に接続されることにより半導体装置が構成されるものである。上記において、第１乃至第２のトランジスタは、少なくともチャネル領域に酸化物半導体を有し、かつ、オフ電流が小さなものを用いることができる。 （もっと読む）

【課題】実装面積を削減できる回路装置、電子機器及び電源回路等を提供すること。
【解決手段】回路装置は、共振回路を有する電源回路と、論理回路と、を含む。共振回路は、第１のコイルＬ１と、第１のコイルＬ１とコア部を共有する第２のコイルＬ２と、を有する。論理回路は、共振回路により生成された電源電圧ＶＰ、ＶＭが供給されることで断熱的回路動作を行う。 （もっと読む）

【課題】動作電圧が互いに異なる半導体チップを接続して用いる場合、双方に、自身の動
作電圧と異なる電圧で動作する入出力バッファ回路を設ける必要があり、チップ面積が大
きくなってしまう。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置は、第１電源電圧で動作する第１半導体チップと、前記第１電源電圧よりも低い第２電源電圧で動作し、当該第２電源電圧を前記第１半導体チップに供給する第２半導体チップとを有することを特徴とする。又は、かかる半導体装置の製造に用いるのに好適な半導体チップとして、本発明にかかる半導体チップは、互いに直列に接続され、互いに相補的にオンとオフが切り替わる第１および第２トランジスタを有し、第１外部端子へ信号を出力する出力回路と、前記第１および第２トランジスタと直列に接続され、第２外部端子にゲート電極が接続された第３トランジスタとを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電源電圧の変動の際に、半導体装置の製造ばらつきがあったとしても、容易に誤動作しない低電圧側回路から高電圧側回路に制御信号を伝達するレベルシフト回路を提供する。
【解決手段】レベルシフト回路において、高電圧側の電源電圧変動ｄＶ／ｄｔが回路のロジックレベルに影響を与える程度に発生した時において、この変動はセット側にもリセット側にも起こることを利用し、時定数生成回路、もしくは電源電圧変動が先に起こる個所からの信号によって、第１、第２の論理回路において、誤動作の信号が通過するのをマスクして防止する。このマスクするタイミングに充分、余裕をとることにより、半導体プロセスにおける製造ばらつきが個々の素子にあったとしても、高電圧側の電源電圧変動ｄＶ／ｄｔが発生時の誤信号がフリップフロップに伝わるのを防止でき、誤動作しない低電圧側回路から高電圧側回路に制御信号を伝達する。 （もっと読む）

【課題】出力バッファの出力信号の振幅を確保することを可能としつつ、低消費電力化を図る。
【解決手段】Ｐチャンネル電界効果トランジスタＭ１とＮチャンネル電界効果トランジスタＭ２との間にクランプトランジスタＭ３を直列に挿入し、Ｐチャンネル電界効果トランジスタＭ１のソースに供給される高電位とＮチャンネル電界効果トランジスタＭ２のソースに供給される低電位との間の中間レベルをクランプトランジスタＭ３のゲートに入力することで、Ｎチャンネル電界効果トランジスタＭ２のドレイン電位をクランプする。 （もっと読む）