【課題】入力信号が有する２値の電位に関わらず、正常に動作させることが可能なデジタ
ル回路の提案を課題とする。
【解決手段】半導体装置の一態様は、入力端子、容量素子、スイッチ、トランジスタ、配
線、及び出力端子を有し、前記入力端子は、前記容量素子の第１の電極に電気的に接続さ
れ、前記配線は、前記スイッチを介して前記容量素子の第２の電極に電気的に接続され、
前記トランジスタのゲートは、前記容量素子の第２の電極に電気的に接続され、前記トラ
ンジスタのソース又はドレインの一方は、前記配線に電気的に接続され、前記トランジス
タのソース又はドレインの他方は、前記配線に電気的に接続されていることを特徴とする
。 （もっと読む）

【課題】可変抵抗回路の抵抗値の調整可能範囲が大きな半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置は、複数組の抵抗素子ＲＡ，ＲＢおよび複数組のトランジスタＰ，Ｑを含む出力バッファＤＯＢと、複数のレプリカ回路ＲＰと、複数組の演算増幅器ＡＰ，ＡＮとを備え、出力バッファＤＯＢの出力インピーダンスＺｐ，Ｚｎが所定値になるように、複数組のトランジスタＰ，Ｑのドレイン電流を調整する。したがって、製造プロセスなどの変動によって抵抗素子ＲＡ，ＲＢの抵抗値が大きく変動した場合でも、出力インピーダンスＺｐ，Ｚｎを所定値に設定できる。 （もっと読む）

【課題】入力信号の交流成分の歪み等の影響をなるべく受けることなく、本来のデューティー比（目標デューティー比）で出力信号を出力することのできるバッファ回路を提供する。
【解決手段】バッファ回路１０は、デューティー比検出部１６と直流成分生成部１７とから構成される負帰還回路部によって、入力信号増幅部１５の入出力間で出力信号ＳＯのデューティー比に応じた直流成分の信号を帰還させている。つまり、バッファ回路１０は、出力信号ＳＯのデューティー比に応じて、入力信号ＳＩ´の直流成分をさらに小さくしたり、大きくしたりする。これにより、バッファ回路１０は、出力信号ＳＯのデューティー比を目的デューティー比に変更した上で、その出力信号ＳＯを出力することができる。 （もっと読む）

【課題】負荷容量の要求仕様に適合する出力回路を提供する。
【解決手段】出力回路１は，第1の電源VDDと出力トランジスタP1のソースとの間に設けられた電流調整用トランジスタP2と，出力信号EXが，第2の電位から第1の電位に変化する途中で，電流調整用トランジスタP2の電流を増大させるよう，出力信号EXの電位に応じて，電流調整用トランジスタP2のゲートを制御する電流調整回路11とを有する。 （もっと読む）

【課題】切り替えスイッチのオンオフに伴うノイズがバイアスラインに重畳するのを防ぐ。
【解決手段】バイアス電流が流れるバイアスラインＶＬと、バイアス電流の量を制御信号ＤＤに基づいて切り替える切り替えスイッチ７０と、制御信号ＤＤが供給される制御ラインとバイアスラインＶＬとの間の寄生容量を介して制御信号ＤＤの変化時に生じるバイアスラインＶＬの電位変動を相殺する相殺回路９１〜９３とを備える。本発明によれば、切り替えスイッチ７０のオンオフに伴ってバイアスラインＶＬに生じるノイズを相殺することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】レベルシフト回路の出力信号のノイズを低減する。
【解決手段】一つの実施形態によれば、レベルシフト回路は第一及び第二のレベル変換部が設けられる。第一の出力加速回路は、レベルシフトされた第一の入力信号の立ち上りエッジを制御し、信号変化部分が多段階に分割された第一の信号を生成する。第二の出力加速回路は、レベルシフトされた第一の入力信号の立ち下りエッジを制御し、信号変化部分が多段階に分割された第二の信号を生成する。第三の出力加速回路は、レベルシフトされた第二の入力信号の立ち上りエッジを制御し、信号変化部分が多段階に分割された第三の信号を生成する。第四の出力加速回路は、レベルシフトされた第二の入力信号の立ち下りエッジを制御し、信号変化部分が多段階に分割された第四の信号を生成する。 （もっと読む）

【課題】信号の伝送速度が速い差動通信においても、コモンモード電圧の発生を適切に抑制できる送信ドライバ回路を提供する。
【解決手段】レベルホールド回路３は、通信信号出力部２が差動信号の電圧レベルを変化させる際に伝送線路５に発生するコモンモード電圧の変化を検出し、その検出レベルをレベルホールドする。そして、信号処理回路４は、前記検出レベルを上限基準値及び下限基準値と比較し、検出レベルが上限基準値を上回るか又は下限基準値を下回ると、次回の信号送信時に発生するコモンモード電圧を低減するように、通信信号出力部２による電圧の出力状態を調整する。 （もっと読む）

【課題】スリープ・モード中に信号を格納するための回路を提供する。
【解決手段】スリープ信号を受け取るスリープ信号入力と、クロック信号を受け取るクロック信号入力と、クロック信号でクロックされる複数のラッチと、クロック信号でクロックされるトライステート素子であって、トライステート素子は１つの入力に、少なくとも１つの格納ラッチが接続され、格納ラッチは複数のラッチの１つであり、トライステート素子は格納ラッチの入力を、予め定められたクロック信号値に応答して選択的に分離するトライステート素子とを含み、回路への電源供給が、スリープ信号に応答して、回路の少なくとも１部の電圧差が低減されて回路の部分の電源が遮断され、格納ラッチに掛かる電圧差が維持され、トライステート素子で受け取られるクロック信号が予め定められた値に保持されて、格納ラッチの入力が分離される。 （もっと読む）

【課題】スキューの少ない出力信号を出力する回路の実現。
【解決手段】差動入力信号INN,INPを受けて、差動駆動信号を出力する駆動回路BF1,BF2;BF3,BF4と、共通の定電流源12に接続され、差動駆動信号に応じて逆相のスイッチ動作を行う２個のトランジスタMN1,MN2を有する差動出力部と、駆動回路の２個の駆動部の電源15,16の電位を、定電流源12と２個のトランジスタの接続ノードTailの電位に応じた電位にするレベル調整回路AMP1,AMP2と、を有する出力回路。 （もっと読む）

【課題】信号波形の変異を抑制すること。
【解決手段】第１のトランジスタＴ１は、信号Ｓ３に応答してオンオフし、オンしたトランジスタＴ１は外部端子Ｐ２に接続された伝送路２７をプルダウンする。伝送路２７のレベルは、トランジスタＴ１のゲートと外部端子Ｐ２とをＡＣカップリングするキャパシタＣ１により、キャパシタＣ１の容量値に応じた傾きで立ち下がる。プルダウン回路４４は、外部端子Ｐ２の電位に応じて、トランジスタＴ１のゲート電圧をプルダウンする。 （もっと読む）

【課題】 ツェナーダイオードと同等の動作を行える回路ないしは半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 実施形態の基準電圧発生回路は、第１のＦＥＴと、第２のＦＥＴと、一方を電源に接続し他方を前記第1のＦＥＴのドレインに接続した第1の抵抗と、前記第１のＦＥＴのドレイン−ゲート間に接続した第２の抵抗とを有し、前記第２のＦＥＴのゲート−ソース間を接続し、前記第２のＦＥＴのドレインを前記第1のＦＥＴのゲートに接続し、前記第１のＦＥＴのドレインが基準電圧を出力し、前記第１のＦＥＴのソースと前記第１のＦＥＴのソースがグランド又は他の回路と接続していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プリエンファシス回路及びこれを備えた差動電流信号伝送システムを提供する。
【解決手段】本発明はプリエンファシス回路に関し、より詳細にはプリエンファシス回路を動作させるために必要なスイッチングトランジスタの数を減らして寄生抵抗及び寄生キャパシタを減少させ、それぞれのスイッチングトランジスタを制御するそれぞれのプリエンファシス制御信号を供給することによって望まない電流の発生を防止できるプリエンファシス回路及びこれを備えた差動電流信号伝送システムに関する。 （もっと読む）

【課題】回路規模及び消費電流の増大を抑制しながら識別対象電圧の大きさを精度良く識別することができる電圧識別装置及び時計用制御装置を提供する。
【解決手段】基準電圧生成回路１２と、被印加線１８並びに電圧線ＶＳＨ及び接地線ＧＮＤが導通可能となるように電圧線ＶＳＨと接地線ＧＮＤとの間に挿入されると共に、被印加線１８に印加された識別対象電圧の大きさに応じてスイッチングを行うスイッチング回路２０を備え、被印加線１８に印加された識別対象電圧の大きさと閾値とを比較することにより識別対象電圧の大きさを識別する識別回路１４と、識別回路１４に対して識別対象電圧の大きさを識別させる間、電圧線ＶＳＨと接地線ＧＮＤとの間に流れる電流の大きさが所定の大きさに保たれるようにスイッチング回路２０と接地線ＧＮＤとの間の抵抗２２を制御可能とする制御部１６と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ラッチ回路の初期値が確定可能であり、出力信号の立ち上がり／立ち下がり特性の対称性に優れたレベルコンバータを提供すること。
【解決手段】シフト回路１２のラッチ回路３１を構成する第１及び第２インバータ回路３２，３３の出力端子となるノードＮ１，Ｎ２とトランジスタＴｐ１，Ｔｐ２との間に初期値設定用のＭＯＳトランジスタＴｐ３，Ｔｐ４を挿入接続した。そして、ＭＯＳトランジスタＴｐ３のゲートをグランドに接続し、ＭＯＳトランジスタＴｐ４のゲートを初期値設定回路３４に接続した。初期値設定回路３４は、第２の高電位電源ＶＤＥが所定レベル以下の場合には該ＭＯＳトランジスタＴｐ４のゲート電位を第２の高電位電源ＶＤＥとグランドとの間の中間電位に制御し、第２の高電位電源ＶＤＥが所定レベルより高い場合には該ＭＯＳトランジスタＴｐ４をオンするようそのゲート電位をグランドレベルに制御する。 （もっと読む）

【課題】高速に信号の伝達が可能な双方向レベルシフト回路を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１の回路と、第２の回路と、第３の回路と、第４の回路と、を備えた双方向レベルシフト回路が提供される。前記第１の回路は、双方向に信号を伝達する。前記第２の回路は、前記第１の回路の両端の電位の変化に基づいて前記第１の回路の伝達方向を検出する。前記第３の回路は、前記第１の回路の両端の電位のいずれかがローレベルからハイレベルに上昇してから、前記第１の回路の両端の電位のいずれもがハイレベルになるまでの第１の期間を検出する。前記第４の回路は、前記第１の回路の両端にそれぞれ接続され、前記第１の回路の出力側に前記第１の期間ハイレベルの電位を供給する。 （もっと読む）

【課題】 ゲート−ソース逆バイアス駆動の動作原理を定量化し、ＭＯＳＴのしきい電圧と動作電圧の関係を明らかにすることにより、逆バイアス駆動の原理を活用した複数のＭＯＳＴの組み合わせを用いて、動作電圧１Ｖ以下の高速低電圧動作を可能にする。
【解決手段】 低ＶｔのＭＯＳＴを含む回路のリーク電流を、ＭＯＳＴのゲート（Ｇ）とソース（Ｓ）を逆バイアスする各種の駆動方式によって低減する。低ＶｔのＭＯＳＴに各種のＧ−Ｓ逆バイアスを加えることにより、リーク電流の少ない１Ｖ以下の高速低電圧ＣＭＯＳ論理回路、あるいはメモリ回路が実現される。 （もっと読む）

【課題】回路規模が小さく、出力トランジスタのしきい値電圧がばらついてもノイズを抑えつつターンオフ時間を短縮する。
【解決手段】駆動信号ＳｄがＬの時、トランジスタＴ１がオン、Ｔ２がオフしてＶGS(T3)がほぼ電源電圧Ｖccに等しくなりトランジスタＴ３がオンする。駆動信号ＳｄがＨになるとトランジスタＴ１がオフ、Ｔ２がオンする。トランジスタＴ４がオンするので抵抗Ｒ２がバイパスされ、トランジスタＴ３のゲート電荷はトランジスタＴ４、Ｔ２を通して急速に放電する。ＶGS(T3)がＶth(T4)＋ＶDS(T2)よりも低下すると、トランジスタＴ４はオフとなり、以後はトランジスタＴ３のゲート電荷が抵抗Ｒ２とトランジスタＴ２を通して緩やかに放電する。トランジスタＴ３、Ｔ４のしきい値電圧は一致する傾向があるので、ＶGS(T3)がＶTH(T3)に低下した時点でトランジスタＴ４をオフできる。 （もっと読む）

【課題】低面積化を図ること。
【解決手段】各信号ＢＤＴ１〜ＢＤＴｍをレベルシフトする回路として、クロックトレベルシフト回路（ＣＬＳ回路）３６（３６１〜３６ｍ）を用いた。ＣＬＳ回路３６１は、ダイナミックコンパレータ回路（ＤＣ回路）４１１と、ラッチ回路４２１とを備える。ＤＣ回路４１１は、Ｌレベルのクロック信号ＡＣＫに応答してリセット状態となり、Ｌレベルの信号ＣＤＴｍ，ＸＣＤＴｍを出力する。また、ＣＬＳ回路３６１は、Ｈレベルのクロック信号ＡＣＫに応答して比較状態となり、Ｈ１レベルの信号ＢＤＴｍ，ＸＢＤＴｍをＨ２レベルの信号ＣＤＴｍ，ＸＣＤＴｍにレベル変換する。ラッチ回路４２１は、相補な信号ＣＤＴｍ、ＸＣＤＴｍに応じた信号ＡＤＴｍ，ＸＡＤＴｍを出力し、Ｌレベルの信号ＣＤＴｍ，ＸＣＤＴｍに応答して出力レベルを保持する。 （もっと読む）

【課題】
ＣＭＯＳ回路に中間電圧の入力信号が長時間連続して入力された場合にも貫通電流の発生を短時間にとどめることができる半導体集積回路を提供する。
【解決手段】
本発明の一実施態様に係る半導体集積回路は、入力端子と、出力端子と、ゲートが前記入力端子に接続されソースが高電位電源配線に接続された第１ＰＭＯＳトランジスタ及びゲートが前記入力端子に接続されソースが低電位電源配線に接続された第１ＮＭＯＳトランジスタを含み、当該第１ＰＭＯＳトランジスタと当該第１ＮＭＯＳトランジスタとが同時に導通しないように構成された第１ＣＭＯＳ回路と、入力端が前記第１ＣＭＯＳ回路に接続され出力端が前記出力端子に接続された第２ＣＭＯＳ回路と、この第２ＣＭＯＳ回路の出力端とと高電位電源配線及び高電位電源配線との間にそれぞれ配置された第２ＰＭＯＳトランジスタと第２ＮＭＯＳトランジスタと、を備える。 （もっと読む）

【課題】電源電圧の低下による外部出力信号のばらつきを抑制する。
【解決手段】内部入力信号Ａの電位がグランド側からＶＤＤ側、あるいはＶＤＤ側からグランド側へ変化するのに応じて、出力部１は外部出力信号ＥＢの電位を変化させる。差動部２は、外部出力信号ＥＢと、所定の基準信号ＶＲＥＦとに応じた出力信号を出力し、外部出力信号ＥＢが所定の基準信号ＶＲＥＦに応じた電位となるようボルテージフォロアとして機能する。これにより、外部出力信号ＥＢの低電圧側出力電圧ＶＯＬのばらつきを抑制する。 （もっと読む）