【課題】電源遮断状態からの復帰の際に、周辺回路の動作に影響を与えない半導体集積回路及び電源制御方法が、望まれる。
【解決手段】半導体集積回路は、第１及び第２の電源線と、サブ電源線と、第１の電源線とサブ電源線との間に配置される第１のスイッチ回路と、第２の電源線とサブ電源線との間に配置される論理回路と、第１の端子が第１の電源線と接続される容量素子と、容量素子の第１の端子の他方の第２の端子の接続を、第１の電源線、又は、サブ電源線、のいずれかに切り替える第２のスイッチ回路と、論理回路を非活性化状態から活性化状態に遷移させる場合に、第１のスイッチ回路により、第１の電源線及びサブ電源線の接続を遮断しつつ、第２のスイッチ回路により、第２の端子の接続を少なくても１回以上、サブ電源線に接続した後、第１の電源線に接続する制御回路と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】しきい値電圧のばらつきの影響を低減する。
【解決手段】トランジスタのゲート・ソース間に設けられた容量素子に電荷を充電し、その後容量素子に充電された電荷を放電することで該トランジスタのしきい値電圧を取得し、その後負荷に電流を流す半導体装置において、容量素子の一方の端子の電位は、ソース線の電位より大きく設定し、ソース線の電位は電源線の電位及び負荷のカソード側の電位よりも小さい電位に設定する。 （もっと読む）

【課題】飛び込みの影響を軽減できるブートストラップ回路を提供する。
【解決手段】同一導電型の第１乃至第４ＴＲから構成され、第１ＴＲにおいて、一方のＳ／Ｄ領域は第２ＴＲの一方のＳ／Ｄ領域に接続され、他方のＳ／Ｄ領域には、２相のクロックのうち一方のクロックが印加され、ゲート電極は、第３ＴＲの一方のＳ／Ｄ領域に接続され、第２ＴＲにおいて、他方のＳ／Ｄ領域は電圧供給線に接続され、第３ＴＲにおいて、他方のＳ／Ｄ領域には入力信号が印加され、ゲート電極には他方のクロックが印加され、第１ＴＲのゲート電極と第３ＴＲの一方のＳ／Ｄ領域とは、第３ＴＲがオフ状態になると浮遊状態となるノード部を構成し、第４ＴＲにおいて、一方のＳ／Ｄ領域は、反転回路の入力側に接続されると共に、該反転回路の出力側と第２ＴＲのゲート電極とが接続されており、他方のＳ／Ｄ領域は入力信号が印加され、ゲート電極には他方のクロックが印加される。 （もっと読む）

【課題】低消費電力化を図る。
【解決手段】入力側電源３と１次側回路１との間にスイッチ部６を設け、従来は１次側回路１の入力信号端子ＴINに与えるようにしていた入力信号ＤINをスイッチ部６へ与えるようにし、入力信号ＤINのレベルに応じてスイッチ部６のオン／オフを行わせるようにする。また、入力信号端子ＴINには入力信号ＤINに代えて、１次側回路１への電源電圧ＶＤＤ１の供給遮断時に強制的に固定される２次側回路２からの出力信号ＤOUTのレベルとは逆のレベルの信号（出力信号「Ｈ」強制固定の場合は「Ｌ」レベルの信号、出力信号「Ｌ」強制固定の場合は「Ｈ」レベルの信号）を与えるようにする。 （もっと読む）

【課題】通信線に現れるリンギング現象を効果的に抑制することができる通信システムを得る。
【解決手段】トランシーバ回路３０等の通信回路に接続される通信線１０を構成するＨライン通信線１０Ｈ，Ｌライン通信線１０Ｌ間にリンギング抑制回路１が設けられる。リンギング抑制回路１において、バイポーラトランジスタＴ１のエミッタはＨライン通信線１０Ｈに接続され、コレクタはＬライン通信線１０Ｌに接続され、ベースはコンデンサＣ１の一方電極及び抵抗Ｒ１の一端に接続され、コンデンサＣ１の他方電極はＬライン通信線１０Ｌに接続され、抵抗Ｒ１の他端はＨライン通信線１０Ｈに接続される。 （もっと読む）

【課題】出力信号の電圧レベルの遷移の方向に応じて、電源線や接地線を通らず寄生インダクタンス成分の影響を受けない電流を加算して信号の電圧レベルの遷移をアシストすることにより、ＳＳＯノイズを抑制することが可能な電子回路および実装基板の制御方法を提供すること。
【解決手段】出力回路１は、出力バッファ４と、出力バッファ４から出力される出力信号が伝搬する出力線と、出力バッファ４に電源を供給する電源線ＶｄｅＬあるいは接地線ＶｇＬの少なくとも何れか一方と、出力線と電源線ＶｄｅＬあるいは接地線ＶｇＬとにより囲まれる磁心５０と、磁心５０に巻回される制御コイル５１と、出力信号の遷移を前もって検出し検出結果に応じて制御コイル５１への電流供給を制御するコイル電流制御回路３とを備え、出力信号の遷移方向に応じて、制御コイル５１からの電磁誘導により出力線の信号遷移をアシストするアシスト電流を流す。 （もっと読む）

【課題】出力信号を高速に変化させかつオーバーシュートやアンダーシュートを抑制できるようにする。
【解決手段】入力信号を反転して出力する主ドライバ１１に加えて、補助ドライバ１２を設け、入力信号の電圧変化に応じて出力信号が第１の電圧レベルから第２の電圧レベルへ変化するときに、変化開始から主ドライバの出力信号がある電圧レベルを超えるまでの期間では信号変化を補助するように制御部１５により補助ドライバの動作を制御し、主ドライバの出力信号がある電圧レベルを超えてから第２の電圧レベルになるまでの期間に信号変化を抑制するように制御部により補助ドライバの動作を制御するようにして、出力信号における信号変化の高速性を向上させ、かつオーバーシュートやアンダーシュートを抑制できるようにする。 （もっと読む）

【課題】通信線に現れるリンギング現象を効果的に抑制することができる通信システムを得る。
【解決手段】ＮＰＮバイポーラトランジスタＴ１１のエミッタは抵抗Ｒ１１の一端に接続されるとともに接地レベルに接続され、コレクタは抵抗Ｒ１２の一端及びコンデンサＣ１２の一方電極に接続され、ベースは抵抗Ｒ１１の他端及びコンデンサＣ１１の一方電極に接続される。コンデンサＣ１１の他方電極はＬライン通信線１０Ｌに接続される。ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ１２のエミッタは電源電圧Ｖ１１を受け、コレクタはＮＭＯＳトランジスタＱ１１のゲートに接続される。ＮＭＯＳトランジスタＱ１１のドレインはＨライン通信線１０Ｈに接続され、ソースがＬライン通信線１０Ｌに接続され、ゲートは抵抗Ｒ１４を介して接地される。 （もっと読む）

【課題】２つの出力信号間のタイミングのずれを低減すること。
【解決手段】入力信号ＩＮ，ＸＩＮはトランジスタＭ１，Ｍ２のゲートに供給される。トランジスタＭ１のドレインはトランジスタＭ３のドレインとトランジスタＭ４のゲートに接続され、トランジスタＭ２のドレインはトランジスタＭ３のゲートとトランジスタＭ４のドレインに接続される。また、トランジスタＭ１，Ｍ２のドレインは差動対のトランジスタＭ１１，Ｍ１２のゲートに接続される。トランジスタＭ３，Ｍ４のソースには、ゲートにバイアス電圧ＶＢが供給されるトランジスタＭ５が接続される。トランジスタＭ１１，Ｍ１２のソースには、ゲートにバイアス電圧ＶＢが供給されるトランジスタＭ１３が接続される。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのゲートへの電流を防ぐ。
【解決手段】ノーマリーオン型の第１トランジスタと、ドレインが、第１トランジスタのソースと接続され、第１トランジスタとカスコード接続されたノーマリーオフ型の第２トランジスタと、第２トランジスタのソースと第１トランジスタのゲートとの間に設けられた、第２トランジスタのソースから第１トランジスタのゲートへと流れる電流を抑制する第１電流抑制部とを備えるトランジスタ回路を提供する。 （もっと読む）

【課題】動作を不安定にすることなく、各トランジスタの特性劣化を抑制することが可能
な半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】非選択期間において、トランジスタが一定時間毎にオンすることで、シフト
レジスタ回路の出力端子に電源電位を供給する。そしてシフトレジスタ回路の出力端子は
、該トランジスタを介して電源電位が供給される。該トランジスタは非選択期間において
常時オンしていないので、該トランジスタのしきい値電位のシフトは、抑制される。また
、シフトレジスタ回路の出力端子は、該トランジスタを介して一定期間毎に電源電位が供
給される。そのため、シフトレジスタ回路は、ノイズが出力端子に発生することを抑制で
きる。 （もっと読む）

【課題】製造プロセスによる閾値電圧の変動に起因する歩留まりの悪化を抑制可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、複数のトランジスタが並列に接続された所定並列回路と、複数のトランジスタのオンオフ状態を制御しつつ所定並列回路のインピーダンスが所定値になったかを検出し、該インピーダンスが所定値になったときの複数のトランジスタのオンオフ状態に応じた制御値を生成する制御値生成部と、電源電圧を生成する電圧発生部と、電源電圧で動作する動作トランジスタと、制御値に基づいて電源電圧を制御する制御部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】安定な断熱的回路動作を実現し、消費電力を抑制することができる電源回路、回路装置及び電子機器等を提供すること。
【解決手段】電源回路２００は、第１の基準電圧を基準として電圧が周期的に変化する、断熱的回路動作用の第１の電源電圧ＶＰと、第２の基準電圧を基準として電圧が周期的に変化する、断熱的回路動作用の第２の電源電圧ＶＭとを出力する電圧出力回路１００と、制御信号ＳＣに基づいて電圧出力回路１００を制御する制御回路２１０と、第１の電源電圧ＶＰ及び第２の電源電圧ＶＭに基づいて制御信号ＳＣを生成して制御回路２１０に出力する制御信号生成回路２４０とを含み、制御回路２１０は、制御信号ＳＣに基づいて、電圧出力回路１００から出力される第１の電源電圧ＶＰ及び第２の電源電圧ＶＭの振幅を可変に制御する。 （もっと読む）

【課題】安定な断熱的回路動作を実現し、消費電力を抑制することができる電源回路、回路装置及び電子機器等を提供すること。
【解決手段】電源回路２００は、第１の基準電圧を基準として電圧が周期的に変化する、断熱的回路動作用の第１の電源電圧ＶＰと、第２の基準電圧を基準として電圧が周期的に変化する、断熱的回路動作用の第２の電源電圧ＶＭとを共振により出力する電圧出力回路１００と、電圧出力回路１００の発振を制御する発振制御回路２１０とを含む。発振制御回路２１０は、第１の電源電圧ＶＰが出力されるノード及び第２の電源電圧ＶＭが出力されるノードのいずれか一方のノードである第１のノードＮ１に接続される駆動回路２２０と、駆動回路２２０を制御する制御回路２３０とを含む。発振制御回路２１０は、制御信号ＳＣに基づいて、第１、第２の電源電圧ＶＰ、ＶＭの振幅を可変に制御する発振制御を行う。 （もっと読む）

【課題】高い周波数の差動信号をシングルエンドの信号に変換可能な信号変換回路、当該信号変換回路を備えたアイソレータ回路及び信号変換方法を提供すること
【解決手段】本発明にかかる信号変換回路１０は、差動信号である信号Ｄ１及び信号Ｄ２が入力されるヒステリシスコンパレータ１、２及び変換バッファ３を備える。ヒステリシスコンパレータ１は、信号Ｄ１の電位Ｖ１と信号Ｄ２の電位Ｖ２との大小の比較結果を信号Ｅ１として出力する。ヒステリシスコンパレータ２は、電位Ｖ１と電位Ｖ２との大小を比較し、当該比較結果を信号Ｅ１の反転信号である信号Ｅ２として出力する。変換バッファ３は、信号Ｅ１及び信号Ｅ２をシングルエンド信号Ｆに変換する。 （もっと読む）

【課題】異なる論理レベルの信号を高速に伝達可能なＣＭＯＳ論理集積回路を提供する。
【解決手段】レベルシフト回路とＣＭＯＳ論理回路とを備えたことを特徴とするＣＭＯＳ論理集積回路が提供される。前記レベルシフト回路は、第１の低電位と前記第１の低電位よりも高い第１の高電位との間で変化する第１の論理レベルの信号を前記第１の低電位と前記第１の高電位よりも高い第２の高電位との間で変化する第２の論理レベルの信号に変換する。前記ＣＭＯＳ論理回路は、前記第１の論理レベルの第１の信号がゲートに入力される第１のＮチャンネル形ＭＯＳＦＥＴと、前記第１のＮチャンネル形ＭＯＳＦＥＴに直列に接続され前記第１の信号と反転関係にある前記第２の論理レベルの第２の信号がゲートに入力される第２のＮチャンネル形ＭＯＳＦＥＴとを有する。 （もっと読む）

【課題】より確実に信号を伝送することが可能なバススイッチ回路を提供する。
【解決手段】バススイッチ回路は、第１、第２の入出力端子間に接続されたバススイッチ素子を備える。バススイッチ回路は、第１の入出力端子と第１の電源電圧が印加される第１の電圧線との間に接続され、第１の制御信号により制御される第１のスイッチ素子を備える。バススイッチ回路は、第２の入出力端子と第２の電源電圧が印加される第２の電圧線との間に接続され、第２の制御信号により制御される第２のスイッチ素子を備える。バススイッチ回路は、第１の信号と、第２の信号とに基づいて、遅延信号を出力する遅延信号生成回路を備える。バススイッチ回路は、第１の信号、第２の信号、および、遅延信号に基づいて、第１および第２の制御信号を出力する制御信号生成回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】より良い動作を実現する半導体装置を提供する。
【解決手段】第１のトランジスタと、第１のトランジスタのゲートに電気的に接続される
第２のトランジスタとを有し、第１のトランジスタの第１の端子は第１の配線に電気的に
接続され、第１のトランジスタの第２の端子は第２の配線に電気的に接続され、第１のト
ランジスタのゲートは第２のトランジスタの第１の端子又は第２の端子に電気的に接続さ
れることにより半導体装置が構成されるものである。上記において、第１乃至第２のトラ
ンジスタは、少なくともチャネル領域に酸化物半導体を有し、かつ、オフ電流が小さなも
のを用いることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体を用いた半導体装置として、論理回路がある。論理回路にはダイナミック論理回路とスタティック論理回路とがあり、トランジスタ等を用いて構成される。ダイナミック論理回路は情報を一定期間保持することができる。そのため、ダイナミック論理回路は、スタティック論理回路と比較して、トランジスタからのリーク電流が問題となる。
【解決手段】論理回路は、オフ電流が小さい第１のトランジスタと、ゲートが電気的に接続された第２のトランジスタと、を有し、第２のトランジスタのゲートのノードには第１のトランジスタを介して電荷が供給される。ノードに対して、第１及び第２の容量を介して電荷を供給する。電荷の状態に応じて、第２のトランジスタのオン、オフが制御される。第１のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有する。 （もっと読む）

【課題】複雑な作製工程を必要とせず、消費電力を抑えることができる信号処理回路の提供する。
【解決手段】入力された信号の位相を反転させて出力する論理素子を２つ（第１の位相反転素子及び第２の位相反転素子）と、第１の選択トランジスタと、第２の選択トランジスタと、を有する記憶素子であって、酸化物半導体層にチャネルが形成されるトランジスタと容量素子との組を２つ（第１のトランジスタと第１の容量素子との組、及び第２のトランジスタと第２の容量素子との組）有する。そして、信号処理回路が有する記憶装置に上記記憶素子を用いる。例えば、信号処理回路が有するレジスタ、キャッシュメモリ等の記憶装置に上記記憶素子を用いる。 （もっと読む）