【課題】高周波成分を抑圧するためのスタブの接続位置の調整を容易化する。
【解決手段】ＦＥＴ１０の入力端子に入力整合回路１２、出力端子に出力整合回路１４が接続された増幅器において、高周波成分を抑圧するためにＦＥＴ１０の出力端子にリング型スタブ１８を接続する。リング型スタブ１８は、その一辺が伝送線路１６と平行になるように配置される。リング型スタブ１８の全長は、ｎ次の高調波を抑制する場合に、基本波の波長をλとしてλ／（２ｎ）に設定される。 （もっと読む）

【課題】制御電圧に応じて増幅素子のアイドル電流をアナログ的に制御することができ、かつ制御電圧に応じてバイアスモードを切り替えることもできる電力増幅器を得る。
【解決手段】増幅素子Ｔｒ１は、ＲＦ信号を増幅する。エミッタフォロワ部は、外部から参照端子Ｖｒｅｆに印加された参照電圧に応じて増幅素子Ｔｒ１を定電圧駆動する。電流注入部は、参照電圧に応じて増幅素子Ｔｒ１を定電流駆動する。アナログ制御部は、外部から制御端子Ｖｃｏｎに印加された制御電圧に応じてエミッタフォロワ部の出力電圧をアナログ的に制御する。モード切替部は、制御電圧に応じてエミッタフォロワ部を動作させるか否かを切り替える。 （もっと読む）

【課題】広帯域に高調波整合を図ることができて、広帯域で効率を高めることができるとともに、高調波整合に対する設計自由度を高めることができる高周波増幅器を得ることを目的とする。
【解決手段】整合回路３の表面に形成されている配線パターン４が、ＦＥＴ１と電気的に接続されている主線路５と、一端が主線路５と接続されて、主線路５の外側に配置されているオープンスタブ６と、一端が主線路５と接続されて、主線路５の外側に配置されており、ＦＥＴ１から発生する高調波のインピーダンスがショートになる寸法の線路長を有するオープンスタブ７とから構成されている。 （もっと読む）

【課題】広帯域かつ高効率で、容易に実現可能な電力合成形増幅器を提供する。
【解決手段】所定の入力信号が分配される２つの経路の一方に設けられて入力信号を増幅するＢ級動作トランジスタ３と、他方の経路に設けられて入力信号を増幅するＣ級動作トランジスタ４と、Ｂ級動作トランジスタ３の出力電力とＣ級動作トランジスタ４の出力電力とを合成するＴ分岐１１とを有する電力合成形増幅器である。Ｂ級動作トランジスタ３の出力電力は、第１アイソレータ９を介してＴ分岐１１に送られ、Ｃ級動作トランジスタ４の出力電力は、第２アイソレータ１０を介してＴ分岐１１に送られる。第１アイソレータ９によりＢ級動作トランジスタ３の負荷インピーダンスを一定値にし、第２アイソレータ１０がＣ級動作トランジスタ４の負荷インピーダンスを一定値にする。 （もっと読む）

【課題】特別な信号源の搭載を不要にして、回路の簡単化を図ることができるとともに、タイミングの調整精度を高めて、高効率化と低歪み化を実現することができるようにする。
【解決手段】ＲＦ電力増幅トランジスタ２により増幅されたＲＦ信号の電力を検波する電力検波装置７と、電力検波装置７により検波されたＲＦ信号の電力から、ＲＦ電力増幅トランジスタ２に対するＲＦ信号と制御信号ＡＦに対応するドレイン電圧信号の入力タイミングのずれを検出する位相制御装置８とを設け、入力タイミングのずれの検出結果に応じて制御信号ＡＦの位相を調整して、入力タイミングのずれを解消する。 （もっと読む）

【課題】高周波数帯で高出力及び高効率な特性並びに低消費電力の半導体装置を提供する。
【解決手段】高周波電力増幅器であって、III−Ｖ族窒化物半導体から構成された高周波電力を増幅するＦＥＴを有する最終段パワーアンプ１０１及びドライバー段アンプ１０３と、商用電源１０５から供給される交流電圧を直流電圧に変換する整流回路１０６を有し、直流電圧を最終段パワーアンプ１０１及びドライバー段アンプ１０３のＦＥＴのドレインに印加するドレイン電圧源１０２とを備える。 （もっと読む）

【課題】出力容量及び出力直列寄生インダクタンスの影響に対して最適化された、超高周波数領域において高効率を実現することができる逆Ｆ級増幅回路を提供する。
【解決手段】本発明の逆Ｆ級増幅回路は、ＦＥＴ１と、出力負荷回路２とを備えている。出力負荷回路２は、出力負荷回路２の周波数ｆの入力インピーダンスＺ_ｉｎ（ｆ）と、ＦＥＴ１の出力容量Ｃ_ｏｕｔと出力直列寄生インダクタンスＬ_ｏｕｔとを用いて下記式：
【数１】


で定義されるアドミッタンスＹ（ｆ）が、特定の基本波周波数ｆ_０について、Ｙ（２ｆ_０）＝０，Ｙ（３ｆ_０）＝∞を満足するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】ドハティ増幅装置をより高効率にする。
【解決手段】入力信号をメインアンプ１とピークアンプ２とで増幅して、前記両アンプ１，２の出力を合成して出力するドハティ増幅装置１０において、前記メインアンプ１と前記ピークアンプ２とに共通の電源電圧を供給する可変電源部７と、入力信号のエンベロープ振幅レベルを検出するエンベロープ検出部６と、前記可変電源部７によって前記両アンプ１，２に供給される電源電圧の大きさを調整するために前記可変電源部７を制御する制御部８と、を備え、前記制御部８は、前記エンベロープ検出部６によって検出された入力信号のエンベロープ振幅レベルに応じて、前記両アンプ１，２に供給される電源電圧の大きさを制御するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】高周波電力増幅器の電力利用効率を向上するための小型で伝送ロスの少ない高調波制御回路を提供する。
【解決手段】増幅素子２０４と高調波制御回路２０９と出力整合回路２０７と負荷抵抗２０８にて高周波電力増幅器を構成している。入力端２０１から入力された高周波信号が増幅素子２０４で増幅され、高調波制御回路２０９と出力整合回路２０７を通過し、負荷抵抗２０８に供給される。高調波制御回路２０９は第１の誘電体共振器２０６と第２の誘電体共振器２０５により構成されている。 （もっと読む）

【課題】高周波電力増幅器における渦電流損失を、回路占有面積を増大させることなく低減する。
【解決手段】２つのゲインブロック（３ａａ，３ａｂ−３ｄａ，３ｄｂ）が各々に接続される１次インダクティブパス（２ａ−２ｄ，４ａ−４ｄ）および１次インダクティブパスと磁気結合する２次インダクティブパスに屈曲部（５）を設け、この屈曲部が中心を向くように配置する。２次インダクティブパス（４ａ−４ｄ）を、順次配線（１１ａ−１１ｃ）により相互接続し、未接続の２次インダクティブパス端部を出力端（１５ａ、１５ｂ）として利用する。 （もっと読む）

【課題】従来、複数のピーク増幅回路を有するドハティ増幅器は、回路構成が複雑で製造が困難であるという問題点があり、複数のピーク増幅回路を有するドハティ増幅器を、簡易な回路配置で容易に実現し、高電力効率及び良好な特性が得られる増幅器を提供する。
【解決手段】キャリア増幅回路４と、複数のピーク増幅回路５ａ、５ｂとを備え、これらの増幅回路からの出力をノード７で合成して出力するドハティ増幅器において、キャリア増幅回路４の出力段にインピーダンス変換器６を設けてキャリア増幅回路の特性を最適とし、ピーク増幅回路５ａ、５ｂの出力段に電気長が（λ／２）×ｎ（ｎは１以上の整数）となる伝送線路１１ａ、１１ｂを設けて回路配置を容易にし、ピーク増幅回路５ａ、５ｂの入力段に移相器１２ａ、１２ｂを設けて合成点における各経路の信号の位相を微調整する増幅器としている。 （もっと読む）

広帯域符号分割多重アクセス及び直交周波数分割多重のような多重変調信号の高ピーク対平均電力比に対して効率領域を拡大するためのＮウェイドハティ構造を使用する電力増幅器が開示される。一実施例において、本発明は、少なくとも１つのメイン増幅器と少なくとも１つのピーク増幅器とのアイソレーションを向上させるべく、かつ、高出力バックオフ電力におけるゲイン及び効率性能双方を向上させるべく、Ｎウェイドハティ増幅器に対してデュアルフィード分散構造を使用する。入力及び出力のいずれか又は双方においてハイブリッドカプラを使用することができる。少なくともいくつかの実装において、増幅、電力分割、及び電力結合の統合により、回路スペースを節約することもできる。
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【課題】電源効率が十分高く出力電力がサブＷからＷオーダー級のマイクロ波を出力する光マイクロ波変換装置を提供する。
【解決手段】光マイクロ波変換装置は、マイクロ波の周波数により半波整流波形に強度変調された光信号を発生する手段と、逆バイアス電圧が印加され、且つ上記光信号が入力されるとマイクロ波電気信号を出力するフォトダイオードと、を有する。また、他の光マイクロ波変換装置は、マイクロ波の周波数により半波整流波形に強度変調された光信号を発生する手段と、上記光信号から位相差が上記マイクロ波の半周期分である２つの光信号に分岐する手段と、共に逆バイアス電圧が印加され、且つ上記２つの光信号がそれぞれ入力されるとマイクロ波電気信号を出力する２つのフォトダイオードと、上記２つのフォトダイオードから出力するマイクロ波電気信号を互いに逆位相で取り出す手段と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明はドハティ増幅器に関し、ドハティ増幅器の利得の低下を防ぎ、効率を上げることができるドハティ増幅器を提供することを目的としている。
【解決手段】入力信号を２方向に分岐させる信号分岐回路２１と、該信号分岐回路２１の一方の出力を受けるキャリアアンプ１と、該キャリアアンプ１の出力を受ける第１のλ／４線路２と、前記信号分岐回路２１の他方の出力と、ピークアンプ４の立ち上がり電圧とを比較する比較回路２２と、該比較回路２２の出力に応じて、ピークアンプ４を回路に組み込むか組み込まないかを決める高周波スイッチ２３と、該高周波スイッチ２３の出力を受ける第２のλ／４線路と、該λ／４線路の出力を受けるピークアンプ４と、前記第１のλ／４線路２の出力と前記ピークアンプ４の出力とを合成した信号を受ける負荷５と、を有して構成される。 （もっと読む）

【課題】 電源電圧が変動しても効率の低下を緩和することができ、しかも、製造時の歩留まりを向上し得るエンベロープトラッキング法に基づく高周波増幅回路を提供する。
【解決手段】 本発明の高周波増幅回路１２ａは、マイクロ波帯の高周波の入力信号が入力される半導体増幅素子２１と、入力信号の包絡線の変動に追随する電源電圧を半導体増幅素子２１に印加する電源回路２２と、半導体増幅素子２１の出力側に接続された出力整合回路２４と、電源電圧が変動しても半導体増幅素子２１の効率が最大となるように当該出力整合回路２４のインピーダンスを調整するインピーダンス調整部とを備えている。 （もっと読む）

【課題】入力電力の変化に対する利得変動を抑えて線形性を改善することができる高周波増幅回路を提供する。
【解決手段】分配器１２で２分配された高周波信号はＦＥＴ２４−１，２６−１で増幅されてから合成される。ＦＥＴ２４−１のゲート端子２４ｇには一定のバイアス電圧が印加される。ＦＥＴ２６−１のゲート端子２６ｇにバイアス電圧を印加するバイアス回路３６は、ＦＥＴ２６−１に入力される高周波信号の一部を分岐するカプラ４２と、カプラ４２で分岐された高周波信号を増幅するモニタ用ＦＥＴ４６と、モニタ用ＦＥＴ４６のドレイン端子４６ｄにおけるバイアス電流が一定値に収束するようにモニタ用ＦＥＴ４６のゲート端子４６ｇに印加するバイアス電圧を調整する定電流バイアス回路４４と、モニタ用ＦＥＴ４６のゲート端子４６ｇにおけるバイアス電圧を所定の利得とオフセットで補正してＦＥＴ２６−１のゲート端子２６ｇに印加する電圧変換回路４８と、を含む。 （もっと読む）

【課題】増幅素子（ＦＥＴ）の出力容量が無視できない高周波でも高効率のＦ級増幅回路。
【解決手段】入力信号基本角周波数ωo及び高調波成分を含む信号を出力するＦＥＴ１０と、ＦＥＴの出力端子Ｎ_OFと接地端子を接続する第１のリアクタンス二端子回路１２と、ＦＥＴの出力端子Ｎ_OF側に配置される基本波整合回路１６と、基本波整合回路の入力端子とＦＥＴの出力端子間に接続される第２のリアクタンス二端子回路１４と、基本波整合回路の出力端子と接地端子を接続する負荷２２とを備え、ＦＥＴの出力インピーダンスを出力抵抗Ｒoと出力容量Ｃoからなる並列回路とし、第１のリアクタンス二端子回路１２は、直流成分に対して開放、偶数高調波成分に対して短絡、奇数高調波成分に対してＦＥＴの出力容量Ｃoと並列共振し、第２のリアクタンス二端子回路は直流成分に対して短絡、奇数高調波数成分に対して開放となる。 （もっと読む）

【課題】増幅素子（ＦＥＴ）の出力容量が無視できない高周波でも高効率のＦ級増幅回路。
【解決手段】入力信号の角周波数ωo及び高調波を含む信号を出力するＦＥＴ１０と、ＦＥＴの出力端子Ｎ_OFと接地端子を接続する第１のリアクタンス二端子回路１２と、ＦＥＴの出力端子Ｎ_OF側に配置される基本波整合回路１６と、基本波整合回路の入力端子とＦＥＴの出力端子間に接続される第２のリアクタンス二端子回路１４と、基本波整合回路の出力端子と接地端子を接続する負荷２２とを備え、ＦＥＴの出力インピーダンスを出力抵抗Ｒoと出力容量Ｃoからなる並列回路とし、第１のリアクタンス二端子回路１２は、ＤＣに対して開放、角周波数ｂωo（０＜ｂ＜１）、偶数調波に対して短絡、角周波数ωo、奇数調波に対して出力容量Ｃoと並列共振し、第２のリアクタンス二端子回路１４はＤＣに対して短絡、奇数調波に対して開放となる。 （もっと読む）

【課題】入力電力の変化に対する利得変動を抑えて線形性を改善することができる高周波増幅回路を提供する。
【解決手段】増幅器２４，２６は、分配器１２で２分配された広帯域変調信号を増幅する。バイアス回路３４は、増幅器２４の入力端子に一定のバイアス電圧を印加する。バイアス回路３６は、増幅器２６の出力端子におけるバイアス電流の変動に対して、このバイアス電流を所定の時定数で一定値に収束させるように増幅器２６の入力端子に印加するバイアス電圧を調整する。ここでの時定数は、広帯域変調信号の帯域幅の逆数より十分大きい値に設定されている。 （もっと読む）

【課題】出力整合回路のインピーダンス可変素子を、構成が簡単で実装が容易な出力電力検出器により制御した高周波電力増幅器を提供する。
【解決手段】負荷インピーダンスを構成する整合回路３０中の可変容量ダイオードを制御する情報源として、ＦＥＴ１６の消費電流Ｉｐを電圧降下によりモニタ電圧Ｖｐとして抵抗器２０により検出し、検出したモニタ電圧Ｖｐに応じた制御電圧Ｖｃにより整合回路３０に設けられた可変容量ダイオードのインピーダンスであるキャパシタンスを電力効率が大きくなるように変化させているので、出力高周波電力に応じて電力効率が増加するように負荷インピーダンスを変化させることができる。抵抗器２０は構成が簡単で又電源側に挿入しているので実装が容易である。 （もっと読む）