【課題】高周波電力増幅器の電力利用効率を向上するための小型で伝送ロスの少ない高調波制御回路を提供する。
【解決手段】増幅素子２０４と高調波制御回路２０９と出力整合回路２０７と負荷抵抗２０８にて高周波電力増幅器を構成している。入力端２０１から入力された高周波信号が増幅素子２０４で増幅され、高調波制御回路２０９と出力整合回路２０７を通過し、負荷抵抗２０８に供給される。高調波制御回路２０９は第１の誘電体共振器２０６と第２の誘電体共振器２０５により構成されている。 （もっと読む）

【課題】従来、複数のピーク増幅回路を有するドハティ増幅器は、回路構成が複雑で製造が困難であるという問題点があり、複数のピーク増幅回路を有するドハティ増幅器を、簡易な回路配置で容易に実現し、高電力効率及び良好な特性が得られる増幅器を提供する。
【解決手段】キャリア増幅回路４と、複数のピーク増幅回路５ａ、５ｂとを備え、これらの増幅回路からの出力をノード７で合成して出力するドハティ増幅器において、キャリア増幅回路４の出力段にインピーダンス変換器６を設けてキャリア増幅回路の特性を最適とし、ピーク増幅回路５ａ、５ｂの出力段に電気長が（λ／２）×ｎ（ｎは１以上の整数）となる伝送線路１１ａ、１１ｂを設けて回路配置を容易にし、ピーク増幅回路５ａ、５ｂの入力段に移相器１２ａ、１２ｂを設けて合成点における各経路の信号の位相を微調整する増幅器としている。 （もっと読む）

広帯域符号分割多重アクセス及び直交周波数分割多重のような多重変調信号の高ピーク対平均電力比に対して効率領域を拡大するためのＮウェイドハティ構造を使用する電力増幅器が開示される。一実施例において、本発明は、少なくとも１つのメイン増幅器と少なくとも１つのピーク増幅器とのアイソレーションを向上させるべく、かつ、高出力バックオフ電力におけるゲイン及び効率性能双方を向上させるべく、Ｎウェイドハティ増幅器に対してデュアルフィード分散構造を使用する。入力及び出力のいずれか又は双方においてハイブリッドカプラを使用することができる。少なくともいくつかの実装において、増幅、電力分割、及び電力結合の統合により、回路スペースを節約することもできる。
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【課題】高さを抑えつつ、バイアスラインの寄生容量を低減し、バイアスラインの長さが高周波的に短く見えるのを防ぐことができる高周波電力増幅器を得る。
【解決手段】多層基板１１上に半導体チップ１２が実装されている。多層基板１１は、交互に重なった複数の樹脂材３１〜３３及び複数の導体３４〜３６と、最下層の樹脂材３１の下面に設けられた接地電極３７とを有する。半導体チップ１２は、増幅用トランジスタ２１，２２を有する。導体３４は、増幅用トランジスタ２１，２２に駆動電圧を供給するためのバイアスライン２７，２８を有する。最下層の樹脂材３１の厚みは、最上層の樹脂材３３の厚みよりも大きい。 （もっと読む）

【課題】小形で、かつ、動作周波数の２分の１となる周波数での利得の抑圧が大きく、不要発振を抑圧して安定に動作することを可能にする。
【解決手段】半導体素子１と、半導体素子１に接続された整合回路２とを備えた高周波増幅器であって、整合回路２は利得抑圧回路を有しており、当該利得抑圧回路は、一端がグランド５に接地され、動作周波数において４分の１波長以下の電気長となる伝送線路４と、伝送線路４の他端に直列に接続されて、複数のコンデンサを直列接続して構成したコンデンサ部６と、コンデンサ部６に直列に接続された抵抗３とから構成されている。なお、コンデンサ部６と伝送線路４との代わりに、複数のＭＩＭキャパシタを直列接続して構成したＭＩＭキャパシタ部を設けてもよい。 （もっと読む）

【課題】 電源電圧が変動しても効率の低下を緩和することができ、しかも、製造時の歩留まりを向上し得るエンベロープトラッキング法に基づく高周波増幅回路を提供する。
【解決手段】 本発明の高周波増幅回路１２ａは、マイクロ波帯の高周波の入力信号が入力される半導体増幅素子２１と、入力信号の包絡線の変動に追随する電源電圧を半導体増幅素子２１に印加する電源回路２２と、半導体増幅素子２１の出力側に接続された出力整合回路２４と、電源電圧が変動しても半導体増幅素子２１の効率が最大となるように当該出力整合回路２４のインピーダンスを調整するインピーダンス調整部とを備えている。 （もっと読む）

【課題】複数の周波数帯域でインピーダンス整合を行うと共に小型に設計可能な整合回路を提供する。
【解決手段】インピーダンスが周波数特性を持つ回路素子１９９と固定のインピーダンスを有する回路１９８との間に、第１整合部１１０、第２整合部１２０、第３整合部１３０が直列接続される。第２整合部１２０はインピーダンス変換機能を持つ。第１整合部１１０はスイッチ１１８、１１９のＯＮ、ＯＦＦの排他的切替で各周波数帯域に応じたリアクタンス値を持つ素子として動作し、第３整合部１３０はスイッチ１３３のＯＮ、ＯＦＦの切替で各周波数帯域に応じたリアクタンス値を持つ素子として動作することで、各周波数帯域で整合を取る。また、第７リアクタンス手段１３１の設計は、第５リアクタンス手段１１５および第８リアクタンス手段１３２の設計との相関で決せられ自由度を持つから、第７リアクタンス手段１３１を小型に設計できる。 （もっと読む）

【課題】増幅素子（ＦＥＴ）の出力容量が無視できない高周波でも高効率のＦ級増幅回路。
【解決手段】入力信号基本角周波数ωo及び高調波成分を含む信号を出力するＦＥＴ１０と、ＦＥＴの出力端子Ｎ_OFと接地端子を接続する第１のリアクタンス二端子回路１２と、ＦＥＴの出力端子Ｎ_OF側に配置される基本波整合回路１６と、基本波整合回路の入力端子とＦＥＴの出力端子間に接続される第２のリアクタンス二端子回路１４と、基本波整合回路の出力端子と接地端子を接続する負荷２２とを備え、ＦＥＴの出力インピーダンスを出力抵抗Ｒoと出力容量Ｃoからなる並列回路とし、第１のリアクタンス二端子回路１２は、直流成分に対して開放、偶数高調波成分に対して短絡、奇数高調波成分に対してＦＥＴの出力容量Ｃoと並列共振し、第２のリアクタンス二端子回路は直流成分に対して短絡、奇数高調波数成分に対して開放となる。 （もっと読む）

【課題】小型で、かつ、整合される周波数の帯域が広い周波数可変増幅器を得る。
【解決手段】信号の入力端子１と信号増幅用の半導体素子２との間に入力整合回路を有する周波数可変増幅器において、入力整合回路は、第１の伝送線路１１と第１の容量１２と第２の伝送線路１３と第２の容量１４とが直列接続された第１の直列回路１０と、第１のショートスタブ２１と第１のスイッチ２２と第３の伝送線路２３とが直列接続された第２の直列回路２０と、第２のショートスタブ３１と第２のスイッチ３２と第４の伝送線路３３とが直列接続された第３の直列回路３０とを備え、第１の直列回路１０は、半導体素子２と入力端子１との間に接続され、第２の直列回路２０は、一端が第１の容量１２と第２の伝送線路１３との間に並列接続され、第３の直列回路３０は、一端が第２の容量１４と入力端子１との間に並列接続される構成を備える。 （もっと読む）

【課題】 従来のマイクロ波増幅器では半導体素子から発生する熱雑音レベルの種々の周波数成分の不要なマイクロ波を十分吸収させることができず、吸収されないマイクロ波が増幅器内で多重反射し、これによりマイクロ波増幅器が発振したり、不安定動作してしまう課題があった。
【解決手段】 第一の抵抗と先端短絡線路との直列回路と、この直列回路に並列に接続された第二の抵抗と先端開放線路との直列回路とからなる安定化回路を、半導体素子の入力端子、出力端子のうち少なくとも一方の端子に信号路に並列に設け、かつ、第一の抵抗と第二の抵抗、先端短絡線路の長さと先端短絡線路の長さとを等しく選び、かつ、先端短絡線路の特性インピーダンスと先端開放線路の特性インピーダンスとの積が第一の抵抗あるいは第二の抵抗の２乗になるようにした。 （もっと読む）

【課題】スタブ、共振回路を使用しないでＦ級動作を行う高周波電力増幅回路を提供する。
【解決手段】基本周波数ｆ０の信号を増幅するトランジスタ４８の出力端に、負荷として整合回路３８と前記基本周波数ｆ０を通過させる帯域通過フィルタ３０ｓとの直列回路を備える高周波電力増幅回路２０であって、前記直列回路に直列に接続される伝送線路３６をさらに備え、伝送線路３６の電気長が、トランジスタ４８の出力端４４からみて２ｆ０である５．４［ＧＨｚ］の周波数において負荷インピーダンスが短絡となり、３ｆ０である８．１［ＧＨｚ］の周波数において負荷インピーダンスが開放となるように設定する。 （もっと読む）

【課題】例えばマイクロ波増幅器において、高出力化を図りながら、実装スペース及び実装コストを低減できるようにする。
【解決手段】 増幅器を、増幅用トランジスタ１と、増幅用トランジスタ１の出力部に接続され、入力インピーダンスの異なる複数のインピーダンス変換用トランジスタ９，１２を直列に接続してなるインピーダンス変換回路３とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波、ミリ波帯のＭＭＩＣにおいて、製造時のキャパシタの容量のばらつきに起因する高周波特性の劣化を改善し、歩留まりを向上させる。
【解決手段】ＭＭＩＣ電力増幅器は、ＤＣカットやインピーダンス整合回路に使用しているキャパシタとして、容量の異なる複数のキャパシタを互いに並列接続した構成のものを用いる。複数のキャパシタは、それぞれオンオフ切り替え可能なＭＥＭＳスイッチを有し、ＭＥＭＳスイッチのオンオフ切り替えにより、複数のキャパシタの内の所望のキャパシタを選択可能に構成される。 （もっと読む）

【課題】 従来のドハティ増幅回路では、ＡＭ−ＰＭ特性（振幅−位相特性）の変動が複雑であって、十分な歪補償を行うのが困難であるという問題点があり、本発明は、ＡＭ−ＰＭ特性を改善し、歪の小さいドハティ増幅回路を提供する。
【解決手段】 互いにＡＭ−ＰＭ特性の異なる複数のドハティ増幅部を縦続接続したものであって、例えば、ＡＭ−ＰＭ特性が逆特性となるＧａＡｓＦＥＴを用いた成るドハティ増幅部２０と、ＬＤ−ＭＯＳＦＥＴを用いたドハティ増幅部３０とを縦続接続したものであり、それぞれのドハティ増幅部で発生する位相変化を相殺して、全体として良好なＡＭ−ＰＭ特性を実現し、歪を低減するドハティ増幅回路である。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で隣接チャネル漏洩電力を抑制しつつ高い効率を得ることができるドハティ増幅器を提供する。
【解決手段】第１電圧とこの第１電圧とは異なる第２電圧とを供給する定電圧源２１，２２と、増幅部とを備え、増幅部は、入力信号を分配する分配回路１１と、定電圧源の第１電圧がドレイン−ソース間に印加され、分配回路により分配された一方の信号を常時増幅するキャリア増幅器１と、定電圧源の第２電圧がドレイン−ソース間に印加され、入力信号が所定レベル以上の場合に分配回路により分配された他方の信号を増幅するピーク増幅器２と、キャリア増幅器の出力とピーク増幅器の出力とが合成されて出力される出力端とを備える。 （もっと読む）

【課題】２つの周波数帯の混合信号を各周波数帯で同時にインピーダンス整合可能な整合回路を提供する。
【解決手段】主整合ブロック１０１と副整合ブロック１０２とが直列に接続された整合回路である。ブロックをｂと略記すると、副整合ｂ１０２は、主整合ｂ１０１に一端が直列に接続された直列整合ｂ１１０と、直列整合ｂ１１０の他端に接続された並列整合ネットワーク１７０とを備える。交流周波数が第１の周波数ｆ_１の場合について、直列整合ｂ１１０と第１並列整合ｂ１１１との接続部は交流的に開放状態とされ、第１並列整合ｂ１１１と第２並列整合ｂ１１２との接続部は交流的に短絡状態とされ、交流周波数が第１の周波数ｆ_１の場合には、主整合ｂ１０１および直列整合ｂ１１０でインピーダンス整合を行うとされ、交流周波数が第２の周波数ｆ_２の場合には、主整合ｂ１０１および副整合ｂ１０２でインピーダンス整合を行う。 （もっと読む）

【課題】分岐部におけるロスの増加およびループ発振を防止できる高周波電力増幅器。
【解決手段】入力信号を２分配する分配器１と、分配器の出力の一方を第１分配器分岐部と第２分配器分岐部で２分配する第１分配器、第１分配器の出力を増幅した信号を第１合成器分岐部と第２合成器分岐部で合成する第１合成器を備えた第１高周波電力増幅部２と、分配器の出力の他方を第４分配器分岐部、第２分配器分岐部の隣の第３分配器分岐部で２分配する第２分配器、第２分配器の出力を増幅した信号を第４合成器分岐部、第２合成器分岐部の隣の第３合成器分岐部で合成する第２合成器を備えた第２高周波電力増幅部３と、第１合成器の出力と第２合成器の出力とを合成する合成器４と、第２分配器分岐部と第３分配器分岐部との間または第２合成器分岐部と第３分配器分岐部との間に設けられた安定化回路５を備える。 （もっと読む）

【課題】Ｃｈｉｒｅｘ合成器とＦ級増幅器とを組み合わせて、高効率な線形増幅器を実現する場合、補償リアクタンス成分がＦ級増幅器の高周波整合条件に悪影響を及ぼし、効率が低下する。
【解決手段】電力増幅器として機能するＬＩＮＣ方式増幅器１００は、ＬＩＮＣ信号分離回路１０と、遅延器１２と、移相器１４と、電力増幅ＩＣ４０と、を有している。また、電力増幅ＩＣ４０は、整合回路３２，３４と、ＦＥＴ１６，１８と、伝送線路２２，２４と、伝送線路２２に接続されたλ／８オープンスタブ２６と、伝送線路２４に接続された３λ／８オープンスタブ２８と、を有している。 （もっと読む）

【課題】マルチバンド対応のバイアス回路を提供する。
【解決手段】交流回路に一端が接続された第１リアクタンス手段２と、この他端に接続された第２リアクタンス手段３と、両者の接続部２１０に接続されたスイッチ７と、この他端に接続された第３リアクタンス手段８と、第２リアクタンス手段３に接続された容量性手段４と、第２リアクタンス手段３と容量性手段４との接続部２２０に接続された、直流電圧を供給可能な直流回路５とを少なくとも備えており、接続部２２０が交流的に接地状態とされたバイアス回路１００である。接続部２１０は、第１の周波数とは異なる第２の周波数において、接続部２１０から容量性手段４の方を見たときのインピーダンスが十分に大とされる位置であり、バイアス点８００からバイアス回路の方を見たときのインピーダンスは、いずれの周波数においても十分に大とされる。 （もっと読む）

【課題】 高効率ドハティ増幅器の入力分配器の分配損によるゲイン低下を防止して高ゲインを図り、高次歪の増加を抑えて高次歪を低減できる増幅器を提供する。
【解決手段】 ＡＢ級で動作するキャリア増幅回路４とＢ級又はＣ級で動作するピーク増幅回路５からの出力をノード６２で合成出力するものであって、分配器２で分配された信号に対して伝送線路３３で線路の長さが調整されて低入力時の反射係数を変更し、キャリア増幅回路４からの信号をインピーダンス変換器６４でインピーダンス変換し、ピーク増幅回路５からの信号について伝送線路６５で損失がないよう低入力時のインピーダンスを大きくみせ、低入力時に、分配器２からピーク増幅回路５側の入力インピーダンスを無限大に近づけることで、低入力時の利得を上げる増幅器である。 （もっと読む）