ドハティ増幅器
【課題】簡単な構成で隣接チャネル漏洩電力を抑制しつつ高い効率を得ることができるドハティ増幅器を提供する。
【解決手段】第１電圧とこの第１電圧とは異なる第２電圧とを供給する定電圧源２１，２２と、増幅部とを備え、増幅部は、入力信号を分配する分配回路１１と、定電圧源の第１電圧がドレイン−ソース間に印加され、分配回路により分配された一方の信号を常時増幅するキャリア増幅器１と、定電圧源の第２電圧がドレイン−ソース間に印加され、入力信号が所定レベル以上の場合に分配回路により分配された他方の信号を増幅するピーク増幅器２と、キャリア増幅器の出力とピーク増幅器の出力とが合成されて出力される出力端とを備える。
【解決手段】第１電圧とこの第１電圧とは異なる第２電圧とを供給する定電圧源２１，２２と、増幅部とを備え、増幅部は、入力信号を分配する分配回路１１と、定電圧源の第１電圧がドレイン−ソース間に印加され、分配回路により分配された一方の信号を常時増幅するキャリア増幅器１と、定電圧源の第２電圧がドレイン−ソース間に印加され、入力信号が所定レベル以上の場合に分配回路により分配された他方の信号を増幅するピーク増幅器２と、キャリア増幅器の出力とピーク増幅器の出力とが合成されて出力される出力端とを備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高効率を実現することができるドハティ増幅器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、移動体通信や無線ＬＡＮ（Local Area Network）などの進歩は著しく、特に携帯電話の爆発的な普及と、それに伴うインフラ整備により、携帯端末のみならず基地局にも低消費電力化が要求されてきている。そこで、基地局において送信に使用される増幅器についても、効率及び線形性の向上に対する要求が一層高まってきている。線形性は入力電力の増加に対する出力電力の増加が直線的に変化する性能である。この線形性が良好であれば、出力信号の歪みが低減されて、隣接チャネル漏洩電力が低減される。
【０００３】
しかしながら、一般的な増幅器では、効率と線形性との間にはトレードオフの関係があり、また、効率は増幅器への入力レベルに比例する。したがって、高い効率は、増幅器の出力が飽和出力電力に近づくまで得られないので、増幅器の線形性を実現することは難しい。そこで、ドハティ増幅器等のような高効率で信号を増幅する技術と、その低歪化やフィードフォワード等の歪補償技術とを組み合わせることにより、より高効率で低歪な増幅器が開発されている。
【０００４】
このドハティ増幅器は、キャリア増幅器とピーク増幅器とを有し、キャリア増幅器をＡＢ級動作、ピーク増幅器をＣ級動作するように、ゲート電圧が設定されている。
【０００５】
キャリア増幅器とピーク増幅器との出力端の合成点から、ピーク増幅器側を見た負荷インピーダンスを開放（オープン）に近い状態となるように位相線路長を構成する。これにより、小信号動作時では、ピーク増幅器はＣ級動作しているため、キャリア増幅器しか動作しない状態となり、図５のカーブＣ２に示すように、効率が向上する。
【０００６】
そして、出力電力がキャリア増幅器の飽和する飽和遷移点Ｐｂ以上に増加すると、即ち、大信号動作時では、ピーク増幅器も動作するため、図５のカーブＣ３に示すように、飽和出力電力Ｐａが伸びる。２つの増幅器をＡＢ級動作させるような通常の増幅器は図５のカーブＣ１のようになり、ドハティ増幅器と同等の飽和出力電力を得るが、飽和出力電力からバックオフをとった領域では、効率は低い。
【０００７】
また、同じ飽和出力電力を持つキャリア増幅器とピーク増幅器とで構成されるドハティ増幅器では、図５のカーブカーブＣ２，Ｃ３に示すように、飽和遷移点Ｐｂで効率の不連続点を有し、その効率をほぼ維持しつつ飽和出力電力Ｐａに達するという特徴を有する。
【０００８】
しかし、近年の情報通信用信号、例えば、Ｗ−ＣＤＭＡ信号等はピーク値と平均値との差の電力比が高いので、一般的なドハティ増幅器では、隣接チャネル漏洩電力を抑制しにくくなる。即ち、飽和出力電力を超える入力電力が入力される（線形性が良くない）と、出力信号の歪みが増加して、隣接チャネル漏洩電力を抑制しにくくなる。
【０００９】
このため、飽和出力電力からのバックオフ量を通常のドハティ増幅器より大きくとった領域が効率が高くなるようにすることにより、隣接チャネル漏洩電力を抑制するドハティ増幅器が考案されている。このドハティ増幅器では、キャリア増幅器とピーク増幅器とに使用するデバイスにおいて、ゲート幅が異なるデバイス、即ち、飽和出力電力が異なるデバイスを用いる。
【００１０】
図６は従来のこの種のドハティ増幅器の回路を示す（非特許文献１）。ドハティ増幅器は、１０Ｗデバイスからなるキャリア増幅器１ａ及び２０Ｗデバイスからなるピーク増幅器２ａを備える。入力信号は２分配され、一方はキャリア増幅器１ａに入力され、他方は１／４波長伝送線路３を経由してピーク増幅器２ａに入力される。負荷は、整合回路６ａを介してピーク増幅器２ａの出力に接続され、キャリア増幅器１ａの出力は、一般に、整合回路５ａ及び１／４波長伝送線路４からなるインピーダンス変換器を介して負荷に接続される。このドハティ増幅器は小信号動作時ではキャリア増幅器１ａだけが動作する。
【００１１】
小信号動作時では、キャリア増幅器１ａからみた負荷インピーダンスがピーク電力でのインピーダンスよりも高いため、キャリア増幅器１ａの効率が増加する。出力レベルがキャリア増幅器１ａの飽和する飽和遷移点以上に増加すると、ピーク増幅器２ａが動作する状態となる。このドハティ増幅器では、１０Ｗのキャリア増幅器１ａと２０Ｗのピーク増幅器２ａとの飽和電力が異なるデバイスを使用しているので、ピーク値と平均値との差の電力比が高い場合でも、隣接チャネル漏洩電力を抑制することができる。
【００１２】
また、図７に示すドハティ増幅器が知られている（特許文献１）。このドハティ増幅器では、方向性結合器７は、入力信号電力の大部分を直交スプリッタ８に供給しつつ入力信号の小部分を検出器９に出力する。直交スプリッタ８は、入力信号を同相信号と直交位相信号とに分離し、同相信号をキャリア増幅器１ｂに出力し、直交位相信号をピーク増幅器２ｂに出力する。検出器９の出力は、バイアス制御回路１０ａ，１０ｂに出力される。キャリア増幅器１ｂは、バイアス制御回路１０ａの制御の下に直交スプリッタ８からの同相信号を低入力信号レベルにおいて線形な増幅を行う。ピーク増幅器２ｂは、高出力動作時に直交スプリッタ８からの直交信号を増幅する。キャリア増幅器１ｂの出力に接続された１／４波長伝送線路４は、出力端ＯＵＴにおいてピーク増幅器２ｂの出力に接続される。
【００１３】
このような構成によれば、バイアス制御回路１０ａ，１０ｂが一定の電力利得を与えるように入力信号に応じてキャリア増幅器１ｂ及びピーク増幅器２ｂのバイアスを制御するので、入力信号の歪みを抑制することができる。
【００１４】
また、従来のこの種のドハティ増幅器として特許文献２に記載された高効率増幅器が知られている。
【非特許文献１】石井著：”ドハティ増幅器におけるピーク増幅器の最適化検討”，ＩＥＩＣＥ２００５，Ｃ−２−７，ｐ４０
【特許文献１】特表２０００−５１３５３５号公報
【特許文献２】特開２００３−１８８６５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
しかしながら、上述した非特許文献１に開示された従来のドハティ増幅器においては、ゲート幅の異なるデバイスでは、飽和出力電力が１０Ｗ、２０Ｗ、９０Ｗ、１８０Ｗなどのように飛び飛びの値しか得られず、飽和出力電力を微調整することができない。
【００１６】
また、特許文献１に開示された従来のドハティ増幅器は、直交スプリッタ８、検出器９、バイアス制御回路１０ａ，１０ｂが必要となるので、回路が複雑化するとともに高価になる。
【００１７】
本発明の課題は、簡単な構成で隣接チャネル漏洩電力を抑制しつつ高い効率を得ることができるドハティ増幅器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明に係るドハティ増幅器は、上記課題を解決するために、入力信号を分配する分配回路と、前記分配回路により分配された一方の信号を常時増幅するキャリア増幅器と、入力信号が所定レベル以上の場合に前記分配回路により分配された他方の信号を増幅するピーク増幅器と、前記キャリア増幅器の出力と前記ピーク増幅器の出力とが合成されて出力される出力端とを備え、前記分配回路から前記キャリア増幅器の入力端までの線路長と前記分配回路から前記ピーク増幅器の入力端までの線路長とが異なることを特徴とする。
【００１９】
また、本発明に係るドハティ増幅器は、第１電圧とこの第１電圧とは異なる第２電圧とを供給する定電圧源と、増幅部とを備え、前記増幅部は、入力信号を分配する分配回路と、前記定電圧源の第１電圧が主電極間に印加され、前記分配回路により分配された一方の信号を常時増幅するキャリア増幅器と、前記定電圧源の第２電圧が主電極間に印加され、入力信号が所定レベル以上の場合に前記分配回路により分配された他方の信号を増幅するピーク増幅器と、前記キャリア増幅器の出力と前記ピーク増幅器の出力とが合成されて出力される出力端とを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
本発明に係るドハティ増幅器によれば、簡単な構成で隣接チャネル漏洩電力を抑制しつつ高い効率を得ることができる。
【００２１】
また、キャリア増幅器の主電極間に定電圧源から第１電圧が印加され、ピーク増幅器の主電極間に定電圧源から第２電圧が印加されるので、飽和出力電力が異なるデバイスとして動作させる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態に係るドハティ増幅器を、図面を参照しながら詳細に説明する。
【実施例１】
【００２３】
図１は、本発明の実施例１に係るドハティ増幅器の構成を示す回路図である。このドハティ増幅器は、入力端、９０°ハイブリッドカップラ１１、位相補正用線路１３、キャリア増幅器１、ピーク増幅器２、キャリア出力段整合回路５、ピーク出力段整合回路６、定電圧源２１，２２、３５Ω線路１４及び出力端ＯＵＴから構成されている。
【００２４】
９０°ハイブリッドカップラ１１は、本発明の分配回路に対応し、第１乃至第４端子を有する方向性結合器からなり、第１端子が入力端に接続され、第２端子が５０Ω終端（器）に接続され、第３端子が位相補正用線路１３を介してキャリア増幅器１に接続され、第４端子がピーク増幅器２に接続されている。９０°ハイブリッドカップラ１１は、入力端からの入力信号を等電力で２分配して３ｄＢダウンした第１信号と第１信号に対して９０°位相が遅れた第２信号とに分離し、第１信号を位相補正用線路１３を介してキャリア増幅器１に出力し、第２信号をピーク増幅器２に出力する。
【００２５】
実施例１のドハティ増幅器は、位相補正用線路１３からなるブロックＡと、キャリア増幅器１及びピーク増幅器２からなるブロックＢと、キャリア出力段整合回路５及びピーク出力段整合回路６からなるブロックＣとを設けたことを特徴とする。以下、各ブロックについて順番に説明する。
【００２６】
（キャリア増幅器１及びピーク増幅器２からなるブロックＢ）
キャリア増幅器１とピーク増幅器２とに用いるデバイスは、同じゲート幅を持つデバイスであり同じ飽和出力電力を有し、例えば、GaN-HEMT（Gallium Nitride-High Electron Mobility Transistor）からなり、例えば、飽和出力電力が９０Ｗのものを用いる。このGaN-HEMTのドレイン電圧（ドレイン−ソース間電圧）は公称値で５０Ｖである。
【００２７】
キャリア増幅器１は、GaN-HEMT（本発明の第１増幅素子に対応）のドレイン−ソース間（本発明の主電極間に対応）に定電圧源２１から４０Ｖ（本発明の第１電圧に対応）が印加されている。キャリア増幅器１は、出力の高低に拘わらずゲート電圧の設定により常にＡＢ級動作し、位相補正用線路１３を介して９０°ハイブリッドカップラ１１の第３端子から送られてくる第１信号を増幅してキャリア出力段整合回路５に送る。
【００２８】
ピーク増幅器２は、GaN-HEMT（本発明の第２増幅素子に対応）のドレイン−ソース間（本発明の主電極間に対応）に定電圧源２２から５０Ｖ（本発明の第２電圧に対応）が印加されている。ピーク増幅器２は、高出力動作時、即ち、キャリア増幅器１が飽和遷移点Ｐｂに達した以降のみゲート電圧の設定によりＣ級動作し、９０°ハイブリッドカップラ１１の第４端子から送られてくる第２信号を増幅してピーク出力段整合回路６に送る。
【００２９】
なお、２つの定電圧源２１，２２はそれぞれ異なる電圧を供給するが、例えば、１つの定電圧源が第１電圧と第２電圧とを供給しても良い。
【００３０】
GaN-HEMTは、ドレイン電圧５０Ｖよりも４０Ｖの方が出力電力に対するドレイン効率が高い。このため、キャリア増幅器１は高効率が得られ、ピーク増幅器２は、高線形性が得られる。なお、キャリア増幅器１に印加されるドレイン電圧は、４０Ｖに限らず、例えば３８Ｖでも良く、５０Ｖ以下であればその他の値でも良い。
【００３１】
入力電力が小さいときは、ピーク増幅器２はＣ級動作となるようにバイアスされているため、キャリア増幅器１のみが動作する。このとき、キャリア増幅器１は、ドレイン電圧が４０Ｖに設定されているため、ドレイン電圧を公称値５０Ｖに設定しているよりも高い効率を得ることができる。
【００３２】
徐々に入力電力が増加するとキャリア増幅器１が徐々に飽和遷移点Ｐｂに達してくるが、この飽和遷移点Ｐｂがドレイン電圧５０Ｖの時の飽和遷移点よりも数ｄＢ小さくなる。そして、この飽和遷移点以上になると、Ｃ級バイアスに設定しているピーク増幅器２が動作を開始する。このため、全体として６ｄＢ以上バックオフした領域で高効率を得ることができる。
【００３３】
このように、キャリア増幅器１のドレイン電圧は、ピーク増幅器２のドレイン電圧よりも低く設定されているので、飽和出力電力が異なるデバイスとして動作させることができる。従って、簡単な構成で隣接チャネル漏洩電力を抑制しつつ高い効率を得ることができる。
【００３４】
また、キャリア増幅器１のドレイン電圧の設定値により、飽和出力電力の微調整が可能となる。このため、従来の特許文献１のように、飽和出力電力が１０Ｗ、２０Ｗ、９０Ｗ、１８０Ｗなどのように飛び飛びの値になることはない。
【００３５】
図３は本発明の実施例１に係るドハティ増幅器のキャリア増幅器とピーク増幅器との各々に４０Ｖまたは５０Ｖを印加したときの出力電力に対するドレイン効率を示す図である。図４は本発明の実施例１に係るドハティ増幅器のキャリア増幅器とピーク増幅器との各々に４０Ｖまたは５０Ｖを印加したときの出力電力に対する隣接チャネル漏洩電力を示す図である。
【００３６】
図３に示すように、キャリア増幅器１のドレイン電圧４０Ｖで且つピーク増幅器２のドレイン電圧５０Ｖのときは、飽和遷移点Ｐｂでの効率が最も高く、しかもキャリア増幅器１のドレイン電圧５０Ｖで且つピーク増幅器２のドレイン電圧５０Ｖのときよりも高い効率を得ていることがわかる。
【００３７】
また、図４に示すように、キャリア増幅器１のドレイン電圧４０Ｖで且つピーク増幅器２のドレイン電圧５０Ｖのときは、使用すべき出力電力（この例では４５ｄＢｍ）付近において隣接チャネル漏洩電力がキャリア増幅器１のドレイン電圧５０Ｖで且つピーク増幅器２のドレイン電圧５０Ｖのときと同様、規定された隣接チャネル漏洩電力（この例では−３５ｄＢｃ）以下になっていることがわかる。
【００３８】
（キャリア出力段整合回路５及びピーク出力段整合回路６からなるブロックＣ）
キャリア増幅器１に印加するドレイン電圧が４０Ｖ、５０Ｖ、あるいはそれ以外の電圧では、GaN-HEMTの負荷インピーダンスが変化するため、各々の負荷インピーダンスが互いに異なる。このため、キャリア出力段整合回路５は、キャリア増幅器１の負荷インピーダンスに整合させ、且つキャリア増幅器１の出力とピーク増幅器２の出力との合成点からピーク増幅器２を見たインピーダンスがオープンになるような線路長を有して構成されている。これにより、高効率で且つ印加しているドレイン電圧において良好な歪み特性が得られる。ピーク出力段整合回路６は、ピーク増幅器２の負荷インピーダンスに整合させるための線路長を有して構成されている。
【００３９】
また、合成点からピーク増幅器２を見たインピーダンスがオープンになるように設定しているため、キャリア増幅器１のみ動作しているときは、ピーク増幅器２側へ電力漏洩はほぼないため、余計な電力損失は発生しない。
【００４０】
キャリア出力段整合回路５の出力及びピーク出力段整合回路６の出力は合成されて１／４波長の３５Ω線路１４を介して出力端ＯＵＴから出力される。３５Ω線路１４は、キャリア出力段整合回路５の出力とピーク出力段整合回路６の出力との合成点（この合成点ではインピーダンス２５Ω）において出力端に接続される図示しない負荷のインピーダンス５０Ωと整合をとるようにインピーダンスを変換する。
【００４１】
（位相補正用線路１３からなるブロックＡ）
キャリア増幅器１及びピーク増幅器２のGaN-HEMTに印加されるドレイン電圧が４０Ｖ、５０Ｖ、あるいはそれ以外の電圧では、デバイスの通過位相が互いに異なる。この場合、キャリア増幅器１のドレイン電圧４０Ｖがピーク増幅器２のドレイン電圧５０Ｖより低い値であるため、デバイスの通過位相はキャリア増幅器１の方が遅れる。そのため、ハイブリッドカプラから増幅器１，２までの線路長が等しい場合には、大信号動作時には、合成点においてキャリア増幅器１の出力とピーク増幅器２の出力とが合成されると、通過位相差により合成損失が発生する。そのため、本実施形態の回路では、位相補正用線路１３を有する。
【００４２】
位相補正用線路１３は、前記位相差をなくすように線路長により位相補正を行う。即ち、ドレイン電圧４０Ｖと５０Ｖとによるキャリア増幅器１とピーク増幅器２との通過位相差に応じて、９０°ハイブリッドカップラ１１からキャリア増幅器１の入力端までの線路長と９０°ハイブリッドカップラ１１からピーク増幅器２の入力端までの線路長とが異なっている。
【００４３】
デバイス側で位相の調整を行うと、高線形性及び高効率に合わせたインピーダンス整合がずれるため、入力側で位相補正用線路１３により位相を調整した方が良い。ここでは、ピーク増幅器２の通過位相が例えば１００°でキャリア増幅器１の通過位相が例えば８０°であれば、位相補正用線路１３は、線路長により位相を２０°に設定する。
【００４４】
（実施例１の具体例）
図２は本発明の実施例１に係るドハティ増幅器を基板上に形成されたパターンで構成した実際の回路図である。図２において、入力端から線路パターンＰ１を介して９０°ハイブリッドカプラ１１の第１端子に接続され、第２端子は線路パターンＰ２を介して５０Ω終端１２に接続される。
【００４５】
９０°ハイブリッドカプラ１１の第３端子は、線路パターンＰ３と線路パターンＰ４とを介してキャリア増幅器１のゲート電極Ｇ１に接続される。９０°ハイブリッドカプラ１１の第４端子は、線路パターンＰ５を介してピーク増幅器２のゲート電極Ｇ２に接続される。線路パターンＰ３と線路パターンＰ４との合計の線路長は、線路パターンＰ５の線路長よりも長く設定され、突起状の線路パターンＰ４が位相補正用線路１３に対応し、この線路長で位相が補正される。
【００４６】
キャリア増幅器１のドレイン電極Ｄ１には定電圧源２１（負極側が接地）から電圧が印加され、ソース電極Ｓ１は接地されている。ピーク増幅器２のドレイン電極Ｄ２には定電圧源２２（負極側が接地）から電圧が印加され、ソース電極Ｓ２は接地されている。キャリア増幅器１のドレイン電極Ｄ１から線路パターンＰ６と突起状の線路パターンＰ７とを介して３５Ω線路１４の入力端（合成点）に接続される。ピーク増幅器２のドレイン電極Ｄ２から線路パターンＰ８と突起状の線路パターンＰ９とを介して３５Ω線路１４の入力端（合成点）に接続される。
【００４７】
線路パターンＰ６及び線路パターンＰ７のインピーダンスと、線路パターンＰ８及び線路パターンＰ９のインピーダンスとの各々は、５０Ωであり、これらは合成点で並列となるため、合成点で２５Ωとなる。線路パターンＰ１０は、３５Ω線路１４を構成し、１／４波長線路からなる。
【００４８】
なお、各々の線路パターンは、基板上に形成されたパターンから構成されており、各特性インピーダンスは、そのパターン長、パターン幅、パターン厚、基板の比誘電率、基板の厚さ、通過させる信号の周波数などによって決定される。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
本発明のドハティ増幅器は、携帯電話等に用いられる電力増幅器に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の実施例１に係るドハティ増幅器の構成を示す回路図である。
【図２】本発明の実施例１に係るドハティ増幅器を基板上に形成されたパターンで構成した実際の回路図である。
【図３】本発明の実施例１に係るドハティ増幅器のキャリア増幅器とピーク増幅器との各々に４０Ｖまたは５０Ｖを印加したときの出力電力に対するドレイン効率を示す図である。
【図４】本発明の実施例１に係るドハティ増幅器のキャリア増幅器とピーク増幅器との各々に４０Ｖまたは５０Ｖを印加したときの出力電力に対する隣接チャネル漏洩電力を示す図である。
【図５】従来のドハティ増幅器の小信号レベルと大信号レベルとにおける出力電力に対する効率を示す図である。
【図６】従来のドハティ増幅器の構成を示す回路図である。
【図７】従来の他のドハティ増幅器の構成を示す回路図である。
【符号の説明】
【００５１】
１…キャリア増幅器、２…ピーク増幅器、３…１／４波長伝送線路、４…１／４波長伝送線路、５…キャリア出力段整合回路、６…ピーク出力段整合回路、７…方向性結合器、８…直交スプリッタ、９…検出器、１０ａ，１０ｂ…バイアス制御回路、１１…９０°ハイブリッドカップラ、１２…５０Ω終端、１３…位相補正用線路、１４…３５Ω線路、２１，２２…定電圧源、Ｐ１〜Ｐ１０…線路パターン、Ｇ１，Ｇ２…ゲート電極、Ｓ１，Ｓ２…ソース電極、Ｄ１，Ｄ２…ドレイン電極。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高効率を実現することができるドハティ増幅器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、移動体通信や無線ＬＡＮ（Local Area Network）などの進歩は著しく、特に携帯電話の爆発的な普及と、それに伴うインフラ整備により、携帯端末のみならず基地局にも低消費電力化が要求されてきている。そこで、基地局において送信に使用される増幅器についても、効率及び線形性の向上に対する要求が一層高まってきている。線形性は入力電力の増加に対する出力電力の増加が直線的に変化する性能である。この線形性が良好であれば、出力信号の歪みが低減されて、隣接チャネル漏洩電力が低減される。
【０００３】
しかしながら、一般的な増幅器では、効率と線形性との間にはトレードオフの関係があり、また、効率は増幅器への入力レベルに比例する。したがって、高い効率は、増幅器の出力が飽和出力電力に近づくまで得られないので、増幅器の線形性を実現することは難しい。そこで、ドハティ増幅器等のような高効率で信号を増幅する技術と、その低歪化やフィードフォワード等の歪補償技術とを組み合わせることにより、より高効率で低歪な増幅器が開発されている。
【０００４】
このドハティ増幅器は、キャリア増幅器とピーク増幅器とを有し、キャリア増幅器をＡＢ級動作、ピーク増幅器をＣ級動作するように、ゲート電圧が設定されている。
【０００５】
キャリア増幅器とピーク増幅器との出力端の合成点から、ピーク増幅器側を見た負荷インピーダンスを開放（オープン）に近い状態となるように位相線路長を構成する。これにより、小信号動作時では、ピーク増幅器はＣ級動作しているため、キャリア増幅器しか動作しない状態となり、図５のカーブＣ２に示すように、効率が向上する。
【０００６】
そして、出力電力がキャリア増幅器の飽和する飽和遷移点Ｐｂ以上に増加すると、即ち、大信号動作時では、ピーク増幅器も動作するため、図５のカーブＣ３に示すように、飽和出力電力Ｐａが伸びる。２つの増幅器をＡＢ級動作させるような通常の増幅器は図５のカーブＣ１のようになり、ドハティ増幅器と同等の飽和出力電力を得るが、飽和出力電力からバックオフをとった領域では、効率は低い。
【０００７】
また、同じ飽和出力電力を持つキャリア増幅器とピーク増幅器とで構成されるドハティ増幅器では、図５のカーブカーブＣ２，Ｃ３に示すように、飽和遷移点Ｐｂで効率の不連続点を有し、その効率をほぼ維持しつつ飽和出力電力Ｐａに達するという特徴を有する。
【０００８】
しかし、近年の情報通信用信号、例えば、Ｗ−ＣＤＭＡ信号等はピーク値と平均値との差の電力比が高いので、一般的なドハティ増幅器では、隣接チャネル漏洩電力を抑制しにくくなる。即ち、飽和出力電力を超える入力電力が入力される（線形性が良くない）と、出力信号の歪みが増加して、隣接チャネル漏洩電力を抑制しにくくなる。
【０００９】
このため、飽和出力電力からのバックオフ量を通常のドハティ増幅器より大きくとった領域が効率が高くなるようにすることにより、隣接チャネル漏洩電力を抑制するドハティ増幅器が考案されている。このドハティ増幅器では、キャリア増幅器とピーク増幅器とに使用するデバイスにおいて、ゲート幅が異なるデバイス、即ち、飽和出力電力が異なるデバイスを用いる。
【００１０】
図６は従来のこの種のドハティ増幅器の回路を示す（非特許文献１）。ドハティ増幅器は、１０Ｗデバイスからなるキャリア増幅器１ａ及び２０Ｗデバイスからなるピーク増幅器２ａを備える。入力信号は２分配され、一方はキャリア増幅器１ａに入力され、他方は１／４波長伝送線路３を経由してピーク増幅器２ａに入力される。負荷は、整合回路６ａを介してピーク増幅器２ａの出力に接続され、キャリア増幅器１ａの出力は、一般に、整合回路５ａ及び１／４波長伝送線路４からなるインピーダンス変換器を介して負荷に接続される。このドハティ増幅器は小信号動作時ではキャリア増幅器１ａだけが動作する。
【００１１】
小信号動作時では、キャリア増幅器１ａからみた負荷インピーダンスがピーク電力でのインピーダンスよりも高いため、キャリア増幅器１ａの効率が増加する。出力レベルがキャリア増幅器１ａの飽和する飽和遷移点以上に増加すると、ピーク増幅器２ａが動作する状態となる。このドハティ増幅器では、１０Ｗのキャリア増幅器１ａと２０Ｗのピーク増幅器２ａとの飽和電力が異なるデバイスを使用しているので、ピーク値と平均値との差の電力比が高い場合でも、隣接チャネル漏洩電力を抑制することができる。
【００１２】
また、図７に示すドハティ増幅器が知られている（特許文献１）。このドハティ増幅器では、方向性結合器７は、入力信号電力の大部分を直交スプリッタ８に供給しつつ入力信号の小部分を検出器９に出力する。直交スプリッタ８は、入力信号を同相信号と直交位相信号とに分離し、同相信号をキャリア増幅器１ｂに出力し、直交位相信号をピーク増幅器２ｂに出力する。検出器９の出力は、バイアス制御回路１０ａ，１０ｂに出力される。キャリア増幅器１ｂは、バイアス制御回路１０ａの制御の下に直交スプリッタ８からの同相信号を低入力信号レベルにおいて線形な増幅を行う。ピーク増幅器２ｂは、高出力動作時に直交スプリッタ８からの直交信号を増幅する。キャリア増幅器１ｂの出力に接続された１／４波長伝送線路４は、出力端ＯＵＴにおいてピーク増幅器２ｂの出力に接続される。
【００１３】
このような構成によれば、バイアス制御回路１０ａ，１０ｂが一定の電力利得を与えるように入力信号に応じてキャリア増幅器１ｂ及びピーク増幅器２ｂのバイアスを制御するので、入力信号の歪みを抑制することができる。
【００１４】
また、従来のこの種のドハティ増幅器として特許文献２に記載された高効率増幅器が知られている。
【非特許文献１】石井著：”ドハティ増幅器におけるピーク増幅器の最適化検討”，ＩＥＩＣＥ２００５，Ｃ−２−７，ｐ４０
【特許文献１】特表２０００−５１３５３５号公報
【特許文献２】特開２００３−１８８６５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
しかしながら、上述した非特許文献１に開示された従来のドハティ増幅器においては、ゲート幅の異なるデバイスでは、飽和出力電力が１０Ｗ、２０Ｗ、９０Ｗ、１８０Ｗなどのように飛び飛びの値しか得られず、飽和出力電力を微調整することができない。
【００１６】
また、特許文献１に開示された従来のドハティ増幅器は、直交スプリッタ８、検出器９、バイアス制御回路１０ａ，１０ｂが必要となるので、回路が複雑化するとともに高価になる。
【００１７】
本発明の課題は、簡単な構成で隣接チャネル漏洩電力を抑制しつつ高い効率を得ることができるドハティ増幅器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明に係るドハティ増幅器は、上記課題を解決するために、入力信号を分配する分配回路と、前記分配回路により分配された一方の信号を常時増幅するキャリア増幅器と、入力信号が所定レベル以上の場合に前記分配回路により分配された他方の信号を増幅するピーク増幅器と、前記キャリア増幅器の出力と前記ピーク増幅器の出力とが合成されて出力される出力端とを備え、前記分配回路から前記キャリア増幅器の入力端までの線路長と前記分配回路から前記ピーク増幅器の入力端までの線路長とが異なることを特徴とする。
【００１９】
また、本発明に係るドハティ増幅器は、第１電圧とこの第１電圧とは異なる第２電圧とを供給する定電圧源と、増幅部とを備え、前記増幅部は、入力信号を分配する分配回路と、前記定電圧源の第１電圧が主電極間に印加され、前記分配回路により分配された一方の信号を常時増幅するキャリア増幅器と、前記定電圧源の第２電圧が主電極間に印加され、入力信号が所定レベル以上の場合に前記分配回路により分配された他方の信号を増幅するピーク増幅器と、前記キャリア増幅器の出力と前記ピーク増幅器の出力とが合成されて出力される出力端とを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
本発明に係るドハティ増幅器によれば、簡単な構成で隣接チャネル漏洩電力を抑制しつつ高い効率を得ることができる。
【００２１】
また、キャリア増幅器の主電極間に定電圧源から第１電圧が印加され、ピーク増幅器の主電極間に定電圧源から第２電圧が印加されるので、飽和出力電力が異なるデバイスとして動作させる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態に係るドハティ増幅器を、図面を参照しながら詳細に説明する。
【実施例１】
【００２３】
図１は、本発明の実施例１に係るドハティ増幅器の構成を示す回路図である。このドハティ増幅器は、入力端、９０°ハイブリッドカップラ１１、位相補正用線路１３、キャリア増幅器１、ピーク増幅器２、キャリア出力段整合回路５、ピーク出力段整合回路６、定電圧源２１，２２、３５Ω線路１４及び出力端ＯＵＴから構成されている。
【００２４】
９０°ハイブリッドカップラ１１は、本発明の分配回路に対応し、第１乃至第４端子を有する方向性結合器からなり、第１端子が入力端に接続され、第２端子が５０Ω終端（器）に接続され、第３端子が位相補正用線路１３を介してキャリア増幅器１に接続され、第４端子がピーク増幅器２に接続されている。９０°ハイブリッドカップラ１１は、入力端からの入力信号を等電力で２分配して３ｄＢダウンした第１信号と第１信号に対して９０°位相が遅れた第２信号とに分離し、第１信号を位相補正用線路１３を介してキャリア増幅器１に出力し、第２信号をピーク増幅器２に出力する。
【００２５】
実施例１のドハティ増幅器は、位相補正用線路１３からなるブロックＡと、キャリア増幅器１及びピーク増幅器２からなるブロックＢと、キャリア出力段整合回路５及びピーク出力段整合回路６からなるブロックＣとを設けたことを特徴とする。以下、各ブロックについて順番に説明する。
【００２６】
（キャリア増幅器１及びピーク増幅器２からなるブロックＢ）
キャリア増幅器１とピーク増幅器２とに用いるデバイスは、同じゲート幅を持つデバイスであり同じ飽和出力電力を有し、例えば、GaN-HEMT（Gallium Nitride-High Electron Mobility Transistor）からなり、例えば、飽和出力電力が９０Ｗのものを用いる。このGaN-HEMTのドレイン電圧（ドレイン−ソース間電圧）は公称値で５０Ｖである。
【００２７】
キャリア増幅器１は、GaN-HEMT（本発明の第１増幅素子に対応）のドレイン−ソース間（本発明の主電極間に対応）に定電圧源２１から４０Ｖ（本発明の第１電圧に対応）が印加されている。キャリア増幅器１は、出力の高低に拘わらずゲート電圧の設定により常にＡＢ級動作し、位相補正用線路１３を介して９０°ハイブリッドカップラ１１の第３端子から送られてくる第１信号を増幅してキャリア出力段整合回路５に送る。
【００２８】
ピーク増幅器２は、GaN-HEMT（本発明の第２増幅素子に対応）のドレイン−ソース間（本発明の主電極間に対応）に定電圧源２２から５０Ｖ（本発明の第２電圧に対応）が印加されている。ピーク増幅器２は、高出力動作時、即ち、キャリア増幅器１が飽和遷移点Ｐｂに達した以降のみゲート電圧の設定によりＣ級動作し、９０°ハイブリッドカップラ１１の第４端子から送られてくる第２信号を増幅してピーク出力段整合回路６に送る。
【００２９】
なお、２つの定電圧源２１，２２はそれぞれ異なる電圧を供給するが、例えば、１つの定電圧源が第１電圧と第２電圧とを供給しても良い。
【００３０】
GaN-HEMTは、ドレイン電圧５０Ｖよりも４０Ｖの方が出力電力に対するドレイン効率が高い。このため、キャリア増幅器１は高効率が得られ、ピーク増幅器２は、高線形性が得られる。なお、キャリア増幅器１に印加されるドレイン電圧は、４０Ｖに限らず、例えば３８Ｖでも良く、５０Ｖ以下であればその他の値でも良い。
【００３１】
入力電力が小さいときは、ピーク増幅器２はＣ級動作となるようにバイアスされているため、キャリア増幅器１のみが動作する。このとき、キャリア増幅器１は、ドレイン電圧が４０Ｖに設定されているため、ドレイン電圧を公称値５０Ｖに設定しているよりも高い効率を得ることができる。
【００３２】
徐々に入力電力が増加するとキャリア増幅器１が徐々に飽和遷移点Ｐｂに達してくるが、この飽和遷移点Ｐｂがドレイン電圧５０Ｖの時の飽和遷移点よりも数ｄＢ小さくなる。そして、この飽和遷移点以上になると、Ｃ級バイアスに設定しているピーク増幅器２が動作を開始する。このため、全体として６ｄＢ以上バックオフした領域で高効率を得ることができる。
【００３３】
このように、キャリア増幅器１のドレイン電圧は、ピーク増幅器２のドレイン電圧よりも低く設定されているので、飽和出力電力が異なるデバイスとして動作させることができる。従って、簡単な構成で隣接チャネル漏洩電力を抑制しつつ高い効率を得ることができる。
【００３４】
また、キャリア増幅器１のドレイン電圧の設定値により、飽和出力電力の微調整が可能となる。このため、従来の特許文献１のように、飽和出力電力が１０Ｗ、２０Ｗ、９０Ｗ、１８０Ｗなどのように飛び飛びの値になることはない。
【００３５】
図３は本発明の実施例１に係るドハティ増幅器のキャリア増幅器とピーク増幅器との各々に４０Ｖまたは５０Ｖを印加したときの出力電力に対するドレイン効率を示す図である。図４は本発明の実施例１に係るドハティ増幅器のキャリア増幅器とピーク増幅器との各々に４０Ｖまたは５０Ｖを印加したときの出力電力に対する隣接チャネル漏洩電力を示す図である。
【００３６】
図３に示すように、キャリア増幅器１のドレイン電圧４０Ｖで且つピーク増幅器２のドレイン電圧５０Ｖのときは、飽和遷移点Ｐｂでの効率が最も高く、しかもキャリア増幅器１のドレイン電圧５０Ｖで且つピーク増幅器２のドレイン電圧５０Ｖのときよりも高い効率を得ていることがわかる。
【００３７】
また、図４に示すように、キャリア増幅器１のドレイン電圧４０Ｖで且つピーク増幅器２のドレイン電圧５０Ｖのときは、使用すべき出力電力（この例では４５ｄＢｍ）付近において隣接チャネル漏洩電力がキャリア増幅器１のドレイン電圧５０Ｖで且つピーク増幅器２のドレイン電圧５０Ｖのときと同様、規定された隣接チャネル漏洩電力（この例では−３５ｄＢｃ）以下になっていることがわかる。
【００３８】
（キャリア出力段整合回路５及びピーク出力段整合回路６からなるブロックＣ）
キャリア増幅器１に印加するドレイン電圧が４０Ｖ、５０Ｖ、あるいはそれ以外の電圧では、GaN-HEMTの負荷インピーダンスが変化するため、各々の負荷インピーダンスが互いに異なる。このため、キャリア出力段整合回路５は、キャリア増幅器１の負荷インピーダンスに整合させ、且つキャリア増幅器１の出力とピーク増幅器２の出力との合成点からピーク増幅器２を見たインピーダンスがオープンになるような線路長を有して構成されている。これにより、高効率で且つ印加しているドレイン電圧において良好な歪み特性が得られる。ピーク出力段整合回路６は、ピーク増幅器２の負荷インピーダンスに整合させるための線路長を有して構成されている。
【００３９】
また、合成点からピーク増幅器２を見たインピーダンスがオープンになるように設定しているため、キャリア増幅器１のみ動作しているときは、ピーク増幅器２側へ電力漏洩はほぼないため、余計な電力損失は発生しない。
【００４０】
キャリア出力段整合回路５の出力及びピーク出力段整合回路６の出力は合成されて１／４波長の３５Ω線路１４を介して出力端ＯＵＴから出力される。３５Ω線路１４は、キャリア出力段整合回路５の出力とピーク出力段整合回路６の出力との合成点（この合成点ではインピーダンス２５Ω）において出力端に接続される図示しない負荷のインピーダンス５０Ωと整合をとるようにインピーダンスを変換する。
【００４１】
（位相補正用線路１３からなるブロックＡ）
キャリア増幅器１及びピーク増幅器２のGaN-HEMTに印加されるドレイン電圧が４０Ｖ、５０Ｖ、あるいはそれ以外の電圧では、デバイスの通過位相が互いに異なる。この場合、キャリア増幅器１のドレイン電圧４０Ｖがピーク増幅器２のドレイン電圧５０Ｖより低い値であるため、デバイスの通過位相はキャリア増幅器１の方が遅れる。そのため、ハイブリッドカプラから増幅器１，２までの線路長が等しい場合には、大信号動作時には、合成点においてキャリア増幅器１の出力とピーク増幅器２の出力とが合成されると、通過位相差により合成損失が発生する。そのため、本実施形態の回路では、位相補正用線路１３を有する。
【００４２】
位相補正用線路１３は、前記位相差をなくすように線路長により位相補正を行う。即ち、ドレイン電圧４０Ｖと５０Ｖとによるキャリア増幅器１とピーク増幅器２との通過位相差に応じて、９０°ハイブリッドカップラ１１からキャリア増幅器１の入力端までの線路長と９０°ハイブリッドカップラ１１からピーク増幅器２の入力端までの線路長とが異なっている。
【００４３】
デバイス側で位相の調整を行うと、高線形性及び高効率に合わせたインピーダンス整合がずれるため、入力側で位相補正用線路１３により位相を調整した方が良い。ここでは、ピーク増幅器２の通過位相が例えば１００°でキャリア増幅器１の通過位相が例えば８０°であれば、位相補正用線路１３は、線路長により位相を２０°に設定する。
【００４４】
（実施例１の具体例）
図２は本発明の実施例１に係るドハティ増幅器を基板上に形成されたパターンで構成した実際の回路図である。図２において、入力端から線路パターンＰ１を介して９０°ハイブリッドカプラ１１の第１端子に接続され、第２端子は線路パターンＰ２を介して５０Ω終端１２に接続される。
【００４５】
９０°ハイブリッドカプラ１１の第３端子は、線路パターンＰ３と線路パターンＰ４とを介してキャリア増幅器１のゲート電極Ｇ１に接続される。９０°ハイブリッドカプラ１１の第４端子は、線路パターンＰ５を介してピーク増幅器２のゲート電極Ｇ２に接続される。線路パターンＰ３と線路パターンＰ４との合計の線路長は、線路パターンＰ５の線路長よりも長く設定され、突起状の線路パターンＰ４が位相補正用線路１３に対応し、この線路長で位相が補正される。
【００４６】
キャリア増幅器１のドレイン電極Ｄ１には定電圧源２１（負極側が接地）から電圧が印加され、ソース電極Ｓ１は接地されている。ピーク増幅器２のドレイン電極Ｄ２には定電圧源２２（負極側が接地）から電圧が印加され、ソース電極Ｓ２は接地されている。キャリア増幅器１のドレイン電極Ｄ１から線路パターンＰ６と突起状の線路パターンＰ７とを介して３５Ω線路１４の入力端（合成点）に接続される。ピーク増幅器２のドレイン電極Ｄ２から線路パターンＰ８と突起状の線路パターンＰ９とを介して３５Ω線路１４の入力端（合成点）に接続される。
【００４７】
線路パターンＰ６及び線路パターンＰ７のインピーダンスと、線路パターンＰ８及び線路パターンＰ９のインピーダンスとの各々は、５０Ωであり、これらは合成点で並列となるため、合成点で２５Ωとなる。線路パターンＰ１０は、３５Ω線路１４を構成し、１／４波長線路からなる。
【００４８】
なお、各々の線路パターンは、基板上に形成されたパターンから構成されており、各特性インピーダンスは、そのパターン長、パターン幅、パターン厚、基板の比誘電率、基板の厚さ、通過させる信号の周波数などによって決定される。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
本発明のドハティ増幅器は、携帯電話等に用いられる電力増幅器に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の実施例１に係るドハティ増幅器の構成を示す回路図である。
【図２】本発明の実施例１に係るドハティ増幅器を基板上に形成されたパターンで構成した実際の回路図である。
【図３】本発明の実施例１に係るドハティ増幅器のキャリア増幅器とピーク増幅器との各々に４０Ｖまたは５０Ｖを印加したときの出力電力に対するドレイン効率を示す図である。
【図４】本発明の実施例１に係るドハティ増幅器のキャリア増幅器とピーク増幅器との各々に４０Ｖまたは５０Ｖを印加したときの出力電力に対する隣接チャネル漏洩電力を示す図である。
【図５】従来のドハティ増幅器の小信号レベルと大信号レベルとにおける出力電力に対する効率を示す図である。
【図６】従来のドハティ増幅器の構成を示す回路図である。
【図７】従来の他のドハティ増幅器の構成を示す回路図である。
【符号の説明】
【００５１】
１…キャリア増幅器、２…ピーク増幅器、３…１／４波長伝送線路、４…１／４波長伝送線路、５…キャリア出力段整合回路、６…ピーク出力段整合回路、７…方向性結合器、８…直交スプリッタ、９…検出器、１０ａ，１０ｂ…バイアス制御回路、１１…９０°ハイブリッドカップラ、１２…５０Ω終端、１３…位相補正用線路、１４…３５Ω線路、２１，２２…定電圧源、Ｐ１〜Ｐ１０…線路パターン、Ｇ１，Ｇ２…ゲート電極、Ｓ１，Ｓ２…ソース電極、Ｄ１，Ｄ２…ドレイン電極。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電圧とこの第１電圧とは異なる第２電圧とを供給する定電圧源と、増幅部とを備え、前記増幅部は、
入力信号を分配する分配回路と、
前記定電圧源の第１電圧が主電極間に印加され、前記分配回路により分配された一方の信号を常時増幅するキャリア増幅器と、
前記定電圧源の第２電圧が主電極間に印加され、入力信号が所定レベル以上の場合に前記分配回路により分配された他方の信号を増幅するピーク増幅器と、
前記キャリア増幅器の出力と前記ピーク増幅器の出力とが合成されて出力される出力端とを備えることを特徴とするドハティ増幅器。
【請求項２】
前記キャリア増幅器に印加される第１電圧の値は、前記ピーク増幅器に印加される第２電圧の値未満に設定されることを特徴とする請求項１記載のドハティ増幅器。
【請求項３】
前記第１電圧と前記第２電圧とによる前記キャリア増幅器と前記ピーク増幅器との通過位相差に応じて、前記分配回路から前記キャリア増幅器の入力端までの線路長と前記分配回路から前記ピーク増幅器の入力端までの線路長とが異なることを特徴とする請求項１又は請求項２記載のドハティ増幅器。
【請求項４】
入力信号を分配する分配回路と、
前記分配回路により分配された一方の信号を常時増幅するキャリア増幅器と、
入力信号が所定レベル以上の場合に前記分配回路により分配された他方の信号を増幅するピーク増幅器と、
前記キャリア増幅器の出力と前記ピーク増幅器の出力とが合成されて出力される出力端とを備え、
前記分配回路から前記キャリア増幅器の入力端までの線路長と前記分配回路から前記ピーク増幅器の入力端までの線路長とが異なることを特徴とするドハティ増幅器。
【請求項５】
前記ピーク増幅器と前記キャリア増幅器が同仕様のデバイスで構成され、印加されるバイアス電圧が異なることを特徴とする請求項４記載のドハティ増幅器。
【請求項１】
第１電圧とこの第１電圧とは異なる第２電圧とを供給する定電圧源と、増幅部とを備え、前記増幅部は、
入力信号を分配する分配回路と、
前記定電圧源の第１電圧が主電極間に印加され、前記分配回路により分配された一方の信号を常時増幅するキャリア増幅器と、
前記定電圧源の第２電圧が主電極間に印加され、入力信号が所定レベル以上の場合に前記分配回路により分配された他方の信号を増幅するピーク増幅器と、
前記キャリア増幅器の出力と前記ピーク増幅器の出力とが合成されて出力される出力端とを備えることを特徴とするドハティ増幅器。
【請求項２】
前記キャリア増幅器に印加される第１電圧の値は、前記ピーク増幅器に印加される第２電圧の値未満に設定されることを特徴とする請求項１記載のドハティ増幅器。
【請求項３】
前記第１電圧と前記第２電圧とによる前記キャリア増幅器と前記ピーク増幅器との通過位相差に応じて、前記分配回路から前記キャリア増幅器の入力端までの線路長と前記分配回路から前記ピーク増幅器の入力端までの線路長とが異なることを特徴とする請求項１又は請求項２記載のドハティ増幅器。
【請求項４】
入力信号を分配する分配回路と、
前記分配回路により分配された一方の信号を常時増幅するキャリア増幅器と、
入力信号が所定レベル以上の場合に前記分配回路により分配された他方の信号を増幅するピーク増幅器と、
前記キャリア増幅器の出力と前記ピーク増幅器の出力とが合成されて出力される出力端とを備え、
前記分配回路から前記キャリア増幅器の入力端までの線路長と前記分配回路から前記ピーク増幅器の入力端までの線路長とが異なることを特徴とするドハティ増幅器。
【請求項５】
前記ピーク増幅器と前記キャリア増幅器が同仕様のデバイスで構成され、印加されるバイアス電圧が異なることを特徴とする請求項４記載のドハティ増幅器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２００８−１６７３００（Ｐ２００８−１６７３００Ａ）
【公開日】平成２０年７月１７日（２００８．７．１７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−３５６２５３（Ｐ２００６−３５６２５３）
【出願日】平成１８年１２月２８日（２００６．１２．２８）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年７月１７日（２００８．７．１７）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年１２月２８日（２００６．１２．２８）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]