【課題】本実施例の一側面における電力増幅器はトランジスタの入力側と出力側の両方に高調波処理を行う整合回路を設けた場合でも発振が生じるのを抑止し、電力増幅器の安定動作を可能とすることを目的とする。
【解決手段】本実施例の一側面における電力増幅器は、基本波と高調波を含む入力信号を入力ノードで受けとり、入力信号の電力を増幅することにより出力信号を生成し、生成された出力信号を出力ノードから出力する増幅回路と、増幅回路の入力ノードに接続され、入力信号の高調波処理を行う入力整合回路と、増幅回路の出力ノードに接続され、出力信号の高調波処理を行う出力整合回路を含む。増幅回路は、入力信号の電力が所定値より大きい値からその所定値より小さい値に低下したとき、生成される出力信号に含まれる高調波の整合点における出力インピーダンスの位相を回転させる。 （もっと読む）

【課題】ＩＣチップのプロセスばらつきによって高周波特性がばらついた場合でも、回路特性を最適化できるＩＣチップを基板にフリップチップ実装する無線装置を提供する。
【解決手段】無線装置は、マイクロ波、ミリ波帯の電力増幅器用高周波ＩＣチップ１００、バンプ１０２、入力端子１０３、出力端子１０４、基板１０５、アンダーフィル１０６、プロセスばらつき検出部１１０を有する。プロセスばらつき検出部は、プロセスばらつきによる回路特性の変動量をモニタし、モニタされた回路特性の変動量を用いて、算出されたパラーメータを有するアンダーフィル１０６が、基板１０５とミリ波帯の電力増幅器用高周波ＩＣチップ１００との間に充填されることで、プロセスばらつき及びアンダーフィルの影響があっても、所望の回路特性が得られる無線装置を提供できる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ生成時の負荷変動に高速に対応すると共に、自動インピーダンス制御回路の長寿命化を図ることが可能な増幅システムを提供する。
【解決手段】プラズマの生成によりインピーダンスが変動する負荷と接続する増幅システムは、入力線路、第１及び第２の増幅器、出力線路、接続線路及びインピーダンス制御回路を具備する。入力線路、出力線路及び接続線路の電気長は、駆動前調整により予め設定される。インピーダンス制御回路は、駆動前調整において、入力から前記負荷側を見たインピーダンスが第１のインピーダンスと等しくなるように制御する。駆動中には、第１の増幅器は、プラズマ生成前後において第１のインピーダンスを目標として信号を増幅する。第２の増幅器は、プラズマ生成前には増幅機能をオフとし、プラズマ生成後には第１のインピーダンスを目標として信号を増幅する。 （もっと読む）

【課題】基本波周波数の異なる複数の入力信号が入力する場合でも、各基本周波数に応じた高周波処理が行えるようにする。
【解決手段】 基本角周波数の異なる複数の信号をＦ級増幅し、該基本角周波数の信号成分及び、その高調波の信号成分を含んだ信号を出力するＦ級増幅器と、Ｆ級増幅器の後段に設けられて、当該Ｆ級増幅器に寄生する寄生回路のインピーダンスを取り込んで回路設定されることにより、信号の直流成分及び偶数次高調波の信号成分に対しては短絡状態とし、奇数次高調波の信号成分に対しては開放状態となる高調波処理部と、高調波処理部の後段に設けられて、高調波の信号成分に対しては短絡状態にする短絡部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ドハティ増幅装置の効率低下を防止する。
【解決手段】ドハティ増幅装置は、メインアンプを構成するメインアンプデバイス１と、ピークアンプを構成するピークアンプデバイス２と、メインアンプデバイス１及びピークアンプ２が実装された基板１５とを有している。メインアンプデバイス１は、第１デバイス本体１ｃ、第１入力端子１ａ、及び、第１出力端子１ｂを備え、第１入力端子１ａ及び第１出力端子１ｂが第１デバイス本体１ｃを挟んで対向して配置されている。ピークアンプデバイス２は、第２デバイス本体２ｃ、第２入力端子２ａ、及び、第２出力端子２ｂを備え、第２入力端子２ａ及び第２出力端子２ｂが第２デバイス本体２ｃを挟んで対向して配置されている。ピークアンプデバイス２は、メインアンプデバイス１の位置に対して、メインアンプデバイス１の第１入力端子から第１出力端子に向かう入出力方向Ｄｓにずれた位置に、実装されている。 （もっと読む）

【課題】Ｆ級増幅器における効率を改善することができる電力増幅回路を提供する。
【解決手段】電力増幅回路は、予め定められた周波数の基本波を含む信号を増幅する増幅素子と、増幅素子が増幅した信号に含まれる基本波と、基本波の２倍波と、基本波の３倍波とそれぞれの特性インピーダンスとのインピーダンス整合をとる出力整合回路と、２倍波の反射位相を変化させる２倍波用チューナーと、３倍波の反射位相を変化させる３倍波用チューナーと、出力整合回路が出力する信号に含まれる基本波を通過させるとともに、信号に含まれる２倍波及び３倍波を反射する高調波反射フィルタであって、２倍波用チューナー及び３倍波用チューナーが接続され、２倍波用チューナー及び３倍波用チューナーを用いて２倍波及び３倍波の反射位相を独立に変化させる高調波反射フィルタとを備える。 （もっと読む）

【課題】ビアホールの数を少なくしてもループ発振などの特性劣化が生じにくい半導体電力増幅器を提供する。
【解決手段】半導体電力増幅器は、ゲート電極Ｇと、ドレイン電極Ｄと、前記ゲートフィンガー電極に対向して配置されるソースフィンガー電極横手方向の両サイドに引き出される２つのソース電極Ｓと、を有するユニットＦＥＴと、前記ユニットＦＥＴが、前記ソース電極間を結ぶ略直線方向に複数個並列配置され、隣り合うユニットＦＥＴ間に存在する２つのソース電極の両方を共通して高周波グランド面と接続する第１の接地インダクタンス値を有する第１のビアホール１８Ｋと、隣り合うユニットＦＥＴが存在しない側のソース電極上に配置され、接地インダクタンスを等しくするために前記高周波グランド面に接続する第２の接地インダクタンス値を有する第２のビアホール１８Ｄと、を有する。 （もっと読む）

【課題】２倍波処理回路の動作の阻害を防ぎ、動作効率の劣化を防ぐ能動回路を得る。
【解決手段】バイアス回路５において、基本波整合回路４の出力側に接続され、基本波周波数成分を全通過させ、２倍波周波数成分を反射するフィルタ回路５１と、基本波整合回路４の出力側とフィルタ回路５１との間に接続され、基本波周波数で並列共振し、２倍波周波数に対してほぼ純抵抗となる２倍波吸収回路５２と、２倍波吸収回路５２に接続され、バイアス電圧を供給するバイアス電圧供給回路５３とを備えた。
バイアス回路５において、２倍波周波数成分を高周波トランジスタ２側に反射させずに吸収することによって、２倍波処理回路３とバイアス回路５とで並列共振を起こすことがなく、その結果、２倍波処理回路３の動作の阻害を防ぎ、動作効率の劣化を防ぐ能動回路を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】差分周波数Δｆが数百ＭＨｚにおいても高周波半導体チップのドレイン端面の電圧が平滑化された半導体装置を提供する。
【解決手段】高周波半導体チップと、高周波半導体チップの入力側に配置された入力側分布回路と、高周波半導体チップの出力側に配置された出力側分布回路と、入力側分布回路に接続された高周波入力端子と、出力側分布回路に接続された高周波出力端子と、高周波半導体チップのドレイン端子電極近傍に配置された平滑化キャパシタとを備え、高周波半導体チップと、入力側分布回路と、出力側分布回路と、平滑化キャパシタとが１つのパッケージに収納されたことを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】熱時定数による増幅利得の時間的な変化を補償でき、良好な直線性を有するパルス増幅装置を提供する。
【解決手段】パルス電力増幅装置１０は、高周波信号を変調するパルス信号を入力され、前記パルス信号を入力され第１の増幅器の熱時定数に対応する時定数を有する第１の微分回路と、前記パルス信号を入力され第２の増幅器の熱時定数に対応する時定数を有する第２の微分回路と、励振回路及び最終段増幅器の入力側の負バイアス端子に供給される負バイアス電圧を出力する負バイアス電源１８と、この負バイアス電源の出力する負バイアス電圧に前記第１の微分回路の出力を加算して前記第１の増幅器の入力側の負バイアス端子に供給する第１の加算回路と、前記負バイアス電源の出力する負バイアス電圧に前記第２の微分回路の出力を加算して前記第２の増幅器の入力側の負バイアス端子に供給する第２の加算回路と、を有する。 （もっと読む）

【課題】進行波管等の電子管の負荷変動により高周波信号の位相が高速に変動した場合でも、その位相変動を抑制できる高周波回路システムを提供する。
【解決手段】電子管及び該電子管に所定の直流電圧を供給する電源装置を備えた高周波回路システムに、電子管へ入力する第１高周波信号と電子管から出力された第２高周波信号との位相差に対応する電圧を出力する位相比較器を備える。電源装置は、位相比較器の出力電圧に基づき、第１高周波信号に対する第２高周波信号の位相変化がある場合、第１高周波信号の位相と第２高周波信号の位相が一致するように、カソード電極とヘリックス間に供給する直流電圧を制御する。 （もっと読む）

【課題】広帯域での２倍波整合を取れず、高効率化できる周波数範囲が狭い。
【解決手段】伝送線路２から構成されるメイン線路と、抵抗６と伝送線路５、７とが直列接続された回路から構成され、メイン線路と並列接続されたサブ線路と、一端がメイン線路とサブ線路との接続点に接続されたオープンスタブ３、４とを含んで構成される。 （もっと読む）

【課題】入力信号を複数の信号に低損失で分配することができる分配回路を提供することを課題とする。
【解決手段】分配回路は、信号入力ノードに直列接続される複数のインダクタ（４０１〜４０ｎ＋１）と、入力容量を有する入力端子及び出力端子を有し、前記複数のインダクタのそれぞれの間に前記入力端子が接続され、前記入力端子に入力される信号を増幅して前記出力端子から出力する複数の増幅素子（４２１〜４２ｎ）と、前記複数の増幅素子の出力端子と複数の信号出力ノードとの間にそれぞれ接続される複数の整合回路（４３１〜４３ｎ）とを有する。 （もっと読む）

【課題】より広い周波数範囲で同時的な高電力と高電力付加効率（ＰＡＥ）をもたらす改良されたＥ級増幅器を提供する。
【解決手段】２段のＥ級の高電力増幅器100は駆動装置段102、Ｅ級段間整合ネットワーク（ＩＳＭＮ）104、負荷回路を使用する高電力段106を含んでいる。負荷回路はスイッチングモード回路の出力に結合されている直列の誘導性−容量性ネットワークと、スイッチングモード回路の出力に結合されているキャパシタンスを提供するための回路を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】所望の数の周波数帯で動作する可変整合回路に必要な構成回路素子数を減らす。
【解決手段】伝送線路11Lに、第１の線路スタブSB1と、２つのスイッチSW1, SW2の一端を入力端から順次間隔L1, L2, L3をあけてそれぞれ接続し、２つのスイッチの他端は第２の線路スタブSB2接続し、第１及び第２線路スタブは開放端あるいは短絡端を有し、スイッチSW1, SW2のＯＮ，ＯＦＦの組み合わせにより４つの周波数帯での整合を選択可能にされている。 （もっと読む）

【課題】広い入力レベル範囲にわたって高い効率を実現することが可能な増幅回路を提供する。
【解決手段】増幅回路１０１において、入力側高調波整合回路３および出力側高調波整合回路４により、トランジスタＴＲの制御電極から前段側を見たインピーダンスのうち基本周波数の高調波に対するインピーダンスと、トランジスタＴＲの導通電極から後段側を見たインピーダンスのうち基本周波数の高調波に対するインピーダンスとが、それぞれ、対象信号のレベルが異なる条件下において整合されている。 （もっと読む）

【課題】全てのトランジスタに対して最適かつ等位相で高調波を反射させ、高い出力かつ高い効率で動作する高周波増幅器を得る。
【解決手段】ＦＥＴ１Ａのドレイン（Ｄ）に一端が接続された四角形線路部５Ａ、ＦＥＴ１ＢのＤに一端が接続された四角形線路部５Ｂ、並びに四角形線路部５Ａ及び５Ｂの他端を接続する弓形線路部５Ｃを有する伝送線路５と、四角形線路部５Ａ及び５Ｂの間に配置された伝送線路６Ｂと、四角形線路部５Ａに対して伝送線路６Ｂと反対側に配置された伝送線路６Ａと、四角形線路部５Ｂに対して伝送線路６Ｂと反対側に配置された伝送線路６Ｃとを備え、伝送線路６Ａ、６Ｂ、６Ｃの電気長は、高調波の１／４波長であり、伝送線路６Ａ、６Ｂ、６Ｃのそれぞれのビアホール７Ａ、７Ｂ、７Ｃは、伝送線路６Ａ、６Ｂ、６Ｃの一端に接続される。 （もっと読む）

【課題】差分周波数Δｆが数百ＭＨｚにおいても電力増幅器用バイアス回路のリップル電圧ΔＶが抑制されてバイアス回路電圧が平滑化され、マイクロ波／ミリ波／サブミリ波帯の高周波に適用可能な電力増幅器用バイアス回路を提供する。
【解決手段】電力増幅器の出力側整合伝送線路のバイアス回路接続点に接続された第１ボンディングワイヤと、第１ボンディングワイヤの終端に接続された第２ボンディングワイヤと、第１ボンディングワイヤの終端に接続されたオープンスタブ伝送線路と、第２ボンディングワイヤの終端に接続されたバイパスリザバーキャパシタとを備える電力増幅器用バイアス回路。 （もっと読む）

【課題】差分周波数Δｆが数百ＭＨｚにおいても高周波半導体チップのドレイン端面の電圧が平滑化された半導体装置を提供する。
【解決手段】高周波半導体チップと、高周波半導体チップの入力側に配置された入力整合回路と、高周波半導体チップの出力側に配置された出力整合回路と、入力整合回路に接続された高周波入力端子と、出力整合回路に接続された高周波出力端子と、高周波半導体チップに接続される平滑化キャパシタ用端子とを備え、高周波半導体チップと、入力整合回路と、出力整合回路とが１つのパッケージに収納された半導体装置。 （もっと読む）

【課題】出力特性の平坦度が良好な広帯域増幅器を提供する。
【解決手段】第１中心周波数有する第１増幅ユニットと、第１増幅ユニットに並列に配置され、第１中心周波数よりも高い第２中心周波数を有する第２増幅ユニットと、第１増幅ユニットの入力と第２増幅ユニットの入力に接続された電力分配器と、第１増幅ユニットの出力と第２増幅ユニットの出力に接続された電力合成器とを備える広帯域増幅器。 （もっと読む）