【課題】ユニットセルの組み合わせで形成されるすべてのループ発振を抑制することができる高周波増幅器を提供する。
【解決手段】実施の形態に係る高周波増幅器は、入力された信号を分配する分配回路と、分配回路が分配した信号を増幅するＦＥＴセルと、分配回路とＦＥＴセルのゲート端子との間に直列に接続され、キャパシタと抵抗との並列回路から構成される安定化回路と、ＦＥＴセルが増幅した信号を合成する合成回路とを備え、安定化回路をＦＥＴセルごとに配置する。 （もっと読む）

【課題】高周波電力増幅器の汎用性を確保しつつ、低コスト化及び小型化が可能な半導体パッケージ（Ｐ）を提供すること。
【解決手段】接地導体（１３１）と、前記接地導体（１３１）の上部に設けられた２層の高周波基板（１３０）と、上層の前記高周波基板（１３０）を挟むように設けられた一対の導体（１３４）と、を含む、半導体パッケージ（Ｐ）が提供される。また、この半導体パッケージ（Ｐ）を含む高周波電力増幅器（１００）が提供される。 （もっと読む）

【課題】発振抑制が高精度かつ短時間で行える高周波増幅回路を提供すること。
【解決手段】実施形態の高周波増幅器は、複数の領域に区分された増幅素子と、前記増幅素子の区分数の入力整合回路と、前記区分数の出力整合回路と、隣接する前記入力整合回路間を接続する一つ以上の除去可能な抵抗を含む第１の抵抗群と、隣接する前記出力整合回路間を接続する一つ以上の除去可能な抵抗を含む第２の抵抗群と、を有する。 （もっと読む）

【課題】出力電力を高効率で伝達可能な高周波電力増幅装置を提供する。
【解決手段】例えば、差動増幅器ＡＤ１０１，ＡＤ１０２と、その各出力インピーダンスを整合するトランスフォーマＴＲ１０１を備え、ＡＤ１０１の差動出力ノード間にインダクタＬ１０１、スイッチＳ１０１、インダクタＬ１０２を直列に接続する。ＡＤ１０２が動作状態、ＡＤ１０１が非動作状態の場合には、Ｓ１０１がオンに制御される。この場合、ＡＤ１０１に含まれる差動対のトランジスタのオフ容量を踏まえて１次コイルＬＤ１１１／ＬＤ１１２の両端から見たＡＤ１０１側のインピーダンスが高インピーダンス状態（並列共振状態）となり、等価的に、ＡＤ１０２の動作に際してＬＤ１１１／ＬＤ１１２は影響しなくなる。 （もっと読む）

【課題】電力増幅回路の周波数特性を広帯域化する。
【解決手段】それぞれが互いに異なる周波数（ｆ１−ｆｎ）で整合が取られた差動プッシュプル増幅器（ＰＡ１−ＰＡｎ）の出力を、二次インダクタ（Ｌ１２−Ｌｎ２）で共通に合成して出力する。各差動プッシュプル増幅器は、差動信号入力端子にぞれぞれ接続される増幅器対で構成され、差動プッシュプル増幅器の出力にはキャパシタ（Ｃ１−Ｃｎ）とインダクタ（Ｌ１１−Ｌ１ｎ）の並列共振回路を接続し、共振周波数を変更して整合周波数を調整する。 （もっと読む）

【課題】ドハティ増幅装置の効率低下を防止する。
【解決手段】ドハティ増幅装置は、メインアンプを構成するメインアンプデバイス１と、ピークアンプを構成するピークアンプデバイス２と、メインアンプデバイス１及びピークアンプ２が実装された基板１５とを有している。メインアンプデバイス１は、第１デバイス本体１ｃ、第１入力端子１ａ、及び、第１出力端子１ｂを備え、第１入力端子１ａ及び第１出力端子１ｂが第１デバイス本体１ｃを挟んで対向して配置されている。ピークアンプデバイス２は、第２デバイス本体２ｃ、第２入力端子２ａ、及び、第２出力端子２ｂを備え、第２入力端子２ａ及び第２出力端子２ｂが第２デバイス本体２ｃを挟んで対向して配置されている。ピークアンプデバイス２は、メインアンプデバイス１の位置に対して、メインアンプデバイス１の第１入力端子から第１出力端子に向かう入出力方向Ｄｓにずれた位置に、実装されている。 （もっと読む）

【課題】出力信号の歪みを抑えつつ効率を向上することのできる増幅装置、送信装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る増幅装置は、飽和出力電力が互いに異なる複数の増幅回路を具備している。実施形態に係る増幅装置は、入力端子に入力された入力信号の包絡線信号を検出する検波器と、前記検波器が検出した包絡線信号の信号電圧を、それぞれ異なる参照電圧と比較する複数の比較器と、前記複数の比較器の比較結果に基づいて前記複数の増幅回路のいずれか一つを選択する切替制御部とを具備している。そして、実施形態に係る増幅装置は、前記入力端子を前記切替制御部が選択した増幅回路の入力に接続するとともに、前記切替制御部が選択した増幅回路の出力を出力端子に接続する切替部とを具備することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】高速、かつ高品質な受信動作が実現可能な、トランスインピーダンスアンプを含んだ光通信モジュールを提供する。
【解決手段】トランスインピーダンスアンプＴＩＡにおいて、単相電流信号を入力として単相電圧信号に変換するプリアンプＰＲＡＭＰと、プリアンプＰＲＡＭＰの出力の単相電圧信号の中心電位を検出する閾値検出回路ＡＴＣと、プリアンプＰＲＡＭＰの出力の単相電圧信号を差動化するとともに増幅するポストアンプＰＳＡＭＰと、プリアンプＰＲＡＭＰに電源を供給する電源回路ＰＳＰＹとを有する。特に、電源回路ＰＳＰＹは、プリアンプＰＲＡＭＰの入力電圧信号または出力電圧信号でプリアンプＰＲＡＭＰの電源端子に流れる変化電流とその変化電流と逆相の変化電流とを出力する。これにより、電源電流変化量を相殺する。 （もっと読む）

【課題】レイアウト面積を増加させることなく、各トランジスタの負荷インピーダンスを均一にすることができる高周波電力増幅器を得る。
【解決手段】半導体チップ２上に、トランジスタ３ａ，３ｂと、トランジスタ３ａ，３ｂに隣接したコレクタパッド４ａ，４ｂとが設けられている。トランジスタ３ａ，３ｂとコレクタパッド４ａ，４ｂはそれぞれコレクタ配線６ａ，６ｂにより接続されている。半導体チップ２外に外部パッド８が設けられている。この外部パッド８に出力端子９が接続されている。コレクタパッド４ａ，４ｂと外部パッド８はそれぞれワイヤ１０ａ，１０ｂにより接続されている。コレクタパッド４ａは、コレクタパッド４ｂよりも外部パッド８から遠い位置に配置されている。コレクタパッド４ａから出力端子９までの電気長は、コレクタパッド４ｂから出力端子９までの電気長と同じである。 （もっと読む）

【課題】ビアホールの数を少なくしてもループ発振などの特性劣化が生じにくい半導体電力増幅器を提供する。
【解決手段】半導体電力増幅器は、ゲート電極Ｇと、ドレイン電極Ｄと、前記ゲートフィンガー電極に対向して配置されるソースフィンガー電極横手方向の両サイドに引き出される２つのソース電極Ｓと、を有するユニットＦＥＴと、前記ユニットＦＥＴが、前記ソース電極間を結ぶ略直線方向に複数個並列配置され、隣り合うユニットＦＥＴ間に存在する２つのソース電極の両方を共通して高周波グランド面と接続する第１の接地インダクタンス値を有する第１のビアホール１８Ｋと、隣り合うユニットＦＥＴが存在しない側のソース電極上に配置され、接地インダクタンスを等しくするために前記高周波グランド面に接続する第２の接地インダクタンス値を有する第２のビアホール１８Ｄと、を有する。 （もっと読む）

【課題】シングルエンド−差動変換器を備えた半導体装置において、理想的な出力差動電流特性が得られる周波数の上限を向上させる。
【解決手段】入力電圧Ｖinを、パッケージ３の外部電極ＰＩＮ１に入力し、外部電極ＰＩＮ１、ボンディングワイヤＷｉｒｅ１、チップ２の入力端子ＰＡＤ１、シングルエンド−差動変換器１の入力端子Ｔin１を介してゲート接地のＭＯＳトランジスタＭ１のソースに伝達する。また、外部電極ＰＩＮ１、ボンディングワイヤＷｉｒｅ２、チップ２の入力端子ＰＡＤ２、シングルエンド−差動変換器１の入力端子Ｔin２を介してソース接地のＭＯＳトランジスタＭ２のゲートに伝達する。 （もっと読む）

【課題】受光素子の直近にインダクタンス素子を配置することなしに光受信回路を広帯域化する。
【解決手段】光受信回路は、光信号を電気信号に変換する受光素子３と、受光素子３のアノードと出力端子１０との間を接続する電気線路４，６と、受光素子３のカソードを交流的に接地すると共に、カソードに直流バイアスを印加するバイアス分離回路５とを備える。電気線路４，６の特性インピーダンスは、出力端子１０に接続される負荷抵抗７の抵抗値よりも高い。 （もっと読む）

【課題】通信信号を増幅する絶縁破壊に耐えるトランジスタ構造を提供する。
【解決手段】入力無線周波数信号を受信するため接地点と第１のゲートに接続されたソースを有する第１のＮＭＯＳトランジスタ１２は、第１のトランスコンダクタンスと第１の破壊電圧とを有する。また第２のＮＭＯＳトランジスタは、第１のＮＭＯＳトランジスタのドレインに接続されたソースと、基準ＤＣ電圧に接続されたゲートと、増幅された無線信号の出力を与えるドレインと、基準ＤＣ電圧と第２のＮＭＯＳトランジスタのドレインとの間に配置された負荷とを有する。第２のＮＭＯＳトランジスタ１４は第２のトランスコンダクタンスと第２の破壊電圧とを有し、第２の絶縁体は第１の絶縁体よりも厚い。この結果、第１のトランスコンダクタンスは第２のトランスコンダクタンスよりも大きく、第２の破壊電圧は第１の破壊電圧よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】差分周波数Δｆが数百ＭＨｚにおいても高周波半導体チップのドレイン端面の電圧が平滑化された半導体装置を提供する。
【解決手段】高周波半導体チップと、高周波半導体チップの入力側に配置された入力側分布回路と、高周波半導体チップの出力側に配置された出力側分布回路と、入力側分布回路に接続された高周波入力端子と、出力側分布回路に接続された高周波出力端子と、高周波半導体チップのドレイン端子電極近傍に配置された平滑化キャパシタとを備え、高周波半導体チップと、入力側分布回路と、出力側分布回路と、平滑化キャパシタとが１つのパッケージに収納されたことを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】熱抵抗が下がり高周波増幅器全体の放熱性能が向上する高周波増幅器を提供する。
【解決手段】高周波増幅器１０は、複数のトランジスタセル１ａ−１ｇで構成され、平面上に配置されている複数のトランジスタセル１ａ−１ｇのうち隣接している２つの各トランジスタセルにおけるｘ軸方向の各中心はｙ軸方向にずれている。 （もっと読む）

【課題】 平衡型増幅器の性能を損なわず、小型のモジュールを提供すること、他の回路機能とともに複合して無線通信装置の高周波回路部を構成可能なモジュールを提供することを目的とする。
【解決手段】
絶縁体層と導体パターンとを含む多層基板に、一対の増幅器の入力側に第１ハイブリッド回路を出力側に第２ハイブリッド回路を有する平衡型増幅器を構成したモジュールで、 積層方向に連なる複数のビアホールでなるビアホール群を縦列して構成されたシールドによって、前記第１ハイブリッド回路と前記第２ハイブリッド回路とを区画した。 （もっと読む）

【課題】Ｄ級アンプにより駆動し、かつ圧電素子を利用した発振装置において、ローパスフィルタを設けることにより発振装置が大型化することを抑制する。
【解決手段】この発振装置は、振動部材１０及び圧電素子２０からなる圧電振動子、及びインダクタ５２を備え、Ｄ級アンプ（制御部５０）により振動部材１０に駆動信号が入力される。そして圧電振動子の静電容量、及びインダクタ５２により、ローパスフィルタが構成される。このローパスフィルタは、制御部５０からの駆動信号と同一周波数成分を除去する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体装置に含まれる増幅回路における入出力特性の線形性が劣化するのを抑えるとともに、増幅器自体における入出力特性の線形性が劣化するのを抑えることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明は、外部と接続する複数の端子を有する配線基板７２に、半導体チップ７１を実装してパッケージングしてある半導体装置である。半導体装置は、半導体チップ上に形成してある、少なくとも一つの差動増幅器６１と、平衡信号線路を差動増幅器６１と接続し、半導体チップ７１上に形成してある、少なくとも一つのバラン６２とを備える。差動増幅器６１の接地配線と、バラン６２の接地配線とは、半導体チップ７１上に分離して形成してあり、差動増幅器６１の一つの接地配線と配線基板７２とを接続するボンディングワイヤ７７の数が、バラン６２の一つの接地配線と配線基板７２とを接続するボンディングワイヤの７７数より多い。 （もっと読む）

【課題】端子構造の複雑化を回避しつつ、ノイズの影響を抑制できる光信号検出装置、浮遊微粒子検出装置および火災警報装置を提供する。
【解決手段】この光信号検出装置２１によれば、光信号検出デバイス１４がフォトダイオード１０１の受光信号を増幅する電流増幅回路１０２を有するので、微小信号を扱うフォトダイオード１０１の出力ラインは光信号検出デバイス１４内に収まり、出力ラインを短くすることが可能となり入力ノイズの影響を低減できる。また、電流増幅回路１０２でフォトダイオード１０１の受光信号を増幅する分だけ、アンプ兼増幅抽出デバイス１７のゲインを抑制でき、入力ノイズの影響を低減できる。また、光信号検出デバイス１４は、電流増幅回路１０２が増幅した信号を出力する信号出力端子１０３が電流増幅回路１０２を駆動する直流電流を供給するための端子を兼ねているので、２端子デバイスとすることができる。 （もっと読む）