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Fターム[5J067KA29]の内容

マイクロ波増幅器 (6,140) | 回路要素 (1,021) | 整合器 (182)

Fターム[5J067KA29]に分類される特許

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【課題】f/2発振を防止することが可能な高周波電力増幅器モジュールを提供する。
【解決手段】 グランド層(GND1)は第1、第2の配線層(LY1、LY2)の相互間に配置されている。第1の配線層(LY1)に配置された第1のトランジスタ(Q1)は供給された高周波信号を増幅する。第1の配線層(LY1)に配置された第2のトランジスタ(Q2)は第1のトランジスタの出力信号を増幅する。第1のトランジスタ(Q1)に電源を供給する第1の給電線路(ML1)は第1の配線層(LY1)に配置されている。第2のトランジスタ(Q2)に電源を供給する第2の給電線路(ML2)は第2の配線層(LY2)に配置されている。
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【課題】 対応可能とする周波数帯の数が増えても比較的に小型に出来る特に低周波数帯に適用して有利なマルチバンド対応整合回路を提供する。
【解決手段】 インピーダンスが周波数特性を持つ負荷と、周波数特性を持たないインピーダンスZ0との間に接続される、周波数特性を持つ負荷に一端を接続する第一の整合ブロックと、第一の整合ブロックに直列に接続される集中定数素子で形成される第二の整合ブロックとを備え、ある周波数帯に整合させる時は第一の整合ブロックと第二の整合ブロックの直列のインピーダンスで整合を取り、別の周波数帯においては、第二の整合ブロックの両端にスイッチ素子を介して副整合ブロックを接続することでπ型回路を構成し、その周波数においてこのπ型回路と周波数特性を持たないインピーダンスの合成インピーダンスをZ0とすることで、第二の整合ブロックの影響を排除するようにした。 (もっと読む)


【課題】 負荷インピーダンスの変動にかかわらず良好な線形性を保ち、さらに小型である様な高周波電力増幅器を提供する。
【解決手段】 最終増幅段トランジスタの出力端子における交流電圧振幅を検出し、その電圧振幅があらかじめ定めた閾値を超えたときに、電力増幅器の入力信号振幅を抑制する信号を出力する。
【効果】アンテナの周囲状況に依存して、アンテナから電力増幅器に向けて反射が起こる。この反射は電力増幅器の負荷インピーダンス変動として現れる。この負荷インピーダンス変動によって生じる不整合を防止することができる。 (もっと読む)


【課題】 ミリメートル波用途のための電力増幅器の実装のための回路及び方法を提供すること。
【解決手段】 ミリメートル波周波数において、能動スイッチング・デバイスとしてBJTのベース(バイポーラ接合型トランジスタ)を用いる、高効率なスイッチ・モード電力増幅器を実装するための回路及び方法が提供される。より詳細には、BJTスイッチング・デバイスを備えた電力増幅器を駆動して、ミリメートル波の周波数(例えば、60GHz)で高効率スイッチ・モード(例えば、E級)動作を達成するための回路及び方法が提供される。 (もっと読む)


【課題】 出力側にアイソレータを実装することなく、出力負荷インピーダンスの変動を抑えることができる高周波増幅器を得ることを目的とする。
【解決手段】 出力整合回路10が増幅素子4により増幅された入力信号のインピーダンス整合を図る1段ローパスフィルタ形整合回路10を内蔵し、出力整合回路11が増幅素子6により増幅された入力信号のインピーダンス整合を図る1段ハイパスフィルタ形整合回路13を内蔵するように構成する。これにより、出力側にアイソレータを実装することなく、出力負荷インピーダンスの変動を抑えることができる。 (もっと読む)


【課題】電力増幅モジュールの素子に複数機能を持たせて、大規模な回路を追加することなく、安定度の向上と任意帯域の抑圧を実現する。
【解決手段】電力増幅モジュールは、高周波増幅用半導体素子TR11,TR12が縦続的に接続され、入力端子Pinの信号を、TR11で増幅しTR12のベース端子に供給し、2次高調波対策部A3と、出力整合部A4を通し出力端子Poutから出力する。出力整合部A4は使用周波数帯にて増幅対象の周波数帯(基本波)でインピーダンス整合をとる。2次高調波対策部A3は伝送により特性劣化となる2次高調波成分の伝送を防ぐ。コレクタバイアス部A1は、TR12に直流バイアスを印加して信号が外部へ漏洩しないように、インダクタL12,L17の値を設定しキャパシタC18と接続する。またインダクタL12とL17の接続点にインダクタL16を接続し、キャパシタC17を介してTR12のベース端子に接続する。 (もっと読む)


リミッタ回路(10)は、当該リミッタ回路の入力に接続されて、所定の平均レベルを有する電圧を生成する整流回路(14)を含む。このレベルは、当該リミッタ回路(10)の入力(16)に供給される入力信号(RFIN)の関数である。分圧器回路(20)は、整流回路(14)に接続されて、入力信号に比例したレベルを有する出力電圧(RAN)を生成する。エンハンスメントモードの電界効果トランジスタ(Z1)は、分圧器回路(20)によって生成された出力電圧により電圧供給を受けるゲート電極を有する。このトランジスタは、リミッタ回路の出力及び基準電位にそれぞれ接続されたドレイン電極及びソース電極を有する。伝送線路(22)は、リミッタ(10)の入力(16)とリミッタ回路(10)の出力(18)との間に接続される。伝送線路(22)は、電気長nL/4を有し、ここで、Lはリミッタ回路の公称動作波長であり、nは奇数の整数である。
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【課題】伝送線を介して1次側を複数個に分離して形成し、それぞれは、異なる寄生成分を持たせることにより、複数個の負荷抵抗を有するように、伝送線変圧器を形成し、これを複数個の負荷抵抗が必要な無線通信システム用の電力増幅器の整合回路として用いることにより、電力増幅器の効率及び動作領域を改善させることができる伝送線変圧器を提供する。
【解決手段】本発明に係る伝送線変圧器は、伝送線で形成された2次側伝送線と、2次側伝送線の両方に対応して伝送線がそれぞれ配置され、それぞれ異なる寄生成分を有するように形成された1次側伝送線とからなる。 (もっと読む)


【課題】デジタル変調信号に好適な、信号を歪みなくかつ高効率に変調、増幅することが可能な変調増幅回路を提供すること。
【解決手段】変調増幅回路は、位相差が180度ある2つのキャリヤ信号を発生する180°移相回路12、キャリヤ信号を増幅する2つのアンプ13、アンプ13の出力を合成するハイブリッド回路15、2つのアンプ13の電源の一方に正極性の変調信号を、他方に負極性の変調信号をそれぞれ重畳する変調回路を備える。また、この変調増幅回路を2組備え、90°移相器11と、2組の変調増幅回路の出力を合成する第2のハイブリッド回路16を備えてもよい。個々のアンプをコレクタ変調によって振幅変調するので、C級増幅器を使用でき、従来の電力効率1〜10%が本発明においては10〜30%と向上する。PSK、QAMのほかOFDMにも対応できる。 (もっと読む)


【課題】基本波に影響を与えることなく2倍波を完全反射し、また、2倍波に対する位相条件を容易に変更して効率を向上する電力増幅器を実現する。
【解決手段】入力信号の基本波を同振幅、位相差180度で分配する電力分配回路4と、前記電力分配回路により分配された出力をそれぞれ増幅する2つの増幅回路3−1,3−2と、前記2つの増幅回路をそれぞれ介した入力信号の基本波を同振幅、位相差180度で2つの入力端子から入力して同振幅、位相差180度の関係のまま2つの出力端子に出力すると共に、入力信号の2倍波を同振幅、同相で2つの入力端子から入力して2つの入力端子に反射させる整合回路6と、前記整合回路を介して同振幅、位相差180度で入力された基本波を合成して出力する電力合成回路5とを備えた。 (もっと読む)


【課題】リミッタ側へ入力されるRF電力が急激に増大し、リミッタの容量(定格)以上供給された場合にでも、所要の雑音特性を保持したRF電力の出力が得られるマイクロ波リミッタ回路を提供する。
【解決手段】マイクロ波リミッタ回路20は、入力端子側から入力した高周波電力wを、所要周波数領域の高周波制限電力w1として生成し、出力するリミッタ電力生成回路21と、この高周波制限電力w1を入力して低雑音高周波電力w4を出力する低雑音増幅手段22と、この低雑音高周波電力w4を入力して、整合高周波電力w4を出力するリミッタ電力出力回路23とを具備し、リミッタ電力生成回路21は、入力電力wの周波数を制限した高周波制限電力w1を出力するリミッタ31と、この高周波制限電力w1を複数に分配して出力する分配器32とを備え、この複数の低雑音増幅装置33,34側からリミッタ電力出力回路23側へ整合高周波電力w4を出力する。 (もっと読む)


【課題】配線パターン内の高周波信号の位相差を小さくし、電流分布を線対称にすることで、電力損失を低減すると共に、且つ高出力電力増幅モジュールの設計を容易に行うことが可能な高出力電力増幅モジュールを提供する。
【解決手段】少なくとも一つの電力増幅用半導体素子が内蔵された半導体モジュール1と、半導体モジュールに接続された入力側伝送線路14、15と、半導体モジュールに接続された出力側伝送線路16、17と、入力側伝送線路および出力側伝送線路に各々接続されたインピーダンス整合用の回路素子10、11、32〜35とを備える。インピーダンス整合用の回路素子は、入力側伝送線路および出力側伝送線路を構成する金属配線パターンの少なくとも一方について、信号の進行方向に対する両側端部に各々、少なくとも1個が実装される。 (もっと読む)


【課題】 衛星搭載用マイクロ波高出力増幅器の高出力化に伴って増幅素子からの高発熱が発生し、衛星搭載用ヒートパイプのみで衛星構体外へ十分廃熱することができず、増幅器の増幅特性・信頼性が劣化する。
【解決手段】 L型の構造をしたシャーシ1の平面部分にはドライバー増幅素子9、垂直部分には高出力増幅素子13がそれぞれ装着され、また、ドライバー増幅器2が装着されている反対側の面にはヒートパイプ7が設けられており、さらに高出力増幅器3の装着面反対側のシャーシ1には、シャーシ1の底面と水平方向に輻射冷却フィン8が衛星構体外に取り付けられている。 (もっと読む)


【課題】 1個の増幅器により複数の帯域の信号を増幅する増幅装置を提供する。
【解決手段】 所定の帯域で動作可能な増幅器10と、増幅器10の入力及び出力に複数設けられ、増幅器10と所定の外部装置との間のインピーダンス整合をとるとともに、増幅器10のもつ帯域内で特定の帯域の信号を通過させるフィルタ型整合回路21〜23、31〜33と、を備えて構成される増幅装置1aである。特定の帯域は、フィルタ型整合回路21〜23、31〜33毎に異なっており、各フィルタ型整合回路21〜23、31〜33は、自身の特定の帯域でのみ増幅器に対して負荷として働くようになっている。 (もっと読む)


【課題】少ない部品点数で所望の高調波帯に対して減衰極を微調整することを可能とし、小型かつ安定した高調波処理回路を含む高周波増幅回路を提供することを目的とする。
【解決手段】高調波処理回路14において、チップコンデンサ17,19によるキャパシタンスと、チップコンデンサ17,19が接続するグランド20,21とビア22,23における寄生インダクタンス32,33がLC共振素子として働き、前記高調波処理回路は、有極ローパスフィルタとして具現化する。また、前記第1のチップコンデンサ17と前記第2のチップコンデンサ19の配置する位置により、寄生インダクタンス32,33を微調整することができる構成とする。 (もっと読む)


【課題】非対称電力駆動を用いて高効率を維持しながら最適の線形性を達成するドハーティ増幅器を提供する。
【解決手段】非対称電力駆動器500,伝送ライン502,互いに並列に連結されているキャリア増幅器504及びピーク増幅器506、オフセットライン508,第1λ/4伝送ライン510,及び第2λ/4伝送ライン512から構成される。 (もっと読む)


【課題】 回路規模を増大させたり製造コストを高くすることなく、電力効率の高効率化及び高線形化を実現することができるドハティ増幅器を提供する。
【解決手段】 入力端子から入力されたRF信号は分配器1によって2つの経路に分配される。入力電力が少ないときはキャリア増幅器2のみによって線形増幅が行われて増幅されたRF信号の電力は出力端子より送出される。入力電力が所定の値より多くなると、キャリア増幅器2及びピーク増幅器6によって増幅された電力が合成器9で合成されて出力端子より送出される。このとき、ピーク増幅器6の前段の位相調整器5と後段のインピーダンス変換器8とにより、キャリア増幅器2からみた負荷インピーダンスRをN−Wayドハティ増幅器のように減少させて電力増幅の最適動作を行わせる。これによって、ドハティ増幅器における電力増幅効率の高効率及び高線形化を実現することができる。
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【課題】本発明は、電子入力信号51を増幅するための電力増幅器およびそのような電力増幅器を伴うマルチバンドが可能なフロントエンドに関する。
【解決手段】電力増幅器は、入力部52および出力部53を有する増幅器トランジスタステージ1と、増幅器トランジスタステージ1の出力部53と入力部52の間に配置された帰還ループ4を備える。帰還ループ4は、RF経路にコンデンサ41および抵抗性要素44を、DC給電経路に誘導性要素42を備え、前記抵抗性要素は、帰還ループ内に可変抵抗として構成された帰還トランジスタ45およびバイアス制御回路46を備える。 (もっと読む)


【課題】 広い周波数帯域に渡って、線形性に優れ、高効率の動作が可能なドハティアンプを提供する。
【解決手段】 ドハティアンプにおいて、入力電力検出回路113,114および、ピークアンプ102の出力側に、可変容量ダイオード115とλ/4線路108を付加し、検出された入力電力にしたがって可変容量ダイオード115の容量値を変化させ、出力合成部110からピークアンプ102を見たインピーダンスを実質的にオープンにする。 (もっと読む)


【課題】 本発明は任意の周波数帯を増幅する高周波電力増幅器を共通の基板で生産できる高周波モジュールを提供することを目的とする。
【解決手段】 基板212に固定した高周波用半導体素子を有する半導体チップ213を、基板212に形成された導体パターンにボンディングワイヤにより配線するとともに、前記ボンディングワイヤを、前記導体パターンにより形成された分布定数線路の途中にボンド位置Jに接続して前記第1のインダクタL22と第2のインダクタL23とに分割して取り扱い周波数整合または出力負荷整合されている。 (もっと読む)


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