【課題】高調波信号を抑制し、且つ、通過信号である基本波信号の減衰量を低減させる。
【解決手段】フィルタ２００は、基本波信号ｆ０及び基本波信号ｆ０の高調波信号群２ｆ０、３ｆ０、４ｆ０、５ｆ０、６ｆ０が入力される入力端子２１０と、入力端子２１０に入力された基本波信号ｆ０を出力する出力端子２２０と、入力端子２１０と出力端子２２０とを接続する伝送線路２３０と、高調波信号群２ｆ０〜６ｆ０のうちの奇数高調波信号３ｆ０、５ｆ０に対応して設けられ、伝送線路２３０に接続し、対応する奇数高調波信号３ｆ０、５ｆ０の波長の１／４の長さを備えたオープンスタブ２４３、２４５と、伝送線路２３０に接続し、基本波信号ｆ０の波長の１／４の長さを備えた第１のショートスタブ２５１と、伝送線路２３０に接続した第２のショートスタブ２５２と、を有する。 （もっと読む）

【課題】基板やレイアウトの制限がある場合においても、実現可能なレイアウトで広帯域に出力整合することが可能な高出力増幅器を得る。
【解決手段】入力端子１に入力される高周波信号を整合する入力整合回路４と、入力整合回路４で整合された高周波信号を増幅させる増幅素子３と、増幅素子３で増幅された高調波信号の出力インピーダンスを、出力端子２の特性インピーダンスに整合する出力整合回路７，８と、増幅素子３と出力整合回路７，８とを接続する出力ワイヤ６とを備え、出力ワイヤ６のワイヤ長を、増幅素子３の出力容量を打ち消すインダクタ成分が得られる長さに略々設定した高出力増幅器である。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波・ミリ波における集積回路寸法を小型化し、安価なマルチチップモジュール構造を有する高周波回路を提供する。
【解決手段】複数のディスクリートトランジスタＦＥＴ１〜ＦＥＴ３をそれぞれ形成する半導体基板１６₁〜１６₃と、複数のキャパシタＣ１〜Ｃ４をそれぞれ形成する第１誘電体基板１４₁〜１４₄と、複数の整合回路をそれぞれ形成する第２誘電体基板１８₁,１８₂とを備え、複数のディスクリートトランジスタＦＥＴ１〜ＦＥＴ３は直列接続されたことを特徴とするマルチチップモジュール構造を有する高周波回路３０。 （もっと読む）

【課題】トランスを用いて複数の増幅器対の出力を合成する電力増幅装置において、各増幅器対の差動動作のずれによって生じる出力の低下を抑制する。
【解決手段】電力増幅装置１１０は、基板上に全体で環状に設けられた複数の一次インダクタ７，８と、複数の増幅器対３〜６と、二次インダクタ９と、接続配線１０とを備える。各増幅器対は、対応の一次インダクタの両端に接続され、差動入力信号として与えられた一対の第１および第２の信号ＩＮ（＋），ＩＮ（−）をそれぞれ増幅して対応の一次インダクタに出力する。二次インダクタ９は、複数の一次インダクタ７，８に隣接して環状に設けられ、各一次インダクタで合成された第１および第２の信号の合成信号をさらに合成して出力する。接続配線１０は、基板上で複数の一次インダクタ７，８の内側に設けられ、各一次インダクタの中点ＭＰ１，ＭＰ２を互いに電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】マルチフィンガー型のトランジスタを用いた場合に、歪特性を改善することができる高周波電力増幅器を得る。
【解決手段】複数のトランジスタセルを電気的に並列接続したマルチフィンガー型のトランジスタと、複数のトランジスタセルのゲート電極に接続された入力側整合回路と、各トランジスタセルのゲート電極と入力側整合回路の間にそれぞれ接続された共振回路とを有し、共振回路は、トランジスタの動作周波数の２次高調波の周波数又は２次高調波の周波数を中心とした所定の範囲内で共振してゲート電極に短絡又は十分に低い負荷を与える。 （もっと読む）

【課題】広帯域にわたって良好なインピーダンス整合を与えることができ、高調波処理を高い効率で可能とする広帯域増幅器を得る。
【解決手段】高周波信号を増幅するトランジスタ１と、トランジスタ１の出力端子に一端が直列接続された直列インダクタ６と、直列インダクタ６の他端に一端が並列接続されたショートスタブ２と、ショートスタブ２の他端を高周波短絡するためのキャパシタ３と、直列インダクタ６の他端に一端が並列接続されたオープンスタブ７と、ショートスタブ２の一端及びオープンスタブ７の一端の接続点に一端が接続されたインピーダンス変成器４とを備え、インピーダンス変成器４は、使用周波数の１／４波長の長さの線路であり、トランジスタ１の効率最適負荷インピーダンスは、５０Ωより低く、容量性の領域にあり、前記接続点とインピーダンス変成器４の間のインピーダンスは、効率最適負荷インピーダンスと５０Ωの間である。 （もっと読む）

【課題】少数の部品で高周波回路の安定性を向上させる。
【解決手段】電子回路と、該電子回路に並列に接続されたスタブと、該電子回路に並列に接続された抵抗と、を有する高周波回路において、該抵抗を分布定数回路である等価回路に置き換え、該高周波回路で用いられる第１の周波数で前記高周波回路のインピーダンスマッチングがとれており、且つ前記高周波回路が安定すべき第２の周波数で前記高周波回路が安定するように、前記スタブのインピーダンス値と、前記等価回路の抵抗値とを設定する。 （もっと読む）

【課題】ＬＩＮＣ方式の増幅器において入力振幅の広い範囲に亘って高い効率を得ることができる交流電力増幅器を提供する。
【解決手段】入力端子１から入力された入力信号を２つの定振幅の交流信号に分離して、それらの交流信号の位相差が入力信号の振幅に対応して変化するようにした分波回路９０と、飽和領域で動作するＦＥＴ１２、２２を有し、２つの定振幅の交流信号をそれぞれ増幅する２つの飽和増幅器１０、２０と、を備え、それぞれの飽和増幅器からの増幅された増幅信号を合成点で合成して、出力端子２から出力しており、各ＦＥＴ１２、２２のドレインと合成点３９との間が、増幅すべき交流信号の基本波に対して略四分の一波長に相当する遅延を与える伝送線路３２、３３で結合されており、且つ合成点３９には、高調波を反射し且つ合成点３９で負荷側を見た高調波の反射位相を逆相とするキャパタ３４が設けられる。 （もっと読む）

【課題】回路構成を複雑にすることなく、所望の周波数帯域において利得を向上させる増幅回路を提供する。
【解決手段】本発明の増幅回路は、半導体基板３と、前記半導体基板３上に形成され、高周波信号を増幅するトランジスタ１と、前記トランジスタ１のソース電極１０ｓに接続された誘導性リアクタンス素子とを有し、前記誘導性リアクタンス素子は、前記半導体基板１の上方に形成され、有機物で構成される有機誘電体層６と、前記有機誘電体層６の前記半導体基板３側と反対側の面上に形成された配線を有する金属再配線層７とを含み、前記配線の一端は、前記トランジスタ１のソース電極１０ｓに接続され、前記配線の他端は接地され、前記誘導性リアクタンス素子のリアクタンス値は、前記高周波信号の周波数帯域の中心周波数において１０Ω以下である。 （もっと読む）

本発明は、平面ＸＹに平行な少なくとも１つのプレートと、そのプレート上に装着される少なくとも２つの増幅器モジュール（４１ａ、４１ｂ）とを含む低容積の増幅装置に関する。各増幅器モジュール（４１ａ、４１ｂ）は、増幅器素子（１１ａ、１１ｂ）と、縦の伝播の方向に合致する同じ方向Ｘに配置される入力接続導波路（１２ａ、１２ｂ）および出力接続導波路（１３ａ、１３ｂ）とを含み、その増幅器素子（１１ａ、１１ｂ）は、伝播の方向Ｘに垂直な方向Ｙに配置される入力および出力軸（１８ａ、１８ｂ）を有するこの低容積の増幅装置において、２つの増幅器モジュール（４１ａ、４１ｂ）の入力接続導波路（１２ａ、１２ｂ）は、別個のものであって、異なる長さ（Ｌａ１、Ｌａ２）を有すると共に互いに平行に装着され、前記２つの増幅器モジュール（４１ａ、４１ｂ）の出力接続導波路（１３ａ、１３ｂ）は、別個のものであって、異なる長さ（Ｌａ２、Ｌｂ２）を有すると共に互いに平行に装着されること、および、同じ増幅器モジュールの入力および出力導波路の長さの合計（Ｌａ１＋Ｌａ２、Ｌｂ１＋Ｌｂ２）は各増幅器モジュールについて同一である、すなわち、Ｌａ１＋Ｌａ２＝Ｌｂ１＋Ｌｂ２であること、が特徴である。
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【課題】コスト高を招くモノリシック化を行うことなく、高周波帯でも利得特性が単調に変化する歪補償回路を得ることを目的とする。
【解決手段】高周波信号ｈｆｓを２分配して、位相が１８０度異なる２つの分配信号ｄｓ１，ｄｓ２を出力する分配器１と、分配器１から出力された分配信号ｄｓ１，ｄｓ２を伝送する信号路５，８と、信号路５，８により伝送された分配信号ｄｓ１と分配信号ｄｓ２の位相を揃えて、その分配信号ｄｓ１と分配信号ｄｓ２を合成する合成器１１とを設け、直流電源１５から供給される直流電流がバイアス印加用抵抗１６を介して順方向に印加されるダイオード１８を信号路５，８の間に挿入する。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波帯及びミリ波帯において用いられる高出力且つ高利得な電力増幅器を得られるようにする。
【解決手段】マイクロストリップ線路１０９上には、入力整合回路１０２の中央部へ入力端子１１０から入力される高周波信号の高周波信号の伝送方向に沿って、スリット１１６及びスリット１１７が形成され、スリット１１７の長さより上記中央部の隣接位置のスリット１１６の長さが長く設定される。 （もっと読む）

【課題】従来の高周波増幅器ではショートスタブと使用周波数における中心周波数の１／４波長程度の長さの線路とで出力整合回路を構成するが、使用周波数の中心周波数以外ではインピーダンス整合がとれず、出力整合回路が狭帯域となる。
【解決手段】入力整合回路からの信号を増幅する、出力インピーダンスが50Ωより低く、容量性領域にある高周波トランジスタの出力側に直列接続された直列インダクタと、この直列インダクタの出力側に高周波トランジスタと並列に接続された並列インダクタと、直列インダクタの出力側に高周波トランジスタと直列に接続された使用周波数における中心周波数の１／４波長程度の長さの線路とで出力整合回路を構成し、並列インダクタと１／４波長程度の長さの線路との間のインピーダンス値が高周波トランジスタの出力インピーダンスと50Ωの間となるようにされる。 （もっと読む）

電力増幅システムならびにそのモジュールおよび構成要素が、CRLH構造に基づいて設計され、高効率および高線形性が提供される。

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【課題】大電流を流すことができ、かつ十分広い通過帯域を確保できるバイアス回路を提供することを課題とする。
【解決手段】キャリア信号を入力する入力ノード（ＲＦＩＮ）と、キャリア信号を出力する出力ノード（ＲＦＯＵＴ）と、前記入力ノード及び第１のノード間に接続され、キャリア信号の周波数に対して１／４波長のインピーダンス変換を行う第１のインピーダンス変換素子（２０１）と、前記第１のノード及び前記出力ノード間に接続され、キャリア信号の周波数に対して１／４波長のインピーダンス変換を行う第２のインピーダンス変換素子（２０２）と、前記第１のノード及び第２のノード間に接続され、キャリア信号の周波数に対して１／４波長のインピーダンス変換を行う第３のインピーダンス変換素子（２０３）と、前記第２のノードに接続される直流電源電圧ノード（２０４）と、前記第２のノードを交流接地状態にする接地回路（２０５）とを有する。 （もっと読む）

【課題】 スタブを用いることなく高調波インピーダンスの調整を行い、高調波処理可能な高効率で広帯域の高周波半導体増幅器を提供する。
【解決手段】 半導体増幅素子５と、マイクロ波の１／４波長の長さで形成した第１インピーダンス変成器１と、マイクロ波の１／４波長の長さで形成した第２インピーダンス変成器２と、第１及び第２インピーダンス変成器とで変成されたインピーダンスと整合する高調波インピーダンス調整線路３と、誘導性リアクタンス成分でインピーダンス変換する素子近傍整合回路４と、抵抗器を備え、高調波インピーダンス調整線路３は高調波に対するインピーダンス変換を行い、素子近傍整合回路４は基本波に対しては半導体増幅素子５のインピーダンスと整合するようにインピーダンス変換して収束させ、高調波に対しては開放インピーダンス近傍となるようにインピーダンス変換して収束させるようにした。 （もっと読む）

【課題】増幅用ＩＣ及びスイッチ回路を多層基板を用いてモジュール化し、電力効率の良い増幅器モジュールを提供する。
【解決手段】増幅器モジュールは少なくとも２つの枝Ｂ１１，Ｂ１２を有する第１の増幅器回路ＰＡＣ１を含む集積回路デバイスを有する。各枝は所望の電力レベルの増幅された信号を出力端子Ｔｏｕｔ１、Ｔｏｕｔ２、Ｔｏｕｔ３に送出するようになされる。各枝は整合回路ＭＣ１１，ＭＣ１２によって所望の出力インピーダンスレベルに整合され、それぞれの枝を所望の出力端子に接続するようになされた切り替え装置ＳＷに接続される。集積回路デバイスおよび切り替え装置は多層基板に取り付けられた別々の構成要素である。整合回路の部分であるパッシブな整合要素は多層基板へと統合されてもよく、集積回路であってもよく、個々の構成要素として形成されてもよい。 （もっと読む）

無線アプリケーション用の５Ｗを超える電力で動作する高出力半導体素子（４００）は、高出力半導体素子の活性領域（４０４）を含む半導体基板（４０２）と、高出力半導体素子の活性領域にコンタクトを提供する、半導体基板上に形成された接触領域（４０８）と、半導体基板の一部を覆うように形成された誘電体層（４１２）と、高出力半導体素子に外部接続部を提供するリード線（５００、５０２）と、高出力半導体素子の活性領域とリード線との間の半導体基板上に形成されたインピーダンス整合回路網（５１０、５１２）であって、インピーダンス整合回路網は、誘電体層上に形成された複数の導体線（４１４）であって、活性領域の接触領域に高出力接続部を提供する、接触領域に結合された複数の導体線を含み、該複数の導体線はインピーダンス整合のための所定のインダクタンスを有する、インピーダンス整合回路網とを備える。
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【課題】負荷変動によってＶＳＷＲ(電圧定在波比)の値が極端に大きくなった場合でも、出力電力結合器の電子部品の溶断の危険性を軽減すること。
【解決手段】ＲＦ電力増幅装置ＨＰＡ＿ＭＤは、第１と第２のＲＦ電力増幅回路ＰＡ１、ＰＡ２、ウィルキンソン・パワー・コンバイナによって構成された出力電力結合器Ｏｕｔ＿ＰＣを具備する。出力電力結合器Ｏｕｔ＿ＰＣの第１と第２の入力端子にＲＦ電力増幅回路ＰＡ１、ＰＡ２のＲＦ増幅出力信号が供給されて、出力端子ＯｕｔからＲＦ増幅出力信号が生成される。出力電力結合器Ｏｕｔ＿ＰＣで、第１入力端子と出力端子の間のインピーダンスと、第２入力端子と出力端子の間のインピーダンスとは略等しく設定され、第１入力端子と第２入力端子の間の抵抗Ｒ61は、例えば渦電流を生成するインダクタ等のリアクタンス素子Ｌ63によって置換されている。 （もっと読む）

【課題】 キャリア増幅器が飽和する前にピーク増幅器に流れる電流を低減して、増幅器全体としての効率を向上させることができる増幅器を提供する。
【解決手段】 ＡＢ級又はＢ級で動作する増幅素子を備えたキャリア増幅回路４と、Ｂ級又はＣ級で動作する増幅素子を有し、入力レベルに応じて段階的に動作を開始する複数のピーク増幅回路５-1〜５-nとを備え、キャリア増幅回路４とピーク増幅回路５-1〜５-nの出力を合成して出力し、ピーク増幅回路５-1〜５-nの内、最も低い入力レベルで動作を開始するピーク増幅回路の飽和出力がキャリア増幅回路４の飽和出力より小さい増幅器としている。 （もっと読む）