【課題】基本波の２倍波周波数の電力漏洩を抑制し、かつ、部品の自己共振による基本波の損失を低減する整合回路、高周波電力増幅器および携帯電話機を実現する。
【解決手段】本発明の出力整合回路３は、高周波信号を伝送する伝送ラインと、複数の共振回路３５ａおよび３５ｂとを有し、前記複数の共振回路３５ａおよび３５ｂのそれぞれは、コンデンサを有し、一端は前記伝送ラインの実質的に同一の接続点Ｘに接続され、他端は接地されている。 （もっと読む）

【課題】 インピーダンス変換器の物理長を変化させることなく増幅器のインピーダンス調整を行えるようにして、容易に最適な特性を得ることができるドハティ増幅器を提供する。
【解決手段】 キャリア増幅器１４の出力側に設けられた出力整合回路１５０に、半固定可変コンデンサ１５３を備えたドハティ増幅器としており、半固定可変コンデンサ１５３の静電容量を変化させることによりインピーダンスを調整して、インピーダンス変換器１６に設けられているマイクロストリップラインの物理長を変化させることなく、容易に最適な特性が得られるインピーダンスに調整することができるものである。 （もっと読む）

【課題】増幅されるＲＦ信号の電力出力を効率的及び経済的に増加させる、分布型電力増幅器のトポロジー及びデバイスを提供する。
【解決手段】電力増幅器は、新規の環状で相互に接続された複数のプッシュプル増幅器を具えており、等しい大きさ及び逆相の入力信号で駆動される隣接する増幅デバイスの信号入力を有する能動素子の１次巻線として機能することが好ましい。また、そのトポロジーは、１次巻線の形状に適合する２次巻線１５０の使用と、個々の電力増幅器の電力を効率的に合成する働きをする変化に適応する変化を開示している。新規の構造は、ＲＦ、マイクロ波、ミリ波の周波数で低コストで、高集積で、ハイパワーである増幅器のデザインを可能としている。 （もっと読む）

【課題】使用帯域内で平坦な利得特性と安定な動作を実現することができる安定化回路及び増幅器を得ることを目的とする。
【解決手段】抵抗がオープンスタブと伝送線路からなる回路に接続されており、上記回路の一端が半導体素子と接続されている安定化回路において、半導体素子３の入力インピーダンスのうち、使用帯域における高域の周波数ＦＨの入力インピーダンスが、使用帯域における低域の周波数ＦＬの入力インピーダンスより高くなるように、伝送線路５及びオープンスタブ７により半導体素子３の入力インピーダンスが変成されている。これにより、使用帯域内で平坦な利得特性と安定な動作を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】 広帯域・高出力特性が得られ、かつ入力反射特性に優れた分布型増幅器を提供する。
【解決手段】 順次直列に接続される複数の伝送線路と、この複数の伝送線路を介して伝播された入力信号がゲート電極に入力される複数のFETを備え、入力信号の増幅を行う分布型増幅器であって、
複数の前記伝送線路の入力端子に直列にカットオフ周波数を基準として低周波数側では直列に抵抗が挿入され、高周波数側ではショートした特性を示すイコライザ回路を備えると共に、このイコライザ回路と直列にカットオフ周波数以上の周波数においてインピーダンス整合を行う入力側無損失整合回路を備える。 （もっと読む）

【課題】ドハティ増幅器を用いる場合に、小信号レベルと中信号レベルにおいて、ピーク増幅器の利得を高める構成を採用することで、ピークファクタの大きい変調波信号の信号振幅が存在するダイナミックレンジにおける効率低下を抑えることのできる電力増幅器を得ること。
【解決手段】ドハティ増幅器におけるピーク増幅器を、入力される高周波信号の信号レベルの中信号レベルから増幅動作を行う第１の増幅器と前記第１の増幅器が増幅動作を開始した後に増幅動作を行う第２の増幅器とのドハティ増幅器構成とし、高周波信号の信号レベルに応じて、ドハティ増幅器のキャリア増幅器及びドハティ増幅器構成ピーク増幅器の各増幅器への印加電圧を制御する。 （もっと読む）

【課題】 従来のマイクロ波装置は、半導体素子の接地端子に接続された第１の先端開放スタブと接地導体パターンとが並列共振する周波数でのみ、半導体素子から発生した不要なマイクロ波を吸収させることができる。しかし、これ以外の周波数帯の不要なマイクロ波を吸収させることができないため、マイクロ波装置が発振したり、不安定動作してしまう課題があった。
【解決手段】 直流および所望の周波数で無損失、それ以外の周波数で損失回路となるような所望の周波数で１／２波長を有する伝送線路と、抵抗との並列回路からなる接地回路を介して、半導体素子の接地端子を接地した。 （もっと読む）

【課題】
ドハティ（doherty）増幅器において、高価な増幅素子のみを用いることなく、増幅効率を維持したまま、より経済的に有利な増幅器を構成する。
【解決手段】
ドハティ増幅器において、キャリア増幅器に用いる増幅素子としてピーク増幅器に用いる増幅素子よりも効率特性の良好な増幅素子を用い、ピーク増幅器に用いる増幅素子として効率特性がキャリア増幅器で用いられる増幅素子より劣る増幅素子を用いる。
【効果】
効率特性の異なる増幅素子を用いることで、増幅効率を劣化させずに経済的に有利にドハティ増幅器を構成することができる。 （もっと読む）

【課題】歪特性を改善することができる高周波電力増幅器を得る。
【解決手段】複数のトランジスタセル１１を電気的に並列接続することで、マルチフィンガー型のトランジスタが形成されている。複数のトランジスタセル１１のゲート電極は入力側整合回路１３に接続されている。各トランジスタセル１１のゲート電極と入力側整合回路１３の間に共振回路１７がそれぞれ接続されている。共振回路１７は、トランジスタの動作周波数の２次高調波の周波数又は２次高調波の周波数を中心とした所定の範囲内で共振して、２次高調波に対して高インピーダンス負荷又は開放負荷となる。 （もっと読む）

【課題】 飽和領域で動作する増幅部の低温時の出力増加や出力インピーダンスの変化による消費電力や高調波レベルの変動などを抑制する多段の半導体増幅装置を提供する。
【解決手段】 高周波電力を出力する終段増幅部１に設けられ、マイクロ波帯域の電力を飽和出力電力で増幅する第１増幅素子１ａと、第１増幅素子１ａに前置した前置増幅部２に設けられ、高周波電力を増幅する第２増幅素子２ａと、第２増幅素子２ａに接続され、感温素子の抵抗値変化で第２増幅素子２ａの出力電力を変化させる温度補償回路５と、第１増幅素子１ａの入力側と第２増幅素子２ａの出力側との間に介在し、共振インピーダンスの変化でマイクロ波帯域の中心周波数領域で最大減衰する通過振幅特性を有する振幅イコライザ４とを備え、周囲温度が低下するにつれて第２増幅素子２ａの出力電力を低下させることにより第１増幅素子１ａの出力を飽和出力電力領域で維持するようにした。 （もっと読む）

【課題】高い効率で信号を増幅することができるように改良された増幅装置を提供することを目的とする。
【解決手段】上記目的のために、本発明にかかる増幅装置は、入力信号を第１の分離信号と第２の分離信号とに分離する分離手段と、前記第１の分離信号と前記第２の分離信号とをそれぞれ移相する移相手段と、前記移相された第１の信号を増幅して、第１の出力信号として出力する第１の増幅手段と、前記移相された第２の信号を、前記第１の増幅手段と実質的に同じ特性で増幅して、第２の出力信号として出力する第２の増幅手段と、前記第１の出力信号および前記第２の出力信号それぞれと、前記第１の伝送手段および第２の伝送手段それぞれとを整合させる整合手段と、前記整合手段から負荷に対して第１の出力信号を伝送する第１の伝送手段と、前記整合手段から前記負荷に対して第２の出力信号を伝送する第２の伝送手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】複数の入力ポートと少なくとも１つの出力ポートを備え、高い変圧器結合効率と高い電力合成効率を達成するオンチップ変圧器電力合成器を提供する。
【解決手段】変圧器電力合成器は、複数の一次巻線導体と複数の二次巻線導体とを含む。一次巻線導体は、入力ポートにそれぞれ電気的に接続される。加えて、各一次巻線導体は対応する入力ポートのプラス端子とマイナス端子の間に電気的に接続されている。二次巻線導体は、一次巻線導体にそれぞれ磁気的に結合される。二次巻線導体は、出力ポートのプラス端子とマイナス端子の間に直列接続と並列接続を含むトポロジー構造を持つように構成される。 （もっと読む）

【課題】 スタブを用いることなく高調波インピーダンスの調整を行い、高調波処理可能な高効率で広帯域の高周波半導体増幅器を提供する。
【解決手段】 半導体増幅素子５と、マイクロ波の１／４波長の長さで形成した第１インピーダンス変成器１と、マイクロ波の１／４波長の長さで形成した第２インピーダンス変成器２と、第１及び第２インピーダンス変成器とで変成されたインピーダンスと整合する高調波インピーダンス調整線路３と、誘導性リアクタンス成分でインピーダンス変換する素子近傍整合回路４とを備え、高調波インピーダンス調整線路３は高調波に対するインピーダンス変換を行い、素子近傍整合回路４は基本波に対しては半導体増幅素子５のインピーダンスと整合するようにインピーダンス変換して収束させ、高調波に対しては開放インピーダンス近傍となるようにインピーダンス変換して収束させるようにした。 （もっと読む）

【課題】 従来のＦ級増幅器やドハティ増幅器では、出力レベルが低いと高調波の出力レベルも低くなって、高調波反射による効率向上の効果が小さくなるという問題点があり、広範囲の出力レベルにわたって、高い効率が得られる高周波電力増幅器を提供する。
【解決手段】 高調波反射回路１６を備えた増幅器２０の入力段に、２次高調波を発生する高調波発生器３２と、発生した２次高調波の位相を調整する可変移相器３３と、２次高調波の振幅を調整する可変減衰器３４とを備え、基本波の入力信号に２次高調波を注入して合成器３６で合成し、合成された信号を増幅器２０に入力して増幅し、更に、高調波反射回路１６で２次高調波をＦＥＴ１４へ反射することで、２次高調波反射レベルを上げて、電圧電流波形の重なりを低減し、電力効率を向上させる高周波電力増幅器である。 （もっと読む）

【課題】良好な電力効率と歪み特性と、インピーダンス変換による回路損失の低減及び周波数帯域の広帯域化の両方を実現できる増幅回路を提供する。
【解決手段】本発明のドハティ増幅回路は、互いに位相が逆の１対の信号がそれぞれに入力される第１及び第２ノードと、キャリア増幅器１３と、キャリア増幅器１３の入力と前記第１ノードとの間に接続された伝送線路１２と、前記第２ノードに入力が接続されたピーク増幅器１４と、出力側伝送線路バラン１６と、伝送線路１２と同じ電気長を有する伝送線路１５とを具備している。出力側伝送線路バラン１６の２つの平衡ポート２６、２７の一方は、キャリア増幅器１３の出力に接続され、他方は、伝送線路１５を介してピーク増幅器１４の出力に接続されている。 （もっと読む）

【課題】広帯域に高調波整合を図ることができて、広帯域で効率を高めることができるとともに、高調波整合に対する設計自由度を高めることができる高周波増幅器を得ることを目的とする。
【解決手段】整合回路３の表面に形成されている配線パターン４が、ＦＥＴ１と電気的に接続されている主線路５と、一端が主線路５と接続されて、主線路５の外側に配置されているオープンスタブ６と、一端が主線路５と接続されて、主線路５の外側に配置されており、ＦＥＴ１から発生する高調波のインピーダンスがショートになる寸法の線路長を有するオープンスタブ７とから構成されている。 （もっと読む）

【課題】広帯域かつ高効率で、容易に実現可能な電力合成形増幅器を提供する。
【解決手段】所定の入力信号が分配される２つの経路の一方に設けられて入力信号を増幅するＢ級動作トランジスタ３と、他方の経路に設けられて入力信号を増幅するＣ級動作トランジスタ４と、Ｂ級動作トランジスタ３の出力電力とＣ級動作トランジスタ４の出力電力とを合成するＴ分岐１１とを有する電力合成形増幅器である。Ｂ級動作トランジスタ３の出力電力は、第１アイソレータ９を介してＴ分岐１１に送られ、Ｃ級動作トランジスタ４の出力電力は、第２アイソレータ１０を介してＴ分岐１１に送られる。第１アイソレータ９によりＢ級動作トランジスタ３の負荷インピーダンスを一定値にし、第２アイソレータ１０がＣ級動作トランジスタ４の負荷インピーダンスを一定値にする。 （もっと読む）

【課題】高周波数帯で高出力及び高効率な特性並びに低消費電力の半導体装置を提供する。
【解決手段】高周波電力増幅器であって、III−Ｖ族窒化物半導体から構成された高周波電力を増幅するＦＥＴを有する最終段パワーアンプ１０１及びドライバー段アンプ１０３と、商用電源１０５から供給される交流電圧を直流電圧に変換する整流回路１０６を有し、直流電圧を最終段パワーアンプ１０１及びドライバー段アンプ１０３のＦＥＴのドレインに印加するドレイン電圧源１０２とを備える。 （もっと読む）

【課題】出力容量及び出力直列寄生インダクタンスの影響に対して最適化された、超高周波数領域において高効率を実現することができる逆Ｆ級増幅回路を提供する。
【解決手段】本発明の逆Ｆ級増幅回路は、ＦＥＴ１と、出力負荷回路２とを備えている。出力負荷回路２は、出力負荷回路２の周波数ｆの入力インピーダンスＺ_ｉｎ（ｆ）と、ＦＥＴ１の出力容量Ｃ_ｏｕｔと出力直列寄生インダクタンスＬ_ｏｕｔとを用いて下記式：
【数１】


で定義されるアドミッタンスＹ（ｆ）が、特定の基本波周波数ｆ_０について、Ｙ（２ｆ_０）＝０，Ｙ（３ｆ_０）＝∞を満足するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの出力電極とインピーダンス整合回路としての伝送線路変圧器ＴＬＴとを接続する際にＴＬＴのインピーダンス整合の条件を維持すること。
【解決手段】ＲＦ増幅装置は、アンテナに供給される送信電力を生成するトランジスタＱの出力電極に接続された伝送線路変圧器ＴＬＴを具備する。ＴＬＴの主線路Ｌｏｕｔの一端Ｉｎ(Ａ)にはトランジスタの出力電極からの送信電力が供給され、ＴＬＴの副線路Ｌｉｎの一端Ｌｉｎ(Ｂ)は交流接地点に接続される。副線路の他端Ｌｉｎ(Ａ)は主線路の一端に接続され、主線路の他端Ｏｕｔ(Ａ)からアンテナに供給される送信電力が生成される。ＴＬＴの主線路と副線路とが近接して対向したエネルギー結合部では、副線路から主線路へ結合エネルギーが伝達される。トランジスタの出力電極と電気的に接続された接続部材ＢＷは、エネルギー結合部の一部の主線路と副線路との一方に形成された接続部ＣＰと接続される。 （もっと読む）