【課題】インピーダンスの調整および切替えを容易に行い、これらの機能を有する小型高性能の高周波増幅装置を提供する。
【解決手段】１個または複数の高周波増幅素子を含む第一の半導体チップと、１個または複数の高周波整合回路素子および１個または複数のスイッチ素子を含む第二の半導体チップからモジュール等の高周波増幅装置を構成する。第二の半導体チップは高周波増幅素子の整合回路を有している。さらに、第二の半導体チップが、容量および容量と直列または並列に接続されたスイッチ素子からなる回路を含んでおり、スイッチ素子のオンまたはオフにより容量が整合回路の一部として接続、非接続の状態となるような切替えを行う。 （もっと読む）

【課題】複数の周波数帯域の信号に対して効率的に動作する整合回路、及び、複数の周波数の信号を同時に効率良く増幅することができるマルチバンド増幅器を提供する。
【解決手段】２以上の周波数帯域の信号を増幅する増幅素子１０と、周波数帯域ごとの信号に対してインピーダンス整合を行う整合回路４０を備える。一般に、整合回路は、増幅素子よりも動作周波数の幅が狭い。しかし、本発明のように、分波回路２０で分波した一方の信号（ｆ_１）に対してインピーダンス整合を行うように整合ブロック３０を設計し、他方の信号（ｆ_２）に対してインピーダンス整合を行うように整合ブロック３１を設計することにより、各整合ブロックを効率的に機能させることができる。その結果、高効率で、同時に２以上の周波数帯域の信号を処理する整合回路４０、マルチバンド増幅器１００を構成することができる。 （もっと読む）

【課題】現実的なトランジスタを対象とした、より高効率で広帯域、かつ実装面積が小さく小形な増幅器を得る。
【解決手段】増幅用トランジスタ１０と、増幅用トランジスタ１０の出力端子に接続され、基本波周波数ｆ_０の整数倍となる複数の周波数において入力サセプタンスが発散する高調波反射用スタブ２０と、一端が増幅用トランジスタ１０の出力端子に高調波反射用スタブ２０と並列に接続され、他端が負荷回路に接続され、増幅用トランジスタ１０の出力アドミタンスと高調波反射用スタブの入力サセプタンスの和を、負荷回路のインピーダンス値にインピーダンス整合させる基本波整合回路３０とを備え、高調波反射用スタブ２０は、一端が増幅用トランジスタの出力端子に接続される１つの幹スタブＴ２１と、幹スタブＴ２１の他端に分岐して並列接続される複数の枝スタブＴ２２、Ｔ２３とを含む。 （もっと読む）

【課題】出力効率が高く広い周波数帯域において良好な歪み特性を有する高周波電力増幅器を提供する。
【解決手段】マルチフィンガー形のトランジスタで形成され、信号が入力されるゲートパッド３０ａと接地されるソースパッド３０ｂと信号が出力されるドレインパッド３０ｃとを有する単位ＦＥＴ３０を複数有するＦＥＴ素子１２と、単位ＦＥＴ３０のゲートパッド３０ａと接地端との間にシャント接続された直列共振回路３２が複数個配設された高周波処理回路１４とを備え、直列共振回路３２の二つがＦＥＴ素子１２の動作周波数帯域に含まれる周波数の２次及びそれ以上の高調波であって互いに異なる共振周波数を有するものである。 （もっと読む）

【課題】出力する歪のレベルを調整することができる歪発生器を提供する。
【解決手段】ドライバ増幅器２２で増幅され且つ非線形側伝送線路３４−１から取り出されたマイクロ波信号は、マイクロ波信号のキャリア周波数に整合している出力端側整合回路５２を介して歪発生用トランジスタ増幅器４８の出力端子４８ｂに供給される。歪発生用トランジスタ増幅器４８は、出力端子４８ｂに供給されたマイクロ波信号を基に歪成分を発生して入力端子４８ａ及び出力端子４８ｂの両方から出力する。可変移相器５４により歪発生用トランジスタ増幅器４８の入力端子４８ａと開放端５７との間を通過する信号の位相を調整することで、歪発生用トランジスタ増幅器４８の出力端子４８ｂ側で合成される歪成分の位相差を調整することができる。 （もっと読む）

【課題】発生させる歪のレベルを増大させることができる歪発生器を提供する。
【解決手段】ドライバ増幅器２２で増幅され且つ非線形側伝送線路３４−１から取り出されたマイクロ波信号は、マイクロ波信号のキャリア周波数に整合している出力端側整合回路５２を介して歪発生用トランジスタ増幅器４８の出力端子４８ｂに供給される。歪発生用トランジスタ増幅器４８は、出力端子４８ｂに供給されたマイクロ波信号を基に歪成分を発生する。歪発生用トランジスタ増幅器４８で発生した歪成分は、歪発生用トランジスタ増幅器４８の出力端子４８ｂから出力端側整合回路５２及びサーキュレータ４６を介して非線形側伝送線路３４−２へ供給される。 （もっと読む）

【課題】電力増幅器の並列運転時にいずれかの電力増幅器が故障した場合に、安全に電力増幅器の交換作業を行うことができる高周波電力合成器を提供する。
【解決手段】電力増幅器ＰＡ１〜ＰＡｎの出力電力を入力するｎ個（ｎは２以上の正整数）の入力ポート１１〜１ｎを有し、その入力ポート１１〜１ｎそれぞれにリアクタンス成分を変更可能な可変リアクタンス素子２１〜２ｎを有し、その可変リアクタンス素子２１〜２ｎそれぞれからすべてのトランスフォーマ合成点５１まで入力電力波長の１／４の奇数倍の線路長の伝送線路４１〜４ｎで接続する。状況に応じて、故障した電力増幅器の出力電力を入力する任意の入力ポートに接続した可変リアクタンス素子のリアクタンス成分を変更することにより当該入力ポートにおいて全通過から全反射へと連続的に切り替えをすることができる。なお、電力増幅器ＰＡ１〜ＰＡｎ内に反射電力を吸収するアイソレータを有する。 （もっと読む）

【課題】分配偏差を低減してＦＥＴセルの均一動作を図って利得と出力を向上することができるマイクロ波電力増幅器を得る。
【解決手段】複数のＦＥＴセル１から構成されているＦＥＴチップ２と、ＦＥＴチップ２の入力側に接続された入力整合回路３と、ＦＥＴチップ２の出力側に接続された出力整合回路４とを設けたマイクロ波電力増幅器であって、入力整合回路３、出力整合回路４の少なくとも一方は、ＦＥＴチップ２に接続され、ＦＥＴチップ側に信号の伝播方向に沿って複数本のスリット１１又は１２が異なる間隔で設けられたマイクロストリップ線路７又は９を含む。 （もっと読む）

【課題】広い周波数帯において２次高調波の放射を抑制するとともに高効率動作することのできる電力増幅器を提供する。
【解決手段】出力整合回路１２内に、短絡となる周波数の異なる２つのトラップ回路２１および２２を設け、そのうち、短絡となる周波数の高いトラップ回路２１を電力増幅素子４に近い側に配置することで送信周波数帯の中心周波数の２倍の周波数より高い周波数帯をトラップしかつ電力増幅素子４の出力端からみたときの送信周波数帯の２倍の周波数帯の周波数における出力整合回路のインピーダンスを短絡に近い状態に保つとともに、短絡となる周波数の低いトラップ回路２２によって送信周波数帯の中心周波数の２倍の周波数より低い周波数帯をトラップする。 （もっと読む）

【課題】広帯域な基本波整合を保ちつつ、高調波整合による高効率動作を提供することができる高周波増幅器を得る。
【解決手段】トランジスタチップ３と、トランジスタチップ３のドレイン側に直接接続される出力側プリマッチ基板４と、出力側プリマッチ基板４に接続され、出力整合のための出力整合高誘電率基板５とを設けた高周波増幅器であって、出力側プリマッチ基板４の誘電率が出力整合高誘電率基板５の誘電率よりも低く選ばれている。 （もっと読む）

【課題】外部回路を設計変更することなく、出力整合回路の整合条件を変更することのできる高周波モジュールを提供する。
【解決手段】送信信号を増幅するための電力増幅素子２４と、出力整合回路２６と、出力整合回路２６に接続され電力増幅素子２４で増幅された送信信号および受信信号を切り分けるデュプレクサとを具備する高周波モジュールであって、出力整合回路２６は送信信号伝達経路に並列接続され一端を接地された可変容量コンデンサＣｔを含み、電力増幅素子２４における増幅量を調整するための増幅量調整用電圧供給経路２８に、可変容量コンデンサＣｔの非接地側が接続経路２９を介して接続されており、接続経路２９と電力増幅素子２４との間に直流カットコンデンサＣ３が配置されるとともに、接続経路２９には電力増幅素子２４で増幅された送信信号の接続経路２９への漏洩を防止するインピーダンスに設定された分布定数線路ＳＬ２を設けた。 （もっと読む）

【課題】アイソレータを削除するとともに、送信電力の低下によらずに負荷変動に対処して、高周波電力増幅器を負荷変動に整合させることができるようにする。
【解決手段】送信信号を増幅する第１のトランジスタ２１に対して、その出力インピーダンスを調整するための第２のトランジスタ２２と、アンテナ３１からの反射電力を利用して、第２のトランジスタ２２のバイアスを調整するバイアス調整部を設ける。バイアス調整部は、方向性結合器２６の逆方向結合出力として得られるアンテナ３１からの反射電力の平均電力に相当する直流電圧refdetを生成する検出部２９と、この出力を基準電圧detrefと比較する比較器１７を有し、比較器出力で第２のトランジスタ２２のバイアスを制御する。これにより、アンテナ３１のインピーダンス変動に応じて、高周波電力増幅器の出力インピーダンスを変化させ、アンテナ負荷との整合をとる。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの発熱領域が集中して配置されていることによって熱抵抗が増大することを防止し、パッケージ筐体のサイズを大きくすることなく発熱領域を分散させ、かつ高周波特性を犠牲にすることのない半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体チップ１１を互いに前後して配置する。半導体チップ１１を2つずつペアにし、入力側には第１のT型分配回路１４、出力側には第1のT型合成回路１５を配置する。第１のT型分配回路１４と第1のT型合成回路１５の２分岐されている経路を伝搬する時間が等しくなるようにその線路長を決定する。この構成により分岐された信号の伝搬時間が等しくなり出力合成された利得の低下は生じない。また第１のT型分配回路１４と第1のT型合成回路１５をセラミック等の基板で構成し、接続のためのボンディングワイヤ１３を極力短く、並列に複数配置しているので高周波に対応でき、かつ高周波特性のばらつきも減少できる。 （もっと読む）

【課題】Ｆ級電力増幅器の特徴である高効率を維持しつつ、線形性を実現できるようにする。
【解決手段】本発明においては、入力された高周波入力信号のレベルを検出する入力レベル検出回路と、Ａ／Ｄコンバータと、前記入力されたレベル信号に応じて各々の振幅線分を増幅するための複数の増幅器のＯＮ／ＯＦＦを制御するＣＰＵと、から構成され、
前記ＯＮが選択された増幅器のみを増幅し、増幅された信号を１／４波長線路を通して、合成し、同調回路にて必要な成分のみ選択して、高周波出力として出力することを特徴としている。本発明を実施することにより、（１）非線形増幅器を使用するため消費電力が低減できる。（２）高効率が期待できる。（３）ＭＴＦＢ（Ｍｅａｎ Ｔｉｍｅ Ｂｅｔｗｅｅｎ Ｆａｉｌｕｒｅ：平均故障間隔）の向上が期待できる。（４）高効率のため、小型・軽量化が実現できる。という効果がある。 （もっと読む）

【課題】単品ごとの特性のばらつきを抑え、外部擾乱への耐性を高めたドハティ型増幅器を提供すること。
【解決手段】メインアンプ２の出力を一部分岐した信号を入力信号と逆相で加算した信号をピーキングアンプ３に入力するようにしているので、ピーキングアンプ３のバイアス調整が不要となる。つまりメインアンプ２の出力と入力信号との関係に応じた信号がピーキングアンプ３に入力されるので、メインアンプ２が飽和して利得が低下した分の電力だけ、ピーキングアンプ３から電力が供給されるようになる。従ってピーキングアンプ３のドレイン電流の立ち上がり特性を改善することができ、線形性をより高められるとともに部品ごとの特性のばらつきを抑え、外部擾乱にも高い耐性を持つドハティ型増幅器を提供することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】ＭＭＩＣ用のインピーダンス整合を、比較的少ない占有面積で実現するとともに、インピーダンスマッチング調整のためのスイッチのオン抵抗による信号の減衰を最小限にとどめる。
【解決手段】 ＭＥＭＳスイッチ１をオンにしてオープンスタブ１７の長さをＭＥＭＳスイッチ１と調整用ランド９の長さを足した分長くすることによりＦＥＴ２５の入力におけるインピーダンス整合のための調整を行う。オープンスタブ１８〜２４についても同様の調整を行。ＭＥＭＳスイッチ１〜８をオンにしてオープンスタブ長を長くして特性が悪化した場合は、ＭＥＭＳスイッチをオフにして元の状態に戻す。８つのＭＥＭＳスイッチのオン／オフにより２５６通りの調整が可能になる。ＭＥＭＳスイッチ１〜８は、インピーダンスの高いオープンスタブ先端近くに位置しているため、スイッチのオン抵抗による信号の減衰はほとんどない。 （もっと読む）

【課題】ＬＩＮＣ増幅装置の合成損失を削減する。
【解決手段】合成器１４を構成する伝送線路２４、３４の長さをλ／４に限定せず、合成点１６から伝送線路２４、３４を見たインピーダンスＺ23、Ｚ33がより大きくなるような長さに設定する。具体的には、増幅素子２１の負荷インピーダンスＺ22は、整合回路２３で整合させ、伝送線路２４は位相角が大きくなった時負荷変調により効率が向上するような役目をする。また増幅素子２１の出力インピーダンスＺ23は、整合回路２３によりＺ22とは異なるインピーダンスに変換され、伝送線路２４より更に大きなインピーダンスに変換する。共役整合させないことで合成損失を低減できる。 （もっと読む）

【課題】ＮＦが良好な低雑音増幅装置を提供する。
【解決手段】低雑音増幅装置５１における切替回路には、低雑音増幅器２５の入力側とグランドとの間および、低雑音増幅器２５の出力側とグランドとの間の双方に挿入されるとともに、受信する高周波信号の波長に対してほぼ１／４の長さを有した線路５５、５６と、これらの線路５５、５６のそれぞれに接続されるとともに、その一方の端子側にグランドが接続された切替スイッチ５７、５８とを設け、マイクロストリップライン５９はこれらの切替スイッチ５７の他方の端子と切替スイッチ５８の他方の端子間に接続され、制御部５３は検出回路５４から低雑音増幅器２５が故障している旨の信号を得た場合、切替スイッチ５７、５８を他方の端子側へ切り替えるものである。これにより高周波信号が通過する信号ラインに切替スイッチ５７、５８が挿入されないので、信号の損失が小さくできる。 （もっと読む）

【課題】１つのＲＦ電力増幅器モジュールがカバーする互いに近接した２つの周波数帯域のＲＦ送信電力出力信号を１つのＲＦ電力増幅器が生成する際に、周波数特性と電力効率とを改善するとともにコストを削減すること。
【解決手段】第１のＲＦ電力増幅器ＣＨＩＰ＿Ｌの第１の出力整合回路ＳＬ＿Ｌ、Ｃ１Ｌによる低い周波数バンドＢ１での高域周波数でのゲイン低下を、第１のハイパスフィルタＣ２Ｌ、Ｌ４Ｌによる高い周波数バンドＢ２での低域周波数でのゲイン増加により補償する。第１のＲＦ電力増幅器の電力効率に大きく影響を与える第１のハイパスフィルタの第１のインダクタンスＬ４Ｌを、ＲＦ電力増幅器モジュール１００の内部配線の自由度向上のために設けられた多層配線基板１０３に形成された複数のストリップ線路Ｌ４Ｌ＿１…Ｌ４Ｌ＿４と、ビア配線Ｖ４１２…Ｖ４４Ｇとで構成する。第１のインダクタンスＬ４Ｌは、低コスト、高性能指数（Ｑ）となる （もっと読む）

【課題】並列に動作するＦＥＴにアンバランスが生じた場合でも安定に動作させることができるマイクロ波増幅器を得る。
【解決手段】入力整合回路５と、ＦＥＴ１と、段間整合回路６と、ＦＥＴ２と、出力整合回路７と、ショートスタブ回路３１、３２とが設けられ、ショートスタブ回路３１は、他端がキャパシタ１１ａを介して接地された分布定数線路１０ａと、他端がキャパシタ１１ｂを介して接地された分布定数線路１０ｂと、分布定数線路１０ａ、１０ｂの他端同士を接続する分布定数線路１８と含み、ショートスタブ回路３２は、他端がキャパシタ１５ａを介して接地された分布定数線路１４ａと、他端がキャパシタ１５ｂを介して接地された分布定数線路１４ｂと、分布定数線路１４ａ、１４ｂの他端同士を接続する分布定数線路１９と含む。 （もっと読む）