【課題】所望の数の周波数帯で動作する可変整合回路に必要な構成回路素子数を減らす。
【解決手段】伝送線路11Lに、第１の線路スタブSB1と、２つのスイッチSW1, SW2の一端を入力端から順次間隔L1, L2, L3をあけてそれぞれ接続し、２つのスイッチの他端は第２の線路スタブSB2接続し、第１及び第２線路スタブは開放端あるいは短絡端を有し、スイッチSW1, SW2のＯＮ，ＯＦＦの組み合わせにより４つの周波数帯での整合を選択可能にされている。 （もっと読む）

【課題】全てのトランジスタに対して最適かつ等位相で高調波を反射させ、高い出力かつ高い効率で動作する高周波増幅器を得る。
【解決手段】ＦＥＴ１Ａのドレイン（Ｄ）に一端が接続された四角形線路部５Ａ、ＦＥＴ１ＢのＤに一端が接続された四角形線路部５Ｂ、並びに四角形線路部５Ａ及び５Ｂの他端を接続する弓形線路部５Ｃを有する伝送線路５と、四角形線路部５Ａ及び５Ｂの間に配置された伝送線路６Ｂと、四角形線路部５Ａに対して伝送線路６Ｂと反対側に配置された伝送線路６Ａと、四角形線路部５Ｂに対して伝送線路６Ｂと反対側に配置された伝送線路６Ｃとを備え、伝送線路６Ａ、６Ｂ、６Ｃの電気長は、高調波の１／４波長であり、伝送線路６Ａ、６Ｂ、６Ｃのそれぞれのビアホール７Ａ、７Ｂ、７Ｃは、伝送線路６Ａ、６Ｂ、６Ｃの一端に接続される。 （もっと読む）

【課題】広い入力レベル範囲にわたって高い効率を実現することが可能な増幅回路を提供する。
【解決手段】増幅回路１０１において、入力側高調波整合回路３および出力側高調波整合回路４により、トランジスタＴＲの制御電極から前段側を見たインピーダンスのうち基本周波数の高調波に対するインピーダンスと、トランジスタＴＲの導通電極から後段側を見たインピーダンスのうち基本周波数の高調波に対するインピーダンスとが、それぞれ、対象信号のレベルが異なる条件下において整合されている。 （もっと読む）

【課題】差分周波数Δｆが数百ＭＨｚにおいても高周波半導体チップのドレイン端面の電圧が平滑化された半導体装置を提供する。
【解決手段】高周波半導体チップと、高周波半導体チップの入力側に配置された入力整合回路と、高周波半導体チップの出力側に配置された出力整合回路と、入力整合回路に接続された高周波入力端子と、出力整合回路に接続された高周波出力端子と、高周波半導体チップに接続される平滑化キャパシタ用端子とを備え、高周波半導体チップと、入力整合回路と、出力整合回路とが１つのパッケージに収納された半導体装置。 （もっと読む）

【課題】利得を向上させ、高周波信号を供給するドライバアンプの消費電力を減少させることが可能な最終段に使用されるドハティ型の高周波増幅器を提供する。
【解決手段】高周波増幅器は、挿入される線路の線路インピーダンスが予め設定され、入力された高周波信号を第１の信号と第２の信号とに分配するハイブリットと、第１の信号を増幅するメインアンプと、第２の信号を増幅するピークアンプとを具備する。ハイブリットは、高周波信号が入力される第１のポートと、メインアンプへ向けて第１の信号を出力する第２のポートと、ピークアンプへ向けて第２の信号を出力する第３のポートと、オープン接続された第４のポートとを備える。 （もっと読む）

【課題】出力特性の平坦度が良好な広帯域増幅器を提供する。
【解決手段】第１中心周波数有する第１増幅ユニットと、第１増幅ユニットに並列に配置され、第１中心周波数よりも高い第２中心周波数を有する第２増幅ユニットと、第１増幅ユニットの入力と第２増幅ユニットの入力に接続された電力分配器と、第１増幅ユニットの出力と第２増幅ユニットの出力に接続された電力合成器とを備える広帯域増幅器。 （もっと読む）

【課題】シャントの寄生キャパシタンス成分を相殺することができ、高域周波数帯における特性劣化を抑圧することができる高周波多段能動回路を得る。
【解決手段】高周波多段能動回路の段間インピーダンス整合回路２０として、誘電体基板２１上において一対の長さ１／４波長未満のくし型の導体電極パターンを対向して形成されるインターデジタルキャパシタを含み、かつこのインターデジタルキャパシタのくし型電極２３ａ、２３ｂの要部に誘導性スタブを接続し、かつこの誘導性スタブを介して能動デバイス１０、３０へのバイアス電圧を印加した。 （もっと読む）

【課題】発振対策を容易に講ずることができる高周波半導体増幅装置を提供すること。
【解決手段】パッケージ１４内部に、半導体増幅素子１１、入力整合回路基板１７の表面上に形成された入力整合回路パターン１５、および出力整合回路基板２４の表面上に形成された出力整合回路パターン２３を、パッケージ１４内部に有する高周波半導体装置であって、出力整合回路基板２４の表面上には、出力整合回路基板２４の表面上に、出力整合回路パターン２３に接続するように形成された出力信号ライン２５に対して、容易に電気的に接続・切断可能な減衰器２９が形成されている。 （もっと読む）

【課題】低周波発振と高周波発振とを共に抑制することができる高周波回路を提供する。
【解決手段】高周波回路は、複数のトランジスタ１２、複数の入出力整合回路１４−１，１４−２、複数の抵抗体１８、低周波発振抑制回路１７を含む。複数のトランジスタは、半導体基板１１上に並列に配列形成される。複数の入出力整合回路は、それぞれ第１の絶縁基板１３−１上、第２の絶縁基板１３−２上に、複数のトランジスタにそれぞれ接続されて設けられている。低周波発振抑制回路は、所望の周波数帯域を透過帯域として有し、並列に配列形成された複数のトランジスタのうち、両側のトランジスタのゲート端子に接続される。複数の抵抗体は、複数の入出力整合回路間のうち、トランジスタに最も近い位置に形成されるとともに、透過帯域の最も低い周波数の発振に対して低周波発振抑制回路を作用させることが可能な長さで、複数の入出力整合回路間に形成される。 （もっと読む）

【課題】高温通電時には、バイアスジャンプを回避することができ、実運用時には、外部電源を製品によらず共通化することができる。
【解決手段】半導体装置２４と、入力整合回路１７と、出力整合回路１８と、入力整合回路１７に接続された高温動作用ゲートバイアス回路６０および運用時用ゲートバイアス回路７０と、高温動作用ゲートバイアス回路６０に接続された高温動作用ゲートバイアス端子３１ａと、運用時用ゲートバイアス回路７０に接続された運用時用ゲートバイアス端子４１ａと、入力整合回路１７に接続された高周波入力端子２１ａと、出力整合回路１８に接続されたドレインバイアス回路８０と、ドレインバイアス回路８０に接続されたドレインバイアス端子４１ｂと、出力整合回路１８に接続された高周波出力端子２１ｂとを備え、１つのパッケージに収納された高周波モジュール１。 （もっと読む）

【課題】高温通電時にはバイアスジャンプを回避し、実運用時には外部電源を製品によらず共通化し、かつ端子数を削減する。
【解決手段】半導体装置２４と、入力整合回路１７と、出力整合回路１８と、運用時用ゲートバイアス回路７０と、運用時用ゲートバイアス回路７０に接続された運用時用ゲートバイアス端子４１ａと、入力整合回路１７に接続された高周波入力端子兼高温動作時用ゲートバイアス端子２１ａと、出力整合回路１８に接続されたドレインバイアス回路８０と、ドレインバイアス回路８０に接続されたドレインバイアス端子４１ｂと、出力整合回路１８に接続された高周波出力端子２１ｂとを備え、１つのパッケージに収納された高周波モジュール１およびその動作方法。 （もっと読む）

【課題】複数の増幅器のうちの一部が故障しても、電力合成分配器の分配損、合成損を最小とする。
【解決手段】複数の並列接続された第１の分岐側端子（１１３、１１４）と１つの第１の合成側端子（１１５）が第１の電力合成点（１１６）を介して接続された第１の分岐回路（１２７）と、複数の並列接続された第２の分岐側端子（１３３、１３４）と１つの第２の合成側端子（１３５）が第２の電力合成点（１３６）を介して接続された第２の分岐回路（１３７）とを有し、第１の合成側端子と複数の第２の分岐側端子が接続された電力合成あるいは電力分配を行う電力合成分配器において、第１の電力合成点から第２の電力合成点までの長さが１／２波長の整数倍である。 （もっと読む）

【課題】バイアス回路を組み込んだ通信機器や電子機器の小型化を促進させるため、１つのチップにて構成することができるバイアス回路を提供する。
【解決手段】ＲＦチョークとバイパスコンデンサとを有するバイアス回路において、少なくとも下面もしくはその内部にグランド電極４０が形成された誘電体基板３０と、前記誘電体基板３０の表面に形成された入力端子３２及び出力端子３４と、前記誘電体基板３０内もしくは表面に形成され、一端が前記入力端子３２に接続され、且つ、他端が前記出力端子３４に接続され、前記ＲＦチョークを形成するＲＦチョーク形成電極３６と、前記誘電体基板３０内に、前記グランド電極４０に対向して形成され、且つ、一端が前記出力端子３４に接続され、前記バイパスコンデンサを形成するためのコンデンサ形成電極３８とを有する。 （もっと読む）

【課題】 高調波成分の負荷を、基本波の調整に影響されることなく短絡から開放までの範囲で最適な負荷となるよう独立して設定することができ、高い電力変換効率を得ることができる電力増幅器を提供する。
【解決手段】 トランジスタ３の出力に、高調波に対する負荷を設定して反射する高調波反射回路４と、設定された高調波に対する後段の負荷の影響を分離する負荷分離回路５と、基本波についてトランジスタ３と出力負荷との整合を取る基本波整合調整回路６を備え、高調波反射回路４に設けられた先端開放スタブ２３の長さが調整されることで、高調波の負荷を調整する電力増幅器としており、高調波成分及び基本波について独立して最適な負荷調整を行うことができ、電力変換効率を向上させることができるものである。 （もっと読む）

【課題】広帯域特性の改善と隣接セルからの干渉問題の抑制を両立できる増幅器を得る。
【解決手段】３セル以上のユニットセルトランジスタ（１１）が等間隔に配置されたマルチセルトランジスタ（１０）と、スリット（２３）で区切られたオープンスタブ（２２）により、基本波の整数倍の周波数で短絡状態を形成するように各ユニットセルトランジスタに対応して設けられた高調波処理回路（２１）を複数有し、各高調波処理回路がトーナメント構成となるように線路構成された出力整合回路（２０）とを備えた増幅器であって、各高調波処理回路（２１）は、マルチセルトランジスタを構成する各ユニットセルトランジスタのゲートまたはドレイン端子の少なくとも一方から、電気長で１／２波長未満の距離に配置され、オープンスタブ（２２）が、主線路と平行して片側に１本で配置されている。 （もっと読む）

【課題】 不要波の出力を抑制することのできる小型なバイアス回路を得ることを目的とする。
【解決手段】 半導体素子３に電力を供給するバイアス回路において、インダクタ５及びキャパシタ６が直列に接続された直列回路と、直列回路に並列に接続されて並列回路を構成するインダクタ７と、接地されたキャパシタ８とインダクタ７との間に接続され、外部から電力が供給されるバイアス端子９を備えて、直列回路および並列回路の共振により、半導体素子３の不要波を除去し所望の周波数のみを伝達する。 （もっと読む）

【課題】広帯域増幅器の出力不整合と周波数切り替え回路で発生する不整合を調整し、高効率化を図ることができる広帯域高出力増幅器を得る。
【解決手段】少なくとも２倍高調波が広帯域増幅器１自身の帯域に含まれる広帯域高出力増幅器において、広帯域増幅器１の後段に、周波数帯域に応じた信号出力の切り替えを行う周波数切り替え回路２と、インピーダンス不整合を調整する整合回路５と、周波数帯域に応じて高調波成分を抑制するフィルタ回路４とを順次接続し、インピーダンス調整用整合回路５は、広帯域増幅器１の出力不整合と周波数切り替え回路２で発生する不整合を調整する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、整合条件を変更するための制御回路を必要とせずに、複数の周波数帯で利用可能となる簡素な構成の高周波増幅器を提供することを目的とする。
【解決手段】パッケージ基板と、該パッケージ基板の表面に設置された増幅能動素子と、該増幅能動素子と接続されて高周波信号を伝送する伝送線路とを有する。そして、一端が該伝送線路にシャント接続されたＳＭＤ部品と、該ＳＭＤ部品の他端と接続され一部が該パッケージ基板の裏面に露出するＳＭＤ部品用端子と、該伝送線路のうち該増幅能動素子と接続された部分と反対側の端部と接続され、一部が該パッケージ基板の裏面に露出する外部端子とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】異なる周波数、出力電力または変調方式において動作可能な電力増幅器および通信機器を提供できる。
【解決手段】入力端子および出力端子を有する第１増幅器ＰＡ２と、入力端子および出力端子を有する受動回路ＰＣ３と、単極端子と、２つの多投端子とを有する第１スイッチＳＷ２と、を備えた電力増幅器であって、該第１スイッチＳＷ２の該多投端子の一方は、該第１増幅器ＰＡ２０１の該入力端子に接続されており、該第１スイッチＳＷ２の該多投端子の他方は、該受動回路ＰＣ３の該入力端子に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 簡単な構造で枝回路間の位相ずれによる利得低下を防止可能な信号合成分配回路を提供する。
【解決手段】 本発明の信号合成分配回路１０は、基板１１に、信号合成点または信号分配点１４を有する複数の枝回路１２ａ、１２ｂおよび１２ｃが配線され、前記複数の枝回路の少なくとも１本の枝回路１２ｂが、他の枝回路１２ａおよび１２ｃと異なる線路長であり、前記異なる線路長の枝回路１２ｂの一部または全部１５が、前記基板１１中に配線されていることを特徴とする。 （もっと読む）