電力増幅モジュール
【課題】 本発明は任意の周波数帯を増幅する高周波電力増幅器を共通の基板で生産できる高周波モジュールを提供することを目的とする。
【解決手段】 基板２１２に固定した高周波用半導体素子を有する半導体チップ２１３を、基板２１２に形成された導体パターンにボンディングワイヤにより配線するとともに、前記ボンディングワイヤを、前記導体パターンにより形成された分布定数線路の途中にボンド位置Ｊに接続して前記第１のインダクタＬ２２と第２のインダクタＬ２３とに分割して取り扱い周波数整合または出力負荷整合されている。
【解決手段】 基板２１２に固定した高周波用半導体素子を有する半導体チップ２１３を、基板２１２に形成された導体パターンにボンディングワイヤにより配線するとともに、前記ボンディングワイヤを、前記導体パターンにより形成された分布定数線路の途中にボンド位置Ｊに接続して前記第１のインダクタＬ２２と第２のインダクタＬ２３とに分割して取り扱い周波数整合または出力負荷整合されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電力増幅モジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
携帯端末などに用いられる電力増幅モジュールは、携帯端末の小型化・低コスト化の要求を受け、常に一層の小型化・低コスト化を要求されている。
また、通信サービスの“いつでも・どこでも”が一国内から、ワールドワイドに拡大され、さらには２Ｇからより高度な３Ｇへの通信方式の過渡期に差し掛かっている。このような状況から携帯端末は仕向地や対応する事業者によって、必要とされる周波数帯域や変調方式に対応しなければならないが、最近では発振器や変調器も集積回路化され、共通となっていることも多い。
【０００３】
しかしながら電力増幅モジュールにおいては、変調方式によって求められる特性に大きく違いがある点、また、複数の周波数帯域に対応するためには、増幅用の半導体素子・整合回路を必要数設ける必要があるため、特性維持には共通化も限界がある。結果、電力増幅モジュールについては他の部分と比べ共通化による利点が少なく、各仕様に対して個別の商品として納品されているのが実情である。
【０００４】
電力増幅モジュール自体の内部要素は、バイアス回路、増幅素子、整合回路、保持する基板と、シンプルな構成であり、各々の設計技術の基礎は共通であり要素そのものは互いに流用可能となることが多い。
【０００５】
特に整合回路を集中定数で構成した場合、周波数帯域の対応は定数の変更のみで対応できる可能性が高い。
図１１は（特許文献１）の電力増幅器を示す。
【０００６】
この電力増幅器は、高周波トランジスタＱ１１と、入力整合回路１２と、出力整合回路１３と、ドレインマイクロストリップ線路Ｌ１２とを具備している。１４は入力端子、Ｃ１１は入力結合用コンデンサ、Ｌ１１は入力側マイクロストリップ線路、Ｃ１２は入力整合用コンデンサ、１５はバイアス電圧供給端子、１６はドレインバイアス供給端子、Ｌ１２はドレインマイクロストリップ線路、Ｃ１４は出力整合用コンデンサ、Ｌ１４は出力整合用マイクロストリップ線路、Ｃ１６は出力結合用コンデンサ、１７は出力端子である。
【０００７】
出力整合回路１３は、途中で分割されたマイクロストリップ線路Ｌ１３と、これら分割されたマイクロストリップ線路Ｌ１３の間を接続する抵抗Ｒ１５とにより並列回路１８が構成されている。
【０００８】
周波数の高域は前記並列回路１８のコンデンサ成分Ｃ１５をそのまま伝搬し、周波数の低域は抵抗Ｒ１５を介して伝搬して、出力端子１７に接続された負荷抵抗との整合を周波数の高域・低域ともにとることができる。
【特許文献１】特開２００３−１８８６６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
図１１の構成では、周波数の高域の整合範囲が、マイクロストリップ線路Ｌ１３とコンデンサ成分Ｃ１５によって限定されるという問題がある。このため上記背景技術にて述べたように、複数の周波数帯域に対応する電力増幅モジュールを作成するためには、マイクロストリップ線路Ｌ１３の長さを個別最適とした各々専用の電力増幅基板を設計する必要がある。このため、部品の共通化という点に対して課題である。
【００１０】
そしてマイクロストリップ線路Ｌ１３を補正するために集中定数部品のインダクタを追加して周波数帯域の整合の最適化を行い基板の共通化を図ったとしても、素子自身の価格と実装コストが追加で必要となり、低コスト化の要求とは反する結果となり、完全な解決とはいえない。
【００１１】
さらに、複数の周波数帯域に対応した電力増幅モジュールを製造する場合、とりうる可能性のある組み合わせに対応した基板を各々作成しなければならず、品種数が膨大となり効率が悪い。
【００１２】
本発明は、任意の周波数帯を増幅する高周波電力増幅器を共通の基板で生産できる高周波モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の電力増幅モジュールは、高周波増幅用半導体素子の出力に第１のインダクタを介してバイアス電圧を印加し、高周波増幅用半導体素子の出力と第１のインダクタとの接続点から第２のインダクタを介して出力信号を取り出す電力増幅モジュールであって、基板に固定した前記高周波用半導体素子を、前記基板に形成された導体パターンにボンディングワイヤにより配線するとともに、前記高周波用半導体素子からのボンディングワイヤを、前記導体パターンにより形成された分布定数線路の途中にボンド接続して前記第１のインダクタと第２のインダクタとに分割して取り扱い周波数整合または出力負荷整合したことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
この構成によると、本発明の電力増幅モジュールは出力整合回路の分布定数線路の長さを電力増幅モジュール基板の配線を変更することなく、任意に設定することが可能なので、使用する複数の周波数帯域、出力電力に応じた専用の電力増幅モジュール基板を各々用意する必要が無く、共通の基板による対応が実現できるという利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の各実施の形態を図１〜図１０に基づいて説明する。
（実施の形態１）
図１〜図６は本発明の（実施の形態１）を示す。
【００１６】
なお、携帯端末などに用いられるこの電力増幅モジュールは、取り扱い周波数帯域毎の高周波増幅回路が単一の基板上に構築されているが、各帯域による構成には差が無いため、先ず、単体の高周波増幅回路について説明する。
【００１７】
図１は、単体の電力増幅モジュールの具体的な回路例を示している。図示された電気回路は、携帯電話装置などの各種の通信機器において、電力増幅モジュールとして周知のものである。但し、図１は単なる例示に過ぎず、本発明に関わる電力増幅モジュールが、図に示される回路に限定されるものでないことは言うまでも無い。
【００１８】
図に例示された電力増幅モジュールの高周波増幅回路は、２つの高周波増幅用半導体素子ＴＲ２１，ＴＲ２２を含んでいる。高周波増幅用半導体素子ＴＲ２１，ＴＲ２２のそれぞれには、整合回路、コレクタバイアス回路、ベースバイアス回路が接続され、１つの回路ブロックを形成する。
【００１９】
高周波増幅用半導体素子ＴＲ２１，ＴＲ２２はバイポーラトランジスタで構成され、入力端子Ｐｉｎから供給された入力信号は、キャパシタＣ２１及びインピーダンス素子Ｚ２１を通って高周波増幅用半導体素子ＴＲ２１のベースに供給される。キャパシタＣ２１及びインピーダンス素子Ｚ２１は、入力信号ラインのインピーダンス（５０Ω）とのインピーダンス整合をとる整合回路を構成する。
【００２０】
高周波増幅用半導体素子ＴＲ２１によって電力増幅された信号は、コレクタバイアス回路を構成するインダクタ素子Ｌ２１と、キャパシタＣ２２とによって構成されたインピーダンス整合回路を通して、高周波増幅用半導体素子ＴＲ２２のベースに供給される。
【００２１】
高周波増幅用半導体素子ＴＲ２２によって電力増幅された信号は、キャパシタＣ２３と、インダクタ素子Ｌ２３と、インダクタ素子Ｌ２４とキャパシタＣ２４とで構成された２次高調波対策部Ａ３と、インダクタ素子Ｌ２５と、キャパシタＣ２５とキャパシタＣ２６とで構成された出力整合部Ａ２を通して出力端子Ｐｏｕｔに供給され出力される。
【００２２】
高周波増幅用半導体素子ＴＲ２１に接続されたバイアス回路２１１は、端子Ａ，Ｂ，Ｃを持ち、端子Ａに制御電圧を加え、端子Ｂに直流電源を加えた際、端子Ｂに加えられた直流電源を端子Ａによって制御した直流電圧及び電流を端子Ｃに出力する機能を有する。端子ＡはＶｒｅｆ端子に接続し、端子ＢはＶｄｃ端子に接続し、端子Ｃは高周波増幅用半導体素子ＴＲ２１のベースに接続し、バイアスを供給する。
【００２３】
高周波増幅用半導体素子ＴＲ２２に接続されたバイアス回路２２１もバイアス回路２１１と同様であり、端子ＡはＶｒｅｆ端子に接続し、端子ＢはＶｄｃ端子に接続し、端子Ｃは高周波増幅用半導体素子ＴＲ２２のベースに接続し、バイアスを供給する。
【００２４】
コレクタバイアス回路を構成するインダクタＬ２１の一方は、先に述べた通り高周波増幅用半導体素子ＴＲ２１のコレクタ端に接続されるが、他方は第１の電源端子Ｖｃｃ１とキャパシタＣ２７の一方が接続されている。キャパシタＣ２７の他方は接地されている。
【００２５】
コレクタバイアス回路を構成するインダクタＬ２２の一方は、先に述べた通り高周波増幅用半導体素子ＴＲ２２のコレクタ端に接続されるが、他方は第２の電源端子Ｖｃｃ２とキャパシタＣ２８の一方が接続されている。キャパシタＣ２８の他方は接地されている。
【００２６】
出力整合部Ａ２は、電力増幅モジュールが取り扱う周波数帯、例えば１７５０〜１７７０ＭＨｚの周波数帯において増幅する対象となる周波数帯（基本波）において、インピーダンス整合をとるための回路である。高周波増幅用半導体素子ＴＲ２２のコレクタ端子には、インダクタンス素子Ｌ２３の一方と他方が接地されたキャパシタＣ２３が接続され、インダクタンス素子Ｌ２３の他方はインダクタンス素子Ｌ２５の一方と２次高調波対策部Ａ３に内包されるインダクタンス素子Ｌ２４と接続される。インダクタンス素子Ｌ２５の他方はキャパシタＣ２５の一方と接続され、キャパシタＣ２５の他方は出力端子Ｐｏｕｔと他方が接地されたキャパシタＣ２６と接続されている。
【００２７】
基本波以外の周波数が出力に伝送した場合には通信機器としての特性劣化となるため、２次高調波対策部Ａ３は２次高調波成分の出力への伝送を防ぐ役割を持つ。このため、インダクタンス素子Ｌ２４及びキャパシタＣ２４からなる回路のインピーダンスは、高周波増幅用半導体素子ＴＲ２２のコレクタ端子から出力端子Ｐｏｕｔ側を見た場合のインピーダンスＺＬが、２次高調波の周波数でゼロになるように設計される。
【００２８】
バイアス回路及びコレクタバイアス部Ａ１は、高周波増幅用半導体素子ＴＲ２２を増幅器として機能させるために、高周波増幅用半導体素子ＴＲ２２に直流バイアスを印加させるためのものである。例えば、ベース電圧に１．３ボルト、コレクタバイアス端子に直流電圧３．５ボルトを供給し、直流電流４００ｍＡを流した状態で、ｆ＝１７５０ＭＨｚ、Ｐ＝１６ｄＢｍの信号をベース端子に入力すると、コレクタ端子に２８ｄＢｍの信号が得られ、高周波増幅用半導体素子ＴＲ２２では１２ｄＢの増幅度が得られる。
【００２９】
また、バイアス回路及びコレクタバイアス部Ａ１では、高周波増幅用半導体素子ＴＲ２２に直流バイアスを印加させると共に、信号を外部へ漏洩させないようにするため、インダクタンス素子Ｌ２２を（λ／４）パターン長を有するマイクロストリップ線路（導体パターン）によって構成し、接地されたキャパシタＣ２８と接続してある。
【００３０】
図２は図１に示した高周波増幅回路が取り扱い周波数帯域毎の２つが単一の基板上に構築されている電力増幅モジュールの回路図、図３は図２に示した電力増幅モジュールの基板表面図、図４は図２に示した電力増幅モジュールの基板裏面図で、図３に示した部品面の側から透視した状態で図示した。図５は図２に示した電力増幅モジュールの基板断面図である。
【００３１】
この図２〜図５に基づいて具体的に説明する。
この電力増幅モジュールは、図１にて説明した電力増幅回路を２つ内包しており、誘電体基板２１２と、半導体チップ２１３，半導体チップ３１３と、キャパシタＣ２４，Ｃ２６，Ｃ２７，Ｃ２８，Ｃ３４，Ｃ３６，Ｃ３７，Ｃ３８を有する。
【００３２】
誘電体基板２１２は、表面に導体パターン２１５、裏面に導体パターン２２２を形成し、導体パターン２１５と導体パターン２２２はスルーホール２１４によって接続される。
図示の誘電体基板２１２は単層であるが、これに限定されるものではなく、複数層を積層した多層構造であっても構わない。
【００３３】
誘電体基板２１２は図２にて示された回路図に含まれる半導体チップ２１３，半導体チップ３１３とキャパシタＣ２４，Ｃ２６，Ｃ２７，Ｃ２８，Ｃ３４，Ｃ３６，Ｃ３７，Ｃ３８を搭載し、且つ、インダクタンス素子Ｌ２１，Ｌ２２，Ｌ２３，Ｌ２４，Ｌ２５，Ｌ３１，Ｌ３２，Ｌ３３，Ｌ３４，Ｌ３５を表面の導体パターン２１５によって形成し、必要な回路構成となるよう接続される。
【００３４】
誘電体基板２１２には、信号入力用端子Ｐｉｎ−１、Ｐｉｎ−２、信号出力用端子Ｐｏｕｔ−１、Ｐｏｕｔ−２、接地端子ＧＮＤ及び電源端子Ｖｒｅｆ−１、Ｖｒｅｆ−２、Ｖｄｃ−１、Ｖｄｃ−２、Ｖｃｃ１−１、Ｖｃｃ１−２、Ｖｃｃ２−１、Ｖｃｃ２−２が裏面の導体パターン２２２により電極の形態で形成される。
【００３５】
また、半導体チップ２１３，半導体チップ３１３はＭＭＩＣ（Microwave Monolithic IC）であり、図２で述べた回路図において、半導体チップ２１３はバイアス回路２１１，バイアス回路２２１、キャパシタＣ２１，Ｃ２２，Ｃ２３、インピーダンス素子Ｚ２１を内包し、パッドＰａｄ２１〜Ｐａｄ２５を介してボンディングワイヤにより誘電体基板２１２上の導体パターン２１５と接続される。
【００３６】
また、半導体チップ２１３に内包する素子のＧＮＤは半導体チップ２１３の裏面と導体パターン２１５を銀ペーストなどの導電性接着剤を介して接続されている。
半導体チップ３１３も同様の構成を有し、バイアス回路３１１，バイアス回路３２１、キャパシタＣ３１，Ｃ３２，Ｃ３３、インピーダンス素子Ｚ３１を内包し、パッドＰａｄ３１〜Ｐａｄ３５を介してボンディングワイヤにより誘電体基板２１２と接続される。また、半導体チップ３１３に内包する素子のＧＮＤは半導体チップ３１３の裏面と導体パターン２１５を銀ペーストなどの導電性接着剤を介して接続されている。
【００３７】
また、半導体チップ２１３，半導体チップ３１３は、信頼性確保のため封止用樹脂２１６により封止した状態で実装される。
ここで先に述べた出力整合部Ａ２が内包するインダクタンス素子Ｌ２３と、コレクタバイアス部Ａ１が内包するＬ２２とは１本のマイクロストリップ線路で構成し、高周波増幅用半導体素子ＴＲ２２のコレクタ端子と接続するためのボンディングワイヤのボンド位置Ｊによってインダクタンス素子Ｌ２２とインダクタンス素子Ｌ２３に分けている。ここでは半導体チップ２１３の側について説明したが半導体チップ３１３の側の場合も同様であり、出力整合部Ａ２が内包するインダクタンス素子Ｌ３３と、コレクタバイアス部Ａ１が内包するＬ３２とは１本のマイクロストリップ線路で構成し、高周波増幅用半導体素子ＴＲ３２のコレクタ端子と接続するためのボンディングワイヤのボンド位置Ｊによってインダクタンス素子Ｌ３２とインダクタンス素子Ｌ３３に分けている。図６は半導体チップ２１３の側の取り扱い周波数を切り換えた場合を示している。
【００３８】
このような構成とすることで、ボンディングワイヤのボンド位置Ｊの変更のみで、インダクタンス素子Ｌ２３のインダクタンス値、インダクタンス素子Ｌ３３のインダクタンス値を任意に変更することが可能となる。
【００３９】
なお、インダクタンス素子Ｌ２３の長さによって任意の周波数帯域に最適化するため、周波数帯域によって、インダクタンス素子Ｌ２２，Ｌ３２の長さが従属的に変動するが、実際の使用状態ではインダクタンス素子Ｌ２２，Ｌ３２の長さの変動による整合の変動は小さく、他素子の定数変更で吸収されるため、必ずしも十分な長さをとる必要は無い。
【００４０】
また、他の回路部品の配置においては特に限定は無く、図３，図４，図５によって示した図は一例である。この例ではキャパシタはチップ部品で構成し、半田付けなどによって取り付けられるが、例えば誘電体基板を多層にし、層間の導体パターンによって形成しても構わない。
【００４１】
実際の整合定数をシミュレーション結果によって示すと、誘電体基板２１２の厚み１６０μｍ、比誘電率４．０７、マイクロストリップ線路の幅＝０．１５ｍｍとした場合、キャパシタンスの容量と、インダクタンス素子の長さはそれぞれ、Ｃ２３＝２．６ｐＦ、Ｃ２４＝１．８ｐＦ、Ｃ２５＝５ｐＦ、Ｃ２６＝２ｐＦ、Ｌ２２＝１２ｍｍ、Ｌ２３＝２．８ｍｍ、Ｌ２４＝１．５ｍｍ、Ｌ２５＝０．９ｍｍとした時、周波数１９８０ＭＨｚにおいて高周波増幅用半導体素子ＴＲ２３の負荷インピーダンスは３．３−２．０ｊである。ここで、周波数１７５０ＭＨｚ対応とする場合、Ｌ２３＝３．５ｍｍ、Ｌ２２＝１１．３ｍｍ、Ｃ２６＝２．７ｐＦとすることで、高周波増幅用半導体素子ＴＲ２３の負荷インピーダンスは３．３−２．０ｊとなる。
【００４２】
このように、周波数帯域の変更がボンディングの変更とキャパシタ容量の変更で対応可能となり、複数周波数帯域の対応が基板のパターンの変更無しで可能となった。
（実施の形態２）
図７は高周波増幅回路が取り扱い周波数帯域毎の２つが単一の基板上に構築されている電力増幅モジュールを示しており、図３に示した（実施の形態１）とは導体パターンによって形成されたインダクタンス素子Ｌ２２，Ｌ２３の長さの割合が異なる他は同様であり、インダクタンス素子Ｌ２２とインダクタンス素子Ｌ２３の合わせた長さと、インダクタンス素子Ｌ２２とインダクタンス素子Ｌ２３の割合を変更することにより異なる周波数帯域の対応と、異なる出力レベルの対応が可能となる。
【００４３】
実際の整合定数をシミュレーション結果によって示す。
誘電体基板２１２の厚み１６０μｍ、比誘電率４．０７、マイクロストリップ線路の幅＝０．１５ｍｍとした場合、キャパシタンスの容量と、インダクタンス素子の長さはそれぞれ、Ｃ２３＝３．６ｐＦ、Ｃ２４＝９．８ｐＦ、Ｃ２５＝１０００ｐＦ、Ｃ２６＝１．８５ｐＦ、Ｌ２２＝９．２５ｍｍ、Ｌ２３＝５．５５ｍｍ、Ｌ２４＝１．５ｍｍ、Ｌ２５＝０．９ｍｍとした時、周波数８１０ＭＨｚにおいて高周波増幅用半導体素子ＴＲ２３の負荷インピーダンスは３．９−０．２ｊである。ここで、周波数９２０ＭＨｚ対応とする場合、Ｌ２３＝４．５５ｍｍ、Ｌ２２＝１０．２５ｍｍ、Ｃ２６＝０．５ｐＦとすることで、高周波増幅用半導体素子ＴＲ２３の負荷インピーダンスは３．１−０．２ｊとなる。実部のインピーダンスを変えることで、負荷出力レベルの変更に対応する。このように、周波数帯域の変更と出力レベルの変更がボンディングの変更とキャパシタ容量の変更で対応可能となり、複数周波数帯域の対応が基板変更無しで可能となっている。
【００４４】
（実施の形態３）
図８は高周波増幅回路が取り扱い周波数帯域毎の２つが単一の基板上に構築されている電力増幅モジュールを示しており、導体パターンによって形成されたインダクタンス素子Ｌ２２，Ｌ２３をボンディングにより分けるボンド位置Ｊを明確化するために、ボンド位置Ｊの周辺をレジスト２３１で覆い、インダクタンス素子Ｌ３２，Ｌ３３をボンディングにより分けるボンド位置Ｊを明確化するために、ボンド位置Ｊの周辺をレジスト３３１により覆うことで、任意の周波数もしくは出力レベルの設定を容易にしている点だけが図３に示した（実施の形態１）とは異なっている。
【００４５】
また、このレジスト２３１，３３１は一例の図示であり、この素材や、明確化するための覆いの形状は図８に制限されるものではない。
（実施の形態４）
図９は高周波増幅回路が取り扱い周波数帯域毎の２つが単一の基板上に構築されている電力増幅モジュールを示しており、導体パターンによって形成されたインダクタンス素子Ｌ２２，Ｌ２３をボンディングにより分けるボンド位置Ｊを明確化するために、ボンド位置Ｊの周辺をマーク２３２、導体パターンによって形成されたインダクタンス素子Ｌ３２，Ｌ３３をボンディングにより分けるボンド位置Ｊを明確化するために、ボンド位置Ｊの周辺にマーク３３２を設けることで、ボンド位置を明確化し、任意の周波数もしくは出力レベルの設定を容易にしている点だけが図３に示した（実施の形態１）とは異なっている。
【００４６】
また、このマーク２３２，３３２は一例の図示であり、この形状や位置で制限されるものではない。
（実施の形態５）
図１０は高周波増幅回路が取り扱い周波数帯域毎の２つが単一の基板上に構築されている電力増幅モジュールを示しており、導体パターンによって形成されたインダクタンス素子Ｌ２２，Ｌ２３をボンディングにより分けるボンド位置Ｊを明確化するために、ボンド位置Ｊの導体パターンにメッキなどによりバンプ２４１，２４２を形成し、導体パターンによって形成されたインダクタンス素子Ｌ３２，Ｌ３３をボンディングにより分けるボンド位置Ｊを明確化するために、ボンド位置Ｊの導体パターンにメッキなどによりバンプ２４３，２４４を形成することで、ボンド位置を明確化し、任意の周波数もしくは出力レベルの設定を容易にしている点だけが図３に示した（実施の形態１）とは異なっている。
【００４７】
また、このバンプ２４１，２４２，２４３，２４４は一例の図示であり、この形状や位置で制限されるものではない。
以上のような構造とすることで、任意の周波数帯域を増幅する高周波電力増幅回路を複数持つ電力増幅モジュールを共通の基板によって生産することが可能となる。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
本発明にかかる電力増幅モジュールは、任意の周波数帯を増幅する高周波電力増幅器を複数持つ構成を共通の基板で生産することが可能となるため、携帯端末などの低コスト化、生産性の向上に寄与できる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の（実施の形態１）に係る単体の電力増幅モジュールの回路図
【図２】同実施の形態に係る電力増幅モジュールの回路図
【図３】同実施の形態に係る電力増幅モジュールの基板表面図
【図４】同実施の形態に係る電力増幅モジュールの基板裏面図
【図５】同実施の形態に係る電力増幅モジュールの基板断面図
【図６】同実施の形態に係る電力増幅モジュールの周波数を切り換えた場合の基板表面図
【図７】本発明の（実施の形態２）に係る電力増幅モジュールの基板表面図
【図８】本発明の（実施の形態３）に係る電力増幅モジュールの基板表面図
【図９】本発明の（実施の形態４）に係る電力増幅モジュールの基板表面図
【図１０】本発明の（実施の形態５）に係る電力増幅モジュールの基板表面図
【図１１】従来の整合回路の構成例
【符号の説明】
【００５０】
ＴＲ２２ 高周波増幅用半導体素子
Ｌ２２，Ｌ３２ インダクタンス素子（第１のインダクタ）
Ｌ２３，Ｌ３３ インダクタンス素子（第２のインダクタ）
Ｊ ボンディングワイヤのボンド位置
２１３，３１３ 半導体チップ
２３１，３３１ レジスト
２３２，３３２ マーク
２４１，２４２，２４３，２４４ バンプ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電力増幅モジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
携帯端末などに用いられる電力増幅モジュールは、携帯端末の小型化・低コスト化の要求を受け、常に一層の小型化・低コスト化を要求されている。
また、通信サービスの“いつでも・どこでも”が一国内から、ワールドワイドに拡大され、さらには２Ｇからより高度な３Ｇへの通信方式の過渡期に差し掛かっている。このような状況から携帯端末は仕向地や対応する事業者によって、必要とされる周波数帯域や変調方式に対応しなければならないが、最近では発振器や変調器も集積回路化され、共通となっていることも多い。
【０００３】
しかしながら電力増幅モジュールにおいては、変調方式によって求められる特性に大きく違いがある点、また、複数の周波数帯域に対応するためには、増幅用の半導体素子・整合回路を必要数設ける必要があるため、特性維持には共通化も限界がある。結果、電力増幅モジュールについては他の部分と比べ共通化による利点が少なく、各仕様に対して個別の商品として納品されているのが実情である。
【０００４】
電力増幅モジュール自体の内部要素は、バイアス回路、増幅素子、整合回路、保持する基板と、シンプルな構成であり、各々の設計技術の基礎は共通であり要素そのものは互いに流用可能となることが多い。
【０００５】
特に整合回路を集中定数で構成した場合、周波数帯域の対応は定数の変更のみで対応できる可能性が高い。
図１１は（特許文献１）の電力増幅器を示す。
【０００６】
この電力増幅器は、高周波トランジスタＱ１１と、入力整合回路１２と、出力整合回路１３と、ドレインマイクロストリップ線路Ｌ１２とを具備している。１４は入力端子、Ｃ１１は入力結合用コンデンサ、Ｌ１１は入力側マイクロストリップ線路、Ｃ１２は入力整合用コンデンサ、１５はバイアス電圧供給端子、１６はドレインバイアス供給端子、Ｌ１２はドレインマイクロストリップ線路、Ｃ１４は出力整合用コンデンサ、Ｌ１４は出力整合用マイクロストリップ線路、Ｃ１６は出力結合用コンデンサ、１７は出力端子である。
【０００７】
出力整合回路１３は、途中で分割されたマイクロストリップ線路Ｌ１３と、これら分割されたマイクロストリップ線路Ｌ１３の間を接続する抵抗Ｒ１５とにより並列回路１８が構成されている。
【０００８】
周波数の高域は前記並列回路１８のコンデンサ成分Ｃ１５をそのまま伝搬し、周波数の低域は抵抗Ｒ１５を介して伝搬して、出力端子１７に接続された負荷抵抗との整合を周波数の高域・低域ともにとることができる。
【特許文献１】特開２００３−１８８６６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
図１１の構成では、周波数の高域の整合範囲が、マイクロストリップ線路Ｌ１３とコンデンサ成分Ｃ１５によって限定されるという問題がある。このため上記背景技術にて述べたように、複数の周波数帯域に対応する電力増幅モジュールを作成するためには、マイクロストリップ線路Ｌ１３の長さを個別最適とした各々専用の電力増幅基板を設計する必要がある。このため、部品の共通化という点に対して課題である。
【００１０】
そしてマイクロストリップ線路Ｌ１３を補正するために集中定数部品のインダクタを追加して周波数帯域の整合の最適化を行い基板の共通化を図ったとしても、素子自身の価格と実装コストが追加で必要となり、低コスト化の要求とは反する結果となり、完全な解決とはいえない。
【００１１】
さらに、複数の周波数帯域に対応した電力増幅モジュールを製造する場合、とりうる可能性のある組み合わせに対応した基板を各々作成しなければならず、品種数が膨大となり効率が悪い。
【００１２】
本発明は、任意の周波数帯を増幅する高周波電力増幅器を共通の基板で生産できる高周波モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の電力増幅モジュールは、高周波増幅用半導体素子の出力に第１のインダクタを介してバイアス電圧を印加し、高周波増幅用半導体素子の出力と第１のインダクタとの接続点から第２のインダクタを介して出力信号を取り出す電力増幅モジュールであって、基板に固定した前記高周波用半導体素子を、前記基板に形成された導体パターンにボンディングワイヤにより配線するとともに、前記高周波用半導体素子からのボンディングワイヤを、前記導体パターンにより形成された分布定数線路の途中にボンド接続して前記第１のインダクタと第２のインダクタとに分割して取り扱い周波数整合または出力負荷整合したことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
この構成によると、本発明の電力増幅モジュールは出力整合回路の分布定数線路の長さを電力増幅モジュール基板の配線を変更することなく、任意に設定することが可能なので、使用する複数の周波数帯域、出力電力に応じた専用の電力増幅モジュール基板を各々用意する必要が無く、共通の基板による対応が実現できるという利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の各実施の形態を図１〜図１０に基づいて説明する。
（実施の形態１）
図１〜図６は本発明の（実施の形態１）を示す。
【００１６】
なお、携帯端末などに用いられるこの電力増幅モジュールは、取り扱い周波数帯域毎の高周波増幅回路が単一の基板上に構築されているが、各帯域による構成には差が無いため、先ず、単体の高周波増幅回路について説明する。
【００１７】
図１は、単体の電力増幅モジュールの具体的な回路例を示している。図示された電気回路は、携帯電話装置などの各種の通信機器において、電力増幅モジュールとして周知のものである。但し、図１は単なる例示に過ぎず、本発明に関わる電力増幅モジュールが、図に示される回路に限定されるものでないことは言うまでも無い。
【００１８】
図に例示された電力増幅モジュールの高周波増幅回路は、２つの高周波増幅用半導体素子ＴＲ２１，ＴＲ２２を含んでいる。高周波増幅用半導体素子ＴＲ２１，ＴＲ２２のそれぞれには、整合回路、コレクタバイアス回路、ベースバイアス回路が接続され、１つの回路ブロックを形成する。
【００１９】
高周波増幅用半導体素子ＴＲ２１，ＴＲ２２はバイポーラトランジスタで構成され、入力端子Ｐｉｎから供給された入力信号は、キャパシタＣ２１及びインピーダンス素子Ｚ２１を通って高周波増幅用半導体素子ＴＲ２１のベースに供給される。キャパシタＣ２１及びインピーダンス素子Ｚ２１は、入力信号ラインのインピーダンス（５０Ω）とのインピーダンス整合をとる整合回路を構成する。
【００２０】
高周波増幅用半導体素子ＴＲ２１によって電力増幅された信号は、コレクタバイアス回路を構成するインダクタ素子Ｌ２１と、キャパシタＣ２２とによって構成されたインピーダンス整合回路を通して、高周波増幅用半導体素子ＴＲ２２のベースに供給される。
【００２１】
高周波増幅用半導体素子ＴＲ２２によって電力増幅された信号は、キャパシタＣ２３と、インダクタ素子Ｌ２３と、インダクタ素子Ｌ２４とキャパシタＣ２４とで構成された２次高調波対策部Ａ３と、インダクタ素子Ｌ２５と、キャパシタＣ２５とキャパシタＣ２６とで構成された出力整合部Ａ２を通して出力端子Ｐｏｕｔに供給され出力される。
【００２２】
高周波増幅用半導体素子ＴＲ２１に接続されたバイアス回路２１１は、端子Ａ，Ｂ，Ｃを持ち、端子Ａに制御電圧を加え、端子Ｂに直流電源を加えた際、端子Ｂに加えられた直流電源を端子Ａによって制御した直流電圧及び電流を端子Ｃに出力する機能を有する。端子ＡはＶｒｅｆ端子に接続し、端子ＢはＶｄｃ端子に接続し、端子Ｃは高周波増幅用半導体素子ＴＲ２１のベースに接続し、バイアスを供給する。
【００２３】
高周波増幅用半導体素子ＴＲ２２に接続されたバイアス回路２２１もバイアス回路２１１と同様であり、端子ＡはＶｒｅｆ端子に接続し、端子ＢはＶｄｃ端子に接続し、端子Ｃは高周波増幅用半導体素子ＴＲ２２のベースに接続し、バイアスを供給する。
【００２４】
コレクタバイアス回路を構成するインダクタＬ２１の一方は、先に述べた通り高周波増幅用半導体素子ＴＲ２１のコレクタ端に接続されるが、他方は第１の電源端子Ｖｃｃ１とキャパシタＣ２７の一方が接続されている。キャパシタＣ２７の他方は接地されている。
【００２５】
コレクタバイアス回路を構成するインダクタＬ２２の一方は、先に述べた通り高周波増幅用半導体素子ＴＲ２２のコレクタ端に接続されるが、他方は第２の電源端子Ｖｃｃ２とキャパシタＣ２８の一方が接続されている。キャパシタＣ２８の他方は接地されている。
【００２６】
出力整合部Ａ２は、電力増幅モジュールが取り扱う周波数帯、例えば１７５０〜１７７０ＭＨｚの周波数帯において増幅する対象となる周波数帯（基本波）において、インピーダンス整合をとるための回路である。高周波増幅用半導体素子ＴＲ２２のコレクタ端子には、インダクタンス素子Ｌ２３の一方と他方が接地されたキャパシタＣ２３が接続され、インダクタンス素子Ｌ２３の他方はインダクタンス素子Ｌ２５の一方と２次高調波対策部Ａ３に内包されるインダクタンス素子Ｌ２４と接続される。インダクタンス素子Ｌ２５の他方はキャパシタＣ２５の一方と接続され、キャパシタＣ２５の他方は出力端子Ｐｏｕｔと他方が接地されたキャパシタＣ２６と接続されている。
【００２７】
基本波以外の周波数が出力に伝送した場合には通信機器としての特性劣化となるため、２次高調波対策部Ａ３は２次高調波成分の出力への伝送を防ぐ役割を持つ。このため、インダクタンス素子Ｌ２４及びキャパシタＣ２４からなる回路のインピーダンスは、高周波増幅用半導体素子ＴＲ２２のコレクタ端子から出力端子Ｐｏｕｔ側を見た場合のインピーダンスＺＬが、２次高調波の周波数でゼロになるように設計される。
【００２８】
バイアス回路及びコレクタバイアス部Ａ１は、高周波増幅用半導体素子ＴＲ２２を増幅器として機能させるために、高周波増幅用半導体素子ＴＲ２２に直流バイアスを印加させるためのものである。例えば、ベース電圧に１．３ボルト、コレクタバイアス端子に直流電圧３．５ボルトを供給し、直流電流４００ｍＡを流した状態で、ｆ＝１７５０ＭＨｚ、Ｐ＝１６ｄＢｍの信号をベース端子に入力すると、コレクタ端子に２８ｄＢｍの信号が得られ、高周波増幅用半導体素子ＴＲ２２では１２ｄＢの増幅度が得られる。
【００２９】
また、バイアス回路及びコレクタバイアス部Ａ１では、高周波増幅用半導体素子ＴＲ２２に直流バイアスを印加させると共に、信号を外部へ漏洩させないようにするため、インダクタンス素子Ｌ２２を（λ／４）パターン長を有するマイクロストリップ線路（導体パターン）によって構成し、接地されたキャパシタＣ２８と接続してある。
【００３０】
図２は図１に示した高周波増幅回路が取り扱い周波数帯域毎の２つが単一の基板上に構築されている電力増幅モジュールの回路図、図３は図２に示した電力増幅モジュールの基板表面図、図４は図２に示した電力増幅モジュールの基板裏面図で、図３に示した部品面の側から透視した状態で図示した。図５は図２に示した電力増幅モジュールの基板断面図である。
【００３１】
この図２〜図５に基づいて具体的に説明する。
この電力増幅モジュールは、図１にて説明した電力増幅回路を２つ内包しており、誘電体基板２１２と、半導体チップ２１３，半導体チップ３１３と、キャパシタＣ２４，Ｃ２６，Ｃ２７，Ｃ２８，Ｃ３４，Ｃ３６，Ｃ３７，Ｃ３８を有する。
【００３２】
誘電体基板２１２は、表面に導体パターン２１５、裏面に導体パターン２２２を形成し、導体パターン２１５と導体パターン２２２はスルーホール２１４によって接続される。
図示の誘電体基板２１２は単層であるが、これに限定されるものではなく、複数層を積層した多層構造であっても構わない。
【００３３】
誘電体基板２１２は図２にて示された回路図に含まれる半導体チップ２１３，半導体チップ３１３とキャパシタＣ２４，Ｃ２６，Ｃ２７，Ｃ２８，Ｃ３４，Ｃ３６，Ｃ３７，Ｃ３８を搭載し、且つ、インダクタンス素子Ｌ２１，Ｌ２２，Ｌ２３，Ｌ２４，Ｌ２５，Ｌ３１，Ｌ３２，Ｌ３３，Ｌ３４，Ｌ３５を表面の導体パターン２１５によって形成し、必要な回路構成となるよう接続される。
【００３４】
誘電体基板２１２には、信号入力用端子Ｐｉｎ−１、Ｐｉｎ−２、信号出力用端子Ｐｏｕｔ−１、Ｐｏｕｔ−２、接地端子ＧＮＤ及び電源端子Ｖｒｅｆ−１、Ｖｒｅｆ−２、Ｖｄｃ−１、Ｖｄｃ−２、Ｖｃｃ１−１、Ｖｃｃ１−２、Ｖｃｃ２−１、Ｖｃｃ２−２が裏面の導体パターン２２２により電極の形態で形成される。
【００３５】
また、半導体チップ２１３，半導体チップ３１３はＭＭＩＣ（Microwave Monolithic IC）であり、図２で述べた回路図において、半導体チップ２１３はバイアス回路２１１，バイアス回路２２１、キャパシタＣ２１，Ｃ２２，Ｃ２３、インピーダンス素子Ｚ２１を内包し、パッドＰａｄ２１〜Ｐａｄ２５を介してボンディングワイヤにより誘電体基板２１２上の導体パターン２１５と接続される。
【００３６】
また、半導体チップ２１３に内包する素子のＧＮＤは半導体チップ２１３の裏面と導体パターン２１５を銀ペーストなどの導電性接着剤を介して接続されている。
半導体チップ３１３も同様の構成を有し、バイアス回路３１１，バイアス回路３２１、キャパシタＣ３１，Ｃ３２，Ｃ３３、インピーダンス素子Ｚ３１を内包し、パッドＰａｄ３１〜Ｐａｄ３５を介してボンディングワイヤにより誘電体基板２１２と接続される。また、半導体チップ３１３に内包する素子のＧＮＤは半導体チップ３１３の裏面と導体パターン２１５を銀ペーストなどの導電性接着剤を介して接続されている。
【００３７】
また、半導体チップ２１３，半導体チップ３１３は、信頼性確保のため封止用樹脂２１６により封止した状態で実装される。
ここで先に述べた出力整合部Ａ２が内包するインダクタンス素子Ｌ２３と、コレクタバイアス部Ａ１が内包するＬ２２とは１本のマイクロストリップ線路で構成し、高周波増幅用半導体素子ＴＲ２２のコレクタ端子と接続するためのボンディングワイヤのボンド位置Ｊによってインダクタンス素子Ｌ２２とインダクタンス素子Ｌ２３に分けている。ここでは半導体チップ２１３の側について説明したが半導体チップ３１３の側の場合も同様であり、出力整合部Ａ２が内包するインダクタンス素子Ｌ３３と、コレクタバイアス部Ａ１が内包するＬ３２とは１本のマイクロストリップ線路で構成し、高周波増幅用半導体素子ＴＲ３２のコレクタ端子と接続するためのボンディングワイヤのボンド位置Ｊによってインダクタンス素子Ｌ３２とインダクタンス素子Ｌ３３に分けている。図６は半導体チップ２１３の側の取り扱い周波数を切り換えた場合を示している。
【００３８】
このような構成とすることで、ボンディングワイヤのボンド位置Ｊの変更のみで、インダクタンス素子Ｌ２３のインダクタンス値、インダクタンス素子Ｌ３３のインダクタンス値を任意に変更することが可能となる。
【００３９】
なお、インダクタンス素子Ｌ２３の長さによって任意の周波数帯域に最適化するため、周波数帯域によって、インダクタンス素子Ｌ２２，Ｌ３２の長さが従属的に変動するが、実際の使用状態ではインダクタンス素子Ｌ２２，Ｌ３２の長さの変動による整合の変動は小さく、他素子の定数変更で吸収されるため、必ずしも十分な長さをとる必要は無い。
【００４０】
また、他の回路部品の配置においては特に限定は無く、図３，図４，図５によって示した図は一例である。この例ではキャパシタはチップ部品で構成し、半田付けなどによって取り付けられるが、例えば誘電体基板を多層にし、層間の導体パターンによって形成しても構わない。
【００４１】
実際の整合定数をシミュレーション結果によって示すと、誘電体基板２１２の厚み１６０μｍ、比誘電率４．０７、マイクロストリップ線路の幅＝０．１５ｍｍとした場合、キャパシタンスの容量と、インダクタンス素子の長さはそれぞれ、Ｃ２３＝２．６ｐＦ、Ｃ２４＝１．８ｐＦ、Ｃ２５＝５ｐＦ、Ｃ２６＝２ｐＦ、Ｌ２２＝１２ｍｍ、Ｌ２３＝２．８ｍｍ、Ｌ２４＝１．５ｍｍ、Ｌ２５＝０．９ｍｍとした時、周波数１９８０ＭＨｚにおいて高周波増幅用半導体素子ＴＲ２３の負荷インピーダンスは３．３−２．０ｊである。ここで、周波数１７５０ＭＨｚ対応とする場合、Ｌ２３＝３．５ｍｍ、Ｌ２２＝１１．３ｍｍ、Ｃ２６＝２．７ｐＦとすることで、高周波増幅用半導体素子ＴＲ２３の負荷インピーダンスは３．３−２．０ｊとなる。
【００４２】
このように、周波数帯域の変更がボンディングの変更とキャパシタ容量の変更で対応可能となり、複数周波数帯域の対応が基板のパターンの変更無しで可能となった。
（実施の形態２）
図７は高周波増幅回路が取り扱い周波数帯域毎の２つが単一の基板上に構築されている電力増幅モジュールを示しており、図３に示した（実施の形態１）とは導体パターンによって形成されたインダクタンス素子Ｌ２２，Ｌ２３の長さの割合が異なる他は同様であり、インダクタンス素子Ｌ２２とインダクタンス素子Ｌ２３の合わせた長さと、インダクタンス素子Ｌ２２とインダクタンス素子Ｌ２３の割合を変更することにより異なる周波数帯域の対応と、異なる出力レベルの対応が可能となる。
【００４３】
実際の整合定数をシミュレーション結果によって示す。
誘電体基板２１２の厚み１６０μｍ、比誘電率４．０７、マイクロストリップ線路の幅＝０．１５ｍｍとした場合、キャパシタンスの容量と、インダクタンス素子の長さはそれぞれ、Ｃ２３＝３．６ｐＦ、Ｃ２４＝９．８ｐＦ、Ｃ２５＝１０００ｐＦ、Ｃ２６＝１．８５ｐＦ、Ｌ２２＝９．２５ｍｍ、Ｌ２３＝５．５５ｍｍ、Ｌ２４＝１．５ｍｍ、Ｌ２５＝０．９ｍｍとした時、周波数８１０ＭＨｚにおいて高周波増幅用半導体素子ＴＲ２３の負荷インピーダンスは３．９−０．２ｊである。ここで、周波数９２０ＭＨｚ対応とする場合、Ｌ２３＝４．５５ｍｍ、Ｌ２２＝１０．２５ｍｍ、Ｃ２６＝０．５ｐＦとすることで、高周波増幅用半導体素子ＴＲ２３の負荷インピーダンスは３．１−０．２ｊとなる。実部のインピーダンスを変えることで、負荷出力レベルの変更に対応する。このように、周波数帯域の変更と出力レベルの変更がボンディングの変更とキャパシタ容量の変更で対応可能となり、複数周波数帯域の対応が基板変更無しで可能となっている。
【００４４】
（実施の形態３）
図８は高周波増幅回路が取り扱い周波数帯域毎の２つが単一の基板上に構築されている電力増幅モジュールを示しており、導体パターンによって形成されたインダクタンス素子Ｌ２２，Ｌ２３をボンディングにより分けるボンド位置Ｊを明確化するために、ボンド位置Ｊの周辺をレジスト２３１で覆い、インダクタンス素子Ｌ３２，Ｌ３３をボンディングにより分けるボンド位置Ｊを明確化するために、ボンド位置Ｊの周辺をレジスト３３１により覆うことで、任意の周波数もしくは出力レベルの設定を容易にしている点だけが図３に示した（実施の形態１）とは異なっている。
【００４５】
また、このレジスト２３１，３３１は一例の図示であり、この素材や、明確化するための覆いの形状は図８に制限されるものではない。
（実施の形態４）
図９は高周波増幅回路が取り扱い周波数帯域毎の２つが単一の基板上に構築されている電力増幅モジュールを示しており、導体パターンによって形成されたインダクタンス素子Ｌ２２，Ｌ２３をボンディングにより分けるボンド位置Ｊを明確化するために、ボンド位置Ｊの周辺をマーク２３２、導体パターンによって形成されたインダクタンス素子Ｌ３２，Ｌ３３をボンディングにより分けるボンド位置Ｊを明確化するために、ボンド位置Ｊの周辺にマーク３３２を設けることで、ボンド位置を明確化し、任意の周波数もしくは出力レベルの設定を容易にしている点だけが図３に示した（実施の形態１）とは異なっている。
【００４６】
また、このマーク２３２，３３２は一例の図示であり、この形状や位置で制限されるものではない。
（実施の形態５）
図１０は高周波増幅回路が取り扱い周波数帯域毎の２つが単一の基板上に構築されている電力増幅モジュールを示しており、導体パターンによって形成されたインダクタンス素子Ｌ２２，Ｌ２３をボンディングにより分けるボンド位置Ｊを明確化するために、ボンド位置Ｊの導体パターンにメッキなどによりバンプ２４１，２４２を形成し、導体パターンによって形成されたインダクタンス素子Ｌ３２，Ｌ３３をボンディングにより分けるボンド位置Ｊを明確化するために、ボンド位置Ｊの導体パターンにメッキなどによりバンプ２４３，２４４を形成することで、ボンド位置を明確化し、任意の周波数もしくは出力レベルの設定を容易にしている点だけが図３に示した（実施の形態１）とは異なっている。
【００４７】
また、このバンプ２４１，２４２，２４３，２４４は一例の図示であり、この形状や位置で制限されるものではない。
以上のような構造とすることで、任意の周波数帯域を増幅する高周波電力増幅回路を複数持つ電力増幅モジュールを共通の基板によって生産することが可能となる。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
本発明にかかる電力増幅モジュールは、任意の周波数帯を増幅する高周波電力増幅器を複数持つ構成を共通の基板で生産することが可能となるため、携帯端末などの低コスト化、生産性の向上に寄与できる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の（実施の形態１）に係る単体の電力増幅モジュールの回路図
【図２】同実施の形態に係る電力増幅モジュールの回路図
【図３】同実施の形態に係る電力増幅モジュールの基板表面図
【図４】同実施の形態に係る電力増幅モジュールの基板裏面図
【図５】同実施の形態に係る電力増幅モジュールの基板断面図
【図６】同実施の形態に係る電力増幅モジュールの周波数を切り換えた場合の基板表面図
【図７】本発明の（実施の形態２）に係る電力増幅モジュールの基板表面図
【図８】本発明の（実施の形態３）に係る電力増幅モジュールの基板表面図
【図９】本発明の（実施の形態４）に係る電力増幅モジュールの基板表面図
【図１０】本発明の（実施の形態５）に係る電力増幅モジュールの基板表面図
【図１１】従来の整合回路の構成例
【符号の説明】
【００５０】
ＴＲ２２ 高周波増幅用半導体素子
Ｌ２２，Ｌ３２ インダクタンス素子（第１のインダクタ）
Ｌ２３，Ｌ３３ インダクタンス素子（第２のインダクタ）
Ｊ ボンディングワイヤのボンド位置
２１３，３１３ 半導体チップ
２３１，３３１ レジスト
２３２，３３２ マーク
２４１，２４２，２４３，２４４ バンプ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波増幅用半導体素子の出力に第１のインダクタを介してバイアス電圧を印加し、高周波増幅用半導体素子の出力と第１のインダクタとの接続点から第２のインダクタを介して出力信号を取り出す電力増幅モジュールであって、
基板に固定した前記高周波用半導体素子を、前記基板に形成された導体パターンにボンディングワイヤにより配線するとともに、
前記高周波用半導体素子からのボンディングワイヤを、前記導体パターンにより形成された分布定数線路の途中にボンド接続して前記第１のインダクタと第２のインダクタとに分割して取り扱い周波数整合または出力負荷整合した
電力増幅モジュール。
【請求項２】
ボンド位置周辺をレジスト若しくは樹脂材料により覆った
請求項１記載の電力増幅モジュール。
【請求項３】
ボンド位置に対応して前記基板にマークまたはバンプを付けた請求項１記載の電力増幅モジュール。
【請求項４】
単一の基板上に取り扱い周波数の異なる高周波増幅回路を構築した
請求項１記載の電力増幅モジュール。
【請求項１】
高周波増幅用半導体素子の出力に第１のインダクタを介してバイアス電圧を印加し、高周波増幅用半導体素子の出力と第１のインダクタとの接続点から第２のインダクタを介して出力信号を取り出す電力増幅モジュールであって、
基板に固定した前記高周波用半導体素子を、前記基板に形成された導体パターンにボンディングワイヤにより配線するとともに、
前記高周波用半導体素子からのボンディングワイヤを、前記導体パターンにより形成された分布定数線路の途中にボンド接続して前記第１のインダクタと第２のインダクタとに分割して取り扱い周波数整合または出力負荷整合した
電力増幅モジュール。
【請求項２】
ボンド位置周辺をレジスト若しくは樹脂材料により覆った
請求項１記載の電力増幅モジュール。
【請求項３】
ボンド位置に対応して前記基板にマークまたはバンプを付けた請求項１記載の電力増幅モジュール。
【請求項４】
単一の基板上に取り扱い周波数の異なる高周波増幅回路を構築した
請求項１記載の電力増幅モジュール。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２００６−１４８２６８（Ｐ２００６−１４８２６８Ａ）
【公開日】平成１８年６月８日（２００６．６．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００４−３３２５２７（Ｐ２００４−３３２５２７）
【出願日】平成１６年１１月１７日（２００４．１１．１７）
【出願人】（０００００５８２１）松下電器産業株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年６月８日（２００６．６．８）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年１１月１７日（２００４．１１．１７）
【出願人】（０００００５８２１）松下電器産業株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
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