【課題】不要な振動モードが生じることを抑制できるＭＥＭＳ振動子を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳ振動子１００は、基板１０と、基板１０の上方に配置された第１電極２０と、第１電極２０との間に空隙を有した状態で配置され、第１電極２０との間の静電力によって基板１０の厚み方向に振動可能となる梁部３２、および梁部３２を支持する支持部３４を有する第２電極と、を含み、第２電極３０は、梁部３２を複数有する。 （もっと読む）

【課題】梁部が疲労破壊することを抑制できるＭＥＭＳ振動子を提供する。
【解決手段】本発明に係るＭＥＭＳ振動子１００は、シリコン基板１０と、シリコン基板１０の上方に配置された窒化シリコン層３０と、窒化シリコン層３０の上方に配置された第１電極４０と、第１電極４０との間に空隙を有した状態で配置され、シリコン基板１０の厚み方向に静電力によって振動可能となる梁部５４、および窒化シリコン層３０の上方に配置され、梁部５４を支持する支持部５６を有する第２電極５０と、を含み、第１電極４０および第２電極５０の材質は、導電性を有する単結晶シリコンである。 （もっと読む）

【課題】ねじり振動と別の振動モードが励振されることを抑制できるＭＥＭＳ振動子を提供する。
【解決手段】本発明に係るＭＥＭＳ振動子１００は、ねじり振動する可動電極３０と、可動電極３０と間隙を介して形成された第１固定電極４０および第２固定電極５０と、を含み、可動電極３０は、第１面３２と、第１面３２に接続され互いに反対を向く第２面３４および第３面３６と、を有し、第１固定電極４０は、第１面３２と対向する第４面４２と、第２面３４と対向する第５面４４と、を有し、第２固定電極５０は、第１面３２と対向する第６面５２と、第３面３６と対向する第７面５４と、を有し、第２面３４と第５面４４との間隔Ｄ２は、第１面３２と第４面４２との間隔Ｄ１よりも大きく、第３面３６と第７面５４との間隔Ｄ４は、第１面３２と第６面５２との間隔Ｄ３よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】圧電振動子の発振を高周波で安定に行うことができる発振回路を提供する。
【解決手段】発振回路１は、圧電振動子を所定の周波数で励振させる発振回路部ＥＯを備え、発振回路部の等価回路を、負性抵抗Ｒ_LとリアクタンスＸ_Lとが直接接続された直列モデルで表した場合、発振回路部に対して、リアクタンス素子Ｘ_Pと抵抗Ｒ_Pとが並列に接続されており、発振回路部の一方の端子とリアクタンス素子Ｘ_Pの一方の端子と抵抗Ｒ_Pの一方の端子との接続点、及び、発振回路部の他方の端子とリアクタンス素子Ｘ_Pの他方の端子と抵抗Ｒ_Pの他方の端子との接続点が、圧電振動子との接続を行う圧電振動子接続用端子Ａ，Ｂとされている。ここで、発振回路部、リアクタンス素子Ｘ_P、及び抵抗Ｒ_Pのアドミッタンスの合計のコンダクタンスＧとサセプタンスＢは、下式（２）を満たす。
（もっと読む）

【課題】機械振動を応用した絶縁アンプは、１次側から２次側へ伝達する振動振幅は振動体のＱ値に依存するため、変調レベルが安定せずアナログ信号を高精度で伝達できない。また、Ｑ値が高い振動体を使うと入力信号の変化への追従性が悪くなり、帯域幅がほとんど得られない。
【解決手段】Ｑ値の高い同一の振動体上に、第１の振動数を有する発振用振動子と第２の振動数を有する絶縁用振動子とを形成し、特に第１の振動数と前記第２の振動数とには所定の差を持たせる。発振用振動子により第１の振動数で発振するＡＧＣ機能付きの発振器を構成し、この発振信号に絶縁アンプ入力信号による振幅変調をかけて絶縁用振動子の１次側を振動させ、絶縁用振動子の２次側から得られる信号をＡＧＣモニタ信号をもとに復調することで絶縁アンプ出力信号を得る。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路装置の内部回路に供給されるクロック信号の周波数が、正常時よりも高くなった場合の上記内部回路の暴走を回避する。
【解決手段】半導体集積回路装置（１）において、内部回路（１７）と、水晶振動子を用いた発振動作によりクロック信号を形成する水晶発振回路（１１）と、上記内部回路が正常に動作可能な周波数のクロック信号を形成する内蔵発振器（１４）とを設ける。また上記水晶発振回路で形成されたクロック信号の周波数が、上記内部回路の正常動作の周波数範囲よりも上昇したことを検出可能な異常高速発振検出回路（１３）を設ける。さらに上記異常高速発振検出回路での検出結果に基づいて、上記水晶発振回路で形成されたクロック信号に代えて、上記内蔵発振器で形成されたクロック信号を上記内部回路に供給するための制御回路（１６）を設けることで、内部回路の暴走を回避する。 （もっと読む）

【課題】基本波を逓倍した高次高調波を用いる発振器において、出力レベルと雑音特性を向上させることを目的としている。
【解決手段】基本波及び前記基本波の高次高調波を含む信号を生成する発振回路と、基本波の通過を阻止し、基本波の高次高調波を通過させる周波数選択回路と、を備え、周波数選択回路は、インダクタと第１キャパシタとの並列回路を含み、並列経路の共振周波数が、基本波の周波数に設定されている。 （もっと読む）

【課題】ディスク状の振動板がワイングラスモードで振動するように構成された輪郭振動型のディスク振動子において、当該ディスク振動子の小型化を図ること。
【解決手段】平面で見た時に第１の電極２１、２１を結ぶと共に振動板１０の中心を通る直線をＬとすると、この直線とのなす角度θが４５°となる位置において振動板１０に貫通孔１１を形成し、即ち振動板１０の振動の節となる位置（振動板１０の振動を阻害しない位置）に貫通孔１１を形成し、この貫通孔１１の内壁面とベース基板１（導電膜５）との間を接続するように支持部３０を設ける。 （もっと読む）

【課題】起動時の異常発振を抑えるとともに負荷の大きさによらず電源電圧の低電圧化が可能な発振回路、発振器、電子機器及び発振回路の起動方法を提供すること。
【解決手段】発振回路１は、共振子（水晶振動子１０）と、共振子の一端から他端への帰還経路を有する増幅回路２０と、電圧供給回路３０と、を含む。電圧供給回路３０は、電源電圧Ｖｃｃが入力される時定数回路（抵抗３２とコンデンサー３４によるＲＣ積分回路）を有し、電源電圧Ｖｃｃが入力されてから時定数回路の時定数に応じて立ち上がるとともに増幅回路２０の負荷によらず一定電圧となる駆動電圧Ｖ_Ａを発生させ、駆動電圧Ｖ_Ａを増幅回路２０に供給する。 （もっと読む）

【課題】差動回路を使用することで、貫通電流に起因した高調波ノイズの影響を排除した水晶発振回路を構成することができる。しかし、他の回路が動作することによって生じた高調波ノイズが、水晶発振回路の発振出力に影響を与える場合がある。そのため、電源電圧が変動したことによる影響を軽減し、発振出力のジッタを抑制した水晶発振回路が、望まれる。
【解決手段】水晶発振回路は、水晶振動子を含む共振回路と、共振回路と接続され、差動対を含む信号反転回路と、差動対にバイアス電流を供給する電流源回路と、信号反転回路及び電流源回路に電源を供給する電圧線と信号反転回路の間に接続され、水晶振動子の固有の発振周波数より低い遮断周波数を持つローパスフィルタ回路と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】電源電圧の変動による発振周波数の変動を抑え、安定して発振する発振装置を提供する。
【解決手段】発振装置において、水晶振動子を接続する入出力端子に有する静電保護回路のＮＭＯＳトランジスタのドレインを接地電位に接続し、ゲートとソースと基板は水晶振動子の入出力端子を接続し、さらに接地電位と電源間に静電保護回路を備えることにより、電源電圧の変動による水晶発振回路の寄生容量値は変化せず、発振周波数の変動を抑え、安定して発振できる。 （もっと読む）

【課題】低消費電流を実現できる定電圧回路及びそれを用いた水晶発振回路を提供する。
【解決手段】定電圧回路１０に温度特性調整素子を備えることにより、定電圧の温度変化に対して負となる傾きと、水晶発振回路２０における発振可能な最低動作電圧の温度変化に対して負となる傾きとの差を極小にできるので、水晶発振回路２０の消費電流を小さくでき、さらに定電圧回路１０で生成する定電流を小さくすることにより、定電圧回路１０の消費電流を小さくでき、発振装置１００全体の消費電流を小さくできる。 （もっと読む）

【課題】共振子を接続して発振回路を完成するように設計された集積回路に、温度補償を得るためにＴＣＸＯを接続すると消費電力が大きくなる。
【解決手段】振動子ユニット２０は水晶振動子Ｘtalを含んで一体に構成され、Ｘtalの両端子を外部回路に接続するための外部接続端子Ｎ１，Ｎ２を備える。振動子ユニット２０は、Ｘtalに接続された可変容量キャパシタＣ_Ｖと、Ｃ_Ｖの容量を制御する温度補償部２８とを有する。温度補償部２８はＸtalの近傍における温度を検知する温度センサ回路３０を備え、振動子ユニット２０の外部からのトリガ信号の入力に応じて、温度センサ回路３０の検知出力に基づいてＣ_Ｖの容量を調節する。 （もっと読む）

【課題】ＣＩ値が小さく、近傍のスプリアスを抑圧した高周波の小型圧電振動素子を基本波で実現する。
【解決手段】圧電振動素子１は、矩形の振動領域１２、及び支持部１３を有する圧電基板１０と、励振電極２５ａ、２５ｂと、リード電極２７ａ、２７ｂと、を備えている。支持部１３は、第１の支持部１４、第２の支持部１５、第３の支持部１６及び第４の支持部と、を備えている。第２の支持部１５は、第２の傾斜部１５ｂと、第２の支持部本体１５ａと、を備えており、第２の支持部１５には、少なくとも一つのスリット２０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ＣＩ値が小さく、近傍のスプリアスが抑圧され、耐衝撃性に強い小型圧電振動素子を基本波で実現する。
【解決手段】圧電振動素子１は、矩形の振動領域１２、及振動領域１２と一体化された厚肉の支持部１３を有する圧電基板１０と、励振電極２５ａ、２５ｂと、リード電極２７ａ、２７ｂと、を備えている。支持部１３は、第１の支持部１４と、第１の支持部１４の一端に連設する第２の支持部１５と、第１の支持部１４の他端に連設する第３の支持部１６と、を備えている。第１の支持部１４は、厚みが変化する第１の傾斜部１４ｂと、四角柱状の第１の支持部本体１４ａと、を備え、第１の支持部１４には少なくとも一つのスリット２０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ＣＩ値が小さく、近傍のスプリアスを抑圧した高周波の小型圧電振動素子を基本波で実現する。
【解決手段】圧電振動素子１は、矩形の振動領域１２、及振動領域１２と一体化された厚肉の支持部１３を有する圧電基板１０と、励振電極２５ａ、２５ｂと、リード電極２７ａ、２７ｂと、を備えている。支持部１３は、第１の支持部１４と、第１の支持部１４との一端に連設する第２の支持部１５、を備えている。第１の支持部１４は、厚みが変化する第１の傾斜部１４ｂと、四角柱状の第１の支持部本体１４ａと、を備え、第１の支持部１４には少なくとも一つのスリット２０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】高い周波数精度を有するＭＥＭＳ振動子を提供する。
【解決手段】本発明に係るＭＥＭＳ振動子１００は、基板１０と、基板１０の上方に配置され、開口部２２が形成された第１絶縁層２０と、開口部２２を覆って、第１絶縁層２０の上方に配置された第２絶縁層３０と、第２絶縁層３０の上方に配置された第１電極４０と、第１電極４０との間に空隙を有した状態で配置され、基板１０の厚み方向に静電力によって振動可能となる梁部５２、梁部５２の一端を支持し第２絶縁層３０の上方に配置された第１支持部５４、および梁部５２の他端を支持し第２絶縁層３０の上方に配置された第２支持部５６を有する第２電極５０と、を含み、基板１０の厚み方向からの平面視において、開口部２２の少なくとも一部は、第１支持部５４と第２支持部５６との間に配置されている。 （もっと読む）

【課題】高い信頼性を有する電子装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る電子装置１００は、基板１０と、基板１０の上方に形成された機能素子２０と、機能素子２０が配置された空洞部１を画成する包囲壁４０と、基板１０の上方に形成され、機能素子２０に接続された配線層３０，３２と、を含み、配線層３０，３２は、基板１０と包囲壁４０との間を通って、包囲壁４０の外側まで延出され、包囲壁４０は、窒化シリコン層４２と、金属層およびシリコン層の少なくとも１層である導電層と、を有し、配線層３０，３２と導電層４４との間には、窒化シリコン層４２が配置されている。 （もっと読む）

【課題】出力波形を高調波が発生しない様に調整する事ができ、高次高調波の抑圧効果の高い水晶発振回路の提供。
【解決手段】水晶振動子を振動源とする発振回路部と、この発振回路部の出力信号を入力とするＣＭＯＳトランジスタのインバータからなる複数段のバッファ回路部１１、１２、１３と、このバッファ回路部の出力から直流成分をカットするキャパシタＣＢ１、ＣＢ２を介して増幅するＣＭＯＳプッシュプル型増幅回路１４とを備えた水晶発振回路に於いて、バッファ回路部１３のＣＭＯＳトランジスタＴｐ４とＣＭＯＳトランジスタＴｎ４間に抵抗素子Ｒ３、Ｒ４を接続し、その中間点はバッファ回路部１３の出力として、前記抵抗素子と前記キャパシタとからなる時定数で出力信号の波形成形を行い、且つ前記抵抗素子のバイパス回路１６をメモリ設定にて、ＭＯＳスイッチ手段１７のオン／オフ切り替えにより可能とするメモリを備えてなる。 （もっと読む）