【課題】電圧制御発振器の共振容量値のうち固定容量の容量値を等価的に減少させることにより、共振容量の可変分を増加させ、発振周波数範囲を拡大する。
【解決手段】差動出力用の共振ノードＯＵＴ，ＯＵＴＢを有する差動型の負性コンダクタンス発生回路１１と、容量値が電圧制御によって制御される可変容量とインダクタンスとが並列接続された差動型の共振回路１０と、差動型の負性インピーダンス回路１３とを備える。共振ノード間に共振回路と負性インピーダンス回路が接続される。共振ノード間に生じている固定容量の容量値が負性インピーダンス回路が呈する負性インピーダンスによって低減される。固定容量は、共振ノードＯＵＴと接地電位との間及び共振ノードＯＵＴＢと接地電位との間のそれぞれに生じている浮遊容量で代表される。 （もっと読む）

【課題】 発振周波数を下げたときに発振停止を起こしにくくし、さらに、温度が上昇したときにも発振停止を起こしにくくする。
【解決手段】 ミキサトランジスタ８６〜８９のコレクタバイアス電流と発振トランジスタ６１、６２のコレクタバイアス電流とを設定するためのバイアス電源７４を設け、制御電圧Ｖｔが第１の所定値以上のときよりも第１の所定値以下のときにバイアス電源７４の出力電圧を高くしてミキサトランジスタ８６〜８９のコレクタバイアス電流又は発振トランジスタ６１、６２のコレクタバイアス電流の少なくとも一方を大きくした。 （もっと読む）

【課題】 インダクタを制御信号により連続的に変化可能とすることにより、発振器およびＰＬＬ回路の機能および性能を向上させる。
【解決手段】 インダクタンスが変化する可変インダクタ部と、可変インダクタ部に接続された可変容量素子と、可変インダクタ部のインダクタンスと可変容量素子の容量とで決まる発振周波数により発振する出力部と、発振周波数を変調する周波数制御信号を生成する制御信号生成手段とを含む。可変インダクタ部は、第１インダクタと、第１インダクタに流れる電流を表す電気信号を検出し、電気信号に基づいて電流信号を生成する電流信号生成手段と、電流信号を受ける第２インダクタとを含み、第１インダクタと第２インダクタを所定の磁気的結合位置に配置し、第１インダクタのインダクタンスを所望の値にする。 （もっと読む）

【課題】 ２つの発振信号を切り替えて共通の端子から出力する場合に、発振信号の減衰を少なくする。
【解決手段】 第１の周波数帯の発振信号を出力する第１の発振トランジスタ１１と、第１の発振トランジスタ１１のコレクタに電源を供給する第１のインダクタ１２と、第１の発振トランジスタ１１の動作を切り替える第１のスイッチ素子１６と、第２の周波数帯の発振信号を出力する第２の発振トランジスタ２１と、第２の発振トランジスタ２１のコレクタに電源を供給する第２のインダクタ２２と、第２の発振トランジスタ２１の動作を切り替える第２のスイッチ素子２６と、第１の周波数帯の発振信号又は第２の周波数帯の発振信号を外部に出力する出力端子３０とを備え、第１のインダクタ１２と出力端子３０との間に第１のスイッチ素子１６を介挿し、第２のインダクタ２２と出力端子と３０の間に第２のスイッチ素子２２を介挿した （もっと読む）

電磁界の放射を抑圧し、高いＱをもったＴＭＯ１０モード共振器装置、発振器装置および送受信装置を提供する。 誘電体基板１の表面１Ａと裏面１Ｂにそれぞれ円形状の共振器電極２Ａ，２Ｂを互いに対向して設け、ＴＭＯ１０モード共振器２を形成する。また、誘電体基板１には、円形状の共振器電極２Ａ，２Ｂに沿って内壁面３Ａの電極が省かれた複数のスルーホール３を設け、これらのスルーホール３によって開放端を形成する。これにより、誘電体基板１内に形成される電磁界をスルーホール３と空気との境界で全反射させることができ、電磁界の放射を抑圧することができる。
（もっと読む）

【課題】 左手系デバイスによるカプラ２を用いることにより、小型化を維持しつつも、発振周波数の広帯域化を実現する高周波発振器を得る。
【解決手段】 左手系デバイスによるカプラ２は、ＦＥＴ１のゲート端子にポート１が接続され、そのポート１を入力ポートとした場合に、周波数帯域ｆｂ１に対しては、ポート２，４がアイソレーションポート、ポート３が通過ポートであり、周波数帯域ｆｂ２に対しては、ポート２が通過ポート、ポート３，４がアイソレーションポートとなるものである。共振回路４ａ、カプラ２のポート１，３、ＦＥＴ１および同調回路５を通じて周波数帯域ｆｂ１で発振し、共振回路４ｂ、カプラ２のポート１，２、ＦＥＴ１および同調回路５を通じて周波数帯域ｆｂ２で発振することができ、小型化を維持しつつも、発振周波数の広帯域化を実現する高周波発振器を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 インダクタを制御信号により連続的に変化可能とすることにより、電圧制御発振器の機能および性能を向上させる。
【解決手段】 第１インダクタ（１）と、第１インダクタ（１）に流れる電流を検出する電流検出回路（３）と、検出された電流に基づいて電流信号を生成する電流源（４）と、電流信号を受ける第２インダクタ（２）とを有し、第１インダクタ（１）と第２インダクタ（２）を所定の磁気的結合位置に配置し、第１インダクタ（１）のインダクタンスを所望の値にすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 バラクタダイオードの容量値が温度に依存して発振周波数が変化するのを抑える。
【解決手段】 発振トランジスタ３１、３２と、カソードに発振周波数制御用の制御電圧が印加されるバラクタダイオード３７ａ、３７ｂを有して発振トランジスタ３１、３２のコレクタとベースとの間に結合された共振回路３７とを備え、バラクタダイオード３７ａ、３７ｂのアノードにバイアス電圧を印加するためのバイアス電源４２を設け、バイアス電圧に負の温度特性を持たせ、温度によるバラクタダイオード３７ａ、３７ｂの容量値変化に起因する発振周波数変化をバイアス電圧の温度による変化によって補正した。 （もっと読む）

【課題】
複数系統を有する通信装置において、幅広い温度環境においても通信を継続するとともに、装置の小型化を図る。
【解決手段】
並列接続された複数の静電容量を適宜接続・開放することにより発振周波数を切り換え可能なＩＣ化局部発振器を具備し、温度変化に応じて一つの信号経路における静電容量値の設定を変更し、その後任意の時間経過をもって他の信号経路の発振器における静電容量値の設定を変更する。 （もっと読む）

【課題】 低電源電圧においても、可変容量素子の素子面積を増大させることや、制御電圧のレベル変換を行うことなく、可変容量素子の可変容量幅を最大限に広げることが可能な可変容量回路および可変容量の制御方法を提供すること。
【解決手段】 可変容量回路２は、容量値制御回路１１、バラクタＶＡ１およびＶＡ２、抵抗素子Ｒ１およびＲ２を備える。容量値制御回路１１は、入力される制御電圧ＶＴに応じて、可変な出力電圧ＣＮＴＯＵＴを出力することで、バラクタの両端の電位を同時に制御する。出力電圧ＣＮＴＯＵＴは、制御電圧ＶＴに対して、負の相関を有するように可変に調整される。端子間電圧ＶＤの変動幅を、変動幅ＳＡ１から変動幅ＳＡ１ａ（レンジは±（Ｖｃｃ１））へ拡大することができる。すると図５（Ｂ）に示すように、バラクタ容量値ＣＶの可変領域を、可変領域ＣＡ１から可変領域ＣＡ１ａへ広げることができる。 （もっと読む）

【課題】 発振周波数帯の切替に連動して各周波数帯に最適なバイアス電圧を発振トランジスタに印加する。
【解決手段】 発振トランジスタ１と、互いに異なる発振周波数帯にそれぞれ対応して設けられた共振回路９、１１と、１つの共振回路を選択して発振トランジスタ１のベースとコレクタとの間に結合する切替手段１２とを備え、選択された共振回路に対応したバイアス電圧を切換手段１２によって発振トランジスタ１のベースに印加した。 （もっと読む）

【課題】 発振信号を取り出す段階で高調波、特にレベルの大きい２倍高調波を効果的に抑制できる発振回路を提供する。
【解決手段】 コレクタ又はベースが高周波的に接地された発振トランジスタ２１と、発振トランジスタ２１のエミッタを直流的にグランドに接続するバイアス抵抗２７とを備え、発振周波数でインピーダンスが最大となる共振手段２８を前イアス抵抗２７とグランドとの間に介挿し、バイアス抵抗２７と共振手段２８との接続点から発振信号を取り出した。 （もっと読む）

【課題】 消費電力が少なく、回路面積が小さい電圧制御発振器において、位相雑音特性を向上させる。
【解決手段】 本発明による電圧制御発振器は、相互に並列接続されたインダクタンスＬ１１と可変容量Ｃ１１及び１２とを備えたＬＣ共振回路１と、ＬＣ共振回路１に接続され、ＬＣ共振回路１による発振を持続させるための負性コンダクタンスを有する発振トランジスタ対２及び３と、電流源４とを備え、電流源４と発振トランジスタ対２とは抵抗８を介して接続され、ＬＣ共振回路１の発振動作に伴う偶数次高調波が電流源４に入力されるのが抑制される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ある周波数を発振するに際して、いずれの電圧制御発振回路を選択すべきかを一意的に決定することが可能な電圧制御発振器を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る電圧制御発振器は、複数の電圧制御発振回路（図６ではＶＣＯ１〜ＶＣＯ３）と、そのうちの１つを選択して動作させる選択回路と、を有して成り、隣接する電圧制御発振回路の発振周波数可変域がその端部で互いに重複されて成る電圧制御発振器において、最も低域側にばらついた状態（ｌｏｗ状態）におけるｎ（≧１）番目の電圧制御発振回路の上端周波数が、最も高域側にばらついた状態（ｈｉｇｈ状態）におけるｍ（＝ｎ＋１）番目の電圧制御発振回路の下端周波数よりも高くなるように、各電圧制御発振回路の発振周波数可変域を調整して成る構成とされている。 （もっと読む）

【課題】 従来の電圧制御型発振器に比べ、電圧による発振周波数の制御性が良い発振装置を提供する。
【解決手段】 発振装置１０は、電圧制御型発振器１と、制御電圧供給回路２とを備える。電圧制御型発振器１は、入力電圧Ｖ_ｉｎのビット数に対応して３個の可変容量ダイオード１４１〜１４３を含み、可変容量ダイオード１４１〜１４３は、ノードＮ４，Ｎ５間に並列に接続される。制御電圧供給回路２は、３ビット［Ａ３Ａ２Ａ１］からなる入力電圧Ｖ_ｉｎに基づいて、３個の可変容量ダイオード１４１〜１４３の３個の容量の和が入力電圧Ｖ_ｉｎに比例するように制御電圧Ｖ_ＣＴＬ１，Ｖ_ＣＴＬ２，Ｖ_ＣＴＬ３を決定し、その決定した制御電圧をそれぞれ可変容量ダイオード１４１〜１４３へ供給する。 （もっと読む）

【課題】 発振トランジスタ側の負性抵抗を周波数が離れた２つの周波数帯でも十分に得られるようにして、何れの周波数帯でも安定して発振させる
【解決手段】 発振トランジスタ２０のベース−コレクタ間に介挿される共振回路２６は周波数が異なる２つの周波数帯に対応して共振周波数が切り替えられるように構成され、ベース−エミッタ間に介挿される第１の帰還手段２４又はエミッタ−コレクタ間に介挿される第２の帰還手段２５の少なくとも一方を３個のリアクタンス素子を直並列に接続して２つの周波数帯で共に誘導性又は容量性を呈するように構成すると共に、帰還手段の他方を２つの周波数帯で一方の帰還手段と同じく誘導性又は容量性とし、２つの周波数帯で発振させた。 （もっと読む）

【課題】 広い周波数範囲を取ることができ、また発振安定性を改善することができるＷ−ＣＤＭＡ用の電圧制御発振器、ＲＦ−ＩＣを提供する。
【解決手段】 電圧制御発振器（ＲＦ−ＩＣ）において、共振回路の共振用Ａ，Ｂインダクタ１４，１５との間で磁気的相互作用を発生する切替用Ａ，Ｂインダクタ１２，１３と、共振用Ａ，Ｂインダクタ１４，１５と切替用Ａ，Ｂインダクタ１２，１３との間の磁気的相互作用によりインダクタンス値を切り替えるスイッチ機能、切替用Ａ，Ｂインダクタ１２，１３の負荷となる負荷機能を兼ね備えたスイッチ・負荷手段としての、Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ＿ＮＭＯＳ６，７，８，９とを備え、制御信号によりＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄ＿ＮＭＯＳ６，７，８，９のオン・オフをさせて相互誘導を制御し、共振回路のインダクタンス値を切り替えて発振周波数を切り替える。また、インダクタンス値を上げて発振安定性を上げる。 （もっと読む）

【課題】 ほぼ均一な周波数ステップを実現し、可変周波数範囲を拡大することが可能なキャパシタアレイ回路及びそれを用いた電圧制御発振器を提供する。
【解決手段】 端子ＶＣＯout1、ＶＣＯout2の間に、キャパシタＣ０、スイッチ用トランジスタＱＮ０が直列に接続され、これと並列に、キャパシタＣ１、スイッチ用トランジスタＱＮ１が直列に接続され、…、これらと並列に、キャパシタＣｎ、スイッチ用トランジスタＱＮｎが直列に接続されており、スイッチ用トランジスタはそれぞれゲートにトリミング信号Ｔが入力されて導通が制御され、第ｊ（ｊは２以上でｎ以下の整数）のキャパシタの容量は、第ｊ−１のキャパシタの容量の２倍の値より小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 電圧制御発振器の小型・低価格化を図りつつ、優れた発振特性が得られるようにする。
【解決手段】 電界効果型トランジスタＴ１、Ｔ２、可変容量素子Ｐ１、Ｐ２、バッファＢ１、Ｂ２および定電流源Ｇ１を半導体チップＫ１に形成し、インダクタＬ１、Ｌ２およびキャパシタＣ１、Ｃ２は低温焼成セラミック基板Ｋ２に形成し、低温焼成セラミック基板Ｋ２上に半導体チップＫ１をフェースダウン実装することにより、電界効果型トランジスタＴ１、Ｔ２、インダクタＬ１、Ｌ２およびキャパシタＣ１、Ｃ２にてコルビッツ差動型共振器を構成する。 （もっと読む）

本発明は、容量性負荷を生成するための、共振器手段（１０２）と、この共振器手段に対称的に結合され、容量性負荷を提供する別のエミッタフォロワ（１２０、１２２）に接続された第１および第２のエミッタフォロワ（１１６、１１８）とを備える発振器回路に関する。
（もっと読む）