【課題】発振周波数の安定化を図りつつ、位相ノイズの増加を抑えることができる電圧制御発振器を提供する。
【解決手段】電圧制御発振器は、インダクタセクション２０、バラクタセクション２２、ネガティブＧｍセクション２１、トリミングキャパシタアレイ２３及びバイアス回路Ｒ１０〜Ｒ１５，Ｒ２０〜Ｒ２５を備えている。バイアス回路は、上記トランジスタ２６−０〜２６−５，２７−０〜２７−５とキャパシタＣ１０〜Ｃ１５，Ｃ２０〜Ｃ２５との接続点Ｎ４にバイアス電圧Ｖｂｉａｓを与える。キャパシタを切り離すトランジスタのドレインをバイアスすることによって寄生ダイオードをオンしないようにでき、それによって位相ノイズの増加を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 制御電圧に対する発振周波数特性の線形性のよい、簡易な構成の電圧制御発振器を提供する。
【解決手段】 電圧変換回路１において、制御電圧Ｖ＿ＣＮＴが０Ｖから一定レベルＶfに到達するまでは、出力ノードＮ２の電位Ｖ＿Ｎ２が電源電位ＶＣＣを維持する。制御電圧Ｖ＿ＣＮＴが一定レベルＶfよりも高くなると、出力ノードＮ２の電位Ｖ＿Ｎ２が緩やかに低下する。これに応じて、可変容量素子２３の容量Ｃ＿ＶＤは緩やかに減少する。したがって、制御電圧に対する発振周波数特性の線形性のよい、簡易な構成の電圧制御発振器が実現できる。また、電圧変換回路の構成部品が少なくてすむため、電圧制御発振器の小型化、低価格化が図れる。 （もっと読む）

【課題】 帯域反射型発振回路において、共振回路に対する特性調整方法によれば、発振周波数を調整することが可能であるが、発振回路の出力特性や変調幅を調整することには向かず、増幅回路に対する特性調整方法では、出力信号が大きく減衰したり、負荷変動に対する特性変動が大きくなったりすることがあった。
【解決手段】 高周波発振回路１００において、共振回路１と増幅回路２を接続するＦＥＴ９のドレイン端側に特性調整用のオープンスタブ１４を設けて、トリミングまたは誘電体チップの付加を行う。ＦＥＴ９のソース端側から出力端子１３の間で、インピーダンス変化がないため、出力信号が大きく減衰したり、負荷変動に対する特性変動が生じたりすることなく、負荷変動特性が安定した状態で発振周波数特性、出力特性、および変調幅特性が調整可能になる。 （もっと読む）

【課題】線形及び単調な容量特性を持つ電圧制御発振器を達成し、これによる連続及び単調な利得が得られ、位相雑音の低減を可能とする。
【解決手段】 電圧制御発振器は、増幅器（５）と、インダクタ（Ｌ）、及びその制御電圧によって変化する容量をそれぞれ有する、直列に接続の第１（Ｃ_ｖ＋）及び第２（Ｃ_ｖ−）の可変コンデンサを備える発振システム（６）とを備える。可変コンデンサの１つ（Ｃ_ｖ＋）の容量は、その制御電圧と同方向に変化し、他の可変コンデンサ（Ｃ_ｖ−）の容量は、その制御電圧と反対方向に変化する。固定容量を有するコンデンサは、第１（Ｃ_ｖ＋）及び第２（Ｃ_ｖ−）の可変コンデンサと直列又は並列に接続され、第１及び第２の可変コンデンサは、各々ＰＭＯＳ及びＮＭＯＳ型トランジスタにて形成される。追加の第１及び第２の可変コンデンサの追加の列は、第１及び第２の可変コンデンサと並列に接続される事ができる。 （もっと読む）

【課題】発振振幅拡大時に、発振トランジスタのＭＯＳＦＥＴが線形領域で動作するのを防ぐことによって、低位相雑音の電圧制御発振器を提供すること。
【解決手段】レベルシフト用トランジスタ１０ａ、１０ｂ、抵抗素子１２ａ、１２ｂ、および定電流源トランジスタ１１ａ、１１ｂからなるソースフォロワ回路を、発振トランジスタのドレイン端子から他方の発振トランジスタのゲート端子への帰還経路の途中に挿入する。このことによって、発振振幅拡大時に、発振トランジスタ１ａ、１ｂが線形領域で動作するのを防ぐことができるので、低位相雑音の電圧制御発振器を実現できる。 （もっと読む）

【課題】 発振周波数の初期設定を複数のヒューズの導通・溶断により行う簡素な構造の電圧制御発振器を提供する。
【解決手段】 電圧制御発振器の共振回路１１には共振周波数調整回路１３が備えられている。共振周波数調整回路１３は、バラクタダイオードＶＤのカソードと接地との間に直列接続されるコイルＬ１１〜Ｌ１３および高周波接地用コンデンサＣ１３と、コイルＬ１１，Ｌ１２の接続点に接続するヒューズＦ１１、ヒューズＦ１１と接地との間に並列接続される高周波接地用コンデンサＣ１１およびツェナーダイオードＺＤ１１と、コイルＬ１２，Ｌ１３の接続点に接続するヒューズＦ１２、ヒューズＦ１２と接地との間に並列接続される高周波接地用コンデンサＣ１２およびツェナーダイオードＺＤ１２と、からなる。ツェナーダイオードＺＤ１１，ＺＤ１２はブレークダウン電圧が異なり、これらには制御電圧入力端子５から調整用電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】 広い周波数可変範囲を得るために複数のバンドを用いた場合、全てのバンドにおいて、良好な位相雑音特性を有し、かつ周波数感度を同程度にすることができる電圧制御発振器を提供すること。
【解決手段】 電圧制御発振器は、インダクタ回路と可変容量回路と高周波スイッチ回路とで構成された並列共振回路と、負性抵抗回路と、周波数制御部と、周波数感度制御部とを備える。周波数制御部は、高周波スイッチ回路が有するスイッチング素子のオンオフを制御することによって、発振周波数のバンドをシフトさせる。周波数感度制御部は、使用するバンドに応じて、制御電圧に対する可変容量回路全体の容量の変化率を調整する。周波数感度制御部は、差動信号の仮想接地点に接続されている。 （もっと読む）

【課題】バイポーラトランジスタを形成する半導体層のうち、ベース層とコレクタ層とで構成されるＰＮ接合及びバイポーラトランジスタを用いて同一半導体基板上に容量成分と直列に繋がる抵抗成分の小さい可変容量素子を備えた電圧制御発振回路を形成できるようにした半導体装置を提供する。
【解決手段】バイポーラトランジスタ（ＢＰＴ）を形成する半導体層のうちベース層とコレクタ層とによって形成されるＰＮ接合を、単一のコレクタ層８に複数のベース層９を形成することによって複数個のＰＮ接合を形成すると共に、各ＰＮ接合を上記コレクタ層を共通として逆直列接続し、各ベース層間に発生する容量が共通のコレクタ層に印加する電圧に応じて変化するようにした可変容量素子３１を同一半導体基板６上に形成されたＢＰＴ１０と組み合わせて接続することにより電圧制御発振回路を形成する構成とする。 （もっと読む）

【課題】 電界効果トランジスタを用いる電圧制御発振器において、電源電圧変動に伴う発振周波数の揺れを小さくするためにバックゲート端子をソースに接続すると、基板ロスが大きくなり位相雑音特性が劣化する。
【解決手段】 発振トランジスタ１１５のバックゲート端子を、高インピーダンス素子１１９を介してソース端子に接続し、発振トランジスタ１１６のバックゲート端子を、高インピーダンス素子１２０を介してソース端子に接続する。 （もっと読む）

【課題】 簡素な構造で、優れたＱ値、およびＣ／Ｎ特性を有し、負荷特性に優れる高周波発振器を構成する。
【解決手段】 高周波発振器は、共振回路１０と、該共振回路１０に接続するとともに出力端子ＯＵＴに接続する帰還増幅回路１とを備える。帰還増幅回路１は、ベースが共振回路１０に接続し、コレクタがインダクタＬ１１を介して駆動電源端子Ｖｂに接続するとともにコンデンサＣ２を介してグランドに接続することにより高周波的に接地し、エミッタがエミッタ抵抗Ｒ１、インダクタＬ１の直列回路とコンデンサＣ１とを介してグランドに接続し、ベース−エミッタ間に帰還用コンデンサＣ３が接続した発振用トランジスタＴｒ１を備える。この発振用トランジスタＴｒ１のベースがバイアス抵抗Ｒ１２を介して出力端子ＯＵＴに接続する。 （もっと読む）

ＬＣ発振器（１）は、一対のコンデンサ（Ｃｖａ，Ｃｖｂ）及び一対のインダクタンス（Ｌａ，Ｌｂ）が結合される交差結合されたＰＭＯＳトランジスタ対（Ｍａ，Ｍｂ）を有する。発振器の信号増幅を向上させるために、各々のＰＭＯＳトランジスタのドレインと、好ましくはソースとの間に結合される一対の補助トランジスタ回路（Ｑａ，Ｑｂ；Ｎａ，Ｎｂ）が設けられる。同調範囲を拡大することを可能にするためにコンデンサ（Ｃｖａ，Ｃｖｂ）は好ましくは可変コンデンサであり、インダクタンス（Ｌａ，Ｌｂ）は好ましくはグランドに接続される。
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セルラー電話のような電池から電力を得る装置中の集積回路電圧制御発振器（ＶＣＯ）は、比較的狭い制御電圧範囲を使用して非常に広い周波数範囲にわたって同調するように構成されることができる。ＶＣＯの周波数応答は、ＶＣＯ共振回路の一部を形成するバラクタ310a-310bに温度可変電圧ソースを与えることにより温度補償されることができる。バラクタのレファレンス端部は、バラクタ温度依存性を実質的に補償する温度依存性を有する温度依存電圧ソース370、380により供給されることができる。温度依存電圧ソース370,380は、絶対温度比例（ＰＴＡＴ）装置であることができる。ＶＣＯは、基板上に製造されたＣＭＯＳ発振器、基板上のＬＣ共振タンク、および共通の陽極接続を有する少なくとも一対のバラクタ310a、310b；320a、320bを含んでいる。 （もっと読む）

ＬＣ発振器のチューニング方法と装置が開示されている。本発明の実施形態は、ビット比較時間を適応的に制御し、最少の粗チューニング時間が得られるようにすることを含んでいる。ビット比較時間は、ＬＣ発振器のキャパシタアレイ内の対応する加重キャパシタの冗長量に逆比例してスケーリングされる。 （もっと読む）

周波数およびプロトコルにとらわれない、デジタル入力および出力を有する無線周波数集積回路（ＲＦＩＣ）から構成される、完全統合型の、プログラム可能な混合信号トランシーバで、トランシーバは、複数の無線周波数帯域および規格にプログラム可能かつ構成可能で、多くのネットワークおよびサービスプロバイダに接続可能である。ＲＦＩＣは、インダクタンスと、第１の制御信号に応じて同調可能な共振回路にスイッチを入れられ切られるように構成される複数の切り替え可能なキャパシタと、第２の制御信号に応じて変更されることができる少なくとも１つの可変キャパシタとを有する伝送回線を含む同調可能な共振回路を含み、共振回路の共振中心周波数は、複数の切り替え可能なキャパシタの第１のキャパシタンス値と、少なくとも１つの可変キャパシタの第２のキャパシタンス値とを制御する第１および第２の制御信号に応じて電気的に同調可能である。
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従来技術の不利な点を取り除き、特性（１）高い長期安定性、（２）低位相雑音、（３）高耐熱性、（４）その基準発振器の周波数についての正確な値、を改善したＭＥＭＳ基準発振器を提供することが、本発明の目的である。
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本発明は、発振器および周波数シンセサイザに関する。特に、電圧制御デジタルアナログ発振器およびこれを用いた周波数シンセサイザに関する。
本発明は、アナログ入力端に入力される電圧およびデジタル入力端に入力されるデジタル値によって出力信号の周波数が決定される発振器と、間欠的に前記アナログ入力端に入力される電圧を第１の閾値電圧および第２の閾値電圧と大小を比較し、その結果に応じて前記デジタル入力端に入力されるデジタル値を変化させるデジタル同調器と、を備える電圧制御デジタルアナログ発振器を提供する。また、これを用いた周波数シンセサイザを提供する。本発明に係る発振器および周波数シンセサイザは、雑音が少ないながらも、広帯域の周波数出力を得ることができる長所がある。

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電圧制御発振器（２００）は、共振器（２４０）、同調ダイオード回路網（２３４）および能動装置（２１０）にわたってそれらに結合されたスロット切込プリント基板回路網（２３０）を含む。スロット切込プリント基板回路網（２３０）は、共振器（２４０）、同調ダイオード回路網（２３４）および能動装置（２１０）の間で共通結合コンデンサとしての機能を果たすよう働く。

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【課題】 歩留まりに優れ周波数安定度が高い小型の恒温槽型水晶発振器を実現する。
【解決手段】 圧電振動子と増幅回路及び可変容量ダイオードを有する発振回路と、前記圧電振動子を一定温度に保つ為の恒温槽と、温度変化に伴う前記増幅回路の電気的特性の変化により前記圧電発振器の発振周波数が変動するのを抑圧するよう前記可変容量ダイオードの容量値を制御する為の制御電圧を出力する電圧発生回路とを備え、該電圧発生回路が正特性または負特性のサーミスタを感温素子として制御電圧を制御することにより温度変化によって生じる増幅回路の電気的特性の変動に伴う周波数変化を回路的に補償することができるので周波数温度特性に優れる小型の恒温槽型水晶発振器を容易に実現することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 圧電発振回路において、発振周波数の位相雑音特性が、電源電圧の低電圧化にともなって劣化することを防止するに好適な圧電発振回路を提供すること。
【解決手段】 圧電発振回路において、トランジスタのベースに流れるベース電流を決定づけるバイアス抵抗（ブリーダ抵抗）に対して、直列にコイルＬを挿入するよう構成する。電源電圧の低電圧化にともなってバイアス抵抗を小さな値に設計した場合においても、発振周波数領域においてバイアス抵抗部がコイルＬによってハイインピーダンスになる。このような作用によれば、回路損失が小さくですみ、発振回路の実効Ｑ値が低下しないから、信号純度の良好な発振器を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は電圧制御水晶発振器（ＶＣＸＯ）における周波数可変範囲を拡大する回路手段に関することにある。
【解決手段】 目的を達成するために、安価でしかも広範囲な周波数可変が出来るような回路構成を実現するために、発振回路に接続された圧電振動子と可変容量ダイオードと、インダクタンスと容量を並列接続した回路網とを直列に配置し電圧に対する周波数可変範囲を拡大したことで課題を解決するものである。 （もっと読む）