【課題】弾性表面波素子において、挿入損失を増大させずに通過帯域外の周波数領域における減衰量を拡大する。
【解決手段】複数の単構成素子からなり、単構成素子は、直列腕１７に配置された第１の弾性表面波共振器２１と、第１の弾性表面波共振器２１の入力端子側の並列腕１９および出力端子側の並列腕１９にそれぞれ接続され、第１の弾性表面波共振器２１の共振周波数と一致する反共振周波数を有する第２の弾性表面波共振器２２および第３の弾性表面波共振器２３と、第２の弾性表面波共振器２２および第３の弾性表面波共振器２３の基準電位端子側を相互に接続した接続点Ｐ_１と基準電位端子１８との間に配置された第１のインダクタンス素子２４とを備え、第１、第２、第３の弾性表面波共振器２１，２２，２３の容量および第１のインダクタンス素子２４によって形成された共振周波数が相互に一致している。 （もっと読む）

【課題】 強焦電効果を有する圧電基板を用いてＳＡＷデバイスを構成する際に、ヒートサイクル試験等の温度変化に耐えるＳＡＷデバイスを構成する手段を得る。
【解決手段】 強焦電効果を有する圧電基板上に少なくとも１個のＩＤＴ電極を配置して形成した弾性表面波デバイス素子を接着剤を用いてパッケージの内底部に接着固定した弾性表面波デバイスにおいて、前記接着剤の硬度をショア２８以下としたことを特徴とする弾性表面波デバイス。 （もっと読む）

【課題】 複合圧電基板の歪、微細な亀裂及び空隙を低減した高い圧電特性を有する、圧電基板を限定しない複合圧電基板及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 圧電基板１０１の伝導担体を正極性又は負極性にし、圧電基板１０１とシリコン基板１０２との板厚比Ｘ（圧電基板の厚みをａ、シリコン基板の厚みをｂとしたとき、Ｘ＝ａ／ｂ）がＸ＝０．００１以上Ｘ＝１以下の範囲にし、圧電基板１０１とシリコン基板１０２を重ね合わせる工程と所定の温度に保持する工程とシリコン基板１０２と圧電基板１０１間に所定の電圧を印加する工程を備え、適切な熱処理条件および印加電圧条件を規定する。 （もっと読む）

【課題】ＩＤＴ電極を覆うように絶縁物層が形成されている構造を備えた弾性表面波装置であって、ＩＤＴの反射係数が十分に大きく、所望でないリップルによる特性の劣化を抑制し得る弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】電気機械結合係数ｋの２乗が０．０２５以上のＬｉＮｂＯ₃からなる圧電性基板１と、前記圧電性基板１上に形成されており、Ａｌよりも密度の大きい金属もしくは該金属を主成分とする合金、またはＡｌよりも密度の大きい金属もしくは該金属を主成分とする合金と他の金属とからなる積層膜からなる少なくとも１つの電極４Ａと、前記少なくとも１つの電極４Ａが形成されている領域を除いた残りの領域において、前記電極と略等しい膜厚に形成された第１絶縁物層２と、前記電極及び第１絶縁物層２を被覆するように形成された第２絶縁物層６とを備え、前記電極４Ａの密度が、前記第１絶縁物層４の１．５倍以上である、弾性表面波装置。 （もっと読む）

【課題】圧電基板上に３つのＩＤＴ電極を所定の間隔をあけて配置したトランスバーサル型ＳＡＷフィルタにおいて、デバイスサイズを大きくすることなく減衰特性を改善することを目的とする。
【解決手段】圧電基板上のＳＡＷの伝搬方向に沿ってＩＤＴ電極１〜３を所定の間隔をあけて配置する。ＩＤＴ電極１は入出力端子１０に接続し、ＩＤＴ電極２、３はリード電極１１により互いに接続すると共に入出力端子１２に接続する。そして、ＩＤＴ電極１に接続した入出力端子１０とリード電極１１との間隙にアースライン１３を配置することにより、入出力端子間の電磁結合を抑圧する。 （もっと読む）

【課題】マルチブレードを持ち、生産性の向上と品質維持とを達成できるダイシング装置およびダイシング方法を提供する。
【解決手段】スピンドル１に複数枚のブレード３〜５を軸方向に一定ピッチ間隔で取り付ける。各ブレードはそれぞれ厚みおよび径が異なり、かつ軸方向の一方側から他方側に向かうに従いブレードの厚みが薄くかつ径が大きい。スピンドル１を回転させながら厚みが厚くかつ径が小さいブレード３で被加工物Ｗをハーフカットし、次に被加工物Ｗをスピンドルの軸方向にブレードのピッチＳ分だけ相対移動させ、厚みが薄くかつ径が大きいブレード４，５で既にハーフカットされた被加工物Ｗを更にハーフカットあるいはフルカットする。 （もっと読む）

【課題】 スプリアスを小さくし、目標周波数から遠ざけるとともに、インピーダンスを低くできるようにする。
【解決手段】 弾性表面波素子片１０は、圧電基板１２の弾性表面波の伝播方向に入力側ＩＤＴ１４と出力側ＩＤＴ１６とを備えている。各ＩＤＴ１４、１６の電極指２６、２８、３０、３２は、弾性表面波の伝播方向と直交した複数の直線部と、各直線部間に折り曲げて形成され、各直線部を相互に接続した接続部とを有する。弾性表面波素子片１０は、入力側ＩＤＴ１４と出力側ＩＤＴ１６との対応する直線部からなるトラック３８、４０内において、入力側ＩＤＴ１４と出力側ＩＤＴ１６との電極指の対数が異なっている。 （もっと読む）

【目的】本発明は、溝（グレーティンググルーブ）を設けた圧電性基板上にすだれ状電極を作製することにより、温度の変化に対する中心周波数の変化の小さい擬似弾性表面波基板、或いは電気機械結合係数の大きな基板を得ることを目的としている。
【構成】圧電性基板１の表面に弾性表面波の伝搬方向に直角な溝（グルーブ）２を作製した構造の圧電性基板上に溝に埋め込まれたすだれ状電極を用いた構造であって、圧電性基板として、回転Ｙ−Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ_３、ＬｉＮｂＯ_３、或いは水晶、ランガサイトなどの零ＴＣＦ基板を用いて従来の特性より大きなｋ^２の基板、或いは従来より優れたＴＣＦの基板を得るのが本特許の構成である。 （もっと読む）

【課題】 デュアルトラック型トランスバーサル弾性表面波フィルタの帯域幅を広げる手段を得る。
【解決手段】 圧電基板上に３つのＩＤＴ電極を配置して第１のトランスバーサル型弾性表面波フィルタを形成し、該第１のトランスバーサル型弾性表面波フィルタに平行して３つのＩＤＴ電極を配置して第２のトランスバーサル型弾性表面波フィルタを形成し、第１及び第２のトランスバーサル型弾性表面波フィルタを並列接続して構成するデュアルトラック型トランスバーサル弾性表面波フィルタであって、前記第１のトランスバーサル型弾性表面波フィルタの電極ピッチｐ１と第２のトランスバーサル型弾性表面波フィルタの電極ピッチｐ２とを互いに異ならせた弾性表面波フィルタ。 （もっと読む）

【課題】 デュアルトラック型トランスバーサル弾性表面波フィルタの帯域幅を広げる手段を得る。
【解決手段】 圧電基板上に３つのＩＤＴ電極を配置して第１のトランスバーサル型弾性表面波フィルタを形成し、該第１のトランスバーサル型弾性表面波フィルタに平行して３つのＩＤＴ電極を配置して第２のトランスバーサル型弾性表面波フィルタを形成し、第１及び第２のトランスバーサル型弾性表面波フィルタを並列接続して構成するデュアルトラック型トランスバーサル弾性表面波フィルタであって、前記第１のトランスバーサル型弾性表面波フィルタの電極間間隙ｄ１と第２のトランスバーサル型弾性表面波フィルタの電極間間隙ｄ３とを互いに異ならせたことを特徴とする弾性表面波フィルタ。 （もっと読む）

【課題】 厚み寸法が小さく、しかも収容部に上向き段部を備えた電子部品用パッケージを精度良く形成するための構造と、その製造方法、ならびにそのようなパッケージを備えた圧電デバイスを提供すること。
【解決手段】 電子部品を収容するために内側に所定の収容部３８を形成したパッケージ３１であって、前記収容部には、壁面から突出する突出部４０，４０を有し、該突出部が、上向き段部と、該上向き段部と隣接している該上向き段部と異なる面にそれぞれ形成されており、かつ互いに異なる方向に向いた少なくとも２面の位置決め段部５１，５２とを備える。 （もっと読む）

【課題】 正負反射型反射器を用いた弾性表面波デバイスの耐ヒートサイクル試験を強化する手段を得る。
【解決手段】 圧電基板の主面上に表面波の伝搬方向に沿って、幅がλ／８（λは表面波の波長）の第一の電極を周期λ／２で配置し、幅がλ／８の第二の電極を周期λ／２で配置し、前記第一の電極の中心と前記第二の電極の中心との中心間間隔をλ／４とし、前記第一の電極同志を短絡電極で短絡して形成した正負反射型反射器がＩＤＴ電極の一部に配置されたＩＤＴ電極を用いて構成した弾性表面波デバイスにおいて、
前記短絡電極の幅を２μｍ以上としたことを特徴とする弾性表面波デバイス。 （もっと読む）

【課題】ＳＡＷ装置を形成する圧電ウエハの温度特性並びに電気特性を改善する。特にこれらの良好な特性と共に静電破壊等を防ぐことが出来る信頼性に優れた圧電ウエハを簡便な方法で製造する。
【解決手段】共に圧電性材料からなる第一ウエハと第二ウエハとを備え、第一ウエハと第二ウエハとを同極面同士が接合されるように貼り合せて一体化した複合圧電ウエハである。第一ウエハの厚さは０.１λ〜１．５λである。両ウエハを一体化するには直接接合又は表面活性化接合による。第一ウエハには、焦電特性の改善処理、添加物の添加および体積抵抗率を３．６×１０¹⁰ 〜１．５×１０¹⁴Ω・ｃｍとすることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】 平衡−不平衡変換機能を有し、不平衡端子のインピ−ダンスと平衡端子のインピ−ダンスとの比が大きくされている弾性波フィルタ装置。
【解決手段】 不平衡端子３に縦結合共振子型の弾性表面波フィルタ素子である第１〜第４のフィルタ素子１１〜１４が接続されており、第１，第３のフィルタ素子１１，１３が直列接続されており、第３のフィルタ素子１３が第１の平衡端子４に、第２，第３のフィルタ素子１２，１４が直列に接続されており、第４のフィルタ素子１４の一端が第２の平衡端子５に接続されている、弾性波フィルタ装置１。
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【課題】 小型化・薄型化を実現し、弾性表面波素子片の実装に適したパッケージの構造を提供する。
【解決手段】 上記課題を解決するための弾性表面波デバイスのパッケージ構造は、弾性表面波素子片１２を配置する厚底部１６ｂと、電子部品１４を配置する薄底部１６ａとを備え、平面座標系における前記弾性表面波素子片と前記電子部品との搭載位置を近接させたベース１６を有することを特徴とする。また上記のようなパッケージ構造において、前記薄底部１６ａと前記厚底部１６ｂとの高低差は、前記薄底部１６ａに搭載する電子部品１４の厚さ以上すると良い。 （もっと読む）

【課題】 小型且つ安価で製造が容易な弾性表面波デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ＩＤＴ１３とこれに配線パターン１５を介して接続された電極パッド１４とが主面上に形成された圧電基板１１Ａと、電極パッド１４と接続される電極パッド５が主面上に形成されたベース基板２Ａとを貼り合わせて構成されたＳＡＷデバイス１において、圧電基板１１Ａの主面上にＩＤＴ１３を取り囲む金属膜１６と、ベース基板２Ａの主面上に金属膜１６と位置合わせされた金属膜４とを有する。圧電基板１１Ａとベース基板２Ａとの接合は、この金属膜１６，４を直接接合することで実現される。これにより、ＩＤＴ１３が金属膜１６，４，圧電基板１１Ａ及びベース基板２Ａで形成されるキャビティ９内にハーメチックシールされる。この際、金属膜１６，４表面に活性化処理を施した後、両基板を接合する。 （もっと読む）

【課題】Ｘ−Ｙ軸方向の収縮特性を抑制して焼成された多層セラミック基板におけるビア導体部分の凹凸の発生を抑制し、平坦な表面を形成することが可能で、ＳＡＷチップの実装信頼性および封止信頼性に優れた高周波モジュールを提供する。
【解決手段】複数の絶縁層を積層してなる多層セラミック基板の表面に、弾性表面波素子を実装してなる高周波モジュールにおいて、絶縁基板の接地電極、入出力電極のうちの少なくとも１つが、該電極と直接接続されたビア導体を含む複数のビア導体を経由して前記絶縁基板裏面に形成された所定の導体パターンと電気的に接続されており、前記複数のビア導体のうち入出力電極とリング状接地電極に直接接続されるビア導体以外のビア導体を、平面的にみて前記リング形状電極よりも外側に配置したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 平衡−不平衡変換機能を有し、不平衡端子のインピーダンスと平衡端子のインピーダンスとの比が大きくされている弾性波フィルタ装置を得る。
【解決手段】 圧電基板上に、縦結合共振子型の第１，第２の弾性表面波フィルタ部６，７が形成されており、弾性表面波フィルタ６，７が、それぞれ、表面波伝搬方向に配置された第１〜第３のＩＤＴ１１〜１３及び第４〜第６のＩＤＴ１４〜１６を有し、第２，第５のＩＤＴ１２，１５が不平衡端子３に接続されており、第１，第３のＩＤＴ１１，１３が電気的に直列に接続されており、かつ第１の平衡端子４に接続されており、第４，第６のＩＤＴ１４，１６が電気的に直列に接続されており、かつ第２の平衡端子５に接続されている、弾性波フィルタ装置。 （もっと読む）

【課題】 平衡−不平衡変換機能を有し、不平衡端子のインピーダンスと平衡端子のインピーダンスとの比が大きくされている弾性波フィルタ装置を得る。
【解決手段】 圧電基板２上に縦結合共振子型の第１，第２の弾性表面波フィルタ部６，７が形成されており、弾性表面波フィルタ部６，７は、それぞれ、表面波伝搬方向に配置された第１〜第３のＩＤＴ１１〜１３及び第４〜第６のＩＤＴ１４〜１６を有し、第１，第３のＩＤＴ１１，１３及び第４，第６のＩＤＴ１４，１６が不平衡端子３に接続されており、第２，第５のＩＤＴ１２，１５が、それぞれ、第１，第２の平衡端子４，５に接続されており、第２，第５のＩＤＴ１２，１５が、表面波伝搬方向に分割されて設けられた第１，第２の分割ＩＤＴ部１２ａ，１２ｂ，１５ａ，１５ｂを有し、第１，第２の分割ＩＤＴ部１２ａ，１２ｂ，１５ａ，１５ｂが直列接続されている、弾性波フィルタ装置。 （もっと読む）

【課題】 非処理領域を覆う膜パターンを形成するための液滴の一部分が、処理対象領域に付着することを抑制できる、膜パターン形成方法、及び弾性表面波デバイスの製造方法、並びに弾性表面波デバイス、弾性表面波発振装置、及び電子機器を実現する。
【解決手段】 本発明による膜パターン形成方法及び弾性表面波デバイスの製造方法は、移動方向の変更を伴わない連続する相対的移動の間に、吐出ノズル４からウェハ１に向けて陽極酸化レジスト膜材料の液滴吐出を実行する吐出走査工程において、吐出ノズル４を塗布禁止領域であるＩＤＴ４４に対向させないことを特徴とする。弾性表面波発振装置は、当該方法で製造された弾性表面波デバイスを備え、電子機器は、当該弾性表面波波発振装置を備える。 （もっと読む）