ダイシング装置およびダイシング方法
【課題】マルチブレードを持ち、生産性の向上と品質維持とを達成できるダイシング装置およびダイシング方法を提供する。
【解決手段】スピンドル１に複数枚のブレード３〜５を軸方向に一定ピッチ間隔で取り付ける。各ブレードはそれぞれ厚みおよび径が異なり、かつ軸方向の一方側から他方側に向かうに従いブレードの厚みが薄くかつ径が大きい。スピンドル１を回転させながら厚みが厚くかつ径が小さいブレード３で被加工物Ｗをハーフカットし、次に被加工物Ｗをスピンドルの軸方向にブレードのピッチＳ分だけ相対移動させ、厚みが薄くかつ径が大きいブレード４，５で既にハーフカットされた被加工物Ｗを更にハーフカットあるいはフルカットする。
【解決手段】スピンドル１に複数枚のブレード３〜５を軸方向に一定ピッチ間隔で取り付ける。各ブレードはそれぞれ厚みおよび径が異なり、かつ軸方向の一方側から他方側に向かうに従いブレードの厚みが薄くかつ径が大きい。スピンドル１を回転させながら厚みが厚くかつ径が小さいブレード３で被加工物Ｗをハーフカットし、次に被加工物Ｗをスピンドルの軸方向にブレードのピッチＳ分だけ相対移動させ、厚みが薄くかつ径が大きいブレード４，５で既にハーフカットされた被加工物Ｗを更にハーフカットあるいはフルカットする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はダイサーカット機やスライシングカット機などのダイシング装置およびダイシング方法、特に複数枚のブレードを用いたダイシングに関するものである。本発明は、ＬＴ、ＬＮなどの単結晶のようにチッピングが発生しやすい脆弱な材質の基板、あるいはＣＰＳのような異なる材料が多層化された基板のカットに適したダイシング方法および装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体ウエハや圧電セラミックス基板などをフルカットあるいはハーフカットする場合にダイサーやスライサーと呼ばれるダイシング装置が使用される。ダイシング装置には、スピンドルに１枚のブレードを取り付けたシングルブレードと、複数枚のブレードを取り付けたマルチブレードとがあるが、マルチブレードはシングルブレードに比べて生産性の向上が期待できるという特徴がある。
【０００３】
特許文献１には、図６に示すようにスピンドル３０に複数枚のブレード３１〜３３を軸方向に一定ピッチ間隔で取り付けたマルチブレードが開示されている。このマルチブレードは、同じ径、同じ厚みのブレード３１〜３３を用いたものである。
【０００４】
このようなマルチブレードを用いて被加工物をフルカットする場合、加工量が増える分、負担が増加し、刃にブレが生じるため、加工品質の維持の観点から送り速度（加工速度）を上げることができず、生産性を向上させることができない。
また、ハーフカットとフルカットとを繰り返すことで、１回当たりの加工深さを浅くし、１回の切削での切粉量を少なくした分、送り速度を上げることも考えられるが、ハーフカットされた溝にブレードを挿入してフルカットする際に、ブレードの両側面に逃げ部がないことから、切り粉が隙間に挟まれるため、チッピングが発生しやすくなる。そのため、送り速度を下げなければならず、生産性の向上につながらない。
【特許文献１】特開２００２−２４６３３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
そこで、本発明の目的は、マルチブレードを持ち、生産性の向上と品質維持とを達成できるダイシング装置およびダイシング方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、請求項１に係る発明は、スピンドルに設けられたブレードを回転させながら被加工物をブレードの面方向に相対移動させることにより、被加工物をカットするダイシング装置において、上記スピンドルには複数枚のブレードが軸方向に一定ピッチ間隔で設けられており、各ブレードはそれぞれ厚みおよび径が異なり、かつ軸方向の一方側から他方側に向かうに従いブレードの厚みが薄くかつ径が大きくなるように上記スピンドルに設けられていることを特徴とするダイシング装置を提供する。
【０００７】
請求項３に係る発明は、スピンドルに厚みおよび径が異なる複数枚のブレードを、軸方向の一方側から他方側に向かうに従いブレードの厚みが薄くかつ径が大きくなるように軸方向に一定ピッチ間隔で設けたダイシング装置を準備する工程と、上記ブレードを回転させながら被加工物をブレードの面方向に相対移動させることにより、被加工物をカットする工程であって、厚みが厚くかつ径が小さいブレードで被加工物をハーフカットする工程と、上記被加工物をスピンドルの軸方向に上記ブレードのピッチ間隔分だけ相対移動させる工程と、上記ブレードを回転させながら被加工物をブレードの面方向に相対移動させることにより、厚みが薄くかつ径が大きいブレードで既にハーフカットされた被加工物を更にハーフカットあるいはフルカットする工程と、を含むダイシング方法を提供する。
【０００８】
本発明のダイシング装置は、厚みおよび径が異なる複数枚のブレードが、軸方向の一方側から他方側に向かうに従いブレードの厚みが薄くかつ径が大きくなるようにスピンドルに設けられている。このようなマルチブレードを用いることで、被加工物を高速で切断でき、かつ加工品質を高く維持できる。
すなわち、上記のようなマルチブレードを用いて被加工物を複数回に分けて加工すれば、１回当たりの溝の深さを浅くすることができ、１回の切削での切粉量を少なくできる。しかも、先に厚みが大きいブレードでハーフカットし、続いて同じ箇所を厚みが薄いブレードでフルカットすれば、先に切断した部分が幅広になっており、次の加工時にブレードの両側面に逃げ部があるので、切粉が詰まりにくくなる。そのため、加工速度を上げることができる。また、切粉が側面部に詰まりにくくなることで、切粉による加工面の傷を防ぐことができ、加工品質を高く維持することができる。
また、厚みが厚くかつ径が小さいブレードを用いて被加工物をハーフカットし、続いて厚みが薄くかつ径が大きいブレードを用いてフルカットすれば、既に幅広な溝が形成されているので、厚みが薄いブレードだけでフルカットする場合に比べてブレードにかかる負荷が小さくなり、加工速度を上げることができる。一方、厚みが厚いブレードで被加工物に最初にハーフカットする際、ブレードに大きな負荷がかかるが、ブレードの厚みが厚いので強度が高く、ブレードの破損が少ない。
【０００９】
本発明では、各ブレードの切断深さが異なるので、複合材からなる基板の切断に適用するのが効果的である。すなわち、各ブレードの粒度、ボンド材などの特性を変えることで、層状の複合材のそれぞれに適したブレードを選ぶことができ、それによって各層の切断の品質を向上させることができる。
なお、本発明において、複数枚のブレードをスピンドルに取り付けることでマルチブレードとしたものに限らず、一体構造のスピンドルから放電加工等で溝を形成し、結果としてマルチブレードとしたもの（総型）でもよい。
【００１０】
望ましい態様によれば、最大径のブレードの半径と最小径のブレードの半径との差を、被加工物Ｗの厚みより小さくするのがよい。
すなわち、厚みが厚くかつ径が小さいブレードでハーフカットしながら、同時に別の部位で厚みが薄くかつ径が大きいブレードでさらにハーフカットあるいはフルカットを行う場合、最大径のブレードと最小径のブレードの半径差を被加工物の厚みより大きくすると、最小径のブレードがハーフカットしている時、最大径のブレードが必要以上に深くカットすることになり、被加工物を保持している粘着剤などがブレードに付着しやすくなる。これに対し、上記のような寸法設定にすることで、ハーフカットとフルカットとを同時に実施した時、最大径のブレードが必要以上に深くカットすることがなく、ブレードへの異物付着を抑制できる。
【００１１】
さらに望ましい態様によれば、ブレードの加工時の高さは、最大径のブレードのみが被加工物をフルカットでき、他のブレードが被加工物をハーフカットしうる高さに設定されているのがよい。
すなわち、ハーフカットとフルカットとを繰り返す多段カットを行う場合、ブレードの加工時の高さを、最大径のブレードのみが被加工物をフルカットしうる高さで、かつ他のブレードが被加工物をハーフカットしうる高さに設定することで、最大径のブレード以外のブレードが被加工物を少しずつハーフカットすることができる。そのため、１回当たりの加工量を少なくでき、切粉の発生を少なくできる。
【００１２】
本発明のマルチブレードを用いて被加工物を多段カットすれば、被加工物の切断面は段差状になる。そこで、本発明を、対向二端面を有する圧電基板と、この圧電基板上に形成されたＩＤＴとを備え、ＳＨタイプの表面波が対向二端面で反射される端面反射型表面波装置の製造方法に適用することができる。
この場合には、まず上面にＩＤＴを形成したマザー状態の圧電基板を準備し、反射端面として機能する対向した二端面を形成するために、上記圧電基板の上面から、圧電基板の底面には至らないようにダイシング装置の最小径のブレードを用いて圧電基板をハーフカットし、反射端面として機能する平滑な第１の端面部を形成する第１のハーフカット工程を実施し、第１のハーフカット工程の後に、第１の端面部よりも表面波伝播方向の外側において、第２の端面部を第１の端面部の下方に形成するため、圧電基板の底面には至らないようにダイシング装置の中間径のブレードを用いて圧電基板をハーフカットし、第２の端面部を形成する第２のハーフカット工程を実施し、第２のハーフカット工程の後に、第２の端面部よりも表面波伝播方向の外側において、圧電基板の底面に至るように上記ダイシング装置の最大径のブレードを用いて圧電基板を切断するフルカット工程と、を実施すればよい。
本発明のダイシング装置を用いることで、端面反射型表面波装置を効率よく製造できる。
【発明の効果】
【００１３】
以上のように、本発明によれば、厚みおよび径が異なる複数枚のブレードを、軸方向の一方側から他方側に向かうに従いブレードの厚みが薄くかつ径が大きくなるように軸方向に一定ピッチ間隔で設けたので、このマルチブレードを用いて被加工物を複数回に分けて加工すれば、１回当たりの溝の深さを浅くすることができ、１回の切削での切粉量を少なくできる。また、先に厚みが大きいブレードでハーフカットし、続いて同じ箇所を厚みが薄いブレードでフルカットすれば、先に切断した部分が幅広になっており、次の加工時にブレードの両側面に逃げ部があるので、切粉が詰まりにくくなる。そのため、加工速度を上げることができる。また、切粉が側面部に詰まりにくくなることで、切粉による加工面の傷を防ぐことができ、加工品質を高く維持することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下に、本発明の実施の形態を、実施例を参照して説明する。
【実施例１】
【００１５】
図１は本発明にかかるダイシング装置の第１実施例を示す。
このダイシング装置は、水平に配置されたスピンドル１を備えており、このスピンドル１は図示しないスピンドルモータによって回転駆動される。スピンドル１の端部にはフランジ２が連結されており、フランジ２には３枚のブレード３〜５がスペーサ６を介して軸方向に一定ピッチＳ間隔で取り付けられている。ここでは、３枚のブレード３〜５を持つ例について示したが、２枚あるいは４枚以上であってもよい。各ブレード３〜５はそれぞれ厚みＴおよび直径Ｄが異なり、軸方向の一方側から他方側に向かうに従いブレードの厚みが薄くかつ径が大きくなるようにフランジ２に取り付けられている。具体的には、フランジ２の自由端側に厚みＴ1 が最大で直径Ｄ1 が最小の第１ブレード３が固定され、フランジ２の基端側に厚みＴ3 が最小で直径Ｄ3 が最大の第３ブレード５が固定され、中央部に厚みＴ2 が中間で直径Ｄ2 が中間の第２ブレード４が固定されている。すなわち、
Ｔ1 ＞Ｔ2 ＞Ｔ3 ，Ｄ1 ＜Ｄ2 ＜Ｄ3
の関係に設定されている。
ここでは、最大径の第３ブレード５の半径Ｄ3 ／２と最小径の第１ブレード３の半径Ｄ1 ／２との差を、後述する被加工物Ｗの厚みｔ以下に設定してある。すなわち、
（Ｄ3 −Ｄ1 ）／２＜ｔ
である。
【００１６】
図２は本ダイシング装置を用いて被加工物を切断する様子を示す。
被加工物Ｗは、例えば圧電セラミックスやＬｉＴａＯ3 、ＬｉＮｂＯ3 、水晶などの圧電体ウエハよりなり、切削テーブル１０の上に吸着保持された粘着シート１１の表面に貼り付けられている。ブレード３〜５を回転させながら、テーブル１０をブレードの面方向（図２の紙面と垂直方向）に水平移動させることで、被加工物Ｗを加工することができる。
【００１７】
ここで、ダイシング方法について図２，図３を参照しながら説明する。この実施例のように３枚のブレード３〜５を備えたダイシング装置の場合、被加工物Ｗを３回に分けて切ることになる。
まず最初に、図２の（ａ）、図３の（ａ）のように、スピンドル１をテーブル１０に対して高さＨまで降下させ、被加工物Ｗを第１ブレード３で深さｔ1 だけ切る。このとき、他のブレード４，５は被加工物Ｗに接触していない。ブレード３の加工深さｔ1 が浅いので、切粉の発生量が少ない。上記高さＨは、第３ブレード５のみが被加工物Ｗをフルカットでき、かつ他のブレード３，４が被加工物Ｗをハーフカットしうる高さに設定されている。つまり、最小径のブレード３の加工深さをｔ1 とすると、次の関係が成立する。
ｔ1 ＋（Ｄ3 −Ｄ1 ）／２≧ｔ
【００１８】
次に、図２の（ｂ）、図３の（ｂ）のように、被加工物Ｗをスピンドル１の軸方向にブレード３〜５のピッチＳと同一距離だけ移動させた後、ここで再びスピンドル１をテーブル１０に対して同一高さＨまで降下させる。このとき、被加工物Ｗの新たな部分を第１ブレード３で深さｔ1 だけ切ると同時に、第１ブレード３で加工された溝の底部を第２ブレード４で深さｔ2 だけ切り込む。このとき、第３ブレード５は未だ被加工物Ｗに接触していない。
【００１９】
さらに、図２の（ｃ）、図３の（ｃ）のように、被加工物Ｗをスピンドル１の軸方向にブレード３〜５のピッチＳと同一距離だけ移動させた後、ここで再びスピンドル１をテーブル１０に対して同一高さＨまで降下させる。このとき、被加工物Ｗの新たな部分を第１ブレード３で深さｔ1 だけ切ると同時に、第１ブレード３によって加工された溝の底部を第２ブレード４で深さｔ2 だけ切り込み、さらに第２ブレード４によって加工された溝の底部を第３ブレード５で深さｔ3 だけ切り込む。第３ブレード５で切ることにより、被加工物Ｗはフルカットされる。
その後、上記動作を繰り返すことにより、被加工物Ｗから複数の部品を切り出すことができる。
上記被加工物Ｗの厚みｔと各ブレード３〜５の加工深さｔ1 〜ｔ3 は次のような関係に設定される。
ｔ1 ＋ｔ2 ＋ｔ3 ≧ｔ
【００２０】
図３の（ａ）に示すように、第１ブレード３で加工する際には、その両側に障害物が存在しないので、切粉が詰まりにくい。
図３の（ｂ）に示すように、第２ブレード４で加工する部分には、予め厚みの大きな第１ブレード３によって幅広な溝が形成されているので、第２ブレード４の両側に逃げ部が存在し、第２ブレード４の加工時の切粉が詰まりにくい。
同様に、図３の（ｃ）に示すように、第３ブレード５で加工する部分には、予め厚みの大きな第２ブレード４によって幅広な溝が形成されているので、第３ブレード５の両側に逃げ部が存在し、第３ブレード５の加工時の切粉が詰まりにくくなる。
このように厚みが大きく径の小さいブレードで加工した後に、厚みが小さく径の大きなブレードで加工するので、１回の切削での切削量が少なくて済み、加工速度を上げることができると同時に、切粉による加工面の傷を防止でき、チッピングの発生を防止できる。
【００２１】
図４は上記のような３枚のブレードを有するダイシング装置でカットした部品の一例を示す。
この部品は、例えば特開２００３−８７０７３号公報などに示された、対向二端面ＳＨタイプの表面波を反射させる構造を備えた端面反射型表面波装置である。端面反射形表面波装置は、ＬｉＴａＯ3 、ＬｉＮｂＯ3 、水晶などの圧電単結晶、あるいはチタン酸ジルコン酸鉛セラミックスのような圧電セラミックスよりなる矩形板状の圧電基板２０を有し、その上面には 表面波伝播方向に隔てられたＩＤＴ２１，２２が形成されている。この実施例では、ＩＤＴ２１，２２の電極指の延びる方向と直交する方向に表面波としてのＳＨ波が伝播し、ＳＨ波は端面２３，２４で反射される。
【００２２】
一方の端面２３には、圧電基板２０の上面から下方に延びる平滑な第１の端面部２３ａと、第１の端面部２３ａの下方において段差２３ｂを隔てて下方に延びるように形成された粗面の第２の端面部２３ｃと、第２の端面部２３ｃの下方に段差２３ｄを隔てて形成された平滑な第３の端面部２３ｅとが形成されている。中間に位置する第２の端面部２３ｃを特定範囲の表面粗さの粗面とすることにより、不要波の反射に起因する特性の劣化を抑制することができる。
【００２３】
上記端面部のうち、最上の第１の端面部２３ａと段差２３ｂは第１ブレード３で加工された面であり、中間の第２の端面部２３ｃと段差２３ｄは第２ブレード４で加工された面であり、最下の第３の端面部２３ｅは第３ブレード５で加工された面である。第１ブレード３および第３ブレード５に比べて第２ブレード４の表面粗さを大きく設定することで、上記のような段差形状の端面２３を容易に形成できる。なお、他方の端面２４も端面２３と同様に形成される。
なお、部品が例えばＣＳＰ基板のように複合材で構成されている場合、各層ごとにそれぞれに適した異なるブレードで加工することで、切断の品質を向上させることが可能である。
【００２４】
以下に、本発明者による実験結果を示す。
３枚のブレードとして、次の（１）〜（３）の電鋳ブレードを用い、砥粒はダイヤモンドを用いた。
ブレード（１）：Ｔ1 ＝０．１ｍｍ、Ｄ1 ＝５０．０ｍｍ（＃７００）
ブレード（２）：Ｔ2 ＝０．０５ｍｍ、Ｄ2 ＝５０．２ｍｍ（＃１０００）
ブレード（３）：Ｔ3 ＝０．０２ｍｍ、Ｄ3 ＝５０．４ｍｍ（＃２０００）
なお、＃は砥粒の大きさを示す番手である。
被加工物Ｗの材質：圧電セラミックスウエハ、被加工物Ｗの厚みｔ＝０．３ｍｍ、フランジ径はφ４０ｍｍ、ブレードのピッチを１０ｍｍとした。
ここでは、切り込み量つまりブレードの加工高さ（Ｈ）は、第１ブレード３が被加工物Ｗの表面から０．１ｍｍとなる深さまで加工できる高さで、第３ブレード５が被加工物Ｗを丁度フルカットできる加工高さとした。
図２と同様に、一列ずつ切ると、各列の加工量は次の通りである。単位はｍｍである。このように多段カットを実施することで、チッピングの発生が少なく、被加工物を高速で切断できた。
【００２５】
【表１】
【００２６】
図５は送り速度と被加工物の裏面に発生する最大チッピング幅との関係を示す図である。
図５から明らかなように、送り速度を上げると、チッピング幅がほぼ比例的に増えることがわかる。
本発明者の圧電セラミック基板を用いた実験によると、フルカットで７４％（７１個／９６個）の発生率でチッピングが発生していた場合、ハーフカットでは８．３％（８個／９６個）に抑えられた。
ハーフカットによりチッピングの大きさを半分にすることができるのであれば、チッピング幅を倍にしても同じ品質が保てることになる。つまり、チッピング幅が倍の加工条件でもハーフカットにすれば同じチッピングサイズにすることができる。図５の機種Ｂについて見ると、４０μｍを８０μｍにするのが許容されるのであれば、送り速度は倍以上にできることになる。
３枚のマルチブレードの場合、フルカットの場合であれば、全体の生産性はシングルブレードの３倍になる。一方、本発明の構造を採用することができれば、加工量がそれぞれのブレードで１／３になっているため、送り速度は３倍程度に上げることができる。加えて、ハーフカットでは同じ品質を維持しながら送り速度を２倍にできるので、結局、生産性はシングルブレードの６倍に上げることができる。
【００２７】
なお、第１実施例では１本のスピンドルに厚みおよび直径が異なる３枚のブレードを取り付けた例を示し、第２実施例では２種類のブレードを交互に複数枚取り付けた例を示したが、スピンドルに取り付けられるブレードの枚数や組み合わせは任意である。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明にかかるダイシング装置の第１実施例の側面図である。
【図２】図１に示すダイシング装置の加工の様子を示す図である。
【図３】ブレードと被加工物との拡大図である。
【図４】図１に示すダイシング装置でカットされた部品の一例である端面反射型表面波装置の平面図およびＡ−Ａ線断面図である。
【図５】送り速度とチッピング幅との関係を示す図である。
【図６】従来のマルチブレードの側面図である。
【符号の説明】
【００２９】
１ スピンドル
２ フランジ
３〜５ ブレード
Ｗ 被加工物
１０ テーブル
１１ 粘着シート
【技術分野】
【０００１】
本発明はダイサーカット機やスライシングカット機などのダイシング装置およびダイシング方法、特に複数枚のブレードを用いたダイシングに関するものである。本発明は、ＬＴ、ＬＮなどの単結晶のようにチッピングが発生しやすい脆弱な材質の基板、あるいはＣＰＳのような異なる材料が多層化された基板のカットに適したダイシング方法および装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体ウエハや圧電セラミックス基板などをフルカットあるいはハーフカットする場合にダイサーやスライサーと呼ばれるダイシング装置が使用される。ダイシング装置には、スピンドルに１枚のブレードを取り付けたシングルブレードと、複数枚のブレードを取り付けたマルチブレードとがあるが、マルチブレードはシングルブレードに比べて生産性の向上が期待できるという特徴がある。
【０００３】
特許文献１には、図６に示すようにスピンドル３０に複数枚のブレード３１〜３３を軸方向に一定ピッチ間隔で取り付けたマルチブレードが開示されている。このマルチブレードは、同じ径、同じ厚みのブレード３１〜３３を用いたものである。
【０００４】
このようなマルチブレードを用いて被加工物をフルカットする場合、加工量が増える分、負担が増加し、刃にブレが生じるため、加工品質の維持の観点から送り速度（加工速度）を上げることができず、生産性を向上させることができない。
また、ハーフカットとフルカットとを繰り返すことで、１回当たりの加工深さを浅くし、１回の切削での切粉量を少なくした分、送り速度を上げることも考えられるが、ハーフカットされた溝にブレードを挿入してフルカットする際に、ブレードの両側面に逃げ部がないことから、切り粉が隙間に挟まれるため、チッピングが発生しやすくなる。そのため、送り速度を下げなければならず、生産性の向上につながらない。
【特許文献１】特開２００２−２４６３３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
そこで、本発明の目的は、マルチブレードを持ち、生産性の向上と品質維持とを達成できるダイシング装置およびダイシング方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、請求項１に係る発明は、スピンドルに設けられたブレードを回転させながら被加工物をブレードの面方向に相対移動させることにより、被加工物をカットするダイシング装置において、上記スピンドルには複数枚のブレードが軸方向に一定ピッチ間隔で設けられており、各ブレードはそれぞれ厚みおよび径が異なり、かつ軸方向の一方側から他方側に向かうに従いブレードの厚みが薄くかつ径が大きくなるように上記スピンドルに設けられていることを特徴とするダイシング装置を提供する。
【０００７】
請求項３に係る発明は、スピンドルに厚みおよび径が異なる複数枚のブレードを、軸方向の一方側から他方側に向かうに従いブレードの厚みが薄くかつ径が大きくなるように軸方向に一定ピッチ間隔で設けたダイシング装置を準備する工程と、上記ブレードを回転させながら被加工物をブレードの面方向に相対移動させることにより、被加工物をカットする工程であって、厚みが厚くかつ径が小さいブレードで被加工物をハーフカットする工程と、上記被加工物をスピンドルの軸方向に上記ブレードのピッチ間隔分だけ相対移動させる工程と、上記ブレードを回転させながら被加工物をブレードの面方向に相対移動させることにより、厚みが薄くかつ径が大きいブレードで既にハーフカットされた被加工物を更にハーフカットあるいはフルカットする工程と、を含むダイシング方法を提供する。
【０００８】
本発明のダイシング装置は、厚みおよび径が異なる複数枚のブレードが、軸方向の一方側から他方側に向かうに従いブレードの厚みが薄くかつ径が大きくなるようにスピンドルに設けられている。このようなマルチブレードを用いることで、被加工物を高速で切断でき、かつ加工品質を高く維持できる。
すなわち、上記のようなマルチブレードを用いて被加工物を複数回に分けて加工すれば、１回当たりの溝の深さを浅くすることができ、１回の切削での切粉量を少なくできる。しかも、先に厚みが大きいブレードでハーフカットし、続いて同じ箇所を厚みが薄いブレードでフルカットすれば、先に切断した部分が幅広になっており、次の加工時にブレードの両側面に逃げ部があるので、切粉が詰まりにくくなる。そのため、加工速度を上げることができる。また、切粉が側面部に詰まりにくくなることで、切粉による加工面の傷を防ぐことができ、加工品質を高く維持することができる。
また、厚みが厚くかつ径が小さいブレードを用いて被加工物をハーフカットし、続いて厚みが薄くかつ径が大きいブレードを用いてフルカットすれば、既に幅広な溝が形成されているので、厚みが薄いブレードだけでフルカットする場合に比べてブレードにかかる負荷が小さくなり、加工速度を上げることができる。一方、厚みが厚いブレードで被加工物に最初にハーフカットする際、ブレードに大きな負荷がかかるが、ブレードの厚みが厚いので強度が高く、ブレードの破損が少ない。
【０００９】
本発明では、各ブレードの切断深さが異なるので、複合材からなる基板の切断に適用するのが効果的である。すなわち、各ブレードの粒度、ボンド材などの特性を変えることで、層状の複合材のそれぞれに適したブレードを選ぶことができ、それによって各層の切断の品質を向上させることができる。
なお、本発明において、複数枚のブレードをスピンドルに取り付けることでマルチブレードとしたものに限らず、一体構造のスピンドルから放電加工等で溝を形成し、結果としてマルチブレードとしたもの（総型）でもよい。
【００１０】
望ましい態様によれば、最大径のブレードの半径と最小径のブレードの半径との差を、被加工物Ｗの厚みより小さくするのがよい。
すなわち、厚みが厚くかつ径が小さいブレードでハーフカットしながら、同時に別の部位で厚みが薄くかつ径が大きいブレードでさらにハーフカットあるいはフルカットを行う場合、最大径のブレードと最小径のブレードの半径差を被加工物の厚みより大きくすると、最小径のブレードがハーフカットしている時、最大径のブレードが必要以上に深くカットすることになり、被加工物を保持している粘着剤などがブレードに付着しやすくなる。これに対し、上記のような寸法設定にすることで、ハーフカットとフルカットとを同時に実施した時、最大径のブレードが必要以上に深くカットすることがなく、ブレードへの異物付着を抑制できる。
【００１１】
さらに望ましい態様によれば、ブレードの加工時の高さは、最大径のブレードのみが被加工物をフルカットでき、他のブレードが被加工物をハーフカットしうる高さに設定されているのがよい。
すなわち、ハーフカットとフルカットとを繰り返す多段カットを行う場合、ブレードの加工時の高さを、最大径のブレードのみが被加工物をフルカットしうる高さで、かつ他のブレードが被加工物をハーフカットしうる高さに設定することで、最大径のブレード以外のブレードが被加工物を少しずつハーフカットすることができる。そのため、１回当たりの加工量を少なくでき、切粉の発生を少なくできる。
【００１２】
本発明のマルチブレードを用いて被加工物を多段カットすれば、被加工物の切断面は段差状になる。そこで、本発明を、対向二端面を有する圧電基板と、この圧電基板上に形成されたＩＤＴとを備え、ＳＨタイプの表面波が対向二端面で反射される端面反射型表面波装置の製造方法に適用することができる。
この場合には、まず上面にＩＤＴを形成したマザー状態の圧電基板を準備し、反射端面として機能する対向した二端面を形成するために、上記圧電基板の上面から、圧電基板の底面には至らないようにダイシング装置の最小径のブレードを用いて圧電基板をハーフカットし、反射端面として機能する平滑な第１の端面部を形成する第１のハーフカット工程を実施し、第１のハーフカット工程の後に、第１の端面部よりも表面波伝播方向の外側において、第２の端面部を第１の端面部の下方に形成するため、圧電基板の底面には至らないようにダイシング装置の中間径のブレードを用いて圧電基板をハーフカットし、第２の端面部を形成する第２のハーフカット工程を実施し、第２のハーフカット工程の後に、第２の端面部よりも表面波伝播方向の外側において、圧電基板の底面に至るように上記ダイシング装置の最大径のブレードを用いて圧電基板を切断するフルカット工程と、を実施すればよい。
本発明のダイシング装置を用いることで、端面反射型表面波装置を効率よく製造できる。
【発明の効果】
【００１３】
以上のように、本発明によれば、厚みおよび径が異なる複数枚のブレードを、軸方向の一方側から他方側に向かうに従いブレードの厚みが薄くかつ径が大きくなるように軸方向に一定ピッチ間隔で設けたので、このマルチブレードを用いて被加工物を複数回に分けて加工すれば、１回当たりの溝の深さを浅くすることができ、１回の切削での切粉量を少なくできる。また、先に厚みが大きいブレードでハーフカットし、続いて同じ箇所を厚みが薄いブレードでフルカットすれば、先に切断した部分が幅広になっており、次の加工時にブレードの両側面に逃げ部があるので、切粉が詰まりにくくなる。そのため、加工速度を上げることができる。また、切粉が側面部に詰まりにくくなることで、切粉による加工面の傷を防ぐことができ、加工品質を高く維持することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下に、本発明の実施の形態を、実施例を参照して説明する。
【実施例１】
【００１５】
図１は本発明にかかるダイシング装置の第１実施例を示す。
このダイシング装置は、水平に配置されたスピンドル１を備えており、このスピンドル１は図示しないスピンドルモータによって回転駆動される。スピンドル１の端部にはフランジ２が連結されており、フランジ２には３枚のブレード３〜５がスペーサ６を介して軸方向に一定ピッチＳ間隔で取り付けられている。ここでは、３枚のブレード３〜５を持つ例について示したが、２枚あるいは４枚以上であってもよい。各ブレード３〜５はそれぞれ厚みＴおよび直径Ｄが異なり、軸方向の一方側から他方側に向かうに従いブレードの厚みが薄くかつ径が大きくなるようにフランジ２に取り付けられている。具体的には、フランジ２の自由端側に厚みＴ1 が最大で直径Ｄ1 が最小の第１ブレード３が固定され、フランジ２の基端側に厚みＴ3 が最小で直径Ｄ3 が最大の第３ブレード５が固定され、中央部に厚みＴ2 が中間で直径Ｄ2 が中間の第２ブレード４が固定されている。すなわち、
Ｔ1 ＞Ｔ2 ＞Ｔ3 ，Ｄ1 ＜Ｄ2 ＜Ｄ3
の関係に設定されている。
ここでは、最大径の第３ブレード５の半径Ｄ3 ／２と最小径の第１ブレード３の半径Ｄ1 ／２との差を、後述する被加工物Ｗの厚みｔ以下に設定してある。すなわち、
（Ｄ3 −Ｄ1 ）／２＜ｔ
である。
【００１６】
図２は本ダイシング装置を用いて被加工物を切断する様子を示す。
被加工物Ｗは、例えば圧電セラミックスやＬｉＴａＯ3 、ＬｉＮｂＯ3 、水晶などの圧電体ウエハよりなり、切削テーブル１０の上に吸着保持された粘着シート１１の表面に貼り付けられている。ブレード３〜５を回転させながら、テーブル１０をブレードの面方向（図２の紙面と垂直方向）に水平移動させることで、被加工物Ｗを加工することができる。
【００１７】
ここで、ダイシング方法について図２，図３を参照しながら説明する。この実施例のように３枚のブレード３〜５を備えたダイシング装置の場合、被加工物Ｗを３回に分けて切ることになる。
まず最初に、図２の（ａ）、図３の（ａ）のように、スピンドル１をテーブル１０に対して高さＨまで降下させ、被加工物Ｗを第１ブレード３で深さｔ1 だけ切る。このとき、他のブレード４，５は被加工物Ｗに接触していない。ブレード３の加工深さｔ1 が浅いので、切粉の発生量が少ない。上記高さＨは、第３ブレード５のみが被加工物Ｗをフルカットでき、かつ他のブレード３，４が被加工物Ｗをハーフカットしうる高さに設定されている。つまり、最小径のブレード３の加工深さをｔ1 とすると、次の関係が成立する。
ｔ1 ＋（Ｄ3 −Ｄ1 ）／２≧ｔ
【００１８】
次に、図２の（ｂ）、図３の（ｂ）のように、被加工物Ｗをスピンドル１の軸方向にブレード３〜５のピッチＳと同一距離だけ移動させた後、ここで再びスピンドル１をテーブル１０に対して同一高さＨまで降下させる。このとき、被加工物Ｗの新たな部分を第１ブレード３で深さｔ1 だけ切ると同時に、第１ブレード３で加工された溝の底部を第２ブレード４で深さｔ2 だけ切り込む。このとき、第３ブレード５は未だ被加工物Ｗに接触していない。
【００１９】
さらに、図２の（ｃ）、図３の（ｃ）のように、被加工物Ｗをスピンドル１の軸方向にブレード３〜５のピッチＳと同一距離だけ移動させた後、ここで再びスピンドル１をテーブル１０に対して同一高さＨまで降下させる。このとき、被加工物Ｗの新たな部分を第１ブレード３で深さｔ1 だけ切ると同時に、第１ブレード３によって加工された溝の底部を第２ブレード４で深さｔ2 だけ切り込み、さらに第２ブレード４によって加工された溝の底部を第３ブレード５で深さｔ3 だけ切り込む。第３ブレード５で切ることにより、被加工物Ｗはフルカットされる。
その後、上記動作を繰り返すことにより、被加工物Ｗから複数の部品を切り出すことができる。
上記被加工物Ｗの厚みｔと各ブレード３〜５の加工深さｔ1 〜ｔ3 は次のような関係に設定される。
ｔ1 ＋ｔ2 ＋ｔ3 ≧ｔ
【００２０】
図３の（ａ）に示すように、第１ブレード３で加工する際には、その両側に障害物が存在しないので、切粉が詰まりにくい。
図３の（ｂ）に示すように、第２ブレード４で加工する部分には、予め厚みの大きな第１ブレード３によって幅広な溝が形成されているので、第２ブレード４の両側に逃げ部が存在し、第２ブレード４の加工時の切粉が詰まりにくい。
同様に、図３の（ｃ）に示すように、第３ブレード５で加工する部分には、予め厚みの大きな第２ブレード４によって幅広な溝が形成されているので、第３ブレード５の両側に逃げ部が存在し、第３ブレード５の加工時の切粉が詰まりにくくなる。
このように厚みが大きく径の小さいブレードで加工した後に、厚みが小さく径の大きなブレードで加工するので、１回の切削での切削量が少なくて済み、加工速度を上げることができると同時に、切粉による加工面の傷を防止でき、チッピングの発生を防止できる。
【００２１】
図４は上記のような３枚のブレードを有するダイシング装置でカットした部品の一例を示す。
この部品は、例えば特開２００３−８７０７３号公報などに示された、対向二端面ＳＨタイプの表面波を反射させる構造を備えた端面反射型表面波装置である。端面反射形表面波装置は、ＬｉＴａＯ3 、ＬｉＮｂＯ3 、水晶などの圧電単結晶、あるいはチタン酸ジルコン酸鉛セラミックスのような圧電セラミックスよりなる矩形板状の圧電基板２０を有し、その上面には 表面波伝播方向に隔てられたＩＤＴ２１，２２が形成されている。この実施例では、ＩＤＴ２１，２２の電極指の延びる方向と直交する方向に表面波としてのＳＨ波が伝播し、ＳＨ波は端面２３，２４で反射される。
【００２２】
一方の端面２３には、圧電基板２０の上面から下方に延びる平滑な第１の端面部２３ａと、第１の端面部２３ａの下方において段差２３ｂを隔てて下方に延びるように形成された粗面の第２の端面部２３ｃと、第２の端面部２３ｃの下方に段差２３ｄを隔てて形成された平滑な第３の端面部２３ｅとが形成されている。中間に位置する第２の端面部２３ｃを特定範囲の表面粗さの粗面とすることにより、不要波の反射に起因する特性の劣化を抑制することができる。
【００２３】
上記端面部のうち、最上の第１の端面部２３ａと段差２３ｂは第１ブレード３で加工された面であり、中間の第２の端面部２３ｃと段差２３ｄは第２ブレード４で加工された面であり、最下の第３の端面部２３ｅは第３ブレード５で加工された面である。第１ブレード３および第３ブレード５に比べて第２ブレード４の表面粗さを大きく設定することで、上記のような段差形状の端面２３を容易に形成できる。なお、他方の端面２４も端面２３と同様に形成される。
なお、部品が例えばＣＳＰ基板のように複合材で構成されている場合、各層ごとにそれぞれに適した異なるブレードで加工することで、切断の品質を向上させることが可能である。
【００２４】
以下に、本発明者による実験結果を示す。
３枚のブレードとして、次の（１）〜（３）の電鋳ブレードを用い、砥粒はダイヤモンドを用いた。
ブレード（１）：Ｔ1 ＝０．１ｍｍ、Ｄ1 ＝５０．０ｍｍ（＃７００）
ブレード（２）：Ｔ2 ＝０．０５ｍｍ、Ｄ2 ＝５０．２ｍｍ（＃１０００）
ブレード（３）：Ｔ3 ＝０．０２ｍｍ、Ｄ3 ＝５０．４ｍｍ（＃２０００）
なお、＃は砥粒の大きさを示す番手である。
被加工物Ｗの材質：圧電セラミックスウエハ、被加工物Ｗの厚みｔ＝０．３ｍｍ、フランジ径はφ４０ｍｍ、ブレードのピッチを１０ｍｍとした。
ここでは、切り込み量つまりブレードの加工高さ（Ｈ）は、第１ブレード３が被加工物Ｗの表面から０．１ｍｍとなる深さまで加工できる高さで、第３ブレード５が被加工物Ｗを丁度フルカットできる加工高さとした。
図２と同様に、一列ずつ切ると、各列の加工量は次の通りである。単位はｍｍである。このように多段カットを実施することで、チッピングの発生が少なく、被加工物を高速で切断できた。
【００２５】
【表１】
【００２６】
図５は送り速度と被加工物の裏面に発生する最大チッピング幅との関係を示す図である。
図５から明らかなように、送り速度を上げると、チッピング幅がほぼ比例的に増えることがわかる。
本発明者の圧電セラミック基板を用いた実験によると、フルカットで７４％（７１個／９６個）の発生率でチッピングが発生していた場合、ハーフカットでは８．３％（８個／９６個）に抑えられた。
ハーフカットによりチッピングの大きさを半分にすることができるのであれば、チッピング幅を倍にしても同じ品質が保てることになる。つまり、チッピング幅が倍の加工条件でもハーフカットにすれば同じチッピングサイズにすることができる。図５の機種Ｂについて見ると、４０μｍを８０μｍにするのが許容されるのであれば、送り速度は倍以上にできることになる。
３枚のマルチブレードの場合、フルカットの場合であれば、全体の生産性はシングルブレードの３倍になる。一方、本発明の構造を採用することができれば、加工量がそれぞれのブレードで１／３になっているため、送り速度は３倍程度に上げることができる。加えて、ハーフカットでは同じ品質を維持しながら送り速度を２倍にできるので、結局、生産性はシングルブレードの６倍に上げることができる。
【００２７】
なお、第１実施例では１本のスピンドルに厚みおよび直径が異なる３枚のブレードを取り付けた例を示し、第２実施例では２種類のブレードを交互に複数枚取り付けた例を示したが、スピンドルに取り付けられるブレードの枚数や組み合わせは任意である。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明にかかるダイシング装置の第１実施例の側面図である。
【図２】図１に示すダイシング装置の加工の様子を示す図である。
【図３】ブレードと被加工物との拡大図である。
【図４】図１に示すダイシング装置でカットされた部品の一例である端面反射型表面波装置の平面図およびＡ−Ａ線断面図である。
【図５】送り速度とチッピング幅との関係を示す図である。
【図６】従来のマルチブレードの側面図である。
【符号の説明】
【００２９】
１ スピンドル
２ フランジ
３〜５ ブレード
Ｗ 被加工物
１０ テーブル
１１ 粘着シート
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スピンドルに設けられたブレードを回転させながら被加工物をブレードの面方向に相対移動させることにより、被加工物をカットするダイシング装置において、
上記スピンドルには複数枚のブレードが軸方向に一定ピッチ間隔で設けられており、
各ブレードはそれぞれ厚みおよび径が異なり、かつ上記スピンドルの軸方向の一方側から他方側に向かうに従いブレードの厚みが薄くかつ径が大きくなるように上記スピンドルに設けられていることを特徴とするダイシング装置。
【請求項２】
上記ブレードの加工時の高さは、最大径のブレードのみが被加工物をフルカットでき、他のブレードが被加工物をハーフカットしうる高さに設定されていることを特徴とする請求項１に記載のダイシング装置。
【請求項３】
スピンドルに厚みおよび径が異なる複数枚のブレードを、軸方向の一方側から他方側に向かうに従いブレードの厚みが薄くかつ径が大きくなるように軸方向に一定ピッチ間隔で設けたダイシング装置を準備する工程と、
上記ブレードを回転させながら被加工物をブレードの面方向に相対移動させることにより、被加工物をカットする工程であって、厚みが厚くかつ径が小さいブレードで被加工物をハーフカットする工程と、
上記ハーフカット工程の後、上記被加工物をスピンドルの軸方向に上記ブレードのピッチ間隔分だけ相対移動させる工程と、
上記相対移動工程の後、上記ブレードを回転させながら被加工物をブレードの面方向に相対移動させることにより、厚みが薄くかつ径が大きいブレードでハーフカット済みの被加工物を更にハーフカットあるいはフルカットする工程と、
を含むダイシング方法。
【請求項４】
最大径のブレードの半径と最小径のブレードの半径との差は、被加工物Ｗの厚みより小さく、
上記厚みが厚くかつ径が小さいブレードで被加工物をハーフカットすると同時に、このハーフカット部位から一定ピッチ間隔離れた被加工物の部位で、厚みが薄くかつ径が大きいブレードでハーフカット済みの被加工物を更にハーフカットあるいはフルカットすることを特徴とする、請求項３に記載のダイシング方法。
【請求項５】
上記ブレードの加工時の高さは、最大径のブレードのみが被加工物をフルカットでき、他のブレードが被加工物をハーフカットしうる高さに設定されていることを特徴とする請求項３または４に記載のダイシング方法。
【請求項６】
対向二端面を有する圧電基板と、この圧電基板上に形成された少なくとも１つのＩＤＴとを備え、ＳＨタイプの表面波が対向二端面で反射される端面反射型表面波装置の製造方法であって、
上面に上記ＩＤＴを形成したマザー状態の圧電基板を準備する工程と、
スピンドルに厚みおよび径が異なる３種類のブレードを、軸方向の一方側から他方側に向かうに従いブレードの厚みが薄くかつ径が大きくなるように軸方向に一定ピッチ間隔で設けたダイシング装置を準備する工程と、
反射端面として機能する対向した二端面を形成するために、上記圧電基板の上面から、圧電基板の底面には至らないように上記ダイシング装置の最小径のブレードを用いて圧電基板をハーフカットし、反射端面として機能する平滑な第１の端面部を形成する第１のハーフカット工程と、
上記第１のハーフカット工程の後に、第１の端面部よりも表面波伝播方向の外側において、第２の端面部を第１の端面部の下方に形成するため、圧電基板の底面には至らないように上記ダイシング装置の中間径のブレードを用いて圧電基板をハーフカットし、第２の端面部を形成する第２のハーフカット工程と、
上記第２のハーフカット工程の後に、第２の端面部よりも表面波伝播方向の外側において、圧電基板の底面に至るように上記ダイシング装置の最大径のブレードを用いて圧電基板を切断するフルカット工程と、を有する端面反射型表面波装置の製造方法。
【請求項１】
スピンドルに設けられたブレードを回転させながら被加工物をブレードの面方向に相対移動させることにより、被加工物をカットするダイシング装置において、
上記スピンドルには複数枚のブレードが軸方向に一定ピッチ間隔で設けられており、
各ブレードはそれぞれ厚みおよび径が異なり、かつ上記スピンドルの軸方向の一方側から他方側に向かうに従いブレードの厚みが薄くかつ径が大きくなるように上記スピンドルに設けられていることを特徴とするダイシング装置。
【請求項２】
上記ブレードの加工時の高さは、最大径のブレードのみが被加工物をフルカットでき、他のブレードが被加工物をハーフカットしうる高さに設定されていることを特徴とする請求項１に記載のダイシング装置。
【請求項３】
スピンドルに厚みおよび径が異なる複数枚のブレードを、軸方向の一方側から他方側に向かうに従いブレードの厚みが薄くかつ径が大きくなるように軸方向に一定ピッチ間隔で設けたダイシング装置を準備する工程と、
上記ブレードを回転させながら被加工物をブレードの面方向に相対移動させることにより、被加工物をカットする工程であって、厚みが厚くかつ径が小さいブレードで被加工物をハーフカットする工程と、
上記ハーフカット工程の後、上記被加工物をスピンドルの軸方向に上記ブレードのピッチ間隔分だけ相対移動させる工程と、
上記相対移動工程の後、上記ブレードを回転させながら被加工物をブレードの面方向に相対移動させることにより、厚みが薄くかつ径が大きいブレードでハーフカット済みの被加工物を更にハーフカットあるいはフルカットする工程と、
を含むダイシング方法。
【請求項４】
最大径のブレードの半径と最小径のブレードの半径との差は、被加工物Ｗの厚みより小さく、
上記厚みが厚くかつ径が小さいブレードで被加工物をハーフカットすると同時に、このハーフカット部位から一定ピッチ間隔離れた被加工物の部位で、厚みが薄くかつ径が大きいブレードでハーフカット済みの被加工物を更にハーフカットあるいはフルカットすることを特徴とする、請求項３に記載のダイシング方法。
【請求項５】
上記ブレードの加工時の高さは、最大径のブレードのみが被加工物をフルカットでき、他のブレードが被加工物をハーフカットしうる高さに設定されていることを特徴とする請求項３または４に記載のダイシング方法。
【請求項６】
対向二端面を有する圧電基板と、この圧電基板上に形成された少なくとも１つのＩＤＴとを備え、ＳＨタイプの表面波が対向二端面で反射される端面反射型表面波装置の製造方法であって、
上面に上記ＩＤＴを形成したマザー状態の圧電基板を準備する工程と、
スピンドルに厚みおよび径が異なる３種類のブレードを、軸方向の一方側から他方側に向かうに従いブレードの厚みが薄くかつ径が大きくなるように軸方向に一定ピッチ間隔で設けたダイシング装置を準備する工程と、
反射端面として機能する対向した二端面を形成するために、上記圧電基板の上面から、圧電基板の底面には至らないように上記ダイシング装置の最小径のブレードを用いて圧電基板をハーフカットし、反射端面として機能する平滑な第１の端面部を形成する第１のハーフカット工程と、
上記第１のハーフカット工程の後に、第１の端面部よりも表面波伝播方向の外側において、第２の端面部を第１の端面部の下方に形成するため、圧電基板の底面には至らないように上記ダイシング装置の中間径のブレードを用いて圧電基板をハーフカットし、第２の端面部を形成する第２のハーフカット工程と、
上記第２のハーフカット工程の後に、第２の端面部よりも表面波伝播方向の外側において、圧電基板の底面に至るように上記ダイシング装置の最大径のブレードを用いて圧電基板を切断するフルカット工程と、を有する端面反射型表面波装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２００６−２８６６９４（Ｐ２００６−２８６６９４Ａ）
【公開日】平成１８年１０月１９日（２００６．１０．１９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−１００９４６（Ｐ２００５−１００９４６）
【出願日】平成１７年３月３１日（２００５．３．３１）
【出願人】（０００００６２３１）株式会社村田製作所 (3,635)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年１０月１９日（２００６．１０．１９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年３月３１日（２００５．３．３１）
【出願人】（０００００６２３１）株式会社村田製作所 (3,635)
【Ｆターム（参考）】
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