低抵抗の圧電基板を用いて構成されており、さらに酸素を含む雰囲気中において高温下にさらされたとしても、圧電基板の再酸化が生じ難く、従ってインターデジタル電極の劣化や破壊が生じ難い、信頼性に優れた弾性表面波装置を提供する。抵抗率が１．０×１０^７〜１．０×１０^１３Ω・ｃｍである圧電基板５の主面５ａにインターデジタル電極６が形成されており、該インターデジタル電極６を覆うように保護膜９が形成されている、弾性表面波素子３。
（もっと読む）

【課題】温度の変化に対する中心周波数の変化の小さい、擬似弾性表面波を用いたフィルタを提供する。
【解決手段】電気機械結合係数の大きなＬｉＮｂＯ_３、ＬｉＴａＯ_３基板上に膜厚がＨ_１の金属膜２を付着させた後、膜厚がＨ_２で正の周波数温度特性をもつＳｉＯ_２などの薄膜３を付着させた構造とする。この基板を伝搬する弾性表面波として、レーレー波より速い速度をもつ擬似弾性表面波を用い、圧電性基板１として、ＬｉＮｂＯ_３の場合、回転Ｙ板のカット角がマイナス２５度から１８０度の範囲のＬｉＮｂＯ_３基板、ＬｉＴａＯ_３の場合、２５度から４５度の範囲であり、かつ弾性表面波の伝搬方向がＸ軸或いはＸ軸からプラス・マイナス５度の範囲であり、薄膜２の膜厚Ｈ_１／λ（λ：弾性表面波の動作周波数での波長）が０．００５から０．２の範囲であり、薄膜３の膜厚Ｈ_２／λ（λ：弾性表面波の動作周波数での波長）が０．００５から０．６の範囲でとする。 （もっと読む）

【課題】 ＳＡＷデバイスをより薄型化し、簡単な構造でＩＤＴ電極と外部電極との電気的導通性を確保しかつ確実に気密に封止する。
【解決手段】 ＳＡＷデバイス１は、圧電基板４にＩＤＴ電極５、それから引き出した取出電極８、及び圧電基板の全周辺に沿って金属接合部９を設けたＳＡＷチップ２と、ガラス基板１０に取出電極８に対応する貫通孔１１、ガラス基板下面の全周辺に沿って金属接合部１３及び貫通孔の開口周辺に接続電極１２を設けたカバー３とを備える。ＳＡＷチップの金属接合部及び取出電極とカバーの金属接合部及び接続電極とをそれぞれ熱圧着で接合し、ＳＡＷチップとカバー間の空隙にＩＤＴ電極を気密に封止する。貫通孔内に形成した金属膜１４及び封止材１６でガラス基板上面の外部電極１５とＩＤＴ電極とを電気的に接続する。カバー上面には、外部電極と重なる位置に凹部１８を形成する。 （もっと読む）

【課題】シングル電極の櫛型電極内の内部反射を抑圧するＳＡＷトランスバーサルフィルタとして利用可能な弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】ＳＡＷトランスバーサルフィルタ１は、タンタル酸リチウム単結晶からなる圧電基板と、圧電基板の表面に形成され、アルミニウムを主成分とする膜厚ＨｍのＩＤＴ２とを備えている。ＩＤＴ２は、アルミニウムを主成分とする極性が正である正極２−１と、アルミニウムを主成分とする極性が負である負極２−２と、から構成されており、正極２−１と、負極２−２とが弾性表面波の１波長内に配置されている。誘電膜３は、正極２−１と負極２−２の間の圧電基板の表面に形成され、二酸化ケイ素を主成分とし、誘電膜３の膜厚Ｈｄは、弾性表面波の波長で規格化した膜厚Ｈｄが弾性表面波の波長で規格化した膜厚Ｈｍより略３％厚くして設けられている。 （もっと読む）

【課題】励振電極間に浮き電極を配置した一方向性ＳＡＷ変換器において、方向性を高め、設計を容易にした一方向性ＳＡＷ変換器を提供することを目的とする。
【解決手段】一方向性変換器１０は１基本区間当たり８本の電極指からなり、上下バスバーに接続された励振電極１，５と、上下バスバーに接続せず各々の一端を接続電極により電気的に短絡した短絡型浮き電極２，３，６，７と、上下バスバーに接続せず電気的に開放した開放型浮き電極４，８とを備える。そして、短絡型浮き電極指２、開放型浮き電極４、短絡型浮き電極６、開放型浮き電極８の各々の電極指の中心間距離、及び励振に寄与する励振電極１、短絡型浮き電極３、励振電極５、短絡型浮き電極７の各々の電極指の中心間距離をλ／４とし、且つ、励振電極１と短絡型浮き電極２との中心間距離をλ／８とする。 （もっと読む）

電気機械結合係数が大きく、伝搬損失及びパワーフロー角が小さく、周波数温度係数ＴＣＦが適度な範囲にあり、簡潔な構造により簡単な工法で製造され得るＳＨ型の弾性境界波を用いた弾性境界波装置を提供する。圧電体の一面に誘電体が積層されており、圧電体と誘電体との間の境界に電極としてＩＤＴ及び反射器が配置されており、誘電体を伝搬する遅い横波の音速及び圧電体を伝搬する遅い横波の音速よりもＳＨ型弾性境界波の音速を低くするように、上記電極の厚みが決定されている、弾性境界波装置。
（もっと読む）

【課題】広帯域化を図り得るだけでなく、通過帯域内における挿入損失を小さくし得る縦結合共振子型弾性表面波フィルタを得る。
【解決手段】圧電基板２上に、弾性表面波伝搬方向に沿ってそれぞれ複数本の電極指を有する少なくとも３つのＩＤＴ１３〜１５を備え、少なくとも１つのＩＤＴ１３〜１５が、表面波伝搬方向に隣接している他のＩＤＴ端部から一部分である狭ピッチ部分の電極指の周期が、該ＩＤＴの残りの部分の電極指の周期より狭くされており、かつ０次モード、２次モード及びＩＤＴ−ＩＤＴ間共振モードを利用している、縦結合共振子型弾性表面波フィルタ１。 （もっと読む）

【課題】 圧電基板の他方主面に導体層が形成された弾性表面波素子をフェースダウン実装した弾性表面波装置の通過帯域外減衰量を改善する。
【解決手段】 圧電基板２の一方主面に励振電極３と入力パッド部と出力パッド部とを具備するフィルタ領域が形成され、他方主面に半導体層22が形成された弾性表面波素子１を、実装用基体上に一方主面を対面させて実装している弾性表面波装置である。弾性表面波素子１の作製工程で発生する焦電破壊を防止するために圧電基板２の他方主面に設けられていた導体層に代えて、キャリア移動度の小さい半導体層２を形成したことによって、フィルタ領域の入力パッド部および出力パッド部間に形成されていた寄生容量による入力パッド部および出力パッド部間の結合量を大幅に小さくすることができ、これにより、通過帯域外減衰量を改善することができる。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能で、不要共振による電気特性上の不具合が抑制された弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】圧電基板１０と、その上に弾性表面波の伝搬方向に沿って形成された一対の反射器電極２１ａ、２１ｂと、その間に形成された少なくとも一つのＩＤＴ電極２２とを有する弾性表面波装置において、一対の反射器電極２１ａ、２１ｂの一方の電極厚みと他方の電極厚みとを異ならせる。 （もっと読む）

【課題】任意の帯域幅の共振器及びフィルタを提供する。
【解決手段】大きな電気機械結合係数をもつ圧電・電歪物質基板の表面或いは圧電薄膜基板上にすだれ状電極を配置した共振器、或いはその両側に反射器を配置した構造の共振器において、電極の交差幅を伝搬方向に変化させることにより、励振効率を低下させ、全体の電極対数を大きくすることにより、共振−反共振の周波数幅を狭くする。 （もっと読む）

【課題】横モードスプリアスを低減し、電極指の交差幅を大きくできるようにする。
【解決手段】弾性表面波素子片１０は、圧電基板１２がタンタル酸リチウムのＸカット板から形成してある。圧電基板１２の表面には、すだれ状電極からなる一対のＩＤＴ（１４ａ、１４ｂ）と、これらのＩＤＴを挟むように一対の反射器（２０ａ、２０ｂ）とが設けてある。ＩＤＴ（１４ａ、１４ｂ）を形成している電極指部１８（１８ａ、１８ｂ）は、アルミニウム系金属膜からなる電極指本体３０を有する。電極指本体３０の表面には、電極指本体３０を陽極酸化して形成した陽極酸化膜３２が設けてある。陽極酸化膜３２は、二酸化ケイ素膜２６によって覆われている。また、電極指部（１８ａ、１８ｂ）の交差幅は、弾性表面波の波長の２０倍以上にしてある。 （もっと読む）

【課題】電気機械結合係数の低下を防止して、挿入損失の改善を図った弾性表面波素子、かかる弾性表面波素子を備える電子デバイスおよび電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の弾性表面波素子１は、主として圧電材料で構成された圧電体層４と、この圧電体層４上に設けられ、バスバー（基部）５２、６２と、これに接続され、所定間隔で併設された複数の電極指５１、６１とを備える一対の櫛歯電極で構成されたＩＤＴ５、６と、バスバー５２、６２に接続された端子（電気接続部）８１〜８４と、圧電体層４のＩＤＴ５、６と反対側の面に接触して設けられ、主として導電性材料および／または半導体材料で構成された下地層３とを有する。この弾性表面波素子１では、下地層３が、平面視で少なくとも各電極指５１、６１と重なる領域と、端子８１〜８４と重なる領域とに分離して設けられている。 （もっと読む）

【課題】マルチバンドに対応した無線通信装置に使用され、周波数帯又は通信方式の異なる複数の系を分ける分波器において、１つの設計で、規定数の系の中から任意の系の組み合わせを選ぶことができる分波器を提供する。
【解決手段】アンテナ端子から分岐して表層まで延長した表層パターンＬ１〜Ｌ３と、これに対向して表層に設けられた表層ＧＮＤパターンＬ７〜Ｌ９と、各系のフィルタの入力を表層まで延長した表層パターンＬ４〜Ｌ６とを設け、これらの表層パターンに搭載するチップ抵抗のインピーダンスと取り付け位置を選択することにより、ひとつの分波器にて、複数の系の組み合わせに対応する。 （もっと読む）

圧電基板（Ｓ）上に形成されるＳＡＷ素子に関して損失を低減するために、速いすべり波の伝播速度よりも表面波の伝播速度が低くなるまで、金属化部（Ｍ）により質量応力が高められる。その際、温度変動の上昇が限界を超えないようにする目的で、Ａｌよりも著しく大きい固有層厚ないしは比層厚をもつ金属化部が用いられる。これと並行して、実質的に面全体にわたり被着された補償層（Ｋ）によって素子の温度変動が小さくされる。この補償層は、基板と金属化部の組み合わせによる弾性率に対し逆に作用する弾性係数の温度依存性をもつ材料から選択される。
（もっと読む）

【課題】励振電極間にＰＮＲ（Positive and Nagative Reflectivity：正負反射型反射エレメント）を配置した一方向性ＳＡＷ変換器及びそれを用いたＳＡＷデバイスにおいて、優れた群遅延時間偏差及び低リップル化を実現することを目的とする。
【解決手段】ＰＮＲ型一方向性ＳＡＷ変換器１は、外部端子４に接続されたバスバー２より伸長する正電極指Ｔ１、Ｔ２と接地されたバスバー３より伸長する負電極指Ｔ３、Ｔ４を一対とするスプリット電極１０と、前記バスバー２、３のどちらにも電気的に接続されていない開放型浮き電極Ｏ１、Ｏ２と短絡型浮き電極Ｓ１、Ｓ２からなるＰＮＲ１１から構成されており、ＰＮＲ１１の電極周期をλ１、スプリット電極１０の電極周期をλ２とした時、電極周期偏倚率ｄ＝（λ１−λ２）／λ１を０＜ｄ≦０．０３８の範囲に設定する。 （もっと読む）

【課題】育成結晶の正しい化学組成比を求め、高精度なSAWデバイス設計パラメータを与える。
【解決手段】コングルエント組成近傍の組成の結晶に対し、化学組成比変動に対して敏感なLSAWの伝搬方向を決定し、その伝搬方向において各結晶の育成軸方向のLSAW速度分布測定を通して、育成軸方向分布が0になる組成を決定し、その組成でのLSAW速度との絶対的関係を得る。これにより、極めて組成分布の小さい結晶量産を実現し、結晶化学組成評価の信頼性のある絶対的指標を与える。また、化学組成比に関する音響関連物理定数の正しい関係を求め、育成結晶の化学組成比に対応した音響関連物理定数を用いてSAWデバイス設計パラメータを高精度に決定する。 （もっと読む）

【課題】 複数の周波数帯での通信を１つの送信機、又は受信機で選択的に切り替えて行うことができる送受信機を提供する。
【解決手段】 上記課題を達成するための送信機は、送信信号を出力するための発振器２０と、前記発振器からの出力信号を電波として放出するためのアンテナ４４とを備える送信機である。前記発振器２０は、１つの圧電基板の一主面に、並列配置した複数のＩＤＴを有するＳＡＷ素子と、前記弾性表面波素子に配設された複数のＩＤＴと並列接続した増幅器と、前記増幅器と前記ＩＤＴとの間に設けられ、前記増幅器と前記複数のＩＤＴの中から選択されたものとを並列に接続する接続切替回路と、を備える発振装置２０ａと、入力された信号に従って前記接続切替回路の接続切り替え制御を行うモード切替制御部２６と、前記発振装置からの出力信号を、入力された出力制御信号に従って振幅変調するための出力制御部４０とを有することを特徴とする。また、受信機は、前記発振装置を局部発振器に備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フリップチップボンディング技術により弾性表面波素子が形成された圧電素子をパッケージに搭載する弾性表面波デバイスの小型化と高信頼化を実現する。
【解決手段】線膨張係数を有するパッケージと、弾性表面波素子が形成され、前記パッケージにフリップチップボンディングで搭載された圧電素子を有し、前記圧電素子は、Ｘ，Ｙ，Ｚ結晶軸を有する単結晶から所定角度で切り出されたものであり、前記弾性表面波素子の櫛形電極により生成される弾性表面波の進行方向とこれに垂直な方向の線膨張係数が異なり、且つ前記パッケージの線膨張係数に近い線膨張係数を持つ方向を長辺として有する。 （もっと読む）

【課題】 弾性表面波素子をフェースダウン実装した弾性表面波装置の通過帯域外減衰量を改善する。
【解決手段】 圧電基板の一方主面に導体層を形成する工程および多数の弾性表面波素子領域を形成する工程および圧電基板の他方主面に導体層を形成する工程と多数個の弾性表面波素子を得る工程との間に、または実装する工程の後に、圧電基板の他方主面に形成した導体層を全て除去する工程を具備する弾性表面波装置の製造方法である。圧電基板の他方主面の導体層を全て除去することにより、通過帯域外減衰量を大幅に改善することができる。 （もっと読む）

【課題】複数の周波数帯を分波する複合型分波回路において、ＳＡＷデュープレクサ１６を縦続接続することに起因する低周波ノッチの発生を防止する。
【解決手段】分波される信号が入力される入力端子がＧＮＤと電気的に接続されておらず、かつ、３つの異なる周波数が第１、第２、第３の順に周波数が高くなる関係にある場合での第２の周波数帯の信号を取り出す分波回路がインダクタ及びキャパシタから成る位相調整回路６とＳＡＷフィルタ７とから構成される。
【効果】伝送損失を悪化させることなく、高調波歪の発生も抑制することが可能である。 （もっと読む）