【課題】低コストで、電気機械結合係数が向上された弾性表面波デバイス用圧電基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】タンタル酸リチウム単結晶又はニオブ酸リチウム単結晶からなる弾性表面波デバイス用圧電基板であって、該弾性表面波デバイス用圧電基板は、引き上げ法により得られたコングルエント組成のタンタル酸リチウム単結晶又はニオブ酸リチウム単結晶からなる基板の表層に、リチウムが拡散されたものであり、該リチウムが拡散された表層の厚さは、弾性表面波の波長で規格化した値で３〜１５波長の範囲である弾性表面波デバイス用圧電基板。 （もっと読む）

【課題】実用的なエッチング速度を維持するために必要な被エッチング層の厚みを従来よりも薄くすることができる圧電デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】まず、圧電基板のイオン注入面からイオンを注入して、圧電基板内部にイオン注入部分を形成する。次に、イオン注入面に少なくとも被エッチング層を介して仮基板を積層した構成の仮積層体を形成する。次に、仮積層体を加熱し、イオン注入部分を分離面として圧電基板から圧電薄膜を分離する。次に、分離面に少なくとも支持基板を積層した構成の積層体を形成する。そして、仮基板または支持基板に、仮基板と支持基板との間隔を広げるような応力が付与された応力付与状態で、被エッチング層をエッチングして被エッチング層と仮基板とを除去する。 （もっと読む）

【課題】被加工物の表面が目的のプロファイルになるように該表面をエッチングする表面加工方法を提供する。
【解決手段】被加工物表面の加工前のプロファイルを測定し、気体又は液体から成るエッチング剤を前記表面に向けて所定の流量で供給する供給手段を、該表面上の各点において前記目的プロファイルと前記加工前プロファイルの差から求めた加工深さにより定まる速度で、該表面に沿って移動させることにより、該表面をエッチングし、前記流量のエッチング剤を除去可能な量以上の吸引量で、前記表面付近の液体又は気体を吸引除去する。ここでエッチング剤が液体の場合には、液体と共に、該液体が気化した気体も吸引除去する。 （もっと読む）

【課題】配線基板上に実装されている弾性境界波素子の周囲を被覆するように配線基板上に樹脂層が形成されている弾性境界波装置において、放熱性を向上する。
【解決手段】弾性境界波装置１は、弾性境界波素子１０と、弾性境界波素子１０が実装されている配線基板２０と、樹脂層３０と、配線基板２０及び樹脂層３０よりも高い熱伝導率を有する熱伝導体２２とを備えている。弾性境界波素子１０は、圧電基板１１と、圧電基板１１の上に形成されている誘電体層１２と、圧電基板１１と誘電体層１２との間に形成されているＩＤＴ電極１３ａとを有する。樹脂層３０は、弾性境界波素子１０の周囲を被覆するように配線基板２０上に形成されている。熱伝導体２２は、平面視したときにＩＤＴ電極１３ａが設けられている領域Ａの少なくとも一部において、配線基板２０及び樹脂層３０のうちの少なくとも一方の内部に設けられている。 （もっと読む）

【課題】第１基板と第２基板とを接着層で貼り合わせた構造を有する複合基板において、製造工程での制限をより低減する。
【解決手段】本発明の複合基板１０の製造方法は、第１基板１２の表面に素子構造部３１を形成する形成工程と、第１基板１２を固定し第１基板１２の裏面１３を研削する研削工程と、研削した裏面１３に接着剤により形成される接着層１６で第２基板１４を貼り合わせる貼合工程と、を含む。このように、加熱によりハンドリング性が影響される接着層１６の形成前、且つ強度低下する第１基板１２の研削前に、加熱する工程を含む素子構造部３１の形成を行うのである。また、第１基板１２として圧電基板を用い、第２基板１４として圧電基板を支持する支持基板を用いるものとしてもよく、素子構造部３１として弾性波デバイス用の電極１８を第１基板１２の表面１１に形成するものとしてもよい。 （もっと読む）

【課題】多結晶支持基板と圧電基板との接着強度をより高めることができる複合基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】複合基板１０は、圧電基板１２と、第１支持基板１４と第１平滑層１６とを有する支持基板１７と、第１接着層１９とを備えたものである。第１支持基板１４は、圧電基板１２の表面粗さより大きい表面粗さを有する多結晶基板である。第１平滑層１６は第１支持基板１４の表面に溶着されて、支持基板１７の表面に第１支持基板１４の表面粗さより小さい表面粗さの表面を形成するものである。このような支持基板１７は、平滑な表面を有するため、圧電基板１２との接着強度をより高めることができる。また、溶着によって第１平滑層１６が形成されているから、第１平滑層１６と第１支持基板１４とが剥離しにくい。このため圧電基板と支持基板との接着強度をより高めることができる。 （もっと読む）

バルク音響共振器アセンブリおよびその共振器アセンブリを製造するための方法を提供する。共振器は、基板の第１の表面上にキャビティを含み、低音響損失材料のシートがキャビティに亘って懸吊される。低音響損失材料のシートは、低音響損失材料のシートの関連される基本周波数が、基板の第１の表面に平行する方向における低音響損失材料のシートの長さに応じるように構成される。トランスデューサは、低音響損失材料のシート上に電気機械層、および電気機械材料上に形成されたパターニングされた導電材料を含む。トランスデューサは、電気信号を導電パターンに付与すると、低音響損失材料において振動を誘発するように構成される。 （もっと読む）

【課題】効率よく高精度に弾性表面波素子を容易に製造することができる弾性表面波素子の製造方法を提供する。
【解決手段】弾性表面波素子の製造方法は、（ａ）圧電基板１０の一方主面１０ｂを加工して、圧電基板１０を薄くする基板薄化工程と、（ｂ）薄くされた圧電基板１０に樹脂の接着剤１２を介して、圧電基板１０の線膨張係数よりも小さい線膨張係数を有する支持基板１４を接着する接着工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】温度係数が劣化することなく、タンタル酸リチウム結晶の電気機械結合係数を向上させ、かつ結晶育成が容易な、高品質の表面弾性波素子用基板、及びその製造方法の提供。
【解決手段】鉄置換タンタル酸リチウム結晶からなり、電気機械結合係数がコングルーエント組成のタンタル酸リチウム結晶からなる表面弾性波素子用基板の１．１倍以上である表面弾性波素子用基板の形成。 （もっと読む）

本発明の一部の実施例は、第１のフィルタがそれぞれ、少なくとも１つの第１のフィルタを製造するために使用される第１の材料の関数である第１のフィルタ・パラメータの組を有するバンド阻止型フィルタである少なくとも１つの第１のフィルタと、少なくとも１つの第２のフィルタを製造するために使用される第２の材料の関数である第２のフィルタ・パラメータの組を第２のフィルタがそれぞれ有する少なくとも１つの第２のフィルタであって、第２のフィルタがそれぞれ、バンド阻止型フィルタ及びバンド・パス型フィルタの一方である少なくとも１つの第２のフィルタとを有するフィルタが提供される。フィルタを形成するために、少なくとも１つの第１のフィルタ及び少なくとも１つの第２のフィルタのうちの少なくとも１つは併せて縦続接続される。第１の材料及び第２の材料は異なる材料である。縦続接続フィルタは、第１の材料及び第２の材料の関数である新たな第３のフィルタ・パラメータの組を有する。本発明の他の実施例は、フィルタを製造する方法、及び前述の縦続接続フィルタを使用したフィルタリングの方法を含む。
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【課題】弾性波デバイスに利用される複合基板であって、耐熱性の優れたものを提供する。
【解決手段】複合基板１０は、弾性波を伝搬可能なタンタル酸リチウム（ＬＴ）からなる圧電基板１２と、方位（１１１）面で圧電基板１２に接合されたシリコンからなる支持基板１４と、両基板１２，１４を接合する接着層１６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】絶縁性に優れた複合酸化物積層体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板２０と、前記基板２０の上方に形成され、一般式ＡＢＯ₃で表される第１複合酸化物層２４と、前記第１複合酸化物層２４の上方に形成され、一般式ＡＢ_1-xＣ_xＯ₃で表される第２複合酸化物層２６と、を含み、Ａ元素は、少なくともＰｂからなり、Ｂ元素は、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｖ、ＷおよびＨｆの少なくとも一つからなり、Ｃ元素は、ＮｂおよびＴａの少なくとも一つからなる。 （もっと読む）

【課題】導電率が１×１０^−１３Ω^−１・ｃｍ^−１以上、９．９９×１０^−１２Ω^−１・ｃｍ^−１以下であり、焦電性が抑制されたタンタル酸リチウム結晶の製造方法、及びタンタル酸リチウム結晶を提供する。
【解決手段】タンタル酸リチウム結晶素材を還元剤と共に還元雰囲気下で熱処理することによってタンタル酸リチウム結晶を製造する製造方法において、前記タンタル酸リチウム結晶素材と前記還元剤を準備しＡ、Ｃ、前記素材を金属のハロゲン化物を含有する溶液に浸漬Ｂ後、キュリー温度以下の温度で前記還元剤と前記タンタル酸リチウム結晶素材とを重ね合わせて熱処理Ｄすることにより、熱処理後のタンタル酸リチウム結晶の導電率を１×１０^−１３Ω^−１・ｃｍ^−１以上、９．９９×１０^−１２Ω^−１・ｃｍ^−１以下とする。 （もっと読む）

【課題】焦電性を抑制したタンタル酸リチウム結晶の製造方法及びタンタル酸リチウム結晶からなるウェハを提供する。
【解決手段】少なくとも、タンタル酸リチウム結晶素材と還元剤を準備しＡ、Ｃ、前記素材を金属のハロゲン化物を含有する溶液に浸漬Ｂ後、キュリー温度以下の温度でかつ還元雰囲気下で、前記還元剤と前記タンタル酸リチウム結晶素材を重ね合わせて熱処理Ｄし、該熱処理による反応が平衡状態になるまで熱処理を行う製造方法であって、前記準備する還元剤の還元力を調整することにより前記熱処理後に得られるタンタル酸リチウム結晶の導電率が１×１０^−１３Ω^−１・ｃｍ^−１以上、９．９９×１０^−１２Ω^−１・ｃｍ^−１以下、かつ導電性の結晶面内分布を均一となるように制御する。 （もっと読む）

【課題】熱処理後の反り増加量が小さく、かつ安価な複合化された圧電基板を提供することを目的とする。
【解決手段】圧電基板と絶縁体基板が接着剤を介して貼り合わされた複合化された圧電基板であって、前記圧電基板は、導電率が１×１０^−１３［Ω^−１・ｃｍ^−１］以上、特には導電率が５×１０^−１２［Ω^−１・ｃｍ^−１］以上１×１０^−１０［Ω^−１・ｃｍ^−１］以下であり、また前記絶縁体基板は、導電率が１×１０^−１４［Ω^−１・ｃｍ^−１］以下であることを特徴とする複合化された圧電基板。 （もっと読む）

【課題】焦電性が抑制されたタンタル酸リチウム結晶、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、タンタル酸リチウム結晶素材を準備し、該素材を塩化ナトリウム、塩化カリウムなどの金属のハロゲン化物を含有する溶液に浸漬後、３１０℃以上、キュリー温度以下の温度でかつ還元雰囲気下で、還元剤と前記タンタル酸リチウム結晶素材を２０ｍｍ以下の距離で近接して、あるいは、重ね合わせて熱処理する。このとき、前記還元剤として、タンタル酸リチウム結晶をキュリー温度以上の温度で、かつ還元雰囲気下で熱処理することによって得られた多分極タンタル酸リチウムを用いる。この処理により、タンタル酸リチウム結晶の導電率が向上するとともに結晶面内で均一となるので、焦電性が抑制される。 （もっと読む）

【課題】紫外線透過率が悪化したＳＡＷ素子片であっても、接合剤として紫外線硬化型樹脂を有効に使用することのできるチップの固定構造を持ったＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】体積抵抗率を低下させるための酸化還元処理が施されたニオブ酸リチウム、またはタンタル酸リチウムを圧電素板１４として採用したＳＡＷ素子片１２をパッケージ２０の搭載面に固定するＳＡＷデバイス１０であって、ＳＡＷ素子片１２の周囲に塗布した紫外線硬化型樹脂３４により、ＳＡＷ素子片１２の側面と前記搭載面とを結合したことを特徴とする。このような構成のＳＡＷデバイス１０では、紫外線硬化型樹脂３４をＳＡＷ素子片１２の全周に塗布することが望ましい。 （もっと読む）

ごくわずかな揮発で一致溶融する化合物から結晶を成長させる方法を提供する。１又はそれ以上の結晶試料の組成を測定する。結晶組成の一致状態からの偏差を求める。初期溶融物組成及び原料物質組成の偏差に対する補正を決定する。この組成の補正を使用して結晶を成長させ、表面弾性基板製造のための再現性のある材料を生み出す。 （もっと読む）

【課題】高濃度のロジウム（Ｒｈ）がドープされたタンタル酸リチウム基板を低コストで容易に製造できる方法を提供する。
【解決手段】基板１の状態に加工されたタンタル酸リチウム単結晶の片側全面にＲｈ板またはＰｔ−Ｒｈ合金板により構成された正電極板２が接触するように取り付け、かつ単結晶の他方側全面に負電極板３を取り付けると共に、これ等電極板間に電圧を印加した状態で、７００℃以上、タンタル酸リチウム単結晶の融点未満の温度条件で、１時間以上２０時間以下熱処理する。熱処理雰囲気は、大気、真空、不活性ガス、還元性ガスの何れでもよく任意である。 （もっと読む）

【課題】従来法において困難であった高濃度のロジウム（Ｒｈ）がドープされたタンタル酸リチウム基板を低コストで容易に製造できる方法を提供すること。
【解決手段】このタンタル酸リチウム基板の製造方法は、基板１の状態に加工されたタンタル酸リチウム単結晶を、Ｒｈ板またはＰｔ−Ｒｈ合金板２と接触させ、８００℃以上、タンタル酸リチウム単結晶の融点未満の温度条件で３時間以上５０時間以下熱処理することを特徴とする。尚、熱処理雰囲気は、大気、真空、不活性ガス、還元性ガスの何れでもよく任意である。 （もっと読む）