【課題】圧電基板に水晶基板を用い励振波をＳＨ波としたＳＡＷデバイスにおいて、広帯域で、且つ優れた周波数温度特性を実現することを目的とする。
【解決手段】圧電基板１上に、ＩＤＴ２とその両側にグレーティング反射器３ａ、３ｂを配置する。圧電基板１は、回転Ｙカット水晶基板のカット角θを結晶Ｚ軸より反時計方向に−６５°≦θ≦−５１°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶Ｘ軸に対し９０°±５°にした水晶平板であり、励振する弾性表面波はＳＨ波である。ＩＤＴ２及びグレーティング反射器３ａ、３ｂはＴａ又はＴａを主成分とする合金からなり、弾性表面波の波長をλとした時、波長λで基準化した電極膜厚Ｈ／λをＨ／λ≧０．０１の範囲に設定する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯ_２膜による電極保護効果及び温度特性改善効果を有するだけでなく、挿入損失の劣化を抑制し得る弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】回転ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ_３基板と、ＬｉＴａＯ_３基板上に形成されており、かつＡｌまたはＡｌを主成分とする金属からなる少なくとも１つのインターデジタルトランスデューサと、インターデジタルトランスデューサを覆うようにＬｉＴａＯ_３基板表面に形成されたＳｉＯ_２膜と、反射器とを備え、ＳｉＯ_２膜の表面波の波長λで規格化された膜厚をＨｓとし、ＬｉＴａＯ_３基板のカット角をθとしたときに、規格化膜厚Ｈｓが所定の範囲にあり、かつ反射器がＬｉＴａＯ_３基板の端面により構成されており、それによって端面反射型の表面波装置とされていることを特徴とする、表面波装置。 （もっと読む）

【課題】水晶基板を用いたＳＡＷデバイスにおいて、容量比γを小さくし、周波数制御性を高めたＳＡＷデバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】圧電基板１は、回転Ｙカット水晶基板のカット角θを結晶Ｚ軸より反時計方向に−６４．０°＜θ＜−４９．３°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶Ｘ軸に対し９０°±５°にした水晶平板であり、励振する弾性表面波はＳＨ波である。また、ＩＤＴ２及びグレーティング反射器３ａ、３ｂはＡｌ又はＡｌを主成分とする合金からなり、弾性表面波の波長λで基準化した電極膜厚Ｈ／λを０．０４＜Ｈ／λ＜０．１２に設定する。そして、前記ＩＤＴを構成する電極指のライン占有率ｍｒを電極指幅／（電極指幅＋電極指間スペース）とした時に、前記ライン占有率ｍｒを０．５３≦ｍｒ≦０．６５、又は０．５５≦ｍｒ≦０．６８に設定する。 （もっと読む）

【課題】 弾性表面波装置の発振周波数としてストップバンドの上限モードを利用し、周波数温度特性が優れ、かつ高周波化が容易な弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】 水晶基板１表面にＲａｙｌｅｉｇｈ型弾性表面波を励振させるためのＩＤＴ電極を少なくとも備えた弾性表面波装置２において、水晶基板１の切り出し角度及び弾性表面波伝搬方向をオイラー角表示で（φ，θ，ψ）とするとき、φ＝０°、０°≦θ≦１８０°、０°＜｜ψ｜＜９０°に設定する。 （もっと読む）

【課題】優れた温度特性を得ることができるマルチバンド型弾性波フィルタを提供する。
【解決手段】ＳＡＷフィルタ１０の中心周波数ｆ₁は、ＳＡＷフィルタ３０の中心周波数ｆ₂より低い。ＳＡＷフィルタ１０，３０に関してすだれ状電極の膜厚ｈはすべて等しく設定されている。そして、ＳＡＷフィルタ１０に関して入力側すだれ状電極１２，１４のメタライズ比、出力側すだれ状電極１６，１８のメタライズ比をそれぞれＭｉ１、Ｍｏ１とし、ＳＡＷフィルタ３０に関して入力側すだれ状電極３２，３４のメタライズ比、出力側すだれ状電極３６，３８のメタライズ比をそれぞれＭｉ２、Ｍｏ２とすると、Ｍｉ１＞Ｍｉ２及びＭｏ１＞Ｍｏ２が成立する。 （もっと読む）

電気機械結合係数が大きく、伝搬損失及びパワーフロー角が小さく、周波数温度係数ＴＣＦが適度な範囲にあり、簡潔な構造により簡単な工法で製造され得るＳＨ型の弾性境界波を用いた弾性境界波装置を提供する。圧電体の一面に誘電体が積層されており、圧電体と誘電体との間の境界に電極としてＩＤＴ及び反射器が配置されており、誘電体を伝搬する遅い横波の音速及び圧電体を伝搬する遅い横波の音速よりもＳＨ型弾性境界波の音速を低くするように、上記電極の厚みが決定されている、弾性境界波装置。
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【課題】 ＳＨ型弾性表面波デバイスに発生するＳＳＢＷを主振動から離れた周波数に相対的に移す手段を得る。
【解決手段】 ＳＴカット水晶基板上に少なくともの１つのＩＤＴ電極を配置すると共に、前記ＩＤＴ電極を構成する電極指を覆うようにＳｉＯ_２膜を付着して構成したＳＨ型弾性表面波デバイスであって、ＳＨ型弾性表面波デバイスの周波数ｆ１、基板上に励起されるＳＳＢＷの周波数をｆ２とし、周波数差ΔＦ＝（ｆ２−ｆ１）／ｆ１と定義したとき、所望の周波数差ΔＦを、ｈ＝（ΔＦ−ΔＦ_０）／０．９１±０．２に基づいて、ＳｉＯ_２膜厚ｈ決める。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯ_２膜による電極保護効果及び温度特性改善効果を有するだけでなく、挿入損失の劣化を抑制し得る弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】回転ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ_３からなる圧電基板１２上に、ＡｌまたはＡｌを主成分とする金属からなる少なくとも１つのＩＤＴ１３ａ，１３ｂが形成されており、ＩＤＴ１３ａ，１３ｂを覆うようにＳｉＯ_２膜１５が形成されており、ＳｉＯ_２膜の規格化膜厚Ｈｓ及びＬｉＴａＯ_３からなる圧電基板のカット角θとの組合せを所定の範囲となる様選択することにより、温度特性改善の効果を維持しつつ弾性表面波の減衰定数を小さくでき、それによって挿入損失を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】 電極膜の剥離を防ぎ、ＳＨ型弾性表面波デバイスの振動損失を低減するＳｉＯ_２膜の膜厚を得る。
【解決手段】 オイラー角（０°，１１０°〜１５０°，９０°±２°）の水晶基板上に少なくともの１つのＩＤＴ電極と複数のグレーティング反射器とを配置すると共に、該ＩＤＴ電極、グレーティング反射器を覆うようにＳｉＯ_２膜を付着して構成したＳＨ型弾性表面波デバイスであり、ＳｉＯ_２膜の膜厚Ｈが８％λ＜Ｈ＜１０％λ（λは波長）に設定してＳＨ型弾性表面波デバイスを構成する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕを主成分とするインターデジタル電極を用いた弾性表面波装置であって、耐電力性が著しく改善された弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】圧電基板２と、圧電基板２上に形成されたインターデジタル電極３とを備え、インターデジタル電極３が、ＣｕまたはＣｕを主成分とする合金からなる主電極層３ａと、主電極層３ａと圧電基板２との間に配置されており、Ｔｉを主成分とし、膜厚が１８〜６０ｎｍの範囲にある密着層３ｂとを備える、弾性表面波装置１。 （もっと読む）

【課題】ＩＤＴ上にＳｉＯ₂膜を形成することにより周波数温度特性が改善されているだけでなく、ＳｉＯ₂膜表面におけるクラックが生じ難く、所望とする特性を確実に得ることができ、電気機械結合係数が大きく、減衰定数α小さい弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】２０°〜６０°回転Ｙ板のＬｉＴａＯ₃基板上に、Ａｇを主体とする少なくとも１つのＩＤＴが形成されており、該ＩＤＴを覆うように、ＬｉＴａＯ₃基板上にＳｉＯ₂膜が形成されている、弾性表面波装置。 （もっと読む）

【課題】高周波帯に用いられるＳＡＷデバイスにおいて、電極膜厚を厚くした時の膜厚ばらつきによる特性変動の抑圧を図る。
【解決手段】圧電基板１上にそれぞれ互いに間挿し合う複数本の電極指を有する一対のくし形電極により構成されたＩＤＴ２と、該ＩＤＴ２の両端に反射器３ａ、３ｂを配置し、前記ＩＤＴ２をマグネシウム、又はマグネシウムを３０ｗｔ％以上含有した合金からなる単層膜で形成し、ＩＤＴ２のＳＡＷの波長λで規格化した電極膜厚を４％λ以上とした時に、電極指の幅を０．３７５±０．０２５λに設定することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ＳＨ型弾性表面波デバイスの挿入損失に関し、最適化電極膜厚を得る。
【解決手段】 オイラー角（０°，１１０°〜１５０°，９０°±２°）の水晶基板上にアルミニウムを主成分とする合金のＩＤＴ電極及びグレーティング反射器を複数個備えたＳＨ型弾性表面波デバイスであって、前記ＩＤＴ電極及びグレーティング反射器の実効膜厚Ｈ＝Ｈ_０・２Ｌ／（Ｌ＋Ｓ）（Ｈ_０は規格化膜厚、Ｌはライン幅、Ｓはスペース幅）が３％λから４．５％λ（λは波長）の範囲にあるように設定する。 （もっと読む）

【課題】水晶基板上にＺｎＯ薄膜を形成することで表面に導波される縦波型漏洩弾性表面波を利用したＳＡＷデバイスにおいて更なる高周波化を図ると共に良好な特性を実現する。
【解決手段】オイラー角表示で（０，θ，０）の水晶基板１上にＩＤＴ２を形成し、該ＩＤＴ２を覆うようにＺｎＯ薄膜３を形成し、縦波型漏洩ＳＡＷを基板表面に励振させ、水晶基板１のカット角θを１２０°≦θ≦１４０°の範囲に設定し、且つ、縦波型漏洩ＳＡＷの波長λで規格化したＺｎＯ薄膜３の膜厚ＨをＨ≦０．０８λの範囲に設定することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 チップに保護膜を設けても、ワイヤボンディングの信頼性を確保しつつチップの小型化を図ることができる弾性表面波装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板１２と、基板１２上に形成されたＩＤＴ１４，１５と、ＩＤＴ１４，１５に接続されたパッド１３ａ，１４ａ，１４ｓ，１５ａ，１５ｓと、を有するＳＡＷチップ１１と、ランド２１ａ〜２５ａを有するパッケージ２０と、ＳＡＷチップ１１のパッド１３ａ，１４ａ，１４ｓ，１５ａ，１５ｓとパッケージ２０のランド２１ａ〜２５ａとを接続するボンディングワイヤ３０と、パッド１３ａ，１４ａ，１４ｓ，１５ａ，１５ｓとボンディングワイヤ３０との接続部分に塗布されて硬化した第１のシリコーン系樹脂４０と、第１のシリコーン系樹脂４０が硬化する際にＳＡＷチップ表面に形成された厚さ１００ｎｍ未満の第２のシリコーン系樹脂とを備える。 （もっと読む）

使用温度範囲において、十分な大きさの減衰量及び帯域幅を得ることを可能とする分波器を提供する。 通過帯域が相対的に低く、かつ第１の温度特性改善薄膜が設けられている第１のフィルタ１１と、通過帯域が相対的に高く、第２の温度特性改善薄膜が設けられている第２のフィルタ１２とを備え、第１のフィルタの周波数温度係数が第２のフィルタの周波数温度係数よりも大きくなるように第１，第２の温度特性改善薄膜の膜厚が異ならされている、分波器１。 （もっと読む）

表面弾性波センサは、ａ）その表面上に交叉指状電極を有する圧電結晶（ニオブ酸リチウム又はタンタル酸リチウムのようなもの）と交叉指状電極の上の第２の圧電層（酸化亜鉛のようなもの）とから成る第１の層状ＳＡＷデバイスと、ｂ）その表面上に交叉指状電極を有する圧電結晶と、交叉指状電極の上の第２の圧電層と、第２の圧電層の上の検体感応表面（金のようなもの）とから成る第２の層状ＳＡＷデバイスとを備える。ｃ）ＳＡＷデバイスの両方は、同じ基板上に製作される。表面弾性波センサは、ｄ）ＳＡＷデバイスの帯域幅を低減するため各ＳＡＷデバイスの交叉指状電極に隣接して配置された反射器を更に備え、ｅ）各ＳＡＷデバイスの共振器回路は、従属性の増幅器を組み込んでいる。
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電気機械結合係数が大きく、伝搬損失及びパワーフロー角が小さく、周波数温度係数ＴＣＦが適度な範囲にあり、簡略な構造により簡単な工法で製造され得るストンリー波を利用した弾性境界波装置を提供する。
圧電体２の一面に誘電体３が積層されており、圧電体２と誘電体３との間の境界に電極としてＩＤＴ４及び反射器５，６が配置されており、誘電体３を伝搬する遅い横波の音速及び圧電体２を伝搬する遅い横波の音速よりもストンリー波の音速を低くするように、上記電極の厚みが決定されている、弾性境界波装置１。 （もっと読む）