弾性表面波装置
【課題】ＩＤＴ上にＳｉＯ2膜を形成することにより周波数温度特性が改善されているだけでなく、ＳｉＯ2膜表面におけるクラックが生じ難く、所望とする特性を確実に得ることができ、電気機械結合係数が大きく、減衰定数α小さい弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】２０°〜６０°回転Ｙ板のＬｉＴａＯ3基板上に、Ａｇを主体とする少なくとも１つのＩＤＴが形成されており、該ＩＤＴを覆うように、ＬｉＴａＯ3基板上にＳｉＯ2膜が形成されている、弾性表面波装置。
【解決手段】２０°〜６０°回転Ｙ板のＬｉＴａＯ3基板上に、Ａｇを主体とする少なくとも１つのＩＤＴが形成されており、該ＩＤＴを覆うように、ＬｉＴａＯ3基板上にＳｉＯ2膜が形成されている、弾性表面波装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、共振子や帯域フィルタなどに用いられる弾性表面波装置に関し、より詳細には、回転Ｙ板Ｘ伝搬ＬｉＴａＯ3基板を用いた弾性表面波装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話などの移動体通信機において、ＲＦ段の帯域フィルタやデュプレクサとして、弾性表面波フィルタが用いられている。この種の弾性表面波フィルタとして、３０°〜５０°回転Ｙ板Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ3基板上に、ＡｌからなるＩＤＴ（インターデジタルトランスデューサー）が形成されており、漏洩弾性波を利用した弾性表面波フィルタが実用化されている。
【０００３】
しかしながら、この弾性表面波フィルタでは、周波数温度特性が−３０〜−４０ｐｐｍ／℃と悪く、その改善が求められていた。そこで、周波数温度特性を改善するために、３０°〜５０°回転Ｙ板Ｘ伝搬ＬｉＴａＯ3基板上にＡｌからなるＩＤＴを形成した後に、さらにＳｉＯ2膜を積層した構造が提案されている。ＳｉＯ2膜を形成することにより、周波数温度特性が改善される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、ＡｌからなるＩＤＴを形成する場合、反射係数や電気機械結合係数Ｋ2を大きくするために、ＩＤＴの電極膜厚Ｈ／λ（Ｈは膜厚、λは表面波の波長）は、０．０８〜０．１０とかなり厚くされる。このように、ＡｌからなるＩＤＴがかなり厚くされているため、図１６（ａ）に示されている部分において、周波数温度特性を改善するためにＳｉＯ2膜がその上に形成されると、図１６（ｂ）に示すように、ＳｉＯ2膜において大きな段差が生じ、ＳｉＯ2膜にクラックが生じることがあった。そのため、クラックの発生により、弾性表面波フィルタのフィルタ特性が悪化しがちであった。
【０００５】
加えて、ＡｌからなるＩＤＴの電極膜厚が厚いため、ＳｉＯ2膜の形成によるＩＤＴの電極表面の凹凸を被覆する効果が十分でなく、それによって、温度特性が十分に改善されないことがあった。
【０００６】
さらに、ＳｉＯ2膜の形成により減衰定数が大きくなりフィルタ特性の劣化が生じた。
【０００７】
本発明の目的は、上述した従来技術の現状に鑑み、回転Ｙ板Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ3基板を用いた弾性表面波装置において、ＳｉＯ2膜の形成により周波数温度特性を改善し得るだけでなく、ＩＤＴの電極膜厚を低減することができ、ＳｉＯ2膜におけるクラックを防止することができると共に減衰定数も大幅に低減でき、従って目的とするフィルタ特性などの電気的特性を得ることができ、かつＩＤＴにおける電気機械結合係数及び反射係数が十分な大きさとされる、弾性表面波装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の広い局面によれば、オイラー角（０±３°，１１３°〜１４２°，０±３°）のＬｉＴａＯ3基板と、前記ＬｉＴａＯ3基板上に形成されており、Ａｇを主体とする少なくとも１つのＩＤＴと、前記ＩＤＴを覆うように前記ＬｉＴａＯ3基板上に形成されたＳｉＯ2膜とを備え、前記ＩＤＴの表面波の波長で規格化された膜厚が０．０１〜０．０８であり、前記ＳｉＯ2膜の表面波の波長で規格化された膜厚が０．１０〜０．４５の範囲にあることを特徴とする、弾性表面波装置が提供される。
【０００９】
本発明においては、ＩＤＴがＡｇを主体とするため、また、ＳｉＯ2膜の形成により、電気機械結合係数が大きくなり、かつ周波数温度特性が改善される。さらに、上記特定のオイラー角のＬｉＴａＯ3基板が用いられるため、減衰定数αが低減される。
【００１０】
本発明のより限定的な局面では、ＳｉＯ2膜の表面波の波長で規格化された膜厚Ｈ／λが０．１５〜０．４０の範囲とされ、その場合には、本発明に従って、電気機械結合係数及び反射係数が大きく、良好な周波数温度特性を有し、減衰定数が十分に小さく、ＳｉＯ2膜のクラックが生じ難い、弾性表面波装置を確実に提供することができる。
【００１１】
本発明のさらに他の局面では、前記ＩＤＴの膜厚Ｈ／λが０．１２以下であり、ＳｉＯ2の規格化膜厚及び前記ＬｉＴａＯ3基板のオイラー角が、下記の（ａ）〜（ｆ）で表される組み合わせのいずれかとされる。
【００１２】
【表１】
【００１３】
本発明に係る弾性表面波装置の他の特定の局面では、前記ＩＤＴの膜厚Ｈ／λが０．０２〜０．０６であり、前記ＳｉＯ2の規格化膜厚及びＬｉＴａＯ3基板のオイラー角が、下記の（ｇ）〜（ｌ）で表される組み合わせのいずれかである。
【００１４】
【表２】
【００１５】
本発明に係る弾性表面波装置の他の特定の局面では、前記ＩＤＴの膜厚Ｈ／λが０．０３〜０．０５であり、前記ＳｉＯ2の規格化膜厚及びＬｉＴａＯ3基板のオイラー角が、下記の（ｍ）〜（ｒ）で表される組み合わせのいずれかである。
【００１６】
【表３】
【発明の効果】
【００１７】
本発明に係る弾性表面波装置では、オイラー角（０±３°，１１３°〜１４２°，０±３°）のＬｉＴａＯ3基板上に、Ａｇを主体とする少なくとも１つのＩＤＴが形成されており、該ＩＤＴを覆うようにＬｉＴａＯ3基板上にＳｉＯ2膜が形成されているため、電気機械結合係数が大きく、温度特性に優れており、かつ減衰定数αが低減された、伝搬損失が少ない弾性表面波装置を提供することができる。
【００１８】
また、本発明において、ＳｉＯ2膜の規格化膜厚が０．１５〜０．４０の範囲にある場合には、電気機械結合係数をより一層高めることができ、かつ良好な温度特性を実現することができる。
【００１９】
さらに、ＩＤＴの膜厚Ｈ／λが０．０１〜０．０８であり、表１の（ａ）〜（ｆ）に示すように、ＬｉＴａＯ3基板のオイラー角のθ及びＳｉＯ2膜の規格化膜厚Ｈ／λが選ばれている場合には、より一層、電気機械結合係数が大きく、減衰定数αが小さく、さらに周波数温度特性に優れた弾性表面波装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施例を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００２１】
図１は、本発明の一実施例に係る弾性表面波装置としての縦結合共振子フィルタを説明するための平面図である。
【００２２】
弾性表面波装置１１は、ＬｉＴａＯ3基板１２の上面に、ＩＤＴ１３ａ，１３ｂ及び反射器１４ａ，１４ｂを形成した構造を有する。また、ＩＤＴ１３ａ，１３ｂ及び反射器１４ａ，１４ｂを覆うようにＳｉＯ2膜１５が形成されている。なお、ＬｉＴａＯ3基板１２としては、２０°〜６０°回転Ｙ板ＬｉＴａＯ3基板が用いられる。この範囲外のカット角の回転Ｙ板Ｘ伝搬ＬｉＴａＯ3基板では、減衰定数が大きく、ＴＣＦも悪化する。
【００２３】
ＩＤＴ１３ａ，１３ｂ及び反射器１４ａ，１４ｂは、Ａｌに比べて密度の高いＡｇからなる。
【００２４】
上記のように、Ａｌに比べて密度の高いＡｇによりＩＤＴ１３ａ，１３ｂ及び反射器１４ａ，１４ｂが構成されているため、ＩＤＴ１３ａ，１３ｂ及び反射器１４ａ，１４ｂの膜厚をＡｌを用いた場合に比べて薄くした場合であっても、電気機械結合係数及び反射係数を高めることができる。
【００２５】
そして、上記のように電極膜厚を薄くすることができるので、ＩＤＴ１３ａ，１３ｂ上に形成されたＳｉＯ2膜１５における前述した段差に基づくクラックの発生を確実に抑制することができる。ＳｉＯ2膜１５の厚みについては、後述の実験例から明らかなように、表面波の波長で規格化された膜厚Ｈ／λが０．１５〜０．４０の範囲であることが好ましい。この範囲にすることで、ＳｉＯ2膜が形成されていない場合よりも減衰定数を大幅に小さくすることができ、低損失化が可能となる。
【００２６】
後述するように、ＩＤＴ１３ａ，１３ｂの表面波の波長で規格化された膜厚Ｈ／λは０．０１〜０．０８が好ましい。
【００２７】
本発明の係る弾性表面波装置では、上記のように、ＬｉＴａＯ3基板１２上にＡｇによりＩＤＴ１３ａ，１３ｂが構成されており、該ＩＤＴ１３ａ，１３ｂの電極膜厚を薄くすることができる。従って、ＳｉＯ2膜における段差の発生を抑制することができ、クラックを確実に防止することができる。さらに上記特定のオイラー角のＬｉＴａＯ3基板を用いるため減衰定数を大幅に小さくすることができ、低ロス化が可能となる。また、ＳｉＯ2膜１５の形成により、良好な周波数温度特性が実現される。これを、具体的な実験例に基づき説明する。
【００２８】
ＬｉＴａＯ3基板を伝わる表面波には、レイリー波の他に漏洩弾性表面波（ＬＳＡＷ）がある。漏洩弾性表面波は、レイリー波に比べて音速が早く、電気機械結合係数が大きいが、エネルギーを基板内に放射しつつ伝搬する。従って、漏洩弾性表面波は、伝搬ロスの原因となる減衰定数を有する。
【００２９】
図２は、回転Ｙ板Ｘ伝搬ＬｉＴａＯ3基板におけるオイラー角（０°，θ，０°）のθと、基板表面が電気的に短絡された場合の減衰定数αとの関係を示す。なお、回転角＝θ−９０°の関係がある。
【００３０】
図２から明らかなように、オイラー角のθが１２４°〜１２６°の範囲では、減衰定数αは小さいが、この範囲外では減衰定数αは大きくなることがわかる。また、比較的膜厚が厚いＡｌからなるＩＤＴを用いた場合、θ＝１２９°〜１３６°では減衰定数が小さくなることが知られている。従って、従来は、ＡｌからなるＩＤＴを用いる場合、ＬｉＴａＯ3基板として、オイラー角のθが１２９°〜１３６°の範囲のものが用いられていた。
【００３１】
図３は、オイラー角のθと電気機械結合係数Ｋ2との関係を示す。図３から明らかなように、オイラー角のθが１００°〜１２０°の範囲で、大きな電気機械結合係数Ｋ2が得られる。しかしながら、図２から明らかなように、θ＝１００°〜１２０°の範囲では減衰定数αが大きく、θ＝１００°〜１２０°のＬｉＴａＯ3基板は弾性表面波装置に使用することはできない。
【００３２】
図４は、３６°回転Ｙ板Ｘ伝搬ＬｉＴａＯ3基板（オイラー角で（０°，１２６°，０°））上に、ＡｇからなるＩＤＴを形成した場合のＡｇ膜の規格化膜厚Ｈ／λと、電気機械結合係数Ｋ2との関係を示す。なお、λは、弾性表面波装置の中心周波数における波長を示すものとする。
【００３３】
図４から明らかなように、Ａｇ膜の膜厚Ｈ／λが０．０１〜０．０８の範囲において、電気機械結合係数Ｋ2が、Ａｇ膜が形成されていない場合（Ｈ／λ＝０）に比べて１．５倍以上となることがわかる。また、Ａｇ膜の膜厚がＨ／λ＝０．０２〜０．０６の範囲では、Ａｇ膜が形成されていない場合に比べて、電気機械結合係数Ｋ2は１．７倍以上の値となり、Ａｇ膜の膜厚Ｈ／λが０．０３〜０．０５の範囲では、Ａｇ膜が形成されていない場合の１．８倍以上の値となることがわかる。
【００３４】
Ａｇ膜の規格化膜厚Ｈ／λが０．０８を超えると、Ａｇ膜からなるＩＤＴの作製が困難となる。従って、大きな電気機械結合係数を得ることができ、かつＩＤＴの作製が容易であるため、Ａｇ膜からなるＩＤＴの厚みは、０．０１〜０．０８の範囲であることが望ましく、より好ましくは０．０２〜０．０６、さらに好ましくは０．０３〜０．０５の範囲とされる。
【００３５】
次に、ＬｉＴａＯ3基板上に、ＳｉＯ2膜を成膜した場合の周波数温度係数ＴＣＦの変化を図５に示す。図５は、オイラー角（０°，１１３°，０°）、（０°，１２６°，０°）及び（０°，１２９°，０°）の３種類のＬｉＴａＯ3基板上にＳｉＯ2膜が形成されている場合のＳｉＯ2膜の規格化膜厚Ｈ／λとＴＣＦとの関係を示す。なお、ここでは電極は形成されていない。
【００３６】
図５から明らかなように、θが１１３°、１２６°及び１２９°のいずれの場合においても、ＳｉＯ2膜の規格化膜厚Ｈ／λが０．１５〜０．４５の範囲において、ＴＣＦが−２０〜＋１７ｐｐｍ／℃の範囲となることがわかる。もっとも、ＳｉＯ2膜の成膜には時間を要するため、ＳｉＯ2膜の膜厚Ｈ／λは０．１５〜０．４０が望ましい。
【００３７】
ＬｉＴａＯ3基板上にＳｉＯ2膜を成膜することにより、レイリー波などのＴＣＦが改善されることは知られていたが、ＬｉＴａＯ3基板上に、Ａｇからなる電極を形成し、さらにＳｉＯ2膜を積層した構造において、実際に、Ａｇからなる電極の膜厚、ＳｉＯ2の膜厚、カット角、及び漏洩弾性波の減衰定数を考慮して実験された報告はない。
【００３８】
図６は、オイラー角（０°，１２０°，０°）のＬｉＴａＯ3基板上に規格化膜厚Ｈ／λが０．１０以下のＡｇからなる電極と、規格化膜厚Ｈ／λが０〜０．５のＳｉＯ2膜を形成した場合における減衰定数αの変化を示す。図６から明らかなように、ＳｉＯ2膜の膜厚Ｈ／λが０．２〜０．４０、Ａｇ膜の膜厚Ｈ／λが０．０１〜０．１０である場合に減衰定数αが小さくなっていることがわかる。
【００３９】
他方、図７は、（０°，１４０°，０°）のオイラー角のＬｉＴａＯ3基板上には、規格化膜厚Ｈ／λが０〜０．１０のＡｇ膜を形成し、さらに、規格化膜厚Ｈ／λが０〜０．５のＳｉＯ2膜を形成した場合の減衰定数αの変化を示す。
【００４０】
図７から明らかなように、θ＝１４０°のＬｉＴａＯ3基板を用いた場合には、Ａｇ膜の膜厚が０．０６以下においてＳｉＯ2膜の膜厚を上記のように変化させたとしても、減衰定数αは大きいことがわかる。
【００４１】
すなわち、良好なＴＣＦ、大きな電気機械結合係数及び小さな減衰定数を実現するには、ＬｉＴａＯ3基板のカット角すなわちオイラー角と、ＳｉＯ2膜の膜厚と、Ａｇからなる電極の膜厚とをそれぞれ最適なように組み合わせることが必要となることがわかる。
【００４２】
図８〜図１５は、それぞれ、ＳｉＯ2膜の規格化膜厚Ｈ／λが、０．１、０．１５、０．２、０．２５、０．３、０．３５、０．４または０．４５であり、規格化膜厚Ｈ／λが０．１以下のＡｇ膜をＬｉＴａＯ3基板上に形成した場合のθと減衰定数αとの関係を示す。
【００４３】
図８〜図１５から明らかなように、Ａｇ膜の厚みＨ／λを０．０１〜０．０８とした場合、ＳｉＯ2膜の厚みと、オイラー角のθとが、下記の表４に示す（ａ）〜（ｆ）を満たすように選択されれば、周波数温度特性ＴＣＦが良好であり、電気機械結合係数が大きく、かつ減衰定数αを効果的に抑制し得ることがわかる。望ましくは、下記の表４の右側のより好ましいオイラー角を選択することにより、より一層良好な特性を得ることができる。
【００４４】
【表４】
【００４５】
また、より好ましくは、Ａｇ膜の規格化膜厚が０．０２〜０．０６の場合には、ＳｉＯ2膜の厚みと、オイラー角のθとが、下記の表５に示す（ｇ）〜（ｌ）を満たすように選択されれば、より一層好ましく、さらに望ましくは、下記の表５の右側のより好ましいオイラー角を選択することにより、より一層良好な特性を得ることができる。
【００４６】
【表５】
【００４７】
さらに好ましくは、Ａｇ膜の規格化膜厚が０．０３〜０．０５のときに、ＳｉＯ2膜の厚みと、オイラー角のθとが、下記の表６に示す（ｍ）〜（ｒ）を満たすように選択されれば、より一層良好な特性を得ることができる。この場合においても、下記の表６の右側に示すより好ましいオイラー角を選択することにより、特性をより一層改善することができる。
【００４８】
【表６】
【００４９】
なお、本発明では、ＩＤＴはＡｇのみから構成されてもよいが、Ａｇを主体とする限り、Ａｇ合金やＡｇと他の金属との積層体で構成されてもよい。Ａｇを主体とするＩＤＴとは、ＩＤＴの全体の８０重量％以上がＡｇであればよい。従って、Ａｇの下地にＡｌ薄膜やＴｉ薄膜が形成されていてもよく、この場合においても、下地の薄膜とＡｇとの合計のうち８０重量％以上がＡｇで構成されていればよい。
【００５０】
上記実験では、オイラー角（０°，θ，０°）のＬｉＴａＯ3基板が用いられたが、基板材料のオイラー角において、０±３°のばらつきが通常発生する。このようなばらつきの範囲内、すなわち（０±３°，１１０°〜１５０°，０±３°）のＬｉＴａＯ3基板においても、本発明の効果は得られる。
【００５１】
なお、本発明は、図１に示した縦結合共振子型弾性表面波フィルタだけでなく、弾性表面波共振子、横結合型表面波フィルタ、ラダー型フィルタ、ラチス型フィルタなどの様々な表面波装置に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の一実施例に係る弾性表面波装置を示す平面図。
【図２】電極の膜厚が０のときのオイラー角（０°，θ，０°）のＬｉＴａＯ3基板上におけるθと電気機械結合係数Ｋ2との関係を示す図。
【図３】電極の膜厚が０のときのオイラー角（０°，θ，０°）のＬｉＴａＯ3基板上におけるθと減衰定数αとの関係を示す図。
【図４】オイラー角（０°，１２６°，０°）のＬｉＴａＯ3基板上に、種々の膜厚のＡｇ膜からなる電極を形成した場合のＡｇ膜の規格化膜厚Ｈ／λと、電気機械結合係数Ｋ2との関係を示す図。
【図５】オイラー角（０°，１１３°，０°）、（０°，１２６°，０°）及び（０°，１２９°，０°）の３種類のＬｉＴａＯ3基板において、電極膜厚が０で、種々の膜厚のＳｉＯ2膜を成膜した場合のＳｉＯ2膜の規格化膜厚Ｈ／λと周波数温度係数ＴＣＦとの関係を示す図。
【図６】オイラー角（０°，１２０°，０°）のＬｉＴａＯ3基板上に、０．１以下の規格化膜厚のＡｇ膜を形成し、０〜０．５の規格化膜厚のＳｉＯ2膜を成膜した場合の減衰定数αの変化を示す図。
【図７】オイラー角（０°，１４０°，０°）のＬｉＴａＯ3基板上に、０．１以下の規格化膜厚のＡｇ膜を形成し、０〜０．５の規格化膜厚のＳｉＯ2膜を成膜した場合の減衰定数αの変化を示す図。
【図８】オイラー角（０°，θ，０°）のＬｉＴａＯ3基板上に、規格化膜厚Ｈ／λが０．１以下の各種Ａｇ膜を形成し、規格化膜厚Ｈ／λが０．１のＳｉＯ2膜を積層した場合の、減衰定数αの変化を示す図。
【図９】オイラー角（０°，θ，０°）のＬｉＴａＯ3基板上に、規格化膜厚Ｈ／λが０．１以下の各種Ａｇ膜を形成し、規格化膜厚Ｈ／λが０．１５のＳｉＯ2膜を積層した場合の、減衰定数αの変化を示す図。
【図１０】オイラー角（０°，θ，０°）のＬｉＴａＯ3基板上に、規格化膜厚Ｈ／λが０．１以下の各種Ａｇ膜を形成し、規格化膜厚Ｈ／λが０．２のＳｉＯ2膜を積層した場合の、減衰定数αの変化を示す図。
【図１１】オイラー角（０°，θ，０°）のＬｉＴａＯ3基板上に、規格化膜厚Ｈ／λが０．１以下の各種Ａｇ膜を形成し、規格化膜厚Ｈ／λが０．２５のＳｉＯ2膜を積層した場合の、減衰定数αの変化を示す図。
【図１２】オイラー角（０°，θ，０°）のＬｉＴａＯ3基板上に、規格化膜厚Ｈ／λが０．１以下の各種Ａｇ膜を形成し、規格化膜厚Ｈ／λが０．３のＳｉＯ2膜を積層した場合の、減衰定数αの変化を示す図。
【図１３】オイラー角（０°，θ，０°）のＬｉＴａＯ3基板上に、規格化膜厚Ｈ／λが０．１以下の各種Ａｇ膜を形成し、規格化膜厚Ｈ／λが０．３５のＳｉＯ2膜を積層した場合の、減衰定数αの変化を示す図。
【図１４】オイラー角（０°，θ，０°）のＬｉＴａＯ3基板上に、規格化膜厚Ｈ／λが０．１以下の各種Ａｇ膜を形成し、規格化膜厚Ｈ／λが０．４のＳｉＯ2膜を積層した場合の、減衰定数αの変化を示す図。
【図１５】オイラー角（０°，θ，０°）のＬｉＴａＯ3基板上に、規格化膜厚Ｈ／λが０．１以下の各種Ａｇ膜を形成し、規格化膜厚Ｈ／λが０．４５のＳｉＯ2膜を積層した場合の、減衰定数αの変化を示す図。
【図１６】（ａ）及び（ｂ）は、従来の弾性表面波装置の問題点を説明するための図であり、ＳｉＯ2膜の成膜前（ａ）と、成膜後（ｂ）のＳｉＯ2膜の表面の状態を示す走査型電子顕微鏡写真を示す図。
【符号の説明】
【００５３】
１１…弾性表面波装置
１２…ＬｉＴａＯ3基板
１３ａ，１３ｂ…ＩＤＴ
１５…ＳｉＯ2膜
【技術分野】
【０００１】
本発明は、共振子や帯域フィルタなどに用いられる弾性表面波装置に関し、より詳細には、回転Ｙ板Ｘ伝搬ＬｉＴａＯ3基板を用いた弾性表面波装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話などの移動体通信機において、ＲＦ段の帯域フィルタやデュプレクサとして、弾性表面波フィルタが用いられている。この種の弾性表面波フィルタとして、３０°〜５０°回転Ｙ板Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ3基板上に、ＡｌからなるＩＤＴ（インターデジタルトランスデューサー）が形成されており、漏洩弾性波を利用した弾性表面波フィルタが実用化されている。
【０００３】
しかしながら、この弾性表面波フィルタでは、周波数温度特性が−３０〜−４０ｐｐｍ／℃と悪く、その改善が求められていた。そこで、周波数温度特性を改善するために、３０°〜５０°回転Ｙ板Ｘ伝搬ＬｉＴａＯ3基板上にＡｌからなるＩＤＴを形成した後に、さらにＳｉＯ2膜を積層した構造が提案されている。ＳｉＯ2膜を形成することにより、周波数温度特性が改善される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、ＡｌからなるＩＤＴを形成する場合、反射係数や電気機械結合係数Ｋ2を大きくするために、ＩＤＴの電極膜厚Ｈ／λ（Ｈは膜厚、λは表面波の波長）は、０．０８〜０．１０とかなり厚くされる。このように、ＡｌからなるＩＤＴがかなり厚くされているため、図１６（ａ）に示されている部分において、周波数温度特性を改善するためにＳｉＯ2膜がその上に形成されると、図１６（ｂ）に示すように、ＳｉＯ2膜において大きな段差が生じ、ＳｉＯ2膜にクラックが生じることがあった。そのため、クラックの発生により、弾性表面波フィルタのフィルタ特性が悪化しがちであった。
【０００５】
加えて、ＡｌからなるＩＤＴの電極膜厚が厚いため、ＳｉＯ2膜の形成によるＩＤＴの電極表面の凹凸を被覆する効果が十分でなく、それによって、温度特性が十分に改善されないことがあった。
【０００６】
さらに、ＳｉＯ2膜の形成により減衰定数が大きくなりフィルタ特性の劣化が生じた。
【０００７】
本発明の目的は、上述した従来技術の現状に鑑み、回転Ｙ板Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ3基板を用いた弾性表面波装置において、ＳｉＯ2膜の形成により周波数温度特性を改善し得るだけでなく、ＩＤＴの電極膜厚を低減することができ、ＳｉＯ2膜におけるクラックを防止することができると共に減衰定数も大幅に低減でき、従って目的とするフィルタ特性などの電気的特性を得ることができ、かつＩＤＴにおける電気機械結合係数及び反射係数が十分な大きさとされる、弾性表面波装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の広い局面によれば、オイラー角（０±３°，１１３°〜１４２°，０±３°）のＬｉＴａＯ3基板と、前記ＬｉＴａＯ3基板上に形成されており、Ａｇを主体とする少なくとも１つのＩＤＴと、前記ＩＤＴを覆うように前記ＬｉＴａＯ3基板上に形成されたＳｉＯ2膜とを備え、前記ＩＤＴの表面波の波長で規格化された膜厚が０．０１〜０．０８であり、前記ＳｉＯ2膜の表面波の波長で規格化された膜厚が０．１０〜０．４５の範囲にあることを特徴とする、弾性表面波装置が提供される。
【０００９】
本発明においては、ＩＤＴがＡｇを主体とするため、また、ＳｉＯ2膜の形成により、電気機械結合係数が大きくなり、かつ周波数温度特性が改善される。さらに、上記特定のオイラー角のＬｉＴａＯ3基板が用いられるため、減衰定数αが低減される。
【００１０】
本発明のより限定的な局面では、ＳｉＯ2膜の表面波の波長で規格化された膜厚Ｈ／λが０．１５〜０．４０の範囲とされ、その場合には、本発明に従って、電気機械結合係数及び反射係数が大きく、良好な周波数温度特性を有し、減衰定数が十分に小さく、ＳｉＯ2膜のクラックが生じ難い、弾性表面波装置を確実に提供することができる。
【００１１】
本発明のさらに他の局面では、前記ＩＤＴの膜厚Ｈ／λが０．１２以下であり、ＳｉＯ2の規格化膜厚及び前記ＬｉＴａＯ3基板のオイラー角が、下記の（ａ）〜（ｆ）で表される組み合わせのいずれかとされる。
【００１２】
【表１】
【００１３】
本発明に係る弾性表面波装置の他の特定の局面では、前記ＩＤＴの膜厚Ｈ／λが０．０２〜０．０６であり、前記ＳｉＯ2の規格化膜厚及びＬｉＴａＯ3基板のオイラー角が、下記の（ｇ）〜（ｌ）で表される組み合わせのいずれかである。
【００１４】
【表２】
【００１５】
本発明に係る弾性表面波装置の他の特定の局面では、前記ＩＤＴの膜厚Ｈ／λが０．０３〜０．０５であり、前記ＳｉＯ2の規格化膜厚及びＬｉＴａＯ3基板のオイラー角が、下記の（ｍ）〜（ｒ）で表される組み合わせのいずれかである。
【００１６】
【表３】
【発明の効果】
【００１７】
本発明に係る弾性表面波装置では、オイラー角（０±３°，１１３°〜１４２°，０±３°）のＬｉＴａＯ3基板上に、Ａｇを主体とする少なくとも１つのＩＤＴが形成されており、該ＩＤＴを覆うようにＬｉＴａＯ3基板上にＳｉＯ2膜が形成されているため、電気機械結合係数が大きく、温度特性に優れており、かつ減衰定数αが低減された、伝搬損失が少ない弾性表面波装置を提供することができる。
【００１８】
また、本発明において、ＳｉＯ2膜の規格化膜厚が０．１５〜０．４０の範囲にある場合には、電気機械結合係数をより一層高めることができ、かつ良好な温度特性を実現することができる。
【００１９】
さらに、ＩＤＴの膜厚Ｈ／λが０．０１〜０．０８であり、表１の（ａ）〜（ｆ）に示すように、ＬｉＴａＯ3基板のオイラー角のθ及びＳｉＯ2膜の規格化膜厚Ｈ／λが選ばれている場合には、より一層、電気機械結合係数が大きく、減衰定数αが小さく、さらに周波数温度特性に優れた弾性表面波装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施例を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００２１】
図１は、本発明の一実施例に係る弾性表面波装置としての縦結合共振子フィルタを説明するための平面図である。
【００２２】
弾性表面波装置１１は、ＬｉＴａＯ3基板１２の上面に、ＩＤＴ１３ａ，１３ｂ及び反射器１４ａ，１４ｂを形成した構造を有する。また、ＩＤＴ１３ａ，１３ｂ及び反射器１４ａ，１４ｂを覆うようにＳｉＯ2膜１５が形成されている。なお、ＬｉＴａＯ3基板１２としては、２０°〜６０°回転Ｙ板ＬｉＴａＯ3基板が用いられる。この範囲外のカット角の回転Ｙ板Ｘ伝搬ＬｉＴａＯ3基板では、減衰定数が大きく、ＴＣＦも悪化する。
【００２３】
ＩＤＴ１３ａ，１３ｂ及び反射器１４ａ，１４ｂは、Ａｌに比べて密度の高いＡｇからなる。
【００２４】
上記のように、Ａｌに比べて密度の高いＡｇによりＩＤＴ１３ａ，１３ｂ及び反射器１４ａ，１４ｂが構成されているため、ＩＤＴ１３ａ，１３ｂ及び反射器１４ａ，１４ｂの膜厚をＡｌを用いた場合に比べて薄くした場合であっても、電気機械結合係数及び反射係数を高めることができる。
【００２５】
そして、上記のように電極膜厚を薄くすることができるので、ＩＤＴ１３ａ，１３ｂ上に形成されたＳｉＯ2膜１５における前述した段差に基づくクラックの発生を確実に抑制することができる。ＳｉＯ2膜１５の厚みについては、後述の実験例から明らかなように、表面波の波長で規格化された膜厚Ｈ／λが０．１５〜０．４０の範囲であることが好ましい。この範囲にすることで、ＳｉＯ2膜が形成されていない場合よりも減衰定数を大幅に小さくすることができ、低損失化が可能となる。
【００２６】
後述するように、ＩＤＴ１３ａ，１３ｂの表面波の波長で規格化された膜厚Ｈ／λは０．０１〜０．０８が好ましい。
【００２７】
本発明の係る弾性表面波装置では、上記のように、ＬｉＴａＯ3基板１２上にＡｇによりＩＤＴ１３ａ，１３ｂが構成されており、該ＩＤＴ１３ａ，１３ｂの電極膜厚を薄くすることができる。従って、ＳｉＯ2膜における段差の発生を抑制することができ、クラックを確実に防止することができる。さらに上記特定のオイラー角のＬｉＴａＯ3基板を用いるため減衰定数を大幅に小さくすることができ、低ロス化が可能となる。また、ＳｉＯ2膜１５の形成により、良好な周波数温度特性が実現される。これを、具体的な実験例に基づき説明する。
【００２８】
ＬｉＴａＯ3基板を伝わる表面波には、レイリー波の他に漏洩弾性表面波（ＬＳＡＷ）がある。漏洩弾性表面波は、レイリー波に比べて音速が早く、電気機械結合係数が大きいが、エネルギーを基板内に放射しつつ伝搬する。従って、漏洩弾性表面波は、伝搬ロスの原因となる減衰定数を有する。
【００２９】
図２は、回転Ｙ板Ｘ伝搬ＬｉＴａＯ3基板におけるオイラー角（０°，θ，０°）のθと、基板表面が電気的に短絡された場合の減衰定数αとの関係を示す。なお、回転角＝θ−９０°の関係がある。
【００３０】
図２から明らかなように、オイラー角のθが１２４°〜１２６°の範囲では、減衰定数αは小さいが、この範囲外では減衰定数αは大きくなることがわかる。また、比較的膜厚が厚いＡｌからなるＩＤＴを用いた場合、θ＝１２９°〜１３６°では減衰定数が小さくなることが知られている。従って、従来は、ＡｌからなるＩＤＴを用いる場合、ＬｉＴａＯ3基板として、オイラー角のθが１２９°〜１３６°の範囲のものが用いられていた。
【００３１】
図３は、オイラー角のθと電気機械結合係数Ｋ2との関係を示す。図３から明らかなように、オイラー角のθが１００°〜１２０°の範囲で、大きな電気機械結合係数Ｋ2が得られる。しかしながら、図２から明らかなように、θ＝１００°〜１２０°の範囲では減衰定数αが大きく、θ＝１００°〜１２０°のＬｉＴａＯ3基板は弾性表面波装置に使用することはできない。
【００３２】
図４は、３６°回転Ｙ板Ｘ伝搬ＬｉＴａＯ3基板（オイラー角で（０°，１２６°，０°））上に、ＡｇからなるＩＤＴを形成した場合のＡｇ膜の規格化膜厚Ｈ／λと、電気機械結合係数Ｋ2との関係を示す。なお、λは、弾性表面波装置の中心周波数における波長を示すものとする。
【００３３】
図４から明らかなように、Ａｇ膜の膜厚Ｈ／λが０．０１〜０．０８の範囲において、電気機械結合係数Ｋ2が、Ａｇ膜が形成されていない場合（Ｈ／λ＝０）に比べて１．５倍以上となることがわかる。また、Ａｇ膜の膜厚がＨ／λ＝０．０２〜０．０６の範囲では、Ａｇ膜が形成されていない場合に比べて、電気機械結合係数Ｋ2は１．７倍以上の値となり、Ａｇ膜の膜厚Ｈ／λが０．０３〜０．０５の範囲では、Ａｇ膜が形成されていない場合の１．８倍以上の値となることがわかる。
【００３４】
Ａｇ膜の規格化膜厚Ｈ／λが０．０８を超えると、Ａｇ膜からなるＩＤＴの作製が困難となる。従って、大きな電気機械結合係数を得ることができ、かつＩＤＴの作製が容易であるため、Ａｇ膜からなるＩＤＴの厚みは、０．０１〜０．０８の範囲であることが望ましく、より好ましくは０．０２〜０．０６、さらに好ましくは０．０３〜０．０５の範囲とされる。
【００３５】
次に、ＬｉＴａＯ3基板上に、ＳｉＯ2膜を成膜した場合の周波数温度係数ＴＣＦの変化を図５に示す。図５は、オイラー角（０°，１１３°，０°）、（０°，１２６°，０°）及び（０°，１２９°，０°）の３種類のＬｉＴａＯ3基板上にＳｉＯ2膜が形成されている場合のＳｉＯ2膜の規格化膜厚Ｈ／λとＴＣＦとの関係を示す。なお、ここでは電極は形成されていない。
【００３６】
図５から明らかなように、θが１１３°、１２６°及び１２９°のいずれの場合においても、ＳｉＯ2膜の規格化膜厚Ｈ／λが０．１５〜０．４５の範囲において、ＴＣＦが−２０〜＋１７ｐｐｍ／℃の範囲となることがわかる。もっとも、ＳｉＯ2膜の成膜には時間を要するため、ＳｉＯ2膜の膜厚Ｈ／λは０．１５〜０．４０が望ましい。
【００３７】
ＬｉＴａＯ3基板上にＳｉＯ2膜を成膜することにより、レイリー波などのＴＣＦが改善されることは知られていたが、ＬｉＴａＯ3基板上に、Ａｇからなる電極を形成し、さらにＳｉＯ2膜を積層した構造において、実際に、Ａｇからなる電極の膜厚、ＳｉＯ2の膜厚、カット角、及び漏洩弾性波の減衰定数を考慮して実験された報告はない。
【００３８】
図６は、オイラー角（０°，１２０°，０°）のＬｉＴａＯ3基板上に規格化膜厚Ｈ／λが０．１０以下のＡｇからなる電極と、規格化膜厚Ｈ／λが０〜０．５のＳｉＯ2膜を形成した場合における減衰定数αの変化を示す。図６から明らかなように、ＳｉＯ2膜の膜厚Ｈ／λが０．２〜０．４０、Ａｇ膜の膜厚Ｈ／λが０．０１〜０．１０である場合に減衰定数αが小さくなっていることがわかる。
【００３９】
他方、図７は、（０°，１４０°，０°）のオイラー角のＬｉＴａＯ3基板上には、規格化膜厚Ｈ／λが０〜０．１０のＡｇ膜を形成し、さらに、規格化膜厚Ｈ／λが０〜０．５のＳｉＯ2膜を形成した場合の減衰定数αの変化を示す。
【００４０】
図７から明らかなように、θ＝１４０°のＬｉＴａＯ3基板を用いた場合には、Ａｇ膜の膜厚が０．０６以下においてＳｉＯ2膜の膜厚を上記のように変化させたとしても、減衰定数αは大きいことがわかる。
【００４１】
すなわち、良好なＴＣＦ、大きな電気機械結合係数及び小さな減衰定数を実現するには、ＬｉＴａＯ3基板のカット角すなわちオイラー角と、ＳｉＯ2膜の膜厚と、Ａｇからなる電極の膜厚とをそれぞれ最適なように組み合わせることが必要となることがわかる。
【００４２】
図８〜図１５は、それぞれ、ＳｉＯ2膜の規格化膜厚Ｈ／λが、０．１、０．１５、０．２、０．２５、０．３、０．３５、０．４または０．４５であり、規格化膜厚Ｈ／λが０．１以下のＡｇ膜をＬｉＴａＯ3基板上に形成した場合のθと減衰定数αとの関係を示す。
【００４３】
図８〜図１５から明らかなように、Ａｇ膜の厚みＨ／λを０．０１〜０．０８とした場合、ＳｉＯ2膜の厚みと、オイラー角のθとが、下記の表４に示す（ａ）〜（ｆ）を満たすように選択されれば、周波数温度特性ＴＣＦが良好であり、電気機械結合係数が大きく、かつ減衰定数αを効果的に抑制し得ることがわかる。望ましくは、下記の表４の右側のより好ましいオイラー角を選択することにより、より一層良好な特性を得ることができる。
【００４４】
【表４】
【００４５】
また、より好ましくは、Ａｇ膜の規格化膜厚が０．０２〜０．０６の場合には、ＳｉＯ2膜の厚みと、オイラー角のθとが、下記の表５に示す（ｇ）〜（ｌ）を満たすように選択されれば、より一層好ましく、さらに望ましくは、下記の表５の右側のより好ましいオイラー角を選択することにより、より一層良好な特性を得ることができる。
【００４６】
【表５】
【００４７】
さらに好ましくは、Ａｇ膜の規格化膜厚が０．０３〜０．０５のときに、ＳｉＯ2膜の厚みと、オイラー角のθとが、下記の表６に示す（ｍ）〜（ｒ）を満たすように選択されれば、より一層良好な特性を得ることができる。この場合においても、下記の表６の右側に示すより好ましいオイラー角を選択することにより、特性をより一層改善することができる。
【００４８】
【表６】
【００４９】
なお、本発明では、ＩＤＴはＡｇのみから構成されてもよいが、Ａｇを主体とする限り、Ａｇ合金やＡｇと他の金属との積層体で構成されてもよい。Ａｇを主体とするＩＤＴとは、ＩＤＴの全体の８０重量％以上がＡｇであればよい。従って、Ａｇの下地にＡｌ薄膜やＴｉ薄膜が形成されていてもよく、この場合においても、下地の薄膜とＡｇとの合計のうち８０重量％以上がＡｇで構成されていればよい。
【００５０】
上記実験では、オイラー角（０°，θ，０°）のＬｉＴａＯ3基板が用いられたが、基板材料のオイラー角において、０±３°のばらつきが通常発生する。このようなばらつきの範囲内、すなわち（０±３°，１１０°〜１５０°，０±３°）のＬｉＴａＯ3基板においても、本発明の効果は得られる。
【００５１】
なお、本発明は、図１に示した縦結合共振子型弾性表面波フィルタだけでなく、弾性表面波共振子、横結合型表面波フィルタ、ラダー型フィルタ、ラチス型フィルタなどの様々な表面波装置に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の一実施例に係る弾性表面波装置を示す平面図。
【図２】電極の膜厚が０のときのオイラー角（０°，θ，０°）のＬｉＴａＯ3基板上におけるθと電気機械結合係数Ｋ2との関係を示す図。
【図３】電極の膜厚が０のときのオイラー角（０°，θ，０°）のＬｉＴａＯ3基板上におけるθと減衰定数αとの関係を示す図。
【図４】オイラー角（０°，１２６°，０°）のＬｉＴａＯ3基板上に、種々の膜厚のＡｇ膜からなる電極を形成した場合のＡｇ膜の規格化膜厚Ｈ／λと、電気機械結合係数Ｋ2との関係を示す図。
【図５】オイラー角（０°，１１３°，０°）、（０°，１２６°，０°）及び（０°，１２９°，０°）の３種類のＬｉＴａＯ3基板において、電極膜厚が０で、種々の膜厚のＳｉＯ2膜を成膜した場合のＳｉＯ2膜の規格化膜厚Ｈ／λと周波数温度係数ＴＣＦとの関係を示す図。
【図６】オイラー角（０°，１２０°，０°）のＬｉＴａＯ3基板上に、０．１以下の規格化膜厚のＡｇ膜を形成し、０〜０．５の規格化膜厚のＳｉＯ2膜を成膜した場合の減衰定数αの変化を示す図。
【図７】オイラー角（０°，１４０°，０°）のＬｉＴａＯ3基板上に、０．１以下の規格化膜厚のＡｇ膜を形成し、０〜０．５の規格化膜厚のＳｉＯ2膜を成膜した場合の減衰定数αの変化を示す図。
【図８】オイラー角（０°，θ，０°）のＬｉＴａＯ3基板上に、規格化膜厚Ｈ／λが０．１以下の各種Ａｇ膜を形成し、規格化膜厚Ｈ／λが０．１のＳｉＯ2膜を積層した場合の、減衰定数αの変化を示す図。
【図９】オイラー角（０°，θ，０°）のＬｉＴａＯ3基板上に、規格化膜厚Ｈ／λが０．１以下の各種Ａｇ膜を形成し、規格化膜厚Ｈ／λが０．１５のＳｉＯ2膜を積層した場合の、減衰定数αの変化を示す図。
【図１０】オイラー角（０°，θ，０°）のＬｉＴａＯ3基板上に、規格化膜厚Ｈ／λが０．１以下の各種Ａｇ膜を形成し、規格化膜厚Ｈ／λが０．２のＳｉＯ2膜を積層した場合の、減衰定数αの変化を示す図。
【図１１】オイラー角（０°，θ，０°）のＬｉＴａＯ3基板上に、規格化膜厚Ｈ／λが０．１以下の各種Ａｇ膜を形成し、規格化膜厚Ｈ／λが０．２５のＳｉＯ2膜を積層した場合の、減衰定数αの変化を示す図。
【図１２】オイラー角（０°，θ，０°）のＬｉＴａＯ3基板上に、規格化膜厚Ｈ／λが０．１以下の各種Ａｇ膜を形成し、規格化膜厚Ｈ／λが０．３のＳｉＯ2膜を積層した場合の、減衰定数αの変化を示す図。
【図１３】オイラー角（０°，θ，０°）のＬｉＴａＯ3基板上に、規格化膜厚Ｈ／λが０．１以下の各種Ａｇ膜を形成し、規格化膜厚Ｈ／λが０．３５のＳｉＯ2膜を積層した場合の、減衰定数αの変化を示す図。
【図１４】オイラー角（０°，θ，０°）のＬｉＴａＯ3基板上に、規格化膜厚Ｈ／λが０．１以下の各種Ａｇ膜を形成し、規格化膜厚Ｈ／λが０．４のＳｉＯ2膜を積層した場合の、減衰定数αの変化を示す図。
【図１５】オイラー角（０°，θ，０°）のＬｉＴａＯ3基板上に、規格化膜厚Ｈ／λが０．１以下の各種Ａｇ膜を形成し、規格化膜厚Ｈ／λが０．４５のＳｉＯ2膜を積層した場合の、減衰定数αの変化を示す図。
【図１６】（ａ）及び（ｂ）は、従来の弾性表面波装置の問題点を説明するための図であり、ＳｉＯ2膜の成膜前（ａ）と、成膜後（ｂ）のＳｉＯ2膜の表面の状態を示す走査型電子顕微鏡写真を示す図。
【符号の説明】
【００５３】
１１…弾性表面波装置
１２…ＬｉＴａＯ3基板
１３ａ，１３ｂ…ＩＤＴ
１５…ＳｉＯ2膜
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オイラー角（０±３°，１１３°〜１４２°，０±３°）のＬｉＴａＯ3基板と、
前記ＬｉＴａＯ3基板上に形成されており、Ａｇを主体とする少なくとも１つのＩＤＴと、
前記ＩＤＴを覆うように前記ＬｉＴａＯ3基板上に形成されたＳｉＯ2膜とを備え、
前記ＩＤＴの表面波の波長で規格化された膜厚が０．０１〜０．０８であり、
前記ＳｉＯ2膜の表面波の波長で規格化された膜厚が０．１０〜０．４５の範囲にあることを特徴とする、弾性表面波装置。
【請求項２】
前記ＳｉＯ2の規格化膜厚及びＬｉＴａＯ3基板のオイラー角が、下記の（ａ）〜（ｆ）で表される組み合わせのいずれかである、請求項１に記載の弾性表面波装置。
【表１】
【請求項３】
前記ＩＤＴの膜厚Ｈ／λが０．０２〜０．０６であり、前記ＳｉＯ2の規格化膜厚及びＬｉＴａＯ3基板のオイラー角が、下記の（ｇ）〜（ｌ）で表される組み合わせのいずれかである、請求項１に記載の弾性表面波装置。
【表２】
【請求項４】
前記ＩＤＴの膜厚Ｈ／λが０．０３〜０．０５であり、前記ＳｉＯ2の規格化膜厚及びＬｉＴａＯ3基板のオイラー角が、下記の（ｍ）〜（ｒ）で表される組み合わせのいずれかである、請求項１に記載の弾性表面波装置。
【表３】
【請求項５】
弾性表面波として、ＳＨ波を主成分とする漏洩弾性表面波を用いることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の弾性表面波装置。
【請求項１】
オイラー角（０±３°，１１３°〜１４２°，０±３°）のＬｉＴａＯ3基板と、
前記ＬｉＴａＯ3基板上に形成されており、Ａｇを主体とする少なくとも１つのＩＤＴと、
前記ＩＤＴを覆うように前記ＬｉＴａＯ3基板上に形成されたＳｉＯ2膜とを備え、
前記ＩＤＴの表面波の波長で規格化された膜厚が０．０１〜０．０８であり、
前記ＳｉＯ2膜の表面波の波長で規格化された膜厚が０．１０〜０．４５の範囲にあることを特徴とする、弾性表面波装置。
【請求項２】
前記ＳｉＯ2の規格化膜厚及びＬｉＴａＯ3基板のオイラー角が、下記の（ａ）〜（ｆ）で表される組み合わせのいずれかである、請求項１に記載の弾性表面波装置。
【表１】
【請求項３】
前記ＩＤＴの膜厚Ｈ／λが０．０２〜０．０６であり、前記ＳｉＯ2の規格化膜厚及びＬｉＴａＯ3基板のオイラー角が、下記の（ｇ）〜（ｌ）で表される組み合わせのいずれかである、請求項１に記載の弾性表面波装置。
【表２】
【請求項４】
前記ＩＤＴの膜厚Ｈ／λが０．０３〜０．０５であり、前記ＳｉＯ2の規格化膜厚及びＬｉＴａＯ3基板のオイラー角が、下記の（ｍ）〜（ｒ）で表される組み合わせのいずれかである、請求項１に記載の弾性表面波装置。
【表３】
【請求項５】
弾性表面波として、ＳＨ波を主成分とする漏洩弾性表面波を用いることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の弾性表面波装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【公開番号】特開２００６−９４５６７（Ｐ２００６−９４５６７Ａ）
【公開日】平成１８年４月６日（２００６．４．６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−３６７７３７（Ｐ２００５−３６７７３７）
【出願日】平成１７年１２月２１日（２００５．１２．２１）
【分割の表示】特願２００２−１０３０１（Ｐ２００２−１０３０１）の分割
【原出願日】平成１４年１月１８日（２００２．１．１８）
【出願人】（０００００６２３１）株式会社村田製作所 (3,635)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年４月６日（２００６．４．６）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年１２月２１日（２００５．１２．２１）
【分割の表示】特願２００２−１０３０１（Ｐ２００２−１０３０１）の分割
【原出願日】平成１４年１月１８日（２００２．１．１８）
【出願人】（０００００６２３１）株式会社村田製作所 (3,635)
【Ｆターム（参考）】
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