【課題】圧電基板に水晶基板を用い励振波をＳＨ波としたＳＡＷデバイスにおいて、広帯域で、且つ優れた周波数温度特性を実現することを目的とする。
【解決手段】圧電基板１２上にＩＤＴ１４と反射器２２（２２ａ，２２ｂ）とを有するＳＡＷ素子片１０を備える。前記圧電基板１２は、回転Ｙカット水晶基板のカット角θを結晶Ｚ軸より反時計方向を正として−６２°≦θ≦−５１°の範囲に設定し、且つ、ＳＡＷの伝播方向を結晶Ｘ軸に対し９０°±５°とした水晶平板であり、前記ＩＤＴ１４を含む励振電極がＷ又はＷを主成分とする合金にて形成されていることを特徴とする。また、このような特徴を有するＳＡＷ共振子１００では、励振するＳＡＷの波長をλ、励振電極の膜厚をＨ、ＩＤＴを構成する電極指のライン占有率をｍｒとした時に、基準化膜厚Ｈ／λとライン占有率ｍｒとの積を、０．００１≦Ｈ／λ・ｍｒ＜０．０２７の範囲内となるように定める。 （もっと読む）

【課題】 水晶基板を用いた表面波デバイスであり、小型で、Q値が大きく、周波数エージング特性の優れたＳＨ波型ＳＡＷデバイスを得る。
【解決手段】 圧電基板と、該圧電基板上に形成されＡｌを主成分とする合金からなるＩＤＴ電極とを備え、励振波をＳＨ波とした弾性表面波デバイスであって、前記圧電基板は、回転Ｙカット水晶基板のカット角θを−６４．０°＜θ＜−４９．３°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶Ｘ軸に対し９０°±５°とした水晶平板であり、励振する弾性表面波の波長をλとした時、前記ＩＤＴ電極の波長で基準化した電極膜厚Ｈ／λを０．０４＜Ｈ／λ＜０．１２としたＳＨ波型弾性表面波デバイスにおいて、前記ＩＤＴ電極を陽極酸化してＳＨ波型弾性表面波デバイスを構成する。 （もっと読む）

【課題】弾性表面波共振子あるいはフィルタなどの弾性表面波デバイスにおいて、損失を最小化し、急峻性を向上させることを目的とするものである。
【解決手段】漏洩表面弾性波を励起することが可能なカット角で切り出された圧電基板１上に櫛型電極や反射器を設け、従来ＬＳＡＷとして利用されていたＳＡＷの音速を低減させ、前記圧電基板を伝播する遅い横波の速度よりも遅くしたＳＡＷを利用することにより、従来ＬＳＡＷとして利用されていたＳＡＷを伝播損失の発生しないＲＳＡＷとして利用し、従来のＬＳＡＷを利用したＳＡＷフィルタやＳＡＷ共振子と比較し、挿入損失が少なく、かつ急峻特性が向上したＳＡＷフィルタやＳＡＷ共振子を得る。 （もっと読む）

【課題】 安価な水晶基板を用い、しかもＳＨ型弾性境界波を利用することが可能であり、電気機械結合係数Ｋ²等の物性や特性を高めること等が可能な弾性境界波装置を提供する。
【解決手段】 水晶基板２上に、少なくともＩＤＴ４が形成されており、ＩＤＴ４を覆うように、誘電体３が形成されており、水晶基板２と誘電体３との界面を弾性境界波が伝搬する弾性境界波装置であって、ＩＤＴ４の厚みは、ＳＨ型境界波の音速は、水晶基板２を伝搬する遅い横波及び誘電体３を伝搬する遅い横波の各音速よりも低音速となるように設定されており、かつ水晶基板２のオイラー角が、図１３に示されている斜線を付した領域内とされている、弾性境界波装置１。 （もっと読む）

【課題】水晶板をストップバンドの上限モードで励振する場合に、スプリアスを主共振から所定周波数以上遠ざけることができるようにする。
【解決手段】弾性表面波素子片は、水晶板の表面にすだれ状電極からなるＩＤＴが設けてある。水晶板は、オイラー角表示で（０°，θ，０°≦｜ψ｜≦９０°）となっている。弾性表面波素子片は、ＩＤＴにより水晶板に生成された弾性表面波の波長をλ、ＩＤＴの電極指の膜厚をＨ、電極指の対数をＮとした場合、０．０９≦Ｈ／λ≦０．１１、かつ、Ｎ≦−２０００００×（Ｈ／λ）^２＋３７０００×（Ｈ／λ）−１５７０の関係を満たしている。 （もっと読む）

【課題】ＳＡＷ装置（ＩＤＴ電極）の耐湿・耐食信頼性を高める。
【解決手段】圧電基板と、この圧電基板の表面に設けたＡｌ又はＡｌ合金により形成されたＩＤＴと、圧電基板の少なくとも一部及びＩＤＴを覆う保護膜とを備えたＳＡＷ装置で、保護膜は、圧電基板の少なくとも一部及びＩＤＴの表面に形成され、ＩＤＴ表面では連続膜でかつ圧電基板表面では不連続膜となっている金属酸化物層と、金属酸化物層上に形成された二酸化珪素層とを含む。好ましくは、圧電基板は単結晶圧電基板で、金属酸化物層は遷移金属の酸化物（例えば酸化クロム）を主成分とし、二酸化珪素層の厚さは１０ｎｍ以下、金属酸化物層の厚さは２ｎｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】 従来構造よりデバイスサイズが小型で、Ｑ値が高く、周波数温度特性に優れたＳＡＷデバイスで、且つ、横高次モードスプリアスレベルを抑制することができるＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】 回転Ｙカット水晶基板のカット角θを結晶Ｚ軸より反時計方向に−６４．０°＜θ＜−４９．３°の範囲に設定した水晶基板１と、該水晶基板１上に形成されたＡｌ又はＡｌを主成分とする合金からなるＩＤＴ２とを備え、弾性表面波の伝搬方向を結晶Ｘ軸に対して直交方向、励振される弾性表面波を水晶基板１の表面付近を伝搬するＳＨ波とし、弾性表面波の波長λで基準化した電極膜厚Ｈ／λを０．０４＜Ｈ／λ＜０．１２に設定した弾性表面波デバイスにおいてＩＤＴ２にダミー電極１１を設けるようにした。 （もっと読む）

【課題】 ＳＨ波型表面波を用いた縦続接続型縦結合二重モードＳＡＷフィルタのスプリアスを改善する手段を得る。
【解決手段】 カット角θをＺ軸より反時計方向に−６４.０°＜θ＜−４９.３°とした回転Ｙカット水晶基板のＺ軸方向に沿って、第１及び第２の２つのＩＤＴ電極を近接配置すると共に、その両側にグレーティング反射器を配設し、該電極の膜厚Ｈを前記ＩＤＴ電極の電極ピッチλで基準化して０.０４＜Ｈ／λ＜０.１２とした縦結合二重モードＳＡＷフィルタを２段縦続接続した縦続接続型縦結合二重モードＳＡＷフィルタにおいて、第一段のＩＤＴ電極の電極周期と、第二段のＩＤＴ電極の電極周期とを互いに異ならせた弾性表面波デバイスを構成する。 （もっと読む）

【課題】 水晶板をストップバンドの上限モードで励振する場合に、縦モードによるスプリアスを主共振から所定周波数以上遠ざけることができるようにする。
【解決手段】 弾性表面波素子片は、水晶板の表面にすだれ状電極からなるＩＤＴが設けてある。水晶板は、カット角がオイラー角表示で（０°，θ，０°≦｜ψ｜≦９０°）となっている。弾性表面波素子片は、ＩＤＴにより水晶板に生成された弾性表面波の波長をλ、ＩＤＴの電極指の膜厚をＨとした場合、Ｈ／λ＝０．０９のとき、電極指の対数が１４０以下、Ｈ／λ＝０．１０のとき、電極指の対数が１３０以下、Ｈ／λ＝０．１１のとき、電極指の対数が８０以下にしてある。 （もっと読む）

【課題】ＩＤＴ電極を覆うように絶縁物層が形成されている構造を備えた弾性表面波装置であって、ＩＤＴの反射係数が十分に大きく、所望でないリップルによる特性の劣化を抑制し得る弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】電気機械結合係数ｋの２乗が０．０２５以上のＬｉＮｂＯ₃からなる圧電性基板１と、前記圧電性基板１上に形成されており、Ａｌよりも密度の大きい金属もしくは該金属を主成分とする合金、またはＡｌよりも密度の大きい金属もしくは該金属を主成分とする合金と他の金属とからなる積層膜からなる少なくとも１つの電極４Ａと、前記少なくとも１つの電極４Ａが形成されている領域を除いた残りの領域において、前記電極と略等しい膜厚に形成された第１絶縁物層２と、前記電極及び第１絶縁物層２を被覆するように形成された第２絶縁物層６とを備え、前記電極４Ａの密度が、前記第１絶縁物層４の１．５倍以上である、弾性表面波装置。 （もっと読む）

【課題】 温度特性の良好な弾性境界波素子、これを用いた共振子およびラダー型フィルタを提供すること。
【解決手段】 本発明は、圧電性を有する第１の媒質（１０）と、第１の媒質上に形成された櫛型電極（１６）と、櫛型電極および第１の媒質上に形成された誘電体膜（１２）と、誘電体膜上に形成された第２の媒質（１４）と、を具備し、誘電体膜は酸化珪素膜を主に含み、その密度が２．０５ｇ／ｃｍ^３以上である弾性境界波素子である。第１の媒質（１０）と温度係数の符号が反対の酸化珪素膜を誘電体膜（１２）として使用することにより、温度特性の良好な弾性境界波素子、これを用いた共振子およびラダー型フィルタを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】７０００ｍ／ｓｅｃ以上の波速、０．２％以上の電気機械結合係数、絶対値が２５ｐｐｍ以下の周波数温度特性（ＴＣＦ）を持つ弾性表面波素子を提供すること。
【解決手段】ダイヤモンド基板４０と、ダイヤモンド基板４０の上に設けられたＳｉＯ_２から成る絶縁膜５０と、絶縁膜５０の上に設けられたＺｎＯから成る圧電膜６０と圧電膜６０の上に設けられた櫛歯電極３０とを有する弾性表面波素子１０であって、圧電膜６０の表面を伝播する弾性表面波の波数（ｋ）と絶縁膜の厚さ（ｈ１）との積ｋｈ１が０．２以上１．２以下であり、圧電膜の表面を伝播する弾性表面波の波数（ｋ）と前記圧電膜の厚さ（ｈ２）との積ｋｈ２が０．６以上１．２以下であることを特徴とする弾性表面波素子１０。 （もっと読む）

【目的】本発明は、溝（グレーティンググルーブ）を設けた圧電性基板上にすだれ状電極を作製することにより、温度の変化に対する中心周波数の変化の小さい擬似弾性表面波基板、或いは電気機械結合係数の大きな基板を得ることを目的としている。
【構成】圧電性基板１の表面に弾性表面波の伝搬方向に直角な溝（グルーブ）２を作製した構造の圧電性基板上に溝に埋め込まれたすだれ状電極を用いた構造であって、圧電性基板として、回転Ｙ−Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ_３、ＬｉＮｂＯ_３、或いは水晶、ランガサイトなどの零ＴＣＦ基板を用いて従来の特性より大きなｋ^２の基板、或いは従来より優れたＴＣＦの基板を得るのが本特許の構成である。 （もっと読む）

【課題】ＩＤＴ電極を覆うように絶縁物層が形成されている構造を備えた弾性表面波装置であって、ＩＤＴの反射係数が十分に大きく、所望でないリップルによる特性の劣化を抑制し得る弾性表面波装置の製造方法を提供する。
【解決手段】圧電性基板としてのＬｉＴａＯ₃基板上に、第１絶縁物層２を全面に形成し、ＩＤＴ電極を形成するためのレジストパターン３を用いて、ＩＤＴ電極が形成される部分の絶縁物層を除去し、第１絶縁物層が除去されている領域にＡｌよりも大きい密度の金属または該金属を主成分とする合金からなる電極膜を形成してＩＤＴ電極４Ａを形成し、第１絶縁物層上に残留しているレジストを除去し、第１絶縁物層２及びＩＤＴ電極４Ａを被覆するように第２絶縁物層６を形成する、弾性表面波装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】挿入損失の悪化をさほど招くことなく、帯域外減衰量の拡大を図り得る端面反射型表面波フィルタを提供する。
【解決手段】 ＳＨタイプの表面波を利用した縦結合共振子型表面波フィルタであって、圧電基板２の上面２ａにおいて、所定距離を隔てて互いに平行に第１，第２の溝２ｂ，２ｃが形成されており、溝２ｂ，２ｃ間において、縦結合共振子型弾性表面波フィルタを構成するためのＩＤＴ５，６が形成されており、第１，第２の溝２ｂ，２ｃのＩＤＴが形成されている側の側面２ｂ₁，２ｃ₁が反射端面を構成しており、圧電基板２の上面２ａにおいて、（ａ）ＩＤＴ５，６の２０％以上を覆うように樹脂被覆層３または（ｂ）ＩＤＴ５，６を覆うようにＳｉＯ₂膜からなる保護層が形成されている、縦結合共振子型弾性表面波フィルタ１。 （もっと読む）

【課題】 複雑な工程を経ずに反射器の反射率を大きくできるようにする。
【解決手段】 圧電体からなるウエハ３０の表面に導電性金属膜３２を形成する金属膜形成工程を行なう。次に、ＩＤＴのすだれ状電極を形成する部分に対応した導電性金属膜３２を薄くするハーフエッチング工程をする。その後、導電性金属膜３２の表面に所定のパターンを有するレジスト膜３６を設けるエッチングマスク形成工程を行なう。次に、レジスト膜３６を介して導電性金属膜３２をエッチングしてすだれ状電極からなるＩＤＴ１４と反射器１６ａ、１６ｂとを形成する電極形成工程を行なう。 （もっと読む）

【課題】電極寸法の製造偏差による周波数偏差が小さいＡｌを主成分とした電極を用い、反射特性に優れ製品の小型化を図ることが可能であり、電気機械結合係数が大きく、かつ、温度に対する周波数変動が小さい弾性表面波素子を提供する。
【解決手段】水晶基板２の表面の切り出し角および伝搬方向が、オイラー角（０°、１３５〜１８６°、９０±２°）の範囲になるように設定されるとともに、規格化電極膜厚ｈ／λは０．０８２〜０．１５０に設定し、ＳＨ型表面波を励振する。 （もっと読む）

弾性表面波素子上に反応膜が形成された質量負荷による周波数変化量の測定により検出対象物質を検出もしくは定量する弾性表面波センサーであって、弾性表面波素子自体の構造の改良により感度が高められた弾性表面波センサーを提供する。ＳＨタイプの弾性表面波を利用しており、オイラー角が（０°，０°〜１８°，０°±５°）または（０°，５８°〜１８０°，０°±５°）である回転ＹカットＬｉＴａＯ_３基板と、該ＬｉＴａＯ_３基板２上に形成されており、Ａｕを主成分とする表面波励振用電極３と、表面波励振用電極３を覆うようにＬｉＴａＯ_３基板上に形成されており、検出対象物質または検出対象物質を結合する結合物質を結合する反応膜４とを備え、上記インターデジタル電極３の波長で規格化された膜厚が０．８〜９．５％の範囲とされている、弾性表面波センサー１。
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【課題】温度の変化に対する中心周波数の変化の小さい、擬似弾性表面波を用いたフィルタを提供する。
【解決手段】電気機械結合係数の大きなＬｉＮｂＯ_３、ＬｉＴａＯ_３基板上に膜厚がＨ_１の金属膜２を付着させた後、膜厚がＨ_２で正の周波数温度特性をもつＳｉＯ_２などの薄膜３を付着させた構造とする。この基板を伝搬する弾性表面波として、レーレー波より速い速度をもつ擬似弾性表面波を用い、圧電性基板１として、ＬｉＮｂＯ_３の場合、回転Ｙ板のカット角がマイナス２５度から１８０度の範囲のＬｉＮｂＯ_３基板、ＬｉＴａＯ_３の場合、２５度から４５度の範囲であり、かつ弾性表面波の伝搬方向がＸ軸或いはＸ軸からプラス・マイナス５度の範囲であり、薄膜２の膜厚Ｈ_１／λ（λ：弾性表面波の動作周波数での波長）が０．００５から０．２の範囲であり、薄膜３の膜厚Ｈ_２／λ（λ：弾性表面波の動作周波数での波長）が０．００５から０．６の範囲でとする。 （もっと読む）

Ｃｕを主成分とするインターデジタル電極を用いた弾性表面波装置であって、耐電力性が著しく改善された弾性表面波装置を提供する。圧電基板２と、圧電基板２上に形成されたインターデジタル電極３とを備え、インターデジタル電極３が、ＣｕまたはＣｕを主成分とする合金からなる主電極層３ａと、主電極層３ａと圧電基板２との間に配置されたＮｉＣｒを主成分とする密着層３ｂ、あるいはＴｉを主成分とし、膜厚が１８〜６０ｎｍの範囲にある密着層３ｂとを備える、弾性表面波装置１。
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