【課題】周波数温度係数（ＴＣＦ）をおよび損失を抑制することが可能な弾性波デバイス、共振器およびフィルタを提供すること。
【解決手段】本発明は、圧電材料（１０）上に設けられた櫛形電極（１２）と、櫛型電極の電極指（１２）上に設けられた空隙（２０ａ）を有し、電極指（１２）を被覆するように設けられた第１誘電体膜（１４）と、を具備する弾性波デバイス、共振器およびフィルタである。本発明によれば、櫛型電極の電極指を被覆するように第１誘電体膜が設けられることにより、ＴＣＦを改善することができる。さらに、第１誘電体膜が櫛型電極の電極指上に空隙を有することにより、挿入損失を改善することができる。 （もっと読む）

【課題】温度特性を改善した弾性波デバイスおよびフィルタを提供すること。
【解決手段】本発明は、圧電基板（１２）と、圧電基板上に設けられた第１誘電体（２２ａ）と、第１誘電体上に設けられた櫛型電極（１４）および反射電極（１６）と、櫛型電極および反射電極を覆うように設けられた第２誘電体（２４）と、第２誘電体上に設けられた第３誘電体（２６）と、を具備しており、前記第１誘電体は前記圧電基板より誘電率の温度係数が小さい物質であり、前記第３誘電体は前記第２誘電体より音速が速い物質である弾性波デバイスである。 （もっと読む）

【課題】高いＱ値を有し、速い位相速度、優れた周波数温度特性を有するラム波型高周波共振子を提供する。
【解決手段】ラム波型高周波共振子１０は、水晶基板２０と、水晶基板２０の主面に第１交差指電極３１と第２交差指電極３２が間挿して構成されるＩＤＴ電極３０と、ＩＤＴ電極３０のラム波の進行方向両側に配設される反射器４０，５０と、を備え、第１交差指電極３１と第２交差指電極３２の交差幅をＷとし、ラム波の波長をλとしたとき、交差幅Ｗが２１λ≦Ｗ≦５４λで表される範囲に設定される。また、水晶基板２０の切り出し角度及び前記ラム波の伝搬方向が、オイラー角表示で（０、θ、０）になるようにＩＤＴ電極３０が形成され、角度θが、３５度≦θ≦４７．２度で表される範囲において、水晶基板２０の厚みｔと、ラム波の波長λとの関係で表される規格化基板厚みｔ／λが、０．１７６≦ｔ／λ≦１．９２５の範囲に設定される。 （もっと読む）

【課題】比帯域幅を大きく出来る圧電薄膜共振器の構造を提供する。
【解決手段】基板１と、基板１上に配置された下部電極層２と、下部電極層２の上に配置された下部圧電層３と、下部圧電層３の上に配置されたすだれ状電極４と、すだれ状電極４の上に配置された上部圧電層５と、上部圧電層５の上に配置された上部電極層６とを備えたことを特徴とする圧電薄膜共振器。 （もっと読む）

【課題】伝搬損失の小さい、小型で高性能な弾性表面波機能素子及び弾性機能素子を提供する。
【解決手段】圧電性基板１上に、すだれ状電極金属薄膜７、８を付着させ、その上にグレーティング構造からなる伝搬速度が１０００ｍ／ｓ以下の超低速薄膜、或いはＴｅＯ_２薄膜９を付着させる。これにより、非常に薄い膜厚で大きな反射係数をもつ弾性表面波機能素子を得る。また、構成として、圧電性基板或いは圧電性薄膜基板表面に、超低速薄膜、或いはＴｅＯ_２薄膜を付着させた構造の分散型機能素子、或いはこの薄膜をグレーティング構造とし、大きな反射係数をもつ弾性表面波基板、或いはこの薄膜と高インピーダンス薄膜を組み合わせた弾性波共振器を用いた弾性機能素子を得る。 （もっと読む）

【課題】水晶基板を用いた表面波デバイスであり、小型で、Ｑ値が大きく、周波数エージング特性の優れたＳＨ波型ＳＡＷデバイスを得る。
【解決手段】圧電基板と、該圧電基板上に形成されＡｌを主成分とする合金からなるＩＤＴ電極とを備え、励振波をＳＨ波とした弾性表面波デバイスであって、前記圧電基板は、回転Ｙカット水晶基板のカット角θを−６４．０°＜θ＜−４９．３°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶Ｘ軸に対し９０°±５°とした水晶平板であり、励振する弾性表面波の波長をλとした時、前記ＩＤＴ電極の波長で基準化した電極膜厚Ｈ／λを０．０４＜Ｈ／λ＜０．１２としたＳＨ波型弾性表面波デバイスにおいて、前記圧電基板はウエットエッチングにより形成されたエッチング痕を有しており、前記ＩＤＴ電極が前記圧電基板の前記エッチング痕を有する表面に形成されているＳＨ波型弾性表面波デバイス。 （もっと読む）

【課題】 ＳＡＷデバイスにおいて温度特性のばらつきを抑制しかつ量産に適した小型化を可能にする。
【解決手段】 オイラー角表示で（０°，θ，０°＜｜ψ｜＜９０°）、好ましくは（０°，θ，９°＜｜ψ｜＜４６°）、より好ましくは（０°，９５°＜θ＜１５５°，３３°＜｜ψ｜＜４６°）の面内回転ＳＴカット水晶板からなる水晶基板１１の主面に、ＳＡＷの波長λに対してＨ／λ≦０．０８５となる厚さＨの交差指電極１２ａ，１２ｂからなるシングル型のＩＤＴ１３を形成する。これにより、ストップバンドの上限モードで励振させ、製造上のばらつきを含めて、使用温度範囲（０〜７０℃）で周波数変動幅Δｆabを２５ｐｐｍ以下に抑えた良好な温度特性が得られる。 （もっと読む）

【課題】弾性境界波素子の機能として使用する弾性境界波の近傍の周波数に出現するストンリー波を抑圧することが可能な弾性境界波素子、共振器およびフィルタを提供すること。
【解決手段】本発明は、ＬｉＮｂＯ_３基板１０と、基板１０上に設けられた弾性波を励振する電極１６と、基板１０上に電極１６を覆うように設けられた酸化シリコン膜１２と、を有する。そして、基板１０の回転Ｙカット角、電極１６の密度のＣｕの密度に対する比、電極１６に励振される弾性波の波長、電極１６の膜厚、酸化シリコン膜１２の膜厚をストンリー波の電気機械結合係数が０．０００１５以下の範囲となるように設定することを特徴とする弾性境界波素子、共振器、フィルタである。 （もっと読む）

【課題】ＳＨ波利用で、レイリー波スプリアスの影響を抑圧する弾性表面波装置の提供。
【解決手段】（０°±５°，θ，ψ）のＬｉＮｂＯ_３基板２上にＣｕを主体で、ＩＤＴ電極３を含む電極形成領域を除く領域に、第１の酸化ケイ素膜６が形成され、電極及び第１の酸化ケイ素膜６を覆う様に、第２の酸化ケイ素膜７が形成され、電極密度が、第１の酸化ケイ素膜の密度の１．５倍以上で、かつオイラー角（０°±５°，θ，ψ）のψが、１０°〜３０°の範囲内で、θ及びψは、ＩＤＴ電極膜厚が０．０５λの時、ハッチング付与領域範囲内にあり、０．０５λ以外の時、前記領域を、下記式で表われるθ_ｘに変換して得られた領域内にある、弾性表面波装置。
（もっと読む）

【課題】電力投入直後の共振周波数もしくは中心周波数のシフトが生じ難く、経時による周波数特性の劣化が生じ難い、弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】圧電基板２上に、少なくとも１つのＩＤＴ電極３が形成されており、ＩＤＴ電極３が、圧電基板２側に配置された密着層３ａと、主電極層とを有し、主電極層として、ＣｕまたはＣｕを主体とする合金からなる複数の主電極層３ｂ，３ｃを有し、主電極層３ｂ，３ｃがＣｕもしくはＣｕを主体とする合金以外の金属材料からなる中間層３ｄを介して積層されている、弾性表面波装置１。 （もっと読む）

【課題】圧電基板にＳＴカット水晶基板を用いると周波数温度特性の２次温度係数が−０．０３４（ｐｐｍ／℃²）と大きいので実用上の周波数変動量が極端に大きくなってしまう点であり、また特公平０１−０３４４１１号に開示されているＳＡＷデバイスの構造では、ＩＤＴの対数を非常に多くしなければならないのでデバイスサイズが大型になってしまう点である。
【解決手段】水晶基板を用いたSAWデバイスにおいて、圧電基板１上に、それぞれ互いに間挿し合う複数本の電極指からなるＩＤＴ２と、該ＩＤＴ２の両側にグレーティング反射器３ａ、３ｂを配置する。前記圧電基板１は、回転Ｙカット水晶基板のカット角θを結晶Ｚ軸より反時計方向に−６４．０°＜θ＜−４９．３°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶Ｘ軸に対し９０°±５°にした水晶平板であり、励振する弾性表面波はＳＨ波である。 （もっと読む）

【課題】ＬＢＯ基板のレーリーＳＡＷを用い、バルクスプリアスが抑圧されたトランスバーサル型ＳＡＷフィルタを提供することにある。
【解決手段】太い実線で記された波形は、アルミニウム（Ａｌ）膜厚を１．７１％λ₀として試作したフィルタの伝達応答（周波数応答）を示す。同図の細い実線で記された波形は、そのフィルタの計算時（シミュレーション時）の伝達応答を示す。計算と比べて実測ではまだバルクスプリアスによる減衰劣化はみられるが、その劣化分はアルミニウム（Ａｌ）膜厚が１．４２％λ₀の試作品と比べて大幅に良化している。 （もっと読む）

【課題】シングル型ＩＤＴ電極を備え、発振周波数としてストップバンドの上限モードを利用する弾性表面波装置において、周波数温度特性が優れ、また高周波化が容易な弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】水晶基板表面にＲａｙｌｅｉｇｈ型弾性表面波を励振させるためのシングル型ＩＤＴ電極を少なくとも備え、弾性表面波のストップバンドの上限モードを励振させる弾性表面波装置であって、水晶基板の切り出し角度及び弾性表面波伝搬方向をオイラー角表示で（φ，θ，ψ）とするとき、φ＝０°、１１０°≦θ≦１４０°、３８°≦｜ψ｜≦４４°に設定し、かつ、ＩＤＴ電極の厚みをＨ、ＩＤＴ電極における電極指の幅をｄ、ＩＤＴ電極における電極指間のピッチをＰ、弾性表面波の波長をλ、η＝ｄ／Ｐとしたとき、Ｈ／λ≧０．１７９６η³−０．４３０３η²＋０．２０７１η＋０．０６８２とする。 （もっと読む）

【課題】弾性波素子の特性を向上させ、また、弾性波素子の歩留まりを向上させる。
【解決手段】基板１０上に圧電膜１３を形成し、この圧電膜１３上に導電性膜１７を形成し、さらに、圧電膜１３上に弾性波発生用の櫛歯型電極１９ａを形成するとともに、導電性膜１７上に位置し、櫛歯型電極１９ａと電気的に接続される導電性膜１９ｂを形成した後、櫛歯型電極１９ａを覆い、導電性膜１９ｂ上に開口部ＯＡ２を有する保護膜２１を形成する。その結果、開口部ＯＡ２の形成、即ち、保護膜２１のエッチングの際、開口部ＯＡ２底部にエッチング残渣が生じていてもワイヤボンディング時に貫通することが可能なため、接続不良を低減できる。 （もっと読む）

【課題】水晶基板に圧電薄膜を形成した表面波装置において、スプリアスが小さく、温度特性が良好であり、かつレイリー波の電気機械結合係数Ｋ² を拡大し得る表面波装置を提供する。
【解決手段】オイラー角（φ、θ、ψ）において、φが−２．５°±５°、θが１１６°±５°及びψが＋２．５°±５°の範囲にある水晶基板２と、前記水晶基板２上に形成された圧電薄膜５と、前記圧電薄膜５に接するように形成されたくし歯電極３ａ，３ｂ，４ａ，４ｂとを備え、前記水晶基板２のオイラー角が、図６におけるレイリー波のパワーフロー角ＰＦＡが±２．５°となる範囲にあり、図７における表面波装置の周波数温度係数ＴＣＦが±５ｐｐｍ／℃となる範囲にあり、前記圧電薄膜５の膜厚をＨ、表面波の波長をλとしたときに、圧電薄膜５の規格化膜厚Ｈ／λが０．０５以上とされており、かつ、前記圧電薄膜５の周波数温度係数ＴＣＦがマイナスの値を有する、表面波装置１。 （もっと読む）

【課題】インターディジタル電極２の表層部に形成する陽極酸化膜を、該陽極酸化膜の絶縁性と弾性表面波素子の素子特性を両立させることが出来る膜厚に形成し、且つインターディジタル電極２によって励起される弾性表面波の周波数を、所望の周波数に調整することが出来る弾性表面波素子の製造方法を提供する。
【解決手段】インターディジタル電極２の陽極酸化処理工程において、電解液４中で陰極部材５とインターディジタル電極２の間を流れる電流の密度を制御することにより、圧電基板１に励起されることとなる弾性表面波の周波数を調整する。 （もっと読む）

【課題】水晶基板を用いた表面波デバイスであり、小型で、Ｑ値が大きく、周波数エージング特性の優れたＳＨ波型ＳＡＷデバイスを得る。
【解決手段】圧電基板と、該圧電基板上に形成されＡｌを主成分とする合金からなるＩＤＴ電極とを備え、励振波をＳＨ波とした弾性表面波デバイスであって、前記圧電基板は、回転Ｙカット水晶基板のカット角θを−６４．０°＜θ＜−４９．３°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶Ｘ軸に対し９０°±５°とした水晶平板であり、励振する弾性表面波の波長をλとした時、前記ＩＤＴ電極の波長で基準化した電極膜厚Ｈ／λを０．０４＜Ｈ／λ＜０．１２としたＳＨ波型弾性表面波デバイスにおいて、前記水晶基板を０．００２μｍ以上の厚さでエッチングしてＳＨ波型弾性表面波デバイスを構成する。 （もっと読む）

【課題】フェースダウン実装された弾性表面波装置において、大きな信号が入力されても耐電力性、放熱性に優れた弾性表面波装置を提供すること。
【解決手段】圧電基板１上にＩＤＴ電極２から成る弾性表面波共振子を複数配設して互いに接続し、前記弾性表面波共振子の間の領域に、少なくとも１つの放熱用パッド電極１６ａ，１６ｂを配置している。放熱用パッド電極１６ａ，１６ｂは、回路基板の導体パターンとバンプ接続体１３で接続される。
【効果】放熱用パッド電極１６ａ，１６ｂを通して熱を集めることができ、放熱性が向上する。 （もっと読む）

【課題】 ＳＡＷの伝搬損失を無くしかつ電気機械結合係数Ｋ^２ を大きくし、より一層低損失化が可能なＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】 カット面及びＳＡＷの伝搬方向がオイラー角表示で（９０±１０°，９０±１０°，ψ°）かつψ＝１４８〜１８０°のＬｉＴａＯ_３ 基板からなる圧電基板２の表面に、伝搬損失が０ｄＢ／λでありかつ電気機械結合係数Ｋ^２ が０．０１５以上となるように、その膜厚Ｈ／λを設定してＩＤＴを形成する。 （もっと読む）

【課題】ＩＤＴ上にＳｉＯ_２膜を形成することにより周波数温度特性が改善されているだけでなく、ＳｉＯ_２膜表面におけるクラックが発生し難く、所望とする特性を確実に得ることができ、かつ電気機械結合係数及び反射係数が大きな弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】２５°〜５５°回転Ｙ板Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ_３基板１２上に、Ａｌと比べて密度が高い金属もしくは合金からなる少なくとも１つのＩＤＴ１３ａ，１３ｂが形成されており、ＩＤＴ１３ａ，１３ｂを覆うようにＬｉＴａＯ_３基板１２上に周波数温度特性を改善するためのＳｉＯ_２膜１５が形成されている、弾性表面波装置１１。 （もっと読む）