【課題】安価な材料で、又比較的薄い膜厚で微細な電極が形成できる弾性表面波装置、及びそれを用いた通信用フィルタを提供する。
【解決手段】圧電基板上にすだれ状電極１０が形成された弾性表面波装置において、前記すだれ状電極１０を形成する電極材料の主成分が銅であり、且つ圧電基板がＬｉＮｂＯ３基板で、その表面波伝搬モードがラブ波モードである弾性表面波装置。 （もっと読む）

【課題】高いＱ値を有するとともに、広い周波数範囲に対応することが可能な弾性境界波装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る弾性境界波装置は、ニオブ酸カリウムからなる圧電体層１０１と、圧電体層１０１上にすだれ状に形成される金電極１０３と、圧電体層１０１および金電極１０３上に形成される、二酸化ケイ素を含む誘電体層１０５と、を備え、金電極１０３の厚みをＨｍとし、金電極１０３によって圧電体層１０１と誘電体層１０５の界面に励振される弾性境界波２０の波長をＬとした場合に、Ｈｍ／Ｌを、０．０１５以上とする。 （もっと読む）

【課題】圧電基板の端部で反射した弾性表面波を減衰量を特性を考慮して所定の膜厚である吸収部を有する弾性表面波素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】弾性表面波素子１０は、弾性表面波を励振させるための入力電極１２、出力電極１４と、不要な弾性表面波を吸収する吸収部１６ａ、１６ｂとが圧電基板１８上に形成され、吸収部１６ａ、１６ｂは、フォトレジストで形成され、前記弾性表面波の波長をλとして吸収部１６ａ、１６ｂの膜厚ｈが０．７λ以上２０λ以下である。また、吸収部１６ａ、１６ｂの膜厚ｈは、好ましくは１λ以上１０λ以下であり、さらに好ましくは略１λである。 （もっと読む）

【課題】弾性表面波共振子の素子基板の切断位置、端面形状によって共振周波数が左右されず、小型化された弾性表面波共振子を提供する。
【解決手段】水晶基板１０上に弾性表面波のＳＨ波が励振される弾性表面波共振子１において、水晶基板１０にＳＨ波の位相伝搬方向Ｘ’に略直交して極性の異なる電極指１２ａ，１２ｂが交互に配置されたＩＤＴ１２が形成されたＩＤＴ形成領域１３と、水晶基板１０に、ＳＨ波の位相伝搬方向Ｘ’におけるＩＤＴ形成領域１３の両側に電極指１２ａ，１２ｂの交差幅以上の幅寸法で、ＳＨ波の位相伝搬方向Ｘ’に長さ寸法を有する付加膜１４が形成された付加膜形成領域１５とを備え、付加膜形成領域１５の全体が有する反射係数が０．８７５以上１．０００以下である。 （もっと読む）

【課題】スプリアス特性を抑制すること。
【解決手段】圧電基板と、圧電基板の表面上に形成され複数の電極指を有するＩＤＴと、を具備し、圧電基板は、圧電基板表面の電極指の長手方向をｙ軸、圧電基板表面のｙ軸に垂直な方向をｘ軸、圧電基板の法線方向をｚ軸としたとき、ｘ軸およびｚ軸方向の変位を成分とする第１表面波モードとｙ軸方向の変位を成分とする第２表面波モードとを有し、電極指の膜厚は、第１表面波モードの反共振点（ＳＡＷモードの反共振点１）の伝搬速度と第２表面波モードの反共振点（ＳＨ−ＳＡＷモードの反共振点１）の伝搬速度とが一致する膜厚ｈｃ／λである弾性表面波デバイスおよび弾性波フィルタである。 （もっと読む）

【課題】基板内部に弾性波のエネルギーを閉じ込めることにより、小型の素子を得る。
【解決手段】圧電基板１上にすだれ状電極３、誘電体薄膜４、更に誘電体薄膜５を付着さた基板であり、基板内部に弾性波のエネルギーを閉じ込めた基板を得ることができる。特に、薄膜４として、ＳｉＯ_２薄膜、薄膜５として、ＡｌＮ薄膜を用いることにより、大きな電気機械結合係数（ｋ^２）と周波数温度特性に優れた基板を電極３の膜厚、薄膜４、薄膜５の膜厚を最適の値とすることにより得ることが出来る。 （もっと読む）

【課題】耐電力特性を向上させつつ、動作周波数の高周波数化を図ることができる弾性表面波素子、および、この弾性表面波素子を備える信頼性に優れた電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の弾性表面波素子１は、ダイヤモンドで構成された硬質層３上に、ＺｎＯで構成された圧電体層４と、Ａｌで構成された櫛歯状電極５、６を備える電極層１０と、ＳｉＯ_２で構成された保護層９とがこの順に積層され、電極層１０の平均層厚をＴ_１、圧電体層４の平均層厚をＴ_２、保護層９の平均層厚をＴ_３、圧電体層４の３次モードの弾性表面波の波長をλ、（２π／λ）をｋとしたときに、下記（１）〜（３）のそれぞれの関係式を満たすことを特徴とする弾性表面波素子。
０．００１≦ｋＴ_１≦０．０２・・・・・・・（１）
１．３≦ｋＴ_２≦２．０・・・・・・・・・・（２）
０．５≦ｋＴ_３≦１．２・・・・・・・・・・（３） （もっと読む）

【課題】ＳＨ波を利用したＳＡＷデバイスの通電時の周波数シフトを低減する方法を提供する。
【解決手段】水晶基板１１は、Ｙカット水晶基板の回転角θを結晶軸Ｚより反時計方向に約−５０°とし、結晶軸Ｘに対し９０°±５°方向（Ｚ’軸方向）に伝搬するＳＨ波型表面波を励起する基板を用いる。そして、水晶基板１１のＺ’軸方向に沿ってアルミニウム、又はアルミニウムを主成分とする合金のＩＤＴ電極１２と、その両側にグレーティング反射器１３ａ、１３ｂとを配置して、ＳＨ波型ＳＡＷ共振子を構成する。また、前記ＩＤＴ電極１２を構成する電極指の電極指幅／（電極指幅＋電極指間のスペース）をライン占有率ｍｒとした時に、ライン占有率ｍｒが、０．４１＜ｍｒ＜０．５３を満足する。 （もっと読む）

【課題】高周波領域において広帯域化を図ることができるＳＡＷフィルタ装置を提供する。
【解決手段】所定の中心周波数とは異なる中心周波数で、帯域幅が所定帯域幅より狭い複数のＳＡＷフィルタ１２ａ、１２ｂと、複数のＳＡＷフィルタ１２ａ、１２ｂの入出力ラインに夫々設けられ、何れかのＳＡＷフィルタを選択するために連動して切り替わる切替スイッチ３、４と、を備え、複数のＳＡＷフィルタ１２ａ、１２ｂは、回転Ｙカット角を結晶Ｚ軸より反時計方向に４０°±２０°の範囲に設定し、且つ、ＳＡＷの伝搬方向を結晶Ｘ軸に対して９０°±３°に設定した水晶基板１１と、この水晶基板１１上に形成され、Ａｌ又はＡｌを主成分とする合金からなりＳＨ波を励振するＩＤＴ１３、１４とを有し、励振するＳＡＷの波長をλとしたとき、ＩＤＴ１３，１４の膜厚が０．０６λ以下となるようにした。 （もっと読む）

【課題】
精度良くＩＤＴを作製することができ、ＩＤＴ及び圧電基板における伝搬損失
がほぼ０である表面波装置を提供する。
【解決手段】オイラー角（０ー，１２５ー〜１４６ー，０ーア５ー）であるＬ
ｉＴａＯ₃基板上に、規格化膜厚Ｈ／λ＝O．００１〜０．０５のＡｕによりＩ
ＤＴを構成して伝搬損失の少ないＳＨ波を励振する。 （もっと読む）

【課題】 高周波化を図った場合であっても、導体抵抗の増大を抑制でき、十分大きな電気機械結合係数Ｋ²を可能とする弾性境界波装置を提供する。
【解決手段】 第１の媒質１１と、第２の媒質１２との間にＩＤＴ１３が配置されており、ＩＤＴ１３を厚み方向に２等分した面を境界面とし、該境界面から第１の媒質１１側の弾性境界波のエネルギーをＥ１、該境界面から第２の媒質１２側のエネルギーをＥ２とし、ＩＤＴ１３を構成したときの弾性境界波の音速と、ＩＤＴ１３を構成する最も密度の大きな導体層のみを用いてＩＤＴ１３を構成したときの弾性境界波の音速とが同一となるように、密度が最も大きい導体層単独でＩＤＴ１３を構成した条件において、前記境界面から第１の媒質１１側の弾性境界波のエネルギーをＥ１′、前記境界面から第２の媒質１２側のエネルギーをＥ２′としたときに、Ｅ１／Ｅ２＞Ｅ１′／Ｅ２′とされている、弾性境界波装置１０。 （もっと読む）

【課題】電気機械結合係数などの他の特性をさほど低下させることなく、群遅延時間温度係数ＴＣＤや周波数温度係数ＴＣＦを調整することが可能な弾性境界波装置を提供する。
【解決手段】圧電体２と誘電体３との界面にＩＤＴ電極４が配置されており、該ＩＤＴ電極４の電極指４ａに沿うように設けられており、かつ周期的に配置された第１の弾性的不連続部５ａ及び／または第１の弾性的不連続部５ｂが形成されており、第１の弾性的不連続部５ａ，５ｂの弾性境界波伝搬方向に沿う寸法である幅Ｗ１が０．０７λ以下とされており、あるいはＩＤＴ電極４の複数本の電極指４ａ，４ａ間のスペース間から、垂直な方向にギャップを隔てて誘電体３内に配置された第２の弾性的不連続部６が形成されており、複数の第２の弾性的不連続部６がλ／２の周期で設けられている、弾性境界波装置。 （もっと読む）

【課題】 周波数温度特性に優れた薄膜構造の高結合擬似弾性表面波基板および高周波帯の挿入損失を低下させる弾性表面波機能素子を提供する。
【解決手段】 LiNbO₃基板上にSiO₂膜の薄膜層を形成するとともに、前記LiNbO₃基板の回転Ｙ板のカット角度を−１０度から＋３０度とし、前記薄膜層の膜厚寸法をＨ、前記弾性表面波の動作中心周波数の波長をλとしたときに、Ｈ／λの値を０．１１５から０．３１とした。その結果、レーレー型の弾性表面波よりも早い速度の擬似弾性表面波に対する電気機械結合係数ｋ^２を０．２０以上にでき、かつ周波数温度特性を−３０から＋３０ppm／℃の各範囲とすることができ、電気機械結合係数ｋ^２が大きく、周波数温度特性の優れた機能素子を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】周波数温度特性が良好であり、電気機械結合係数が大きく、かつ伝搬損失が小さい表面波装置を提供する。
【解決手段】２０°〜４８°回転Ｙ板Ｘ伝搬ＬｉＴａＯ_３からなる圧電基板２と、圧電基板２上に形成されており、タングステンからなり、かつ膜厚をＨ、表面波の波長をλとしたときに、規格化膜厚Ｈ／λが０．００２５〜０．０６の範囲にあるＩＤＴ３と、ＩＤＴ３を覆うように圧電基板２上に形成されており、かつ規格化膜厚Ｈｓ／λが０．１０〜０．４０の範囲にあるＳｉＯ_２膜とを備える表面波装置１。 （もっと読む）

【課題】周波数温度特性が良好であり、電気機械結合係数が大きく、かつ伝搬損失が小さい表面波装置を提供する。
【解決手段】１７°〜５８°回転Ｙ板Ｘ伝搬ＬｉＴａＯ₃からなる圧電基板２と、圧電基板２上に形成されており、タンタルからなり、かつ膜厚をＨ、表面波の波長をλとしたときに、規格化膜厚Ｈ／λが０．００４〜０．０５５の範囲にあるＩＤＴ３と、ＩＤＴ３を覆うように圧電基板２上に形成されており、かつ規格化膜厚Ｈｓ／λが０．１０〜０．４０の範囲にあるＳｉＯ₂膜とを備える表面波装置１。 （もっと読む）

【課題】周波数温度特性が良好であり、電気機械結合係数が大きく、かつ伝搬損失が小さい表面波装置を提供する。
【解決手段】オイラー角（０±２°，１０４〜１４１°，０±２°）のＬｉＴａＯ₃からなる圧電基板２と、圧電基板２上に形成されており、密度８７００〜１０３００ｋｇ／ｍ³、ヤング率１．８×１０¹¹〜４×１０¹¹Ｎ／ｍ²あるいは横波音速が３１７０〜３２９０ｍ／秒である、ＮｉやＭｏなどで代表される金属もしくは該金属を主体とする合金または前記金属もしくは合金からなり、かつ膜厚をＨ、表面波の波長をλとしたときに、規格化膜厚Ｈ／λが０．００８〜０．０６の範囲にあるＩＤＴ３と、ＩＤＴ３を覆うように圧電基板２上に形成されており、かつ規格化膜厚Ｈｓ／λが０．１０〜０．４０の範囲にあるＳｉＯ₂膜とを備える表面波装置１。 （もっと読む）

【課題】水晶基板を用いたＳＡＷデバイスにおいて、容量比γを小さくし、周波数制御性
を高めたＳＡＷデバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】圧電基板１は、回転Ｙカット水晶基板のカット角θを結晶Ｚ軸より反時計方
向に−６１．４°＜θ＜−５１．１°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結
晶Ｘ軸に対し９０°±５°にした水晶平板であり、励振する弾性表面波はＳＨ波である。
また、ＩＤＴ２及びグレーティング反射器３ａ、３ｂはＡｌ又はＡｌを主成分とする合金
からなり、弾性表面波の波長λで基準化した電極膜厚Ｈ／λを０．０４＜Ｈ／λ＜０．１
２に設定する。そして、前記ＩＤＴを構成する電極指のライン占有率ｍｒを電極指幅／（
電極指幅＋電極指間スペース）とした時に、前記ライン占有率ｍｒを０．５３≦ｍｒ≦０
．６５、又は０．５５≦ｍｒ≦０．６８に設定する。 （もっと読む）

【課題】高精度な共振周波数、優れた周波数温度特性のラム波型高周波共振子を簡単な構造で実現する。
【解決手段】ラム波型高周波共振子１０は、水晶からなる圧電基板２０と、圧電基板２０の表面２１に形成される櫛歯状のＩＤＴ電極３０と、圧電基板２０の裏面２２の少なくともラム波が伝搬する領域に、圧電基板２０の材質とは密度が異なる材質からなる調整膜６０が形成されている。この調整膜６０の厚さｔを適切に制御することにより、高精度な共振周波数、優れた周波数温度特性のラム波型高周波共振子１０を簡単な構造で実現する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、スプリアスを抑え、かつ、Ｑ値が高く、さらに減衰量も大きい弾性表面波共振器およびこれを用いた弾性表面波フィルタ、アンテナ共用器を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明の弾性表面波共振器は、ニオブ酸リチウムからなる基板１と、この基板１の上面に設けられアルミニウムまたはアルミニウム合金で構成された少なくとも１つの櫛型電極２と、この櫛型電極２を覆うとともに表面に凹凸形状を有する保護膜４とを備え、前記基板１の回転Ｙ板のカット角を０〜＋２５度とし、かつ、前記櫛型電極２の膜厚をｈ、波長をλとしたときに、規格化電極膜厚（ｈ／λ）を７．８〜９．８％としたものである。 （もっと読む）

【課題】電気機械結合係数を精度良く制御することが可能な弾性波デバイスおよびフィルタを提供すること。
【解決手段】本発明は、圧電基板（１２）と、圧電基板上に設けられた第１誘電体（２４）と、第１誘電体上に設けられた櫛型電極（１４）および反射電極（１６）と、櫛型電極および反射電極を構成する電極指と、を具備し、第１誘電体が隣り合う電極指の間で圧電基板の表面が露出するように分離されていて、第１誘電体の側面と櫛型電極および反射電極の電極指の側面とが同一面に形成されている弾性波デバイスである。 （もっと読む）