【課題】ＡＴカット水晶振動子と同等かそれ以上の優れた周波数温度特性を有する弾性表面波素子を提供する。
【解決手段】弾性表面波素子１は、カット角がオイラー角（φ°，θ°，ψ°）による表示で（０±０．２５°，１１３〜１３５°，±（４０〜４９°））となる水晶基板２と、水晶基板２上に設けられ、複数の電極指３１ａ、３１ｂを備えるＩＤＴ３（櫛歯電極）と、ＩＤＴ３を水晶基板２とは反対側から覆うように設けられ、ＳｉＯ_２を主成分として構成されたＳｉＯ_２膜６とを有し、ＳｉＯ_２膜６の規格化膜厚ｈｓ／λ（ただし、ｈｓは、ＳｉＯ_２膜６の平均厚さ［ｎｍ］であり、λは、弾性表面波の波長［ｎｍ］である）が、０．００４６〜０．０２３３である。 （もっと読む）

【課題】周波数のばらつきが小さいラム波装置を提供する。
【解決手段】ラム波装置１０２は、圧電体薄膜１０６と、圧電体薄膜１０６の主面に設けられたＩＤＴ電極１０８と、ＩＤＴ電極１０８及び圧電体薄膜１０６の積層体１０４を支持し、積層体１０４を離隔させるキャビティ１８０が形成された支持構造体１２２とを備える。圧電体薄膜１０６の膜厚ｈ及びＩＤＴ電極１０８のフィンガー１１０のピッチｐは、圧電体薄膜１０６の膜厚ｈに対する音速ｖの分散性が小さくなるラム波が目的の周波数において励振されるように選択される。 （もっと読む）

【課題】圧電基板に水晶基板を用い、ＳＨ波を利用した、端面反射波の影響が少なく、小型化したＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】ＳＡＷデバイス１０は、水晶基板７１と、水晶基板上に形成されＡｌ又はＡｌを主成分とする合金からなるＩＤＴ電極７２とを備え、水晶基板は、そのカット角θを結晶Ｘ軸を回転軸とした結晶Ｚ軸の回転角度とし、結晶＋Ｚ軸から結晶＋Ｙ軸側へ回転させる方向を前記カット角が負となる回転方向とした時に、カット角を結晶Ｚ軸より−６４．０°＜θ＜−４９．３°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶Ｘ軸に対し９０°±５°とした水晶平板であり、励振する弾性表面波の波長をλとした時、ＩＤＴ電極の波長で基準化した電極膜厚Ｈ／λを０．０４＜Ｈ／λ＜０．１２とした励振波をＳＨ波としたＳＡＷデバイスであって、弾性表面波の伝搬方向と水晶基板の長辺方向の間のなす傾斜角θ_Eを０°＜θ_E＜３°とする。 （もっと読む）

【課題】Ｑ値を向上させ、弾性表面波共振子の小型化を可能とする。
【解決手段】水晶基板上に弾性表面波を励振する電極指を有するＩＤＴが設けられた弾性表面波共振子において、ＩＤＴは、中央部に配置された第１領域と、第１領域の両側に配置された第２領域および第３領域とを備え、第１領域では周波数が一定であり、第２領域および第３領域ではＩＤＴの端部に近づくに従い周波数が順次低くなる部分を含み、第１領域における周波数をＦａ、第２領域における端部の周波数をＦｂ_M、第３領域における端部の周波数をＦｃ_N、としたとき、０．９８１５＜Ｆｂ_M／Ｆａ＜０．９９５３、かつ、０．９８１５＜Ｆｃ_N／Ｆａ＜０．９９５３、である。 （もっと読む）

【課題】高次モードのスプリアスを抑制する。
【解決手段】弾性波素子５は圧電体６と、圧電体６の上に配置されて弾性波を励振させる櫛歯電極７と、圧電体６の上に櫛歯電極７を覆うように設けられた誘電体層８を備える。この誘電体層８は、下から上に向けて横波が伝搬する速度が連続的に速くなる媒質からなる組成変化部分を含む。この構成により、誘電体層８内を伝搬する高次モードによるスプリアスをより高い周波数に移すことができ、高次モードによるスプリアスによる影響を低減できる。 （もっと読む）

【課題】高周波化が可能であり、しかも耐候性及び電気特性に優れる弾性表面波素子を提供する。
【解決手段】本発明の弾性表面波素子は、ダイヤモンド層と、ダイヤモンド層上に設けられた窒化アルミニウム層と、窒化アルミニウム層上に設けられた酸化シリコン層と、前記窒化アルミニウム層と前記酸化シリコン層との間に設けられ窒化アルミニウム層に電圧を印加する一対の電極と、を有している。窒化アルミニウム層の厚みＨ_１、酸化シリコン層の厚みＨ_２、及び弾性表面波の波長λを用いて定義される（ｘ、ｙ）が、以下の式、ｙ≦０．７５０×ｘ＋０．３２５、ｙ≦−０．３００×ｘ＋１．６９０、ｙ≧−０．５００×ｘ＋０．９５０、ｙ≧０．７００×ｘ−０．６１０（ただし、ｘ＝２πＨ_１／λ、ｙ＝２πＨ_２／λ）をともに満たす範囲Ａ１内である。 （もっと読む）

【課題】入力変換ユニットおよび出力変換ユニットの線幅を変更することなしに中心周波数を調整することができる高周波表面音波装置の提供。
【解決手段】高周波表面音波装置が開示されている。開示の高周波表面音波装置は、そのナノ結晶ダイヤモンド層の厚さを変更することによってその中心周波数を容易に調整することができる。開示の高周波表面音波装置は、シリコン基板、シリコン基板の上に位置するナノ結晶ダイヤモンド層、ナノ結晶ダイヤモンド層の表面に形成した圧電層、入力変換ユニット、および出力変換ユニットを備え、そこでは入力変換ユニットおよび出力変換ユニットは圧電層の表面上か、または下に対で形成される。また、ナノ結晶ダイヤモンド層の厚さは０．５μｍ〜２０μｍであることができる。圧電層はＺｎＯ、ＡｌＮ、またはＬｉＮｂＯ₃から作られることができる。圧電層の厚さは０．５μｍ〜５μｍであることができる。 （もっと読む）

【課題】製造コストを低減するとともに、チップサイズを小型にすることができる弾性波デバイスを提供する。
【解決手段】圧電基板１上に弾性波の励振電極２ａおよび反射器２ｂを備え、その上を少なくとも一層の媒質で被覆された弾性波デバイスであって、媒質から露出し、励振電極２ａの一部と電気的に接続された端子電極３ａ及び３ｂを備え、端子電極３ａ及び３ｂは、その一部が、媒質を挟んで少なくとも反射器２ｂと重なる位置に配されている。 （もっと読む）

【課題】不要波を抑えることができるとともに、温度特性を向上させることができる弾性波素子を提供する。また、このような弾性波素子を通信モジュール及び通信装置に搭載することで、信頼性を向上させることができる。
【解決手段】圧電基板１４と、圧電基板１４上に形成された櫛歯型の電極１３と、電極１３を被覆するように形成されたＳｉＯ₂膜１２とを備えた弾性波素子であって、ＳｉＯ₂膜１２上に形成された変位分布調整膜１１を備え、変位分布調整膜１１は、ＳｉＯ₂膜１２を形成する物質よりも音速が遅くなるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】境界弾性波装置は、小型で温度安定性に優れている。しかし、Ｑ値を高く出来ない、また高コストな薄膜技術を必要とする。本発明の目的は、Ｑ値が優れ、低コストな境界弾性波装置を提供することにある。
【解決手段】θＹＸ−ＬＮ単結晶圧電基板の表面に、アルミニウムを主成分とする膜厚ｈｍ、電極指周期λの櫛形電極と短絡型反射器（厚さｈｒ）をパターニングし、その櫛形電極と反射器上に、膜厚がｈ1の酸化珪素膜と膜厚がｈ2の窒化アルミニウム膜６を形成した境界弾性波装置において、
２．５≦ｈｒ／λ≦８．５％、
とする。 （もっと読む）

【課題】フィルタ帯域の急峻化や、比帯域幅の異なる複数帯域のフィルタ、共振子を単一基板上に得ることで、小型で高性能な弾性境界波を用いた弾性境界波装置を提供する。
【解決手段】単結晶基板４上に固体層５が積層されており、単結晶基板４と固体層５との境界に電極が配置されている弾性境界波装置であって、カット角が同じ単結晶基板４を用いて構成された複数の弾性境界波素子２，３が備えられており、弾性境界波素子２の伝搬方位は、弾性境界波素子３の伝搬方位と異なっている、弾性境界波装置１。 （もっと読む）

【課題】広帯域な弾性波素子の提供。
【解決手段】弾性波素子は、擬似弾性波が伝播するよう構成された表面を有する圧電基板と、圧電基板の表面の一部に設けられた櫛歯電極と、櫛歯電極を覆いかつ圧電基板の表面に設けられた誘電体層とを備える。圧電基板はニオブ酸リチウムからなる。誘電体層は五酸化タンタルからなる。圧電基板における回転Ｙ板のカット角が２．５度以上２２．５度以下である。誘電体層の膜厚Ｈの、圧電基板を伝播する擬似弾性波の中心周波数の波長λに対する比Ｈ／λが０．０３４〜０．１２６である。この弾性波素子は広帯域である。 （もっと読む）

【課題】安価な材料で、比較的薄い膜厚で微細な電極が形成できる弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】圧電基板上にすだれ状電極５〜７が形成された弾性表面波装置において、前記すだれ状電極５〜７を形成する電極材料の主成分が銅であり、かつ前記圧電基板が略１５°回転Ｙ軸カット−Ｘ方向伝搬ＬｉＮｂＯ₃基板であり、かつ弾性表面波の伝搬モードがラブ波モードであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は弾性波基板における不要応答発生を抑制することを目的とする。
【解決手段】そして、この目的を達成するために本発明は圧電基板１上面に設けられた第１の誘電体層２と、第１の誘電体層２上面に設けられた第２の誘電体層４の膜厚を適切に与えることにより主要波として用いるＳＨ波のエネルギーを圧電基板１と第１の誘電体層２の境界に閉じ込めつつ、不要波として検出されるストンリー波と同様の変位分布を有するＳＶ波の変位を第２の誘電体層４の上面に分布させることにより、第２の誘電体層４の上面に設けられた吸音層５を用いて不要波を抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ラム波の伝搬方向に垂直方向の振動漏れを抑圧するラム波型共振子を提供する。
【解決手段】ラム波型共振子１は、複数の電極指片それぞれを接続するバスバー電極の幅をＷｂ、前記電極指片と前記バスバー電極との間の距離をＷｇと表したとき、Ｗｇをｘ軸、幅Ｗｂをｙ軸とする直交座標において、ＷｇとＷｂとが共に、円の方程式（ｘ−１０）²＋（ｙ＋１２．７）²＝１９²で表される円弧とＷｇ≧１λ、Ｗｂ≧１λで囲まれる範囲と、座標（Ｗｇ，Ｗｂ）で表した場合に、Ｊ２１、Ｊ２２、Ｊ２３、Ｊ２４、Ｊ２５、Ｊ２６、Ｊ２７、Ｊ２８、Ｊ２９、Ｊ３０、Ｊ３１、Ｊ３２、Ｊ３３、Ｊ３４、Ｊ３５、Ｊ３６、Ｊ３７、Ｊ３８、Ｊ２１で表される各座標を記載順序に直線で結び、前記直線で囲まれる範囲と、のいずれかにある。このことにより、水晶基板１０の横方向外端部で発生する変位を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】ＬＢＯ基板からなる圧電基板上にＩＤＴを形成したトランスバーサル型ＳＡＷフィルタにおいて周波数温度特性を向上させる。
【解決手段】カット面及びＳＡＷ伝搬方向がオイラー角（φ，θ，ψ）表示でφ＝（２７．１５±８．３５°）＋９０°×ｎ、（但し、ｎ＝０〜３）又はφ＝（６２．８５±８．３５°）＋９０°×ｎ、（但し、ｎ＝０〜３）、θ＝９０±７．５°、及びψ＝９０±１２°であるＬi₂Ｂ₄Ｏ₇からなる圧電基板２上に、レイリーＳＡＷを励振する一方向性の入力用及び出力用ＩＤＴ３，４をＳＡＷ伝搬方向に沿って配置する。 （もっと読む）

【課題】耐電力性（マイグレーション耐性）のさらなる向上を図るとともに温度変化による周波数変動を抑えた信頼性の高い弾性表面波素子を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛を主成分とする圧電体層４を有する基板２と、前記基板２上に形成された少なくとも一対の櫛歯型電極５ａ，５ｂからなるＩＤＴ６と、を有し、前記櫛歯型電極５ａ，５ｂは、Ａｌ−Ｔｉ合金からなる第１電極層１６Ａと、Ａｌ−Ｎｄ合金からなる第２電極層１６Ｂとが前記圧電体層４上にこの順で積層されて構成されている。 （もっと読む）

【課題】従来の弾性表面波デバイス等の電子部品では、温度特性と電気的特性の両方を同時に向上させることが難しいという問題があった。
【解決手段】基板１と、この基板１の上面に設けた櫛型電極２と、この櫛型電極２を覆うとともに、天面に凹凸形状を有する保護膜４とを備え、櫛型電極２を構成する電極指２ａの延伸方向に垂直な面から見た断面形状において、保護膜４の表面形状は、電極指２ａの上方で頂部６を有し、隣り合う頂部６の間で、下に凸な曲線になるようにした。 （もっと読む）

【課題】共振周波数の温度特性と反共振周波数の温度特性との差を小さくすることができる弾性波素子を実現する。
【解決手段】圧電基板５と、圧電基板５上に形成された櫛形電極２と、櫛形電極２を覆うように圧電基板５上に形成された誘電体層２１とを備えた弾性波素子であって、圧電基板５上に形成された誘電体層２１の厚さは、櫛形電極２の厚さと櫛形電極２上に形成された誘電体層２１の厚さとの和より大きいことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】弾性表面波素子における挿入損失及び耐電力を向上させ、フィルタ特性に優れた高性能かつ高品質の弾性表面波素子、電子デバイス及び電子機器を提供する。
【解決手段】本発明の弾性表面波素子は、圧電材料及び対をなす櫛歯型電極１０ａ，１０ｂ及び櫛歯型電極１１ａ，１１ｂからなるＩＤＴ１０，１１を有する単位フィルタ１−Ａ，１−Ｂを、同一の圧電基板２６上に形成して、複数並列接続した弾性表面波素子１であって、櫛歯型電極１０ａ，１０ｂ，１１ａ，１１ｂの電極指２ａ，２ｂの長さは全て等しく、単位フィルタ１−Ａ，１−Ｂの弾性表面波の波長をλ（但し、λ＝Ｖ／ｆ Ｖ：弾性表面波速度（ｍ/ｓ）、ｆ：動作周波数（ＧＨｚ））としたとき、ＩＤＴ１０，１１の電極膜厚が１０〜４００ｎｍの範囲内、かつ電極指２ａ，２ｂの交差長が５〜５０λの範囲内で構成されている。 （もっと読む）