【課題】ＦＣＢ法を用いて圧電振動片をベースに接合する場合であっても、毎回の除去工程を抑制する。
【解決手段】水晶振動片８の両主面８４１，８４２には、励振電極８６１，８６２と、引き出し電極８７１，８７２が形成され、引き出し電極８７１，８７２は励振電極８６１，８６２から基部８３に引き出されている。基部８３に形成された引き出し電極８７１，８７２の引き出し先端部８８１，８８２とベース３の電極パッドがサポート材５を介して水晶振動片用接合材７２により接合されて、励振電極８６１，８６２とベース３の電極パッドとが電気的に接続される。また、水晶振動片８の他主面８４１の、一主面８４２に形成された引き出し先端部８７１，８７２に対向する対向位置８９に形成された引き出し先端部８８１，８８２は、その表面のクロムの表面が酸化されて、絶縁材料となっている。 （もっと読む）

【課題】 スプリアス振動を抑制した、通過帯域特性の良好な３ポール型のモノリシック水晶フィルタを提供する。
【解決手段】 水晶振動板１は厚みすべり振動で駆動する矩形のＡＴカット水晶振動板であり、その表裏面には対向して平面視矩形形状の励振電極が形成されている。当該励振電極は、矩形状の励振電極１２，１３，１４が長辺方向に直列的に形成されている。また、水晶振動板の表面においては当該励振電極１２，１３，１４に対応した矩形状の励振電極１１が形成され、表裏で対向した電極（対向電極）を形成している。対向電極は長辺から４度斜め上方に傾斜（傾斜角度θが４度）している。 （もっと読む）

【課題】 電気的特性を向上させ、かつ動作信頼性の高い水晶振動デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】 セラミックパッケージ１の内部底面には電極パッド１２、１３が形成されており、前記電極パッド１２，１３間には水晶振動素子である平面視矩形形状の水晶振動板２が搭載されている。電極パッド上には第１の導電性樹脂接合材が硬化形成され、その上部に第１の導電性樹脂接合材より小さい範囲で励振電極形成された水晶振動板２が第２の導電性樹脂接合材により導電接合される。 （もっと読む）

【課題】水晶振動素子が容器体若しくは蓋体に接触することなく水平に搭載すると共に、安定した周波数を出力する圧電デバイスを得ることができる製造方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明の圧電デバイスの製造方法は、凹部が形成されている容器体に導電性接着剤を塗布すると共に、該導電性接着剤に上斜形状になるように圧電振動素子を配置する工程Ａと、前記容器体を反転させ、ジグに該圧電振動素子を接触させながら、前記導電性接着剤を硬化させる工程Ｂと、前記容器体に蓋体を搭載し、気密封止する工程Ｃとを含むものである。 （もっと読む）

【課題】ガラスあるいはシリコンウエハ状態で製造工程から一貫して処理する表面実装可能な圧電発振器を小型化しても所望の発振周波数信号を安定して出力できる構造と製造方法の実現。
【解決手段】枠部１と電極が形成された振動部２とが一体となった圧電素子３と発振動作機能と温度補償機能を構成したシリコンウエハ５と、圧電素子ウエハの上面に蓋体４となるウエハとを接合して一体化した圧電発振器の製造工程として、枠部１と電極が形成された振動部２とが一体となった圧電素子３をマトリクス状に設けた圧電素子ウエハと、シリコン基板上に発振動作機能と温度補償機能を構成したシリコンウエハとを接合する工程と、圧電素子の周波数調整を行う工程と、圧電素子ウエハ上に蓋体４となる圧電ウエハあるいはシリコンウエハを直接接合あるいは、陽極接合する工程から成る。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、フリップチップ実装される半導体部品を有する圧電発振器において、瞬間的な発熱による熱変動が生じた場合に半導体部品から発する熱温度と圧電振動子の感応する熱温度とを瞬時に整合可能な圧電発振器構造を提供することにある。
【解決手段】
同一密閉容器３の同一キャビティ８中に圧電振動子２と半導体部品５を収納してなる圧電発振器１において、半導体部品５の実装端子９と圧電振動子２の引き出し電極１０とが導電性接合材４によりオーバーハングした状態で搭載され、半導体部品５の他の実装端子９がキャビティ８底面に接続されている。 （もっと読む）

【課題】圧電振動片の生産性を向上させ、検査時における波形不良による設計変更を無くすことができる圧電振動片の製造方法を提供する。
【解決手段】上記課題を解決するための圧電振動片の製造方法は、圧電体ウェハから個片に切り出して圧電振動片を形成する圧電振動片の製造方法において、まず、圧電体結晶から切り出した圧電体ウェハを研磨する。次に、研磨した前記圧電体ウェハの複数箇所における共振周波数を測定する。その後、測定した前記複数の共振周波数に基づいて、前記圧電体ウェハを研磨または／およびエッチングし、前記圧電体ウェハを所定の平行度に、かつ前記周波数測定工程の測定箇所における共振周波数を個片化後の圧電基板に所望する周波数に調整する厚み調整工程と、を有し、個片化後、あるいは励振電極形成後の圧電基板に対して周波数調整を行わないことを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は２つの基板を備えた電気音響素子に関する。本発明によれば、２つの基板間に金属層と第１の音響インピーダンスＺ_ａ，２を有する層とを含む層列が配置され、金属層は第１の音響インピーダンスＺ_ａ，２より高い第２の音響インピーダンスＺ_ａ，１を有する部分層を含み、ここでＺ_ａ，１／Ｚ_ａ，２≧４．５が成り立つ。これにより音響バルク波に対して充分な音響反射が保証される。また、本発明は、リチウムタンタレートから成る圧電基板を備えた電気音響素子に関しており、当該の圧電基板は回転ＹＸカット角φを有し、７°＜φ＜２４°が成り立つ。
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機械的に敏感な電子構成素子のための中空室を備えたハウジング、およびこのハウジングを製造するための方法
中空室ハウジング内に構成素子を気密に、かつ少ない応力で組み込むために、形状結合式に結合可能な２つのハウジング部分を設けることが提案されており、この場合、少なくとも１つのハウジング部分が、構成素子を受容する切欠を有している。構成素子自体は、導電性のホルダによって、切欠の領域内で自由に浮遊した状態で懸架されている。
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【課題】 圧電デバイスのＩＣチップに電気的な悪影響を与えない状態で正規の周波数に調整することができる周波数調整用マスク及び圧電デバイスの周波数調整方法を提供する。
【解決手段】 マスク２８は、アルミニウムからなるマスク基板４１の表面にフッ素樹脂コーティング４３が施されている。マスク２８には、圧電振動片１４及びＩＣチップ１５が配置された圧電デバイス１１が接して固定されている。マスク基板４１にフッ素樹脂コーティングが施されていることにより、圧電振動片１４に金属粒子１９を蒸着しながら所望の周波数に調整するとき、マスク２８と、マスク２８と接して固定されている圧電デバイス１１のＩＣチップ１５とが、電気的に絶縁された状態になっている。 （もっと読む）

【課題】 過酷な使用環境においても圧電部品と回路基板とを固定するハンダのクラック発生を抑制することのできる圧電部品を提供する。
【解決手段】 ベース基板４、圧電基板１１及び天板２が順次積層された圧電部と、ベース基板４を介して圧電部が実装されるプリント基板と、を含み、圧電部とプリント基板とが線膨張係数について以下の式（１）の関係を満足するとともに、ベース基板４が、ビッカース硬度（Ｈｖ）が１３×１０⁸Ｐａ以下、最大ひずみεが２×１０^-3以上であることを特徴とする圧電部品により前記課題を解決する。
−７０％≦（αｂ−αｍ）／αｍ≦７０％…式（１）
ただし、ベース基板４の線膨張係数：αｂ（−５５〜１５０℃）
圧電基板１１の線膨張係数：αｚ（−５５〜１５０℃）
プリント基板の線膨張係数：αｐ（−５５〜１５０℃）
αｍ＝（αｐ＋αｚ）／２ （もっと読む）

【課題】 圧電基板をカットして形成される小型の高周波タイプの圧電振動片であって、温度特性ディップによる性能への悪影響を防止した圧電振動片とその製造方法ならびに、これを利用した圧電デバイスを提供すること。
【解決手段】 圧電基板を切り出して圧電素子片を形成し、前記圧電素子片に必要とされる駆動用の電極を形成して圧電振動片を形成し、該圧電振動片に駆動電圧を印加して、周波数−温度特性を計測し、該計測結果に基づいて、前記駆動電極を加工することにより、温度変化に対して不連続な周波数変化である温度特性ディップが生じる温度を変更する。 （もっと読む）

【課題】 外形寸法が略２．５０ｍｍ×２．００ｍｍであるパッケージのシーム溶接封止を確実にする構造を得ることができる圧電デバイス用パッケージを提供する。
【解決手段】 上面に凹陥部を備えたパッケージ本体１と、この凹陥部を気密封止する金属蓋２とからなり、パッケージ本体１は平板状のセラミック基板１ａ、この該絶縁基板の底部に形成された表面実装用の外部電極、該絶縁基板の上面に形成された圧電振動素子搭載用のパッド電極、及び絶縁基板上面の周縁に沿って環状に形成されたメタライズ膜を備えた実装基板と、前記メタライズ膜上に銀ろうにて固定され、凹陥部の外壁を形成する断面形状が矩形の金属製シールリングと、を備えた圧電デバイス用パッケージであって、シールリングの外形寸法と、前記金属蓋の外形寸法とを略同一としたパッケージを構成するようにした。 （もっと読む）

【目的】水晶ウェハにおける各領域の厚み精度を高めた水晶振動子の製造方法を提供する。
【構成】厚みに反比例して振動周波数が高くなる水晶ウェハを基準振動周波数より低い振動周波数の厚みに加工し、前記水晶ウェハにおける縦横の各領域毎に振動周波数を測定して記憶し、前記各領域の振動周波数と前記基準振動周波数との周波数差に基づいて前記各領域の厚みを順次に減じ、前記水晶ウェハを各領域毎に分割して多数の水晶片を得る水晶振動子の製造方法において、前記水晶ウェハには前記領域毎に区分する縦横の分割溝８が設けられた構成とする。 （もっと読む）

【課題】機能面に振動子などを持つ機能素子が組み込まれ、機能素子の気密封止が可能で、小型化や薄型化に対応できる半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】デバイス基板１１の表面にもうけられ、振動子または可動部を有する機能素子１３と、機能素子１３の外周部に並べられてデバイス基板１１の表面に設けられた第１ランド１２と、第１ランド１２に設けられたバンプ１４とを有するマイクロデバイス１０が、バンプ１４に対応するように形成された第２ランド２２を有する回路基板２０に対して、バンプ１４と第２ランド２２が電気的に接続するようにバンプ１４の形成面側からマウントされており、機能素子１３の外周部において一周にわたり、バンプ１４と第２ランド２２の接続部を固定し、デバイス基板１１と回路基板２０の間隙を封止するように、封止樹脂層２７が形成され、機能素子１３と回路基板２０の間に中空部１５が構成されている構成とする。 （もっと読む）

【課題】 プロセスの変動による回路の位置ずれが生じても、反共振周波数の変動が生じない構造を有する薄膜圧電共振器およびフィルタ回路の実現。
【解決手段】 基板と、基板を貫通するキャビティ１４と、キャビティを覆うように基板の主面上に設けられた下部電極１１と、その上に設けられた圧電体膜１２と、キャビティと部分的に重なるように圧電体膜上に設けられた本体部１３ａと、本体部に接続し一部分がキャビティに重ならずかつ下部電極に重なるように圧電体膜上に設けられた突起部１３ｂと、本体部の突起部と反対側の圧電体膜上に設けられた引き出し部１３ｄと、本体部と引き出し部とを接続し、一部分がキャビティに重ならずかつ下部電極に重なるように圧電体上に設けられた接続部１３ｃとを有する上部電極１３とを備え、突起部と接続部の寄生容量部１５のサイズが同じである構造により位置ずれによる寄生容量の実質的変化が無い。 （もっと読む）

【課題】 圧電振動片の周波数を調整するとき、圧電デバイスに電気的な悪影響を及ぼさずに、加工レートを高くして圧電振動片に金属膜を蒸着することができる、圧電デバイスの周波数調整方法、その方法を用いて製造された圧電デバイス、及び、その方法に用いられるマスクを提供する。
【解決手段】 圧電デバイス１１の周波数調整方法は、圧電デバイス１１の圧電振動片１４の形状に合わせた開口孔３１を有するマスク２６を介して、圧電振動片１４のみに金属粒子１９を蒸着させて、周波数の調整を行う。詳しくは、周波数測定器２４を用いて圧電振動片１４の周波数を観測しながら、圧電振動片１４のみに蒸発させた金属粒子１９を蒸着させる。圧電振動片１４の周波数が所望の周波数に達したところで、圧電振動片１４への金属粒子１９の蒸着を停止する。 （もっと読む）

【課題】 空洞の破壊を防止し、共振周波数を高精度に調整できる封止構造を備えた薄膜圧電共振器を提供する。
【解決手段】 表面に空洞を有する基板１０と、基板１０上から空洞３０上に延びる下部電極１２と、下部電極１２上に設けられた圧電膜１４と、下部電極１２と対向し圧電膜１４上に配置され、更に圧電膜１４上から基板１０上に延びる上部電極１６と、下部電極１２及び上部電極１６が対向する領域で規定される共振部を内側に含み、空洞３０から延在する開口部４２が外側に位置するように基板１０上に設けられ、共振部を封止する封止部材とを備える。 （もっと読む）

【課題】 組み立て後の圧電デバイスであっても周波数調整ができ、容易に高い周波数精度に合わせ込むことを可能とする圧電デバイスおよび圧電デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】 配線パターンを有する基板１０と、基板１０の一面側に配置され内部に水晶振動片２２が収容され透明なガラスリッド２３を備えた水晶振動子パッケージ２０と、基板１０の一面側に配置されモジュール基板１６に回路素子１７が実装された回路モジュール１５と、基板１０から水晶振動子パッケージ２０および回路モジュール１５を覆う樹脂部２８と、を備え、少なくとも水晶振動子パッケージ２０の透明なガラスリッド２３の少なくとも一部が外部に露出している。 （もっと読む）

【課題】圧電薄膜共振子の共振周波数を高い精度で微調整することができ、良好かつ安定な共振特性を得ることができる圧電薄膜振動子及びその共振周波数調整方法を提供すること。
【解決手段】基板１１と、圧電体薄膜１６と、一対の電極１５、１７と、最上層部に共振周波数を調整するように形成された粒径数ｎｍから数十ｎｍの超微粒子からなる超微粒子層３１とを備えた圧電薄膜振動子であり、また最上層部に超微粒子を漸増しつつ堆積することにより、共振周波数を微小単位で精度よく調整するようにしたので、共振周波数を正確に合わせ込むことができ、良好かつ安定な共振特性を得ることができる。 （もっと読む）