【課題】線形性に優れた電力増幅器を提供する。
【解決手段】この電力増幅器は、並列接続された２つのトランジスタ５，６を含む初段アンプ３と、トランジスタ１５を含む後段アンプ４とを備える。トランジスタ５を歪補償回路無しのＡ級寄りにバイアスし、トランジスタ６，１５を歪補償回路付きのＢ級寄りにバイアスする。初段アンプ３のゲイン特性の凹部と後段アンプ４のゲイン特性の凸部とが噛み合うように、トランジスタ５，６，１５のゲイン特性を調整し、電力増幅器全体としてのゲイン特性の平坦化を図る。 （もっと読む）

セルラ電話のＲＦ出力電力増幅器（ＰＡ）は、第１および第２のＡＢ級増幅回路を含んでいる。セルラ電話が高電力オペレーティングモードにおいて動作する予定の場合、そのときには、第１の増幅器はＰＡ出力端子を駆動する。第１の増幅器のパワートランジスタ（単数または複数）は、高い出力電力での効率性および線形性を最適化するように、第１のＤＣ電流において、また、第１のＤＣ電圧において、バイアスをかけられる。セルラ電話が低電力オペレーティングモードにおいて動作する予定の場合、そのときには、第２の増幅器は出力端子を駆動する。第２の増幅器のパワートランジスタ（単数または複数）は、低い出力電力での効率性および線形性を最適化するように、第２のＤＣ電流において、また、第２のＤＣ電圧において、バイアスをかけられる。増幅器のパワートランジスタを適切にサイジングすることによって、エミッタ電流密度は、実質的に等しく維持されるので、ＰＡ電力利得は、２つのオペレーティングモードにおいて同じである。
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【課題】増幅に伴って発生する非線形歪信号を容易に抑制できる放送用増幅回路を提供する。
【解決手段】
第１増幅器１０２側の経路では、入力信号を第１増幅器１０２によってＡ級増幅し、α倍に増幅する。この結果、電力αＦの入力信号成分Ｆ_１及びＦ_２と、電力Ｆ_ｋ１の相互変調歪信号成分（２Ｆ_１−Ｆ_２）及び（２Ｆ_２−Ｆ_１）が発生する。第２増幅器１０３側の経路では、入力信号を第２増幅器１０３によってＡＢ級増幅し、β倍（α＞β）に増幅する。その結果、電力βＦの入力信号成分Ｆ_１及びＦ_２と、電力Ｆ_ｋ２の歪信号成分（２Ｆ_１−Ｆ_２）及び（２Ｆ_２−Ｆ_１）が発生する。最終的に、正相で電力αＦの入力信号成分Ｆ_１、Ｆ_２、電力Ｆ_ｋ１の相互変調歪信号成分（２Ｆ_１−Ｆ_２）、及び（２Ｆ_２−Ｆ_１）と、逆相で電力βＦの入力信号成分Ｆ_１、Ｆ_２、電力Ｆ_ｋ２の歪信号成分（２Ｆ_１−Ｆ_２）、及び（２Ｆ_２−Ｆ_１）とが、合成器１０４によって合成される。 （もっと読む）

【課題】単品ごとの特性のばらつきを抑え、外部擾乱への耐性を高めたドハティ型増幅器を提供すること。
【解決手段】メインアンプ２の出力を一部分岐した信号を入力信号と逆相で加算した信号をピーキングアンプ３に入力するようにしているので、ピーキングアンプ３のバイアス調整が不要となる。つまりメインアンプ２の出力と入力信号との関係に応じた信号がピーキングアンプ３に入力されるので、メインアンプ２が飽和して利得が低下した分の電力だけ、ピーキングアンプ３から電力が供給されるようになる。従ってピーキングアンプ３のドレイン電流の立ち上がり特性を改善することができ、線形性をより高められるとともに部品ごとの特性のばらつきを抑え、外部擾乱にも高い耐性を持つドハティ型増幅器を提供することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】簡素な構成でＡＢ級動作が可能な演算増幅回路、これを用いた駆動回路、電気光学装置及び電子機器を提供する。
【解決手段】演算増幅回路１００は、差動信号の差分値を増幅する差動増幅器１１０と、差動増幅器１１０の出力ノードの電圧に基づいてそのゲート電極が制御される第１導電型の第１の駆動トランジスタと、第１の駆動トランジスタと直列に設けられる第２導電型の第２の駆動トランジスタと、第１の駆動トランジスタのゲート電極と第２の駆動トランジスタのゲート電極とを容量結合するキャパシタＣＣＰと、第１の駆動トランジスタのゲート電極の電圧変化に応じて第２の駆動トランジスタのゲート電極の電圧が変化するように、第１の駆動トランジスタのゲート電極の電圧変化を第２の駆動トランジスタのゲート電極の電圧変化として伝達するための電圧変化調整回路１３０とを含む。 （もっと読む）

【課題】出力駆動トランジスタを閾値下にバイアスすることによって、高速演算を行い、必要な供給電圧が低く、静止電流が低いＣＭＯＳ ＡＢ級出力段を提供する。この出力段のアーキテクチャは、携帯機器、煙探知器、センサなど電力消費用途における演算増幅器の使用に特に適切である。
【解決手段】ソース、ゲート、ドレインを有する第１出力駆動トランジスタと、ソース、ゲート、ドレインを有する第２出力駆動トランジスタと、第１出力駆動トランジスタのドレインは第２出力駆動トランジスタのドレインに結合されていることと、第１、第２出力駆動トランジスタに結合されている第１高スイングカスコード構造と、第１、第２出力駆動トランジスタに結合されている第２高スイングカスコード構造と、第１、第２高スイングカスコード構造は第１、第２出力駆動トランジスタをその閾値下の動作領域までバイアスすることと、からなるＡＢ級増幅器出力段。 （もっと読む）

【課題】出力電圧範囲が広く、且つ消費電流の少ない電力効率の優れたＡＢ級出力回路を提供する。
【解決手段】高電位側電源と出力端子との間に接続された電流ソース用トランジスタ１０８と、低電位側電源と出力端子との間に接続された電流シンク用トランジスタ１０６と、電流ソース用トランジスタ１０８とカレントミラー回路を構成するトランジスタ１０７と、トランジスタ１０７に接続され、電流ソース用トランジスタ１０８の駆動電流を制御するトランジスタ１０４と、電流シンク用トランジスタ１０６のベース電位に対応する電流をトランジスタ１０４に流すトランジスタ１０５を備えることを特徴とするＡＢ級出力回路である （もっと読む）

【課題】歪補償後の相互変調歪のばらつきを吸収でき、効率を限界まで引き出すことができる歪制御機能付き増幅装置を提供する。
【解決手段】キャリア増幅回路及びピーク増幅回路を備えたドハティ増幅器２０とプリディストーション歪補償回路１００とを組み合わせて高効率の増幅装置を構成すると共に、前記ピーク増幅回路の増幅素子にゲート端子を設け、プリディストーション歪補償回路１００の制御部１１７から出力される信号をＤ／Ａ変換器１１６によりアナログ信号に変換して前記ゲート端子にゲート制御電圧として供給し、歪補償後の相互変調歪が目標値になるように前記ゲート電圧を変化させて歪のばらつきを吸収する。 （もっと読む）

【課題】安定性と駆動能力を改善した演算増幅器の提供。
【解決手段】演算増幅器(200)は、第１段(110)、第２段(120)、第３段(130)、及び第４段(140)を含む。演算増幅器(200)は、ネスト型相互コンダクタンス−キャパシタンス補償構成(154,164,174,114,124,134)を含む。第３段(130)は、クラスＡＢ制御装置を含む。第４段(140)はクラスＡＢ出力段を含む。 （もっと読む）

【課題】高周波領域まで使用が可能であり、アイドリング電流と開放利得とを独立して設定することが可能で、かつ、複数のパワー出力を選択可能なトランスミッタシステムにおいて消費電流を低減することが可能なパワーアンプを提供する。
【解決手段】アイドリング電流設定回路３を、ドライバ２の出力トランジスタＱ１，Ｑ２に電流ミラー接続された電流設定用トランジスタＱ３，Ｑ４と、複数の電流設定用抵抗Ｒ１〜Ｒ４と、複数の電流設定用抵抗Ｒ１〜Ｒ４の何れかに切り替えるための複数のスイッチＡＳＷ１〜ＡＳＷ４とを備えて構成することにより、パワーアンプの開放利得に関与しない電流設定用トランジスタＱ３，Ｑ４と出力トランジスタＱ１，Ｑ２との電流ミラー比でアイドリング電流を設定できるようにし、開放利得と独立してアイドリング電流を任意に設定できるようにする。 （もっと読む）

【課題】主増幅器で増幅対象となる信号の非線形増幅を行い、補助増幅器で増幅された信号の歪成分を線形増幅し、主増幅器の出力と合成することにより歪成分を相殺するフィードフォワード増幅器の効率向上を図ることを目的とする。
【解決手段】主増幅器に電源電圧を供給する電源と、補助増幅器に電源電圧を供給する電源とをそれぞれ具備し、主増幅器、補助増幅器に供給する電源を個別に設定することで、主増幅器に供給する電源の電圧値を、歪補償の行える範囲で小さくすることにより、主増幅器のドレイン電圧を小さくする。その結果、主増幅器の効率が上がるため、フィードフォワード増幅器の効率も向上する。 （もっと読む）

【課題】直線性が良く、低歪みで且つ高効率の増幅器を提供することを目的とする。
【解決手段】ＡＢ級で動作するキャリア増幅回路４とピーク増幅回路５を合成する増幅器において、前記増幅器４、５の出力から任意の長さの伝送線路を経由して伝送線路の終端部を合成し、任意の閾値以下の低入力時はピーク増幅回路５をＣ級とし、任意の閾値以上の高入力時はキャリア増幅回路４と同程度アイドル電流の多いＡＢ級で動作させ、低入力時から高入力時の間ではＣ級からアイドル電流の少ないＡＢ級を経てアイドル電流の多いＡＢ級で動作させる。また、ピーク増幅回路５の前段に可変減衰器３４を設け、前記入力レベルに応じて可変減衰器３４の減衰量を制御する。 （もっと読む）

【課題】 アイドル電流の温度変動を大幅に減らし、ベースバイアス回路の出力インピーダンスをＤＣでは低くＲＦに対しては高くすることによってベースバイアス回路へのＲＦ信号の漏れを防いでチョーク用インダクタンスを省くことが出来る高周波高出力増幅器を提供する。
【解決手段】 低電圧であるベースバイアスコントロール電圧Ｖｃｏｎでコレクタ電流の温度補償ができるように、アイドル電流はベース・コレクタを抵抗Ｒ４を介しダイオード接続されたトランジスタＱ３と抵抗Ｒ１とで温度補償し、高出力時には、トランジスタＱ４を介してベース電流を供給し、トランジスタＱ４のベース電位をトランジスタＱ２とエミッタ接地トランジスタＱ１で与えるベースバイアス回路を使用する構成によって増幅用トランジスタＲＦＴｒとベースバイアス回路の接続に必要なチョークコイルＬを省略することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】Ｄ級増幅器を搭載したオーディオ信号増幅装置において、オーディオ信号を小音量で再生する場合にＤ級増幅器のスイッチングノイズによるリニアリティの悪化を防止することが可能なオーディオ信号増幅装置およびオーディオ信号増幅方法を提供することを目的とする。
【解決手段】切替部１１３は、ＳＷ回路１０７Ａ，Ｂ，Ｃを介して、音量ボリューム位置＜閾値Ｎ１の場合にはアナログアンプ１０５を選択して動作させる一方、音量ボリューム位置≧閾値Ｎ１の場合にはクラスＤアンプ１０６を選択して動作させる。 （もっと読む）

ドレイン、ゲートおよびソースをそれぞれ含む１つまたは複数のトランジスタを含む、パルスＲＦ信号を増幅するための装置および方法であって、ドレイン用の供給電圧をＲＦパルスと同期させるための装置を含むことを特徴とする装置および方法。 （もっと読む）

【課題】 ベースバンドＩＣ側のソフトウェア処理を必要とせずに自動的に送信開始時のプリチャージレベルの設定を行ない、ユーザすなわちセットメーカの負担を軽減することができる高周波電力増幅用電子部品（ＲＦパワーモジュール）を提供する。
【解決手段】 出力電力の検出信号と出力電力のレベルを指示する信号とに基づいて高周波電力増幅回路（２１０）にバイアスを与えて出力電力を制御する回路に、出力電力のレベルを指示する信号Ｖrampに応じて、出力電力があるレベル以下の範囲での出力電力検出回路（２２０）の検出感度を補償するような信号を出力する感度補償回路（２３２）を設ける。そして、この感度補償回路の出力を出力電力検出回路の検出出力に加算した信号に基づいて出力電力を制御するようにした。 （もっと読む）

【課題】増幅装置で、適切な整合を取ることにより性能を改善する。
【解決手段】信号を増幅する増幅装置で、信号を分配する分配手段１と、分配された第１の信号をＡＢ級で増幅するキャリア増幅器２と、分配された第２の信号をＢ級又はＣ級で増幅するピーク増幅器４と、キャリア増幅器の出力に接続される任意の電気長を有する第１の伝送線路と、ピーク増幅器の出力に接続される任意の電気長を有する第２の伝送線路と、第１の伝送線路の出力と第２の伝送線路の出力を合成する合成端１８を備え、合成端のインピーダンスは、第１の伝送線路及び第２の伝送線路により夫々変換されたキャリア増幅器及びピーク増幅器の最大出力時の負荷インピーダンスの並列インピーダンスとは異ならせ、あるいはキャリア増幅器及びピーク増幅器の最大出力時の負荷インピーダンスを変えた並列インピーダンスとして、設定された。 （もっと読む）

【課題】歪を更に改善し、周囲環境温度の変化時にも性能の変動が少ない高効率の増幅器を提供する。
【解決手段】本発明の増幅器は、入力信号を分配器で分配して複数の増幅回路に入力し、複数の増幅回路の出力を合成して出力とする増幅器であって、複数の増幅回路は、増幅素子をＡＢ級で動作させる少なくとも一つの第１の増幅回路と、増幅素子をＢ級またはＣ級で動作させる少なくとも一つの第２の増幅回路とにより構成され、分配器の配分比を異ならせ、第１及び第２の増幅回路の出力をそれぞれ任意の長さの電気長を有する伝送線路からなるインピーダンス変換器を介して接続して合成としたものである。 （もっと読む）

【課題】 従来のドハティ増幅器では、最適な整合がとれずに増幅効率が向上せず、また、周波数帯域を広くできないという問題点があったが、本発明は、増幅効率を向上させ、広い周波数帯域での使用を可能とする増幅器を提供する。
【解決手段】 ＡＢ級で動作する第１の増幅回路と、Ｂ級又はＣ級で動作する第２の増幅回路と、第１の増幅回路の出力と第２の増幅回路の出力をλ／４以外の電気長の伝送線路から成るインピーダンス変換器を介して合成する合成点とを備え、インピーダンス変換器が、それぞれ電気長の異なる複数の伝送線路を有し、入力信号の周波数に応じていずれかの伝送線路に接続を切り替え可能である増幅器としている。 （もっと読む）

【課題】 従来のドハティ型増幅器においては、高効率特性と低歪み特性との両立が困難であった。
【解決手段】 ドハティ型増幅器１は、入力端子７２と出力端子７４との間の経路Ｐ１（第１の経路）中に設けられ、第１の級にバイアスされるメインアンプ１０（第１の増幅器）と、経路Ｐ１と並列する経路Ｐ２（第２の経路）中に設けられ、第１の級とは異なる第２の級にバイアスされるピークアンプ２０（第２の増幅器）と、経路Ｐ１におけるメインアンプ１０の出力側に設けられた波長線路３２と、を備えている。ここで、ＡＢ級バイアス時のＦＥＴ１２（第１のトランジスタ）のアイソレーションは、Ｃ級バイアス時のＦＥＴ２２（第２のトランジスタ）のアイソレーションよりも大きい。 （もっと読む）