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Fターム[5J500AA63]の内容

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Fターム[5J500AA63]に分類される特許

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【課題】 基本波と2次高調波を同時に整合をとって増幅することにより、2次高調波の反射特性を向上させ、ドハティ増幅器の効率を一層向上させることができる高周波電力増幅器を提供する。
【解決手段】 キャリア増幅回路6に高調波反射回路64を備えたドハティ増幅器において、キャリア増幅回路6の入力段に、2次高調波を発生する高調波発生回路3を備え、発生した2次高調波をキャリア増幅回路6の入力に注入すると共に、基本波と2次高調波を互いに反射させて、他方の整合に影響を与えることなく基本波と2次高調波について同時に整合をとって合成してFET62に出力する基本波・2次高調波入力整合回路65を備えた高周波電力増幅器としている。 (もっと読む)


【課題】消費電流の増大防止および回路の周波数特性の向上を図る。
【解決手段】コレクタが出力端子13に共通接続されたトランジスタQ9,Q10と、入力端子11,12に接続されたトランスコンダクタンスアンプA1と、該トランスコンダクタンスアンプA1の非反転側出力電流に比例してトランジスタQ10のベース電流を決めるトランジスタQ3と、該トランジスタQ3のコレクタ電流に比例して電流源I2からの電流の吸い込み量を決めることによりトランスコンダクタンスアンプA1の反転側出力電流に比例してトランジスタQ9のベース電流を決めるトランジスタQ5とを備えた演算増幅器において、電流源I2を、トランスコンダクタンスアンプA1の反転側出力電流に比例してコレクタ電流を決めるトランジスタQ6に置き換えた。 (もっと読む)


【課題】温度変化等に起因して回路特性が変化した場合であっても増幅装置の利得を所定範囲内に設定することが可能な増幅装置を得る。
【解決手段】増幅装置3は、ドハティ型の増幅装置であって、入力信号S1を入力信号S3と入力信号S4とに分配する分配器16と、入力信号S3を増幅するメインアンプ12と、入力信号S1の信号レベルが所定値以上である場合に、入力信号S4を増幅するピークアンプ13と、メインアンプ12から出力された出力信号S5と、ピークアンプ13から出力された出力信号S6とを合成して出力する出力部17と、メインアンプ12及びピークアンプ13の双方のゲートバイアス電圧Vgm,Vgpを略線形関係で制御することによって、増幅装置3の利得を所定範囲内に設定する制御部19とを備える。 (もっと読む)


【課題】複数の増幅部(例えばキャリア増幅器及びピーク増幅器等)を有する増幅器を小型化することを目的としている。
【解決手段】入力信号が入力される入力部3と、入力信号を複数の信号に分岐させる分岐部4と、分岐部4で分岐された信号を増幅させる第一及び第二増幅部5、6と、第一及び第二増幅部5、6からそれぞれ出力されて合成された信号を出力する出力部9と、第一及び第二増幅部5、6が実装された基板2と、を備えており、第一増幅部5は、基板2の一方の主面2aに設けられ、第二増幅部6は、基板2の他方の主面2bに設けられている。 (もっと読む)


【課題】 アイドリング電流を精度良く一定に保つ。
【解決手段】 各々ダーリントン接続したパワートランジスタQ1、Q2とQ3、Q4をコンプリメンタリ接続したSEPP回路構成の出力段1と、前記パワートランジスタQ1、Q3のベース間にバイアス電圧を印加するバイアス回路11と、前記パワートランジスタQ2、Q4のエミッタと中点間に接続された一対の電流検出抵抗R1、R2と、一対の電流検出抵抗R1、R2の両端間電圧の大きさを検出する電圧検出回路12と、電圧検出手段12の検出電圧の極小ピークに基づき極小ピークが一定となるようにバイアス回路11を制御するバイアス電圧制御回路14と、を備え、バイアス電圧から電源回路20により電圧検出回路12の動作電源を作成した。 (もっと読む)


【課題】ドライブ回路を含めて増幅効率が高くかつ歪みの少ない増幅装置を提供する。
【解決手段】入力された無線周波信号を分配器13で二分岐し、その一方をキャリア増幅器11によりそのAB級動作点に従い増幅する。また、上記分配器13により二分岐された無線周波信号の他方を、移相器14で移相したのち、ピーク増幅器12によりAB級動作点とB級動作点との間に設定された動作点に従い増幅する。そして、上記キャリア増幅器11により増幅された無線周波信号と、上記ピーク増幅器12により増幅された無線周波信号とをドハティ合成部15により合成し、その合成された無線周波信号を出力端子17から出力するようにしたものである。 (もっと読む)


【課題】ピーク信号の電力および位相を最適化できるようにして、ドハティ増幅装置の生産性、リニアリティおよび効率を改善する。
【解決手段】ドハティ増幅装置を改良した増幅装置2においては、減衰器242および移相器244によるピーク信号の位相および電力の最適に調整される。この最適化の結果、キャリア増幅部22およびピーク増幅部24において生じるキャリア信号と、ピーク信号との位相差が解消されるので、高効率で、しかも、リニアリティよく、無線信号を増幅できるようになる。 (もっと読む)


【課題】簡易な回路で歪み特性が補正可能な高効率増幅器および増幅方法を提供する。
【解決手段】コレクタがバイアス電源V1に接続されるトランジスタTr1とコレクタがデカップリングコンデンサで接地されるトランジスタTr2とのエミッタの共通接続点から電力増幅器Pamp1へバイアス電源V2を供給する。電力増幅器Pamp1への入力信号を検波したエンベロープ信号のレベルがVthより低い場合、バイアス制御部3は、トランジスタTr1をオフ、トランジスタTr2をオンとして低歪み動作させ、Vthより高い場合、バイアス制御部3は、トランジスタTr1をオン、トランジスタTr2をオフとし、バイアス電源V2を電力増幅器Pamp1に供給し高効率で動作させる。 (もっと読む)


【課題】非線形特性を有する増幅器の歪補償回路において、合理的に、そのモデリングの精度を高める。
【解決手段】非線形特性を有する増幅器1の入力側に前置され、当該非線形特性を補償する予歪を当該増幅器1への入力に付与する歪補償部21と、予歪のモデリングを行う特性推定部22とを備えた歪補償回路2において、増幅器1の特性を測定する特性測定部24と、特性測定部24の測定によって得られた特性の飽和領域と非飽和領域とを識別判定する領域判定部23とを設け、特性推定部22は、増幅器1の位相特性に関して、非飽和領域の特性に基づいてモデリングを行うものとする。 (もっと読む)


低電力損失、低歪み増幅器が、ドライバ増幅器段と主出力段とを含み、複数のインピーダンス回路網が帰還経路、中でも、ドライバ及び主出力段の出力からドライバ段の入力までの帰還経路を与える。また、インピーダンス回路網は、ドライバ段及び主出力段の出力から負荷までの結合経路も与える。そのインピーダンス回路網は全て、抵抗器、コンデンサ、又はその組み合わせの回路網で形成することができる。低い周波数において周波数応答を平坦にするために、負荷からドライバ段まで付加的な帰還経路を追加することができる。ドライバ段及び主出力段はそれぞれAB級モード及びB級モードにおいて、及び/又はG級モード又はH級モードにおいて動作することができる。ドライバ段と主出力段との間に中間増幅器ドライバ段を追加することができる。
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【課題】回路を複雑にすることなく高効率な高周波電力増幅器および電力増幅方法を提供する。
【解決手段】メインアンプ1および所定の出力以上になると動作するピークアンプ2とによりドハティ型増幅器と呼ばれる回路を構成し、入力信号の一方は、メインアンプ1へ、他方はλ/4線路3を介してピークアンプ1へ入力される。メインアンプ1の出力は、λ/4線路4を介して出力され、そのλ/4線路4の出力は更にλ/4線路5へ入力される。
ピークアンプ2の出力も同様にλ/4線路5へ入力され、バンドパスフィルタ6は、このピークアンプの出力を入力し入力信号の2倍波の信号を抽出して更に補償部7へ出力する。補償部7は振幅および位相を整えた信号を両アンプ1、2の入力へフィードバックする。 (もっと読む)


【課題】 2次高調波の反射レベルを増大させると共に、寄生容量による電力損失を無くして、ドハティ増幅装置の電力効率を更に向上させることができる高周波電力増幅器を提供する。
【解決手段】 ドハティ増幅器において、2次高調波を発生する高調波発生器32と、発生した2次高調波の位相を調整する可変移相器33と、2次高調波の振幅を調整する可変減衰器34とを備え、基本波信号に2次高調波を注入した合成信号を、高調波反射回路64を備えたキャリア増幅回路6の入力信号とし、更にキャリア増幅回路6のFET62と出力整合回路63との間にE級処理回路65を備えた高周波電力増幅器としている。 (もっと読む)


【課題】ドハティ増幅器と一般的な歪補償方式とを組み合わせた高周波増幅装置のゲインを向上させて、歪補償量をAB級増幅器における歪補償量に近づけ、一層の高効率を図ることができる高周波増幅装置を提供する。
【解決手段】2倍波発生部を有する2倍波注入ドハティ増幅器10と、アダプティブバイアス制御回路116と、プレディストーションによる歪補償部とを備え、ドハティ増幅部のキャリア増幅器に、2倍波発生部で生成して位相及び振幅を調整した2次高調波を注入して低入力レベル時のゲインを向上させると共に、アダプティブバイアス制御回路116が、ピーク増幅器のゲート電圧を入力レベルに応じて適切に制御して、飽和付近のゲインを向上させ、歪補償量を改善する高周波増幅装置としている。 (もっと読む)


【課題】 ドハティ増幅器の効率を一層向上させることができる高周波電力増幅器を提供する。
【解決手段】 キャリア増幅回路6に高調波反射回路64を備えたドハティ増幅器において、ドハティ増幅器の入力段に、2次高調波を発生する高調波発生回路3を備え、2次高調波をキャリア増幅回路6の入力に注入すると共に、高調波発生回路3を、飽和型2次高調波発生器37と、可変減衰器34と可変移相器33とで構成して、2次高調波の出力レベルを必要十分なレベルで飽和させ、更に最適なレベルとなるよう調整することができ、高調波反射による効率向上を図ると共に、高調波発生回路3における消費電力を低減して、ドハティ増幅器全体の効率を一層向上させることができる高周波電力増幅器である。 (もっと読む)


【課題】 キャリア増幅器が飽和する前にピーク増幅器に流れる電流を低減して、増幅器全体としての効率を向上させることができる増幅器を提供する。
【解決手段】 AB級又はB級で動作する増幅素子を備えたキャリア増幅回路4と、B級又はC級で動作する増幅素子を有し、入力レベルに応じて段階的に動作を開始する複数のピーク増幅回路5-1〜5-nとを備え、キャリア増幅回路4とピーク増幅回路5-1〜5-nの出力を合成して出力し、ピーク増幅回路5-1〜5-nの内、最も低い入力レベルで動作を開始するピーク増幅回路の飽和出力がキャリア増幅回路4の飽和出力より小さい増幅器としている。 (もっと読む)


【課題】ゲートDCバイアスされた増幅回路などのトランジスタに対して、所望のトランジスタ特性(gmなど)を確保し、かつAB級のバイアスを実現できる半導体集積回路装置を提供することである。
【解決手段】半導体集積回路装置20は、入力端子及び出力端子をそれぞれ1つ以上有する増幅回路21と、増幅回路と直流的に同等な特性を有するレプリカ回路22と、レプリカ回路のバイアス端子と基準電位点との間に設けられ、そのバイアス端子に参照電圧を生成する参照電圧生成回路23と、レプリカ回路のバイアス端子に生成した参照電圧と増幅回路のバイアス端子に生成される電圧との差分を得、その差分を増幅回路のバイアス端子に負フィードバックし、増幅回路のバイアス端子に生成される電圧をレプリカ回路のバイアス端子に生成した参照電圧に等しくするようにフィードバックするフィードバック回路24と、を備えたものである。 (もっと読む)


【課題】温度変動における複数の高周波増幅器間のバイアス変動特性のばらつきを低減することのできるFETバイアス回路を提供する。
【解決手段】高周波増幅器1は、第1段増幅器10と、第1段増幅器10の後段に接続される第2段増幅器20と、第2段増幅器20の後段に並列接続される第3段A増幅器31及び第3段B増幅器41(A,Bを第3段増幅器30と呼ぶ)と、第3段増幅器30を制御するA/D変換器13,CPU12,D/A変換器11と、を有している。ここで、第3段A増幅器31には、FET32と、ドレイン電流Vdsdcを測定するための抵抗Rdと、温度センサ34と、ゲート電圧Vgsを制御するための演算増幅器33と、コンデンサC1,C2と、を有している。 (もっと読む)


【課題】小型で効率的なパッケージにおいて、無線周波電力を供給する高出力無線周波増幅器、を実現する。
【解決手段】高電力接地ドレイン共通ソースの無線周波増幅回路は高電圧MOSFETを利用する。入力の無線周波信号は接地に対して、2次巻線がゲートとソースとの間に信号を供給する絶縁変圧器を介して印加される。出力は、接地されたドレインに対してソースから得られる。各MOSFETダイの絶縁無線周波入力ドライブを伴う13.56MHz 3KW電力増幅器の配置は1組のキロワット電力トランジスタすなわちKPTを使用するが、そこでは多数の大面積MOSFETダイが存在し、ダイのドレイン領域はダイ下面の主要部分の上に形成される。ドレイン領域は導電性銅フランジと直接電気的及び熱的に接触している。ソース及びゲート領域は平坦な下面から離れたダイの上に形成される。 (もっと読む)


主増幅器及び補助増幅器用に別個独立したバイアス電源を有する改善されたドハティ増幅器が開示される。バイアス電源は、入力信号又はシステムの要請にしたがって増幅器の特性を変更するように制御可能であり可変である。改善された増幅器は、入力信号を分割及び整形し、合成された出力信号における非線形性を補償する信号準備ユニットを含む。
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【課題】低歪みかつ高効率の電力増幅器の実現に伴う、飽和出力電力の低下の虞を低減することが可能な電力増幅器を提供する。
【解決手段】電力増幅器1は、後段の信号増幅用バイポーラトランジスタ202の飽和出力電力が最大となるように、バイアス回路212の出力インピーダンスの値を設定する歪補償回路220と、飽和出力電力が最大となった後段の信号増幅用バイポーラトランジスタ202の、入力電力に対する出力電力の歪み特性と、前段の信号増幅用バイポーラトランジスタ201の、入力電力に対する出力電力の歪み特性と、により、電力増幅器1の、入力電力に対する出力電力の歪みを相殺するように、バイアス回路211の出力インピーダンスの値を設定する歪補償回路230と、を備える。 (もっと読む)


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