【課題】車載機器で用いられるプッシュプル形式のパワートランジスタのプッシュ側パワートランジスタの抵抗短絡モード故障を検出することのできる故障検出回路を提供する。
【解決手段】故障検出回路１０は、コンパレータ１が、プッシュプル形式トランジスタ回路１１０の出力端子ＯＵＴの電圧を基準電圧Ｖｒｅｆと比較し、スイッチ２が、コンパレータ１と動作用電源電圧線との接続をオン／オフし、スイッチ３が、プッシュプル形式トランジスタ回路１１０へバイアス電圧を供給するバイアス回路１２０と動作用電源電圧線との接続をオン／オフし、スイッチ制御部４が、故障検出モードが設定されたとき、スイッチ２をオン、スイッチ３をオフさせるように制御し、故障検出モード時にプッシュプル形式トランジスタ回路１１０の出力端子ＯＵＴの電圧が基準電圧Ｖｒｅｆより高いことをコンパレータ１が検出したとき、警告出力部５が、外部へ警告信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】電源投入時の不要発振を低減すると共に、最終段ＦＥＴの破損を防ぐことのできる多段増幅回路に関し、回路構成を簡略化してコストダウンを可能とする多段増幅回路を提供する。
【解決手段】多段増幅回路１は４段構成の増幅回路を有し、多段増幅回路において、入力に最も近い第１段増幅器１１の出力は第２段増幅器１２の入力に接続され、第２段増幅器１２の出力は、第３段増幅器１３であるＬＤＭＯＳＦＥＴの入力に接続されている。さらに、第３段増幅器１３の出力は第４段増幅器１４であるＧａＡｓＦＥＴの入力に接続され、第４段増幅器１４の出力が図示しないアンテナフィーダに接続されている。さらに、コンデンサＣ１と抵抗Ｒ３との時定数により第３段増幅器１３（ＴＲ３）のバイアス電圧の立ち上がりタイミングを第４段増幅器１４（ＴＲ４）の立ち上がりタイミングよりも遅延させる。 （もっと読む）

【課題】信号入力端子が天絡、地絡した場合に、スピーカに流れる過大電流によって生じる劣化や破損を未然に防止することができるＤ級電力増幅器を提供する。
【解決手段】Ｄ級電力増幅器２００はＰＷＭ変調回路２４０及びＤＣ検出回路２５０を有する。ＰＷＭ変調回路の出力端子２４４から出力されたＰＷＭ信号Ｐは、信号導出線２４６を介してＤＣ検出回路２５０の第１の入力端子２５０ａ及びインバータ２４７を介して第２の入力端子２５０ｂに入力される。ＰＷＭ変調回路からは信号導出線２４５を介して図示しないクロックパルスが入力される。ＤＣ検出回路は出力端子２４４に生じたデューティ比が０％又は１００％のローレベル又はハイレベルの直流（ＤＣ）電圧が所定時間を越えたことを検出して作動し、ＰＷＭ信号Ｐが所定時間の間ローレベル又はハイレベルを維持したときに制御信号を生成してＤ級ドライバー２６０の回路動作をオフにする。 （もっと読む）

【課題】地絡・天絡時において、入力信号の時間変化が緩やかであっても、出力トランジスタの電流が保護動作の開始閾値に到達するまでの発熱によるＡＳＯ破壊の発生を防止できるＢＴＬ増幅器の保護回路を提供する。
【解決手段】モニタ電流生成回路３２−１は、出力トランジスタＱ１の導通電流に応じたモニタ電流Ｉ_ＭＯ１を生成する。保護動作部２８はモニタ電流を閾値と比較して地絡を判定する。出力トランジスタＱ４は正常動作時にはＱ１と同相でオンとなるが当該地絡時にはオフ状態に留まる。導通状態検出回路３４−４は、Ｑ４のオン時には、バイアス電流Ｉ_ＭＢ４を０とし、オフ時には非零とする。Ｉ_ＭＯ１にＩ_ＭＢ４を合成して地絡時に上側にバイアスされる修正モニタ電流Ｉ_Ｍ１を生成する。Ｉ_Ｍ１を閾値との比較対象とすることで、異常状態での実質的な判定基準値が低下し、保護動作が早期に実行される。 （もっと読む）

【課題】ＢＴＬ増幅器にて使用する電源電圧が低い場合、地絡・天絡時の出力トランジスタの電流も少なくなり、保護回路が起動しにくくなり、ＡＳＯ破壊が生じやすい。
【解決手段】モニタ電流生成回路３２−１は、出力トランジスタＱ１の導通電流に応じたモニタ電流Ｉ_ＭＯ１を生成する。保護動作部２８はモニタ電流を閾値と比較して地絡を判定する。バイアス電流生成回路３４−１は、電源電圧Ｖ_ＣＣが閾値以上の状態では、バイアス電流Ｉ_ＭＢ１を０とし、閾値未満の状態では非零とする。Ｉ_ＭＯ１にＩ_ＭＢ１を合成した修正モニタ電流Ｉ_Ｍ１を異常判定の基準値との比較対象とする。Ｖ_ＣＣが閾値未満の状態では、Ｉ_Ｍ１は上側にバイアスされ、異常状態での実質的な判定基準値が低下する。これにより、Ｖ_ＣＣの高低によらず、異常状態でのＱ１の電流増加を検知して保護動作を実行できる。 （もっと読む）

【課題】増幅集積回路素子のＥＳＤ耐量の向上及び部品点数を削減する。
【解決手段】増幅素子にＥＳＤ保護用の抵抗またはインダクタと、３端子のうち２端子をダイオード接続したＭＯＳＦＥＴを接続し、１チップ化した増幅集積回路素子を実現する。また外付けでバリスタダイオードまたはチップコンデンサを接続する。増幅素子はインダクタ又は抵抗とＭＯＳＦＥＴによって保護され、増幅集積回路素子はバリスタダイオード又はチップコンデンサによって保護される。更に、抵抗（インダクタ）のインピーダンス、ＭＯＳＦＥＴの容量と、バリスタダイオード（チップコンデンサ）の容量によるＬＰＦで、部品点数の削減とそれに伴うコストの削減および装置の小型化が実現する。 （もっと読む）

【課題】ＦＥＴが破損するようなバイアスに誤設定されることなく、ＦＥＴのバイアス調整を行い得るバイアス制御装置を提供する。
【解決手段】ゲートバイアス回路１において、可変電圧リファレンス３１にてＦＥＴ１２，２２間で共通の温度補償用の正電圧信号を生成すると共に、この温度補償用の正電圧信号とは別に、電圧リファレンス３２から発生する正電圧信号を各可変抵抗３６，３７に通すことによりＦＥＴ１２，２２ごとに異なるバイアス調整用の正電圧信号を生成し、これら温度補償用の正電圧信号とバイアス調整用の正電圧信号とを各オペアンプ３３，３４で加算し反転増幅することで、各ＦＥＴ１２，２２へのバイアス電圧を生成するようにしている。 （もっと読む）

【課題】出力回路のスイッチング素子の短絡による破壊を確実に防止することが可能な出力バッファ回路及びそれを複数備えた出力バッファシステムを提供する。
【解決手段】第１の上側スイッチング素子４の他方の主端子と第１の下側スイッチング素子５の一方の主端子とを接続する部分が外部への出力部６を構成する第１の出力回路２と、出力端子が第１の出力回路２の出力部６に接続された第２の出力回路２２と、第１の出力回路２の出力部６の短絡を検出する短絡検出回路２４と、を備え、その起動時に、第１の出力回路２を動作させる前に第２の出力回路２２を動作させて短絡検出回路２４を動作させ、出力部６の短絡が検出されなかった場合に第１の出力回路２を動作させ、出力部６の短絡が検出された場合には第１の出力回路２を動作させないよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】出力回路の出力短絡時に生ずる大電流から回路素子の保護を図ると共に、回路動作の信頼性向上を図る。
【解決手段】出力回路１の出力トランジスタである第８及び第９のトランジスタ１８，１９のベース電流電流変化がベース電流検出部４２により検出され、その電流変化が、所定時間以上に亘って所定以上である場合に、出力回路１の出力段に異常電流が生じたとする所定の判定信号が判定部４４により出力され、その出力に応じて、制御信号出力回路３７からは、電流源回路６，７の動作を停止せしめる所定の制御信号が出力され、それによって、出力回路１及び信号処理回路２の動作が停止され、出力回路１の出力段における異常電流が遮断できる。 （もっと読む）

【課題】低雑音で過入力による耐電力特性に強く高利得特性を得ると共に、低消費電力で小型な高周波低雑音増幅器を提供する。
【解決手段】高周波低雑音増幅器10において、初段の増幅回路12は、低雑音で過入力による耐電力特性に強く高利得が得られるGaNをベースとしたＨＥＭＴを用い、次段以降には低消費電力で小型にできるGaAsをベースとしたＨＥＭＴを用いた増幅回路13を採用した。これらを多段カスケード接続した構成を採用した。 （もっと読む）

【課題】シングルエンド方式とＢＴＬ方式とに対処可能な音声出力回路を、比較的簡単な回路構成で実現する。
【解決手段】シングルエンド方式の場合には第１及び第２のスピーカを駆動し、ＢＴＬ方式の場合には共通のスピーカを駆動する第１及び第２のパワーアンプと、前記第１のスピーカ又は前記共通のスピーカを接続するために使用される第１の接続端子と、前記第２のスピーカ又は前記共通のスピーカを接続するために使用される第２の接続端子と、前記第１の接続端子の電圧と第１の検出閾値電圧とが入力される第１の負荷インピーダンス検出回路と、前記第２の接続端子の電圧と所定の電圧とが入力される第２の負荷インピーダンス検出回路と、前記第２の負荷インピーダンス検出回路に、前記所定の電圧として、前記第２の検出閾値電圧を供給するか、前記第１の接続端子の電圧と前記第２の検出閾値電圧との和に相当する電圧を供給するかを切り替える基準切替回路とを備える音声出力回路。 （もっと読む）

【課題】複数の素子から構成される電子回路の所定の素子の不具合による異常発生を容易に検出することができる電子回路を提供する。
【解決手段】抵抗器２１と抵抗器２２の接続点に接続されたＡ／Ｄコンバータ２３により第１の増幅素子２のゲート電圧値がデジタル値に変換され、制御部２７に入力されると共に、抵抗器２４と抵抗器２５の接続点に接続されたＡ／Ｄコンバータ２６により第２の増幅素子５のゲート電圧値がデジタル値に変換され、制御部２７に入力される。制御部２７に接続されているパソコン端末２８からの命令コマンドに基づき、制御部２７に入力された第１の増幅素子２のゲート電圧値及び第２の増幅素子５のゲート電圧値がパソコン端末２８の画面上に表示される。 （もっと読む）

【課題】ＦＥＴの熱的破壊を防止する機能を保ったまま、ＦＥＴの発振を防止することが可能なＦＥＴゲートバイアス回路を提供する。
【解決手段】信号端子６と、この信号端子６にゲート端子が接続されるとともにソース端子が接地されて、信号端子６から入力された高周波信号を増幅するＦＥＴ４と、このＦＥＴ４のゲート端子へバイアス電圧を供給するバイアス回路と、このバイアス回路及びゲート端子の接続点に一端が接続されて他端が接地された抵抗８と、を備え、この抵抗８によって、入力された高周波信号の周波数におけるゲート端子からバイアス回路側を見たインピーダンスの上昇を抑制する。 （もっと読む）

【課題】アンテナから出力される高周波電力を低下させることなく、反射波電力による最終段電力増幅器の破壊を防止することが可能な大電力高周波出力装置を提供する。
【解決手段】大電力高周波出力装置は、高周波電力を増幅して出力する増幅部と、増幅部の出力側に設けられ、制御信号に基づいて入力インピーダンスを変化させて高周波電力を出力する可変インピーダンス整合部と、高周波電力を出力するアンテナと、アンテナからの反射波電力を、増幅部に入力された高周波電力で直交検波して、同相および直交検波出力信号を出力する直交検波部と、同相および直交検波出力信号に応じて制御信号を生成し、可変インピーダンス整合部に送出する制御部とを備えている。制御部は、同相および直交検波出力信号から得られた反射波電力の位相情報に基づいて、反射波電力の位相が予め定められた範囲内に入るよう可変インピーダンス整合部の伝送路の移相量を変化させる制御信号を生成する。 （もっと読む）

【課題】省電力化が可能で、かつ関連技術よりもトランジスタの特性劣化を抑制することが可能な広帯域電力増幅装置の提供。
【解決手段】本発明に係る広帯域電力増幅装置は、電力増幅器１と、電力増幅器１の入力および出力間に設けられる負帰還回路２と、電力増幅器１の入力側または出力側にバイアス電圧としてバースト状電圧を印加するバースト制御回路３と、バースト状電圧が電力増幅器１に印加された際に電力増幅器１の入力側に発生するサージ電圧を低減させるバイアス制御回路４とを含み、バイアス制御回路４はサージ電圧を短絡させるサージ電圧短絡部４１を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】
トランジスタを高効率動作させるために流通角を狭くする方法がある。しかしながら、高い入力電力によりトランジスタのゲート−ドレイン間に高い電位差が発生する。その結果、出力電力はトランジスタのゲート−ドレイン間耐圧により制限される。また、高い入力電力を得るためには、高出力ドライバ増幅器が必要となり、電力増幅装置全体の効率は低下する。
課題は高い入力電力による増幅手段の耐圧の問題を緩和し、また、高い電力を与えるためのドライバ増幅器の電力消費を低減し、高出力・高効率電力装置を提供することである。
【解決手段】
解決手段として、増幅手段の入力信号に基本波に対して同相の３倍波を重畳し、入力信号の波高率（最大値／実効値）を高め、入力電力を高めることなく狭流通角動作を実現する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、Ｄ級アンプの破壊を防止する。
【解決手段】本発明は、ＰＷＭ信号Ｓ２２Ａ及び当該ＰＷＭ信号Ｓ２２Ａの波形が反転したＰＷＭ信号Ｓ２２Ｂと、パルス信号Ｓ３１とをそれぞれ合成することによりＰＷＭ出力信号Ｓ２４Ａ及びＳ２４Ｂを生成し、電流検出部１３２によってＤ級アンプＩＣ１０５へ流れる電流を電圧として検出し、また出力段１１２から出力されるＰＷＭ出力信号Ｓ２５Ａの電圧、及び出力段１１３から出力されるＰＷＭ出力信号Ｓ２５Ｂの電圧を検出することにより、過電流が信号処理部１１１又はアンプ制御部１１４へ流れているか否かを検出し、過電流を検出するとバッテリ２から信号処理部１１１及びアンプ制御部１１４と出力段１１２及び出力段１１３とへ流れる電流を遮断することにより、Ｄ級アンプＩＣ１０５の破壊を未然に防止することができる。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い保護回路を有する電力増幅器を提供する。
【解決手段】電力増幅用のトランジスタＱ１、及びトランジスタＱ１とコレクタ同士が接続された保護回路１５のトランジスタＱ１１を有し、保護回路１５のダイオード列ＤＬ１の一端のアノードがトランジスタＱ１、Ｑ１１のコレクタと接続され、ダイオード列ＤＬ１の他端のカソードがトランジスタＱ１１のベースと接続され、保護回路３５のダイオード列ＤＬ３の一端のアノードがトランジスタＱ１、Ｑ１１のコレクタと接続され、ダイオード列ＤＬ３の他端のカソードがトランジスタＱ１、Ｑ１１のエミッタと共に接地されている。 （もっと読む）

【課題】過大な電力が入力された場合においても高周波増幅用のバイポーラトラジスタの温度上昇を抑制し、高信頼性を保つ高周波増幅回路を提供する。
【解決手段】入力ポート９に入力される高周波信号を増幅して出力ポート１１に出力する高周波増幅回路において、高周波信号を増幅する第1のバイポーラトランジスタ１を備え、前記第１のバイポーラトランジスタのベース端子と前記入力ポートが容量３を介して接続され、前記容量には、ダイオード６と抵抗５を直列に接続した回路が並列に接続されており、前記ダイオードのアノードが前記第1のバイポーラトランジスタ側に配置され、前記ダイオードのカソードは入力ポート側に配置され、前記ダイオードのカソードは直流的に第1のインダクタ４及び第２の抵抗の少なくとも一方を介して接地されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、Ｄ級アンプの破壊を防止する。
【解決手段】本発明は、電流検出部３２によってＤ級アンプＩＣ５へ流れる電流を電圧として検出し、また出力段１２から出力されるＰＷＭ出力信号Ｓ５Ａの電圧、及び出力段１３から出力されるＰＷＭ出力信号Ｓ５Ｂの電圧を検出することにより、過電流が信号処理部１１又はアンプ制御部１４へ流れているか否かを検出し、過電流を検出するとバッテリ２から信号処理部１１及びアンプ制御部１４と出力段１２及び出力段１３とへ流れる電流を遮断することにより、Ｄ級アンプＩＣ５の破壊を未然に防止することができる。 （もっと読む）