【課題】リーク電流が増大した場合でも安定的に発振する発振回路の提供。
【解決手段】差動増幅器ＯＰは、反転入力端子（−）を外部端子Ｐ１、抵抗素子Ｒ１の一端および静電保護回路１１ｂに接続し、出力端子を外部端子Ｐ２、抵抗素子Ｒ１の他端および静電保護回路１１ｃに接続し、非反転入力端子（＋）を静電保護回路１１ａに接続すると共に抵抗素子Ｒ２を介して反転出力端子に接続する。静電保護回路１１ａ、１１ｂ、１１ｃは、逆バイアスに直列接続された２個のダイオードを電源、接地間に接続し、２個のダイオードの接続点を差動増幅器ＯＰの非反転入力端子（＋）、反転入力端子（−）、出力端子にそれぞれ接続する。外部において外部端子Ｐ１、Ｐ２間に水晶振動子ＸＴＬを接続し、外部端子Ｐ１に一端が接地された容量素子Ｃ１を接続し、外部端子Ｐ２に一端が接地された容量素子Ｃ２を接続し、発振回路を構成する。 （もっと読む）

【課題】ダイオードの接合容量を利用したノイズフィルタ（ＬＰＦ）では、接合容量の容量値と抵抗値によってＬＰＦの遮断周波数が決定する。しかし十分なＲＦＩ除去特性を得るためには、５ＭＨｚ以下の遮断周波数が必要となり、容量値か抵抗値のいずれかを増やす必要がある。しかし、容量値を大きくするとチップサイズの拡大となり、抵抗値を大きくすると入力ロスが増加する問題があった。
【解決手段】３端子のうち２端子をダイオード接続したトランジスタからなる第１容量と、ｐｎ接合容量と絶縁容量を並列接続した第２容量によって、はしご型のＬＰＦを構成する。半導体層に設けるｐｎ接合容量とその表面に設ける絶縁容量を略重畳させて並列接続させるため、容量値を増加させても占有面積の増加を回避できる。また、第１容量がスナップバック特性を有するため、絶縁容量を有する第２容量をＥＳＤから保護することができ、小型で高性能なＲＦＩ除去特性を有し、高ＥＤＳ化を実現できる。 （もっと読む）

【課題】 モータに電力を供給するインバータでは、インバータとモータ間の距離が長くなると、このケーブルのインダクタンスや容量のためにインバータの出力電圧が振動し、モータに過大な電圧が印加されて絶縁破壊が発生し、また放射電磁波が大きくなるという課題を解決する。
【解決手段】 直流電源の出力をスイッチングして交流に変換し、この交流をローパスフィルタに入力して高周波成分を低減するインバータにおいて、ローパスフィルタの出力側と前記直流電源の間にダイオードと抵抗の直列回路を挿入する。ローパスフィルタの出力電圧が振動して過大な電圧が発生するとダイオードがオンになり、電圧振動を低減する。モータに過大な電圧が印加されることがないので絶縁破壊などが発生することがなく、また不要な電磁波の放射を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】トランジスタに高電圧の入力信号が入力されてもゲート酸化膜の破壊および劣化を防止するトランジスタ保護回路を提供する。
【解決手段】トランジスタのゲートにゲート酸化膜の耐圧範囲を超える入力信号が入力される受信回路であって、入力信号を反転して反転信号を出力する反転回路と、トランジスタのゲートと反転回路の出力との間に設けられ、入力信号と反転信号の電圧差がゲート酸化膜の耐圧範囲内に収まるように制御する保護回路と、を備える受信回路である。 （もっと読む）

【課題】出力トランジスタに耐圧以上の電圧がかかるのを防止する。
【解決手段】ＰＷＭ信号により、電源ラインとグランドとの間に直列接続した一対の出力トランジスタ１６，１８を駆動し、両出力トランジスタ１６，１８の接点からコイルＬを介してプッシュプル電流をスピーカＳＰに向けて出力する。電流制限抵抗Ｒ１は、一端が前記電源ラインに接続され、その他端とグランドの間に制御トランジスタ２４が設けられる。また、比較器２６は、前記電源ラインの電圧と、参照電圧とを比較し、その比較結果において前記電源ラインの電圧が参照電圧より高い場合に、前記制御トランジスタ２４をオンする。 （もっと読む）

【課題】本発明が解決しようとする課題は、パワーアンプ、特に静電誘導トランジスタを最終段に用いたオーディオ用パワーアンプの最終段のトランジスタに流れる電流を制限した回路を提供することである。
【解決手段】本発明による静電誘導トランジスタを用いたパワーアンプ回路の過大電流制限回路では、２つの出力段静電誘導トランジスタの間に挿入した電流検出素子と、この検出素子で検出した電流の大きさを増幅する増幅器と、増幅器の出力で前記出力段静電誘導トランジスタのゲート・ソース間の電圧を変えるスイッチとを有することで、電流が過大になったことを検知して、制限する作用をするものである。 （もっと読む）

【課題】本発明が解決しようとする課題は、パワーアンプ、特に静電誘導トランジスタを最終段に用いたオーディオ用パワーアンプの最終段のトランジスタのソース・ドレインを駆動する電源とゲートを駆動する電源の立ち上げ時の不備による素子破壊を防止した電源立上げタイミング制限回路を提供することである。
【解決手段】パワーアンプの最終出力段の静電誘導トランジスタのソース・ドレインに繋がる電源の立ち上がりタイミングより、ゲート又はこれを駆動する回路をバイアスする電源の立ち上がりを早く、又は、少なくとも遅れないようにタイミング制限したものである。 （もっと読む）

【課題】コモン側電位の変動を招来することなく、高精度にアナログ信号電圧およびアナログ電流信号の一方を選択的に得ることのできる簡易な構成の信号出力回路を提供する。
【解決手段】信号電圧源からの信号電圧ｖに基づいて生成した出力電流信号ＩをＩ／Ｖ変換して出力電圧信号Ｖを生成し、或いは前記信号電圧源からの信号電圧ｖに基づいて生成した出力電圧信号ＶをＶ／Ｉ変換して出力電流信号Ｉを生成し、これらの出力電流信号Ｉおよび出力電圧信号Ｖの一方をスイッチ回路を用いて選択出力する。 （もっと読む）

【課題】負荷の変化にかかわらずスイッチング素子の温度を正確に算出する「温度検出装置及び方法、並びに回路」を提供する。
【解決手段】デジタル・アンプ３０内に設けられたスイッチング素子（ＭＯＳＦＥＴスイッチ）１４Ａのドレイン−ソース間に印加される電圧値Ｖ_RDS(on)を検出する電圧検出手段（３８）と、電圧検出手段による電圧検出と同一のタイミングでスイッチング素子のドレイン端子に入力される電流値Ｉを検出する電流検出手段（３４，３６）と、電圧値Ｖ_RDS(on)と電流値Ｉとを用いてスイッチング素子の抵抗値Ｒ_DS(on)を算出し、この抵抗値Ｒ_DS(on)に基づいてスイッチング素子の温度を算出する温度算出手段（４０，４２）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】パワーＭＯＳＦＥＴなどの発熱素子の内部温度を高精度に推定し、適切な保護処理を実行する「素子の保護処理装置」を提供する。
【解決手段】パワーＭＯＳＦＥＴなどの発熱素子１２近傍に設けられたサーミスター１４と、発熱素子１２における電力の損失値を算出し、サーミスター１４により検出される温度と、損失値に応じた推定補完値とを用いて、発熱素子の内部温度の推定値を算出するとともに、その推定値に基づいて、発熱素子に対する保護処理が必要か否かを判断して、保護処理が必要と判断された場合に、保護処理を実行するマイコン５０と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】増幅素子とスイッチとの間の配線を短くし、スイッチのオン／オフ時のリンギング及び逆起電圧等の発生を抑える。
【解決手段】増幅装置は、ＦＥＴを備える増幅器１０と、バイアス電流供給線と増幅器１０との間に設置されるスイッチ１１と、バイアス電流の供給経路とは異なる経路において増幅器１０とアースとの間に設置されるスイッチ１２と、スイッチ１１，１２を制御する制御部１３とを備える。制御部１３は、増幅器１０に対する増幅能の駆動指令に応じて、スイッチ１２を開放させると共にスイッチ１１をオン制御し、増幅器１０に対する増幅能の停止指令に応じてスイッチ１１をオフ制御すると共にスイッチ１２を短絡させる。 （もっと読む）

【課題】通常とは逆方向に負荷回路側から電流が流れ込んだ場合でも回路内のトランジスタを保護し得る電流供給回路を提供する。
【解決手段】
このように本実施形態に係るドライバ回路２０では、一点鎖線内のように、保護回路として、一対のトランジスタ２１Ｐ，２２Ｐで構成されたカレントミラー回路の出力側（トランジスタ２２Ｐ側）にトランジスタ２３Ｐを直列に介在させるとともに、このトランジスタ２３Ｐのベースと入力側（トランジスタ２１Ｐ側）との間でベース電流が流れる方向に順方向を向けたダイオード２５を介在させ、また順方向電圧ＶＦがトランジスタ２３Ｐのベース−エミッタ間電圧ＶBE以上に設定されたツェナーダイオード２４や、ダイオード２５の順方向電圧ＶＦ以上にその順方向降下電圧が設定されたツェナーダイオード２６を、カレントミラー回路の入力側に介在させる。 （もっと読む）

【課題】出力ノイズを低減するために低耐圧トランジスタを使用しても、通常動作時及びスリープ状態時において該低耐圧トランジスタに耐圧を超えるような電圧がかからないようにすることができる演算増幅器を得る。
【解決手段】スリープ時に、演算増幅器１の非反転入力端及び反転入力端における外部との接続を遮断し、ＰＭＯＳトランジスタＭ２，Ｍ３及びＮＭＯＳトランジスタＭ７，Ｍ８の各ゲートをそれぞれ接地電圧ＧＮＤに接続し、ＰＭＯＳトランジスタＭ２及びＭ３の各ソースと各サブストレートゲートをそれぞれ接地電圧ＧＮＤに接続し、ＰＭＯＳトランジスタＭ９及びＭ１０の各ソースをそれぞれ接地電圧ＧＮＤに接続してＮＭＯＳトランジスタＭ７及びＭ８の各ドレインをそれぞれ接地電圧ＧＮＤに接続し、ＰＭＯＳトランジスタＭ１１のドレインを電源電圧ＶＤＤに接続するようにした。 （もっと読む）

【課題】部品数を低減することにより信頼性を向上させかつコストを低減しつつ、IGBTを駆動するMOSFET1,MOSFET2の同時導通のおそれを排除する。
【解決手段】MOSFET1,MOSFET2のD端子をIGBTのG端子に接続し、MOSFET1のS端子をV+に、MOSFET2のS端子をV-に接続し、正または負のパルスを発生させる信号源Sを、B接地Tr2のE端子とE接地Tr3のB端子とB接地Tr1のE端子とE接地Tr5のB端子とに接続し、Tr2のC端子をTr6のB端子に接続し、Tr6のC端子をMOSFET2のG端子に接続し、Tr6のE端子をMOSFET2のS端子に接続し、Tr1のC端子をTr4のB端子に接続し、Tr4のC端子をMOSFET1のG端子に接続し、Tr4のE端子をMOSFET1のS端子に接続し、Tr3のC端子とMOSFET1のG端子との間に約220〜1000ΩのR3のみを配置し、Tr5のC端子とMOSFET2のG端子との間に約220〜1000ΩのR4のみを配置する。 （もっと読む）

【課題】負荷を通る電流を調節するための回路構成を提供する。
【解決手段】負荷Ｒ_Ｌを通る電流Ｉ_Ｌを調節するための回路構成１は、負荷電流Ｉ_Ｌによる電圧降下を、負荷電流Ｉ_Ｌを調節するための制御変数Ｘとして生じる抵抗と、負荷電流Ｉ_Ｌを調節するためのコマンド変数Ｗの働きをする基準電圧Ｖ_ｒｅｆのためのタップ点Ｐと、コマンド変数Ｗと制御変数Ｘの間の制御偏差Ｗ−Ｘを増幅するための差動増幅器とを備え、負荷電流Ｉ_Ｌを負荷電圧Ｖ_Ｌの関数として調節するために、トランジスタＱ４と、コレクタ抵抗Ｒ２およびエミッタ抵抗Ｒ６とが設けられ、トランジスタＱ４のベース−エミッタ部分とエミッタ抵抗Ｒ６との直列接続は、負荷Ｒ_Ｌと並列に配置され、基準電圧のためのタップ点Ｐは、コレクタ抵抗Ｒ２とトランジスタＱ４の間に配置される。 （もっと読む）

【課題】周囲の温度変動に対して動作特性を調整することが可能なローパスフィルタを提供することを目的とする。
【解決手段】このローパスフィルタ１では、入力端子２と出力端子３とを繋ぐ配線４にインダクタ５が接続されている。インダクタ５の出力端子３側の一端と接地電圧ＧＮＤを供給する接地端子６との間には、第１の容量７及び第２の容量８が並列に接続されている。そして、第２の容量８と接地端子６との間には抵抗素子としてサーミスタ９が接続されている。サーミスタ９は、温度変動に対してその抵抗値の変動が大きい抵抗素子であり、温度の上昇に対して抵抗値が減少するサーミスタ（ネガ型サーミスタ）でもよいし、温度の減少に対して抵抗値が増大するサーミスタ（ポジ型サーミスタ）でもよい。 （もっと読む）

【課題】オーディオ等に使用される増幅回路において、貫通電流の発生を抑え、パワーアンプの過熱及び破壊を防止する。
【解決手段】本発明の増幅回路は、パワーアンプ１，過熱検出回路２，信号減衰回路３を備える。パワーアンプ１は、入力アナログ信号を増幅する第１及び第２のパワートランジスタＴｒ１，Ｔｒ２を備える。過熱検出回路２は、第１及び第２のパワートランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の過熱を検出するサーミスタＲｔを備える。信号減衰回路３は、過熱検出回路２による過熱検出に基づいて、入力アナログ信号を減衰させる。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも２つのスイッチング素子（１〜４）を有する少なくとも１つのスイッチングブリッジ（１００，１０１）を備えたプラズマ給電装置を作動させる方法に関する。プラズマ給電装置は、＞５００Ｗの電力および＞３ＭＨｚの実質的に一定の基本周波数を有する高周波出力信号を供給する。本方法は、少なくとも１つの動作パラメータ、少なくとも１つのスイッチング素子の少なくとも１つの周囲パラメータおよび／またはスイッチングブリッジパラメータを求めるステップと、少なくとも１つの動作パラメータ、少なくとも１つの周囲パラメータおよび／またはスイッチングブリッジパラメータを考慮して、スイッチング素子（１〜４）に対する別個の駆動制御信号を求めるステップと、それぞれ１つの駆動制御信号を用いて、スイッチング素子（１〜４）を別個に駆動制御するステップとを有する。
（もっと読む）

【課題】大きな電圧振幅動作時に出力用トランジスタを保護可能な回路を有する電力増幅器を提供する。
【解決手段】入力信号を増幅し、出力端子１９に増幅信号を出力するトランジスタＱ１と、ダイオード列ＤＬ１の一端のアノードが出力端子１９と接続され、ダイオード列ＤＬ１の他端のカソードがベースと接続され、コレクタが出力端子１９と接続されたトランジスタＱ３、及び、ダイオード列ＤＬ２の一端のアノードがトランジスタＱ３のエミッタと接続され、ダイオード列ＤＬ２の他端のカソードがベースと接続され、トランジスタＱ３のエミッタがコレクタと接続され、エミッタが接地端子と接続されたトランジスタＱ４を有し、動作電圧の最小値が、出力整合が取れた状態のトランジスタＱ１のコレクタ・エミッタ間の最大出力電圧を越え、且つトランジスタＱ１のコレクタ・エミッタ間耐圧を越えないように設定された保護回路１５とを備える。 （もっと読む）

【課題】 アナログ平衡出力が接地されたことを検出し、出力レベルを低下させて出力を保護し熱の発生を抑えると共に、接地されていない通常の平衡出力の位相差や平衡度等の特性を良好なものとする。
【解決手段】 オーディオモニタ信号のアナログ平衡出力用のアンプ２３，２４の各出力側の抵抗２５，２６の端子電圧をＤ／Ａ変換器３１，３２でそれぞれ検出し、レベル差が所定の設定値、例えば６ｄＢを超えたか否かを判別器３３，３４でそれぞれ判別する。レベル差が所定の設定値を超えた側の判別器３４は、切換スイッチ１４を被選択端子ｂ側に切換接続し、減衰器１６により所定量（−２４ｄＢ）減衰したデジタルデータをＤ／Ａ変換器２２に送って、アンプ２４の入力レベルを減衰させる。 （もっと読む）