【課題】 ボンディングワイヤ等が断線しても多大な電流が流れないようにした半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明による半導体装置は、エミッタ接地の第１トランジスタＱ１を有する増幅回路１と、エミッタ接地の第２トランジスタＱ２を有して第１トランジスタＱ１のベースにバイアス電流を供給するベースバイアス回路２と、増幅回路１の接地部ｇ１とベースバイアス回路２の接地部ｇ２との間に接続される抵抗素子Ｒ１とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 フィードバックループモードと定電流制御モードの切替動作を不要とし、迅速に動作可能で、出力電流の安定性が高い電流リミッタ付き増幅回路を提供する。
【解決手段】 入力電圧を増幅して出力電圧を負荷に印加する増幅器を備え、前記増幅器の出力電流を所定値に制限する電流リミッタ付き増幅回路において、
前記増幅器の正電源端子と負電源端子の間に接続されたフローティング電源と、
前記フローティング電源に接続されたダイオードブリッジと、
前記ダイオードブリッジを駆動する電流供給手段を備え、
前記出力電圧の変動によって前記出力電流が前記電流供給手段の電流値に達したとき、前記ダイオードブリッジの整流作用により、前記出力電流の電流値を前記電流供給手段の電流値と等しく制限する。
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【課題】低いコレクタ−ベース間耐圧を持つトランジスタでもＢ級、Ｃ級動作を実現し、耐破壊性を向上した高周波電力増幅器を提供することを目的とする。
【解決手段】トランジスタ（Ｑ１３１）の閾値電圧のバイアス電圧またはその付近のバイアス電圧をバイアス回路（２１１）がベースに印加し、整流回路（２４１）によって半波に整流された高周波信号をトランジスタ（Ｑ１３１）のベースに入力してトランジスタ（Ｑ１３１）の出力側から信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】 過入力による電流の増加が増幅用素子に及ぼす影響を抑制することができる送信回路を提供する。
【解決手段】 入力端子３１に入力される送信信号を増幅して出力端子３５に出力する増幅用トランジスタ３３と増幅用トランジスタ３３の入力端子３１に供給される直流バイアスとを有する電力増幅回路３０と、増幅用トランジスタ３３の入力端子３１と接地との間に接続された過電流保護トランジスタ４５を有し、電力増幅回路３０の出力端子３５に接続した並列共振回路４３により、増幅用トランジスタ３３の送信信号の出力電力から周波数選択して検出された電力が、所定値以下の場合には、過電流保護トランジスタ４５を高抵抗状態にし、検出された電力が所定値を超える場合には、過電流保護トランジスタ４５を低抵抗状態とする保護回路４０とを具備する （もっと読む）

スイッチング増幅器の出力における熱センサは出力スイッチにおける熱放散を感知する。過熱状況が感知されると、デジタル入力信号のゲインは、音声出力信号の出力電力を減少させるように低減される。デジタル入力信号を受信し、入力信号に応答して音声信号を出力するスイッチング増幅器を開示する。熱センサは、スイッチング増幅器の１つまたは複数の出力スイッチの熱放散を感知し、過熱状態が感知されると、ゲイン制御ユニットがデジタル入力信号のゲインを減少させて、音声信号の出力電力を低減する。
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【課題】
従来、送信電力増幅用パワーアンプのバイアス回路の制御電圧が上昇すると、パワーアンプの回路電流が増加するため、回路の発熱が大きくなり、パワーアンプが熱暴走する問題がある。
【解決手段】
本発明のバイアス回路は、制御電圧入力端子から電流制限抵抗を介して接地電位との間に接続される電圧安定部と、前記電流制限抵抗と電圧安定部の間のノードと抵抗を介しベースが接続されるバイアス供給用エミッタフォロワと、前記バイアス供給用エミッタフォロワのベースとエミッタの間に接続される前記電流制限部とを有している。これにより、バイアス回路の制御電圧が上昇した場合にバイアス電流を減少させる。よって、制御電圧の上昇による増幅用トランジスタの熱暴走を防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】 最適な保護動作を行う。
【解決手段】 ＭＯＳＦＥＴＱHに流れる負荷電流が所定のしきい値を超えたときに保護動作を開始する保護回路６の前段に、前記しきい値を調整するしきい値調整回路８が設けられている。該しきい値調整回路８は、ハイサイド側のＭＯＳＦＥＴQHと正電源＋Ｖとの間に挿入された電流検出抵抗Ｒdの両端に発生したドレイン電流Ｉdに比例する電圧と、Ｄ級増幅段３の出力を復調するローパスフィルタ４からのアナログ信号の電圧振幅を検出する出力電圧検出回路７の出力が入力され、出力電圧が大きいときは、ＭＯＳＦＥＴＱHの限界電流をしきい値とするが、出力電圧が小さいときは、限界電流よりも低い電流で保護動作を開始するようにしきい値を調整する。 （もっと読む）

【課題】 パワーＭＯＳトランジスタなどのパワー素子の低負荷状態での過電流発生を安定して抑制できる過電流検出装置を実現する。
【解決手段】 過電流検出装置１には、保護回路２、第１の増幅回路ＡＭＰ１、第２の増幅回路ＡＭＰ２、及びコンパレータ１０が設けられている。過電流検出装置１は、パワーアンプ部ＰＡの出力用Ｐｃｈ ＭＯＳトランジスタ３の過電流の検出及び抑制を行う。出力用Ｐｃｈ ＭＯＳトランジスタ３のゲートには、ゲート入力端子ＧＩＮからゲート入力信号が入力される。第１の増幅回路ＡＭＰ１はパワーＭＯＳトランジスタ３のゲート−ソース間電圧（Ｖｇｓ）を感知し、第２の増幅回路ＡＭＰ２は正常負荷状態と低負荷状態の間に設定されるパワーＭＯＳトランジスタの動作曲線を感知する。第１の増幅回路ＡＭＰ１の出力信号レベルが第２の増幅回路ＡＭＰ２の出力信号レベルよりも大きい場合に保護回路２が動作し、ゲート入力信号を遮断する。 （もっと読む）

【課題】 スイッチ素子が同時にオン状態になり貫通電流によりスイッチ素子が破損することを防止するスイッチングアンプを提供すること。
【解決手段】 スイッチングアンプ１０は、入力信号に応答して、ＰＷＭ信号Ａ１およびＰＷＭ信号Ｂ１を出力するＰＷＭ回路１１と、トランジスタ１８とトランジスタ１９とを有するスイッチング出力回路１５と、ＰＷＭ信号Ａ１がトランジスタ１８をオン状態にする信号（ハイレベル）であり、かつ、ＰＷＭ信号Ｂ１がトランジスタ１９をオン状態にする信号（ハイレベル）である場合に、ＰＷＭ信号Ａ１をトランジスタ１８をオフ状態にする信号（ローレベル）に変換し、かつ、ＰＷＭ信号Ｂ１をトランジスタ１９をオフ状態にする信号（ローレベル）に変換する信号変換回路１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】
ダンプサージ及び逆起電圧による出力ＭＯＳトランジスタの破壊を防止し、チップ面積の増大を抑止できる半導体集積回路を提供すること。
【解決手段】
本発明にかかる半導体集積回路は、Ｌ負荷３に流れる電流を制御する出力ＭＯＳトランジスタＭ０と、出力ＭＯＳトランジスタＭ０に印加される過電圧をクランプするダイナミッククランプ回路３１と、出力ＭＯＳトランジスタＭ０のゲート電圧Ｖｇｓのレベルを調整した参照信号Ｖａを生成する遅延回路３５と、参照信号Ｖａに基づき、逆起電圧が出力ＭＯＳトランジスタＭ０に発生した場合にダイナミッククランプ回路３１を動作状態とするクランプ制御回路３２とを備えるものである。 （もっと読む）

【課題】 バラスト抵抗を用いることなく、トランジスタの熱暴走を防止することができるトランジスタ半導体装置を提供する。
【解決手段】 同一の半導体基板上に配置されている、アンプ回路１０のトランジスタＴｒ１とバイアス回路２０のダイオードＤ１及びダイオードＤ２とを、熱伝導の良好な金属材料等によって形成される熱伝導配線３０で覆う。この熱伝導配線３０により、トランジスタＴｒ１で生じる温度上昇を速やかにダイオードＤ１及びダイオードＤ２に伝達することができる。ダイオードＤ１及びダイオードＤ２は、トランジスタＴｒ１の温度を下げる方向に動作するため、トランジスタＴｒ１の熱暴走を防止することができる。 （もっと読む）

電力制御ループを備えた特にＲＦ電力増幅器（ＰＡ）用の限流回路。この回路は、ＰＡの最終段に供給されるバイアス電流の表示を検出するようになっている。バイアス電流の検出された表示を所定の基準電流と比較し、バイアス電流が基準電流を超えているという検出表示時に信号を電力ループにフィードバックしてＰＡの出力電流を制限する。これにより、一般に供給電圧及び温度変動に鈍感なＰＡに流れる電流の制限が可能である。オプションとして、第２の回路を追加してＰＡに流れる電流を制限してもよい。第２の回路は、電力制御ループのフィードバック電圧を表す電圧ＶＬＩＭと所定の基準電圧ＶＢＧＡＰを比較するようになった高精度ＶＩコンバータを有する。この回路は、フィードバック電圧を表す電圧ＶＬＩＭが所定の基準電圧ＶＢＧＡＰよりも高いと、出力電流Ｉｏｕｔを減少させるようＶＩコンバータに作動的に接続されている。アンテナ不整合条件下において、両方の回路は、不整合条件下において流れる大電流を検出してこれを制限することはできない先行技術の電力制御ループと比較して、ＰＡに流れる供給電流を制限するのに役立つ。
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保護回路を有する増幅器内の過剰な電力の浪費およびその故障を引き起こす可能性を低減させる。本発明は、増幅器に対するものであり、その内部の保護回路を出力信号レベルに基づいて再構成可能である。これにより、増幅器は最良の保護レベルを現在の動作条件に適用できる。増幅器を保護するための保護レベル又は閾値は、より低い閾値レベルへ動的に調節され、ある動作においてより感度が高まるようになる。本発明の一の実施形態では、第１電流保護閾値を用いて第１状態で増幅器を動作させる。ある事象が起きる場合、増幅器の保護回路が再構成されて、増幅器は、第２保護閾値を用いて第２状態で動作し続ける。
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【課題】 小型化および低消費電力化を図りつつ負荷変動時のＨＢＴの破壊を有効に防止することのできる高周波電力増幅用電子部品（ＲＦパワーモジュール）および移動体通信システムを提供する。
【解決手段】 高周波電力増幅回路の少なくとも最終段の増幅素子（Ｑ１）がＨＢＴ（ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ）で構成されている高周波電力増幅用電子部品おいて、上記ＨＢＴとしてそのコレクタ電流−コレクタ電圧特性の非破壊領域と破壊領域との境界が逆Ｓ字カーブを有し、該逆Ｓ字カーブの極小値が当該高周波電力増幅用電子部品（ＲＦパワーモジュール１００）に接続される電源（２００）の実使用時に想定される電圧の最大値の４倍以上の領域に存在するＨＢＴを用いるようにした。 （もっと読む）

【課題】増幅器としての高周波特性を損ねることなく、バイポーラトランジスタの過電流による熱的な粗密を緩和することができ、半導体素子の破壊を小規模な回路構成で防ぐことができる半導体装置を提供する。
【解決手段】複数のＨＢＴを並列接続した高出力トランジスタの各ベースごとにバイアス電流の印加を制御し、また、エミッタ数が、ベースの数ｎに対して２の（ｎ−１）乗倍で増大するマルチエミッタ素子を使うことにより、２進数により表せる値で各ベースごとのバイアス電流の印加を制御し、また、非常に大きな構造を有する方向性結合器の代わりに、高出力トランジスタのエミッタをマルチエミッタ構造にし、そのエミッタの一つの電流をモニタする。 （もっと読む）

【課題】 抵抗などを用いて電流を検出しなくても、短絡を検出する。
【解決手段】 信号出力回路１において、第１トランジスタ６２および第２トランジスタ６４の直列回路であるプッシュプル回路は、スイッチング出力を生成する。短絡検出回路２０は、スイッチング出力を監視して、スイッチング出力の一方の値から他方の値へ遷移する中間領域の滞留期間が所定の期間を超えたことを検出し、短絡を検出する。制御回路３０は、短絡が検出されると、スイッチング出力回路をハイインピーダンスに設定する。 （もっと読む）

【課題】 トランジスタの熱暴走を防止すると共に、ベースバラスト抵抗による所望周波数成分の電力利得の低下を抑制しつつ、不要な高調波成分や帯域外信号成分の電力利得を大幅に低減させることができるトランジスタ回路を提供する。
【解決手段】 トランジスタ回路１は、トランジスタ１１、ベースバラスト抵抗１２、容量１３及びインダクタ１４で構成される複数のトランジスタセル１０からなる。トランジスタ１１のコレクタ及びエミッタは、それぞれトランジスタ回路１のコレクタ端子１ｃ及びエミッタ端子１ｅに共通接続される。ベースバラスト抵抗１２は、一方端がトランジスタ１１のベースに、他方端がトランジスタ回路１のベース端子１ｂに接続される。容量１３とインダクタ１４とは、直列接続されて直列共振回路１５を形成し、ベースバラスト抵抗１２と並列に、トランジスタ１１のベースとトランジスタ回路１のベース端子１ｂとの間に接続される。 （もっと読む）

【課題】 パルス幅変調増幅装置において、歪性能を向上させ、出力素子を保護する。
【解決手段】 パルス幅変調増幅装置において、オーディオ信号をパルス幅変調するパルス幅変調手段と、パルス幅変調手段が出力するパルス幅変調信号の波形の直流成分を除去するコンデンサと、コンデンサが出力するパルス幅変調信号の振幅を閾値と比較して閾値未満のパルス幅変調信号の電圧を０とし閾値以上のパルス幅変調信号の電圧を一定値とすることによってパルス幅変調信号の波形の立ち上がり時間及び立ち下がり時間を調整する立ち上がり立ち下がり調整手段と、立ち上がり立ち下がり調整手段が出力するパルス幅変調信号を増幅する増幅手段と、増幅手段に流れる電流を検出する電流検出手段と、電流検出手段が検出した電流に基づいて立ち上がり立ち下がり調整手段の閾値を制御する制御手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＢＴＬ出力回路において、出力端子が誤ってＧＮＤまたはＶＣＣにショートした場合や、出力端子間がショートした場合でも、それらの異常時に発生する過電流に対して、ＢＴＬ出力回路を形成する半導体素子の発熱を抑えるとともに、その破壊を防止することができ、ＢＴＬ出力回路を集積回路化した場合にも半導体チップそのものを破壊しないように保護することができる過電流保護回路を提供する。
【解決手段】スピーカ１０１を駆動する出力回路１５０、１６０を有する半導体集積回路に対して、過電流制御回路２００により、出力回路１５０の過電流を検出する過電流検出回路１７０と、出力回路１６０の過電流を検出する過電流検出回路１８０との双方の過電流検出に伴い、出力回路１５０と出力回路１６０の両方の動作電流源を遮断し、その状態を所定の時間保持するとともに、所定の時間経過した後、その保持状態から復帰することにより、出力回路１５０または出力回路１６０の過電流を防止する。 （もっと読む）

【課題】
デジタルアンプに過電流が発生するか否か判別しデジタルアンプの構成部品やデジタルアンプに接続されたスピーカを過電流から未然に保護することができるデジタルアンプを提供する。
【解決手段】
オーディオ信号のボリウムを調整するボリウム調整手段と、ローパスフィルタが備えるインダクタに流れる電流値を検出する検出手段と、入力手段から入力されたオーディ信号の信号レベルとボリウム調整手段により調整されたボリウム及び検出手段により検出された電流値から過電流が発生するか否か判別する判別手段と、判別手段の制御によりデジタルアンプを過電流から保護する保護手段とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）