【課題】大振幅入力に対応するため、入力差動対を高耐圧素子を用いて構成する必要があった。
【解決手段】カスコードカレントミラー回路２０は、入力差動対１０に能動負荷として接続される。テール電流源３０は、入力差動対１０にテール電流Ｉｔを供給する。定電流源４０は、入力差動対１０と並列に接続され、テール電流源３０に定電流Ｉｃを供給する。定電流源４０により供給される定電流ＩｃはトランジスタＭ７がカットオフしない値に設定される。 （もっと読む）

【解決手段】本方法及び装置は、アナログ集積回路をパワーダウンする。パワーダウン回路は、アナログ回路に電気的に結合され、パワーダウン信号の受信に応答してアナログ回路をパワーダウンするように構成されている。ノード保護回路は、アナログ回路に電気的に結合され、パワーダウン回路によって少なくとも一つの所定のノードにおける電位が決定されない際に、パワーダウン信号の受信に応答して、アナログ回路における前記少なくとも一つの所定のノードに所定の電位を供給するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】 過大出力電流から出力トランジスタを保護するためにヒューズ抵抗を挿入し、また過大電流が出力されたときに出力トランジスタのベース・エミッタ間を短絡する保護回路を設けていたが、回路構成が複雑であり、またヒューズ抵抗を交換しなければならなかったという課題を解決する。
【解決手段】 出力トランジスタのエミッタと出力端子との間に抵抗を配置し、前記出力トランジスタのベースと前記抵抗の出力端子が接続されている側との間にダイオードを接続した。ダイオードと抵抗のみで電流制限回路を構成して出力トランジスタを保護することができる。 （もっと読む）

【課題】耐電力向上および信頼性向上を図るとともに、リカバリの高速化を図る高耐電力受信増幅器を得る。
【解決手段】入力端子４および出力端子５と、入力端子４の一端にゲート端子が接続され、出力端子５の一端にドレインバイアス端子が接続された電界効果トランジスタ１と、入力端子４の他端に接続されて、入力電力を検出する検波器６と、検波器６により検出された入力電力を所定の閾値と比較して、比較結果を出力する閾値判定手段８と、閾値判定回路８からの比較結果に基づいて、ＧＮＤ／ドレインバイアス電圧のいずれか一方に出力電圧を切り替えて電界効果トランジスタ１のソース端子にリカバリ高速化抵抗１０を介して印加するソース電圧駆動回路９を備え、入力電力が閾値より低い場合にはソース電圧をＧＮＤ電圧と同一にし、入力電力が閾値以上の場合にはソース電圧をドレインバイアス電圧と同一にする。 （もっと読む）

【課題】振幅変動を伴うディジタル変調方式を採用している移動機において、利得変化を正確に検出し、負荷変動に強く非線形歪みが低減された高周波電力増幅器を提供する。
【解決手段】最終段の入力端子と出力端子に、それぞれ第１検出回路および第２検出回路を接続する。それぞれの検出回路で検出された検出信号を差動増幅回路に入力する。入力電力が変化しても差動増幅回路から出力される信号レベルの差は変化しない。一方、高周波電力増幅器の負荷インピーダンスが変動すると、出力端子で電力利得の変化は、入力端子までには至らないので、負荷インピーダンスの変動だけを検知することができる。検知した負荷変動に応じて、最終段の動作電流や駆動段の利得を制限することで、最終段の破壊を防止できる。さらに、駆動段の利得変化を検出し、調整段の利得変化で相殺することで、高周波電力増幅器の非線形歪みを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】携帯電話において、バッテリの残量に左右されずに高周波用パワーアンプの定格内の電圧を維持した電圧を供給し、安定した通信を確立する。
【解決手段】比較器２１ａは、Ｄ／Ａ変換器の電圧調整用信号と参照電圧ＶＲＥＦ２とを比較し、電源電圧ＶＣＣの電圧レベルが低下して電圧調整用信号が参照電圧ＶＲＥＦ２以上になると、参照電圧ＶＲＥＦ２を電圧調整用電圧Ｖａｄｊとしてエラーアンプ１９に入力するよう制御する。これにより、出力電圧を動作電圧の上限程度でクランプ動作させる。また、電圧調整用信号が参照電圧ＶＲＥＦ１以上となると、比較器２０ａは、参照電圧ＶＲＥＦ１を電圧調整用電圧Ｖａｄｊとしてエラーアンプ１９に入力する制御する。これにより、電圧調整用信号の電圧レベルが上昇してもＤＣ−ＤＣコンバータ６の出力電圧の上昇を抑えることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】動作時の出力低下が少なく、熱雑音の影響が少なく、高周波動作が安定で、かつ信頼性に優れた高周波電力増幅器を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板上に形成されたゲート電極、半導体基板の表面部分に形成されたソース領域及びドレイン領域が、それぞれ共通接続された複数のトランジスタと、半導体基板の表面部分であって、かつ隣り合うトランジスタ間に設けられた複数の音響反射層とを備え、音響反射層は、ゲート電極が配置された方向に対して斜め方向に位置するように配置されている。 （もっと読む）

【課題】 方向性結合器は、高い周波数領域での反射波検出レベルが、実際よりも大きくなる周波数振幅特性を有している。そのため、高調波等の高い周波数の反射波が発生したときに、高周波電源装置内の増幅素子を保護するために、必要以上に増幅部１１の出力を抑制してしまう課題があった。
【解決手段】 高周波電力の供給源となる増幅部１１を備え、負荷にプラズマ発生用の高周波電力を供給する高周波電源装置において、反射波検出信号を出力する方向性結合器１３と、反射波検出信号の周波数振幅特性と逆特性を有する振幅特性変換部２０と、周波数振幅特性を変換した反射波検出信号を利用して、前記高周波出力手段の出力制御を行う出力電力制御部１９とを備えた。高い周波数領域の反射波を検出する場合であっても、反射波の検出レベルを、実際のレベルに近づけることによって、適切なレベルで出力制御を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】良好な受信雑音性能を保ちつつ、大電力の高周波信号が入力されても破壊や劣化を回避することができる増幅器を得ることを目的とする。
【解決手段】一端がゲートバイアスライン１６を介してショットキー接合ＦＥＴ１３のゲート端子と接続され、他端がショットキー接合ＦＥＴ１３のゲート電圧端子２０と接続されているゲート電圧抑制用抵抗２１を設けるように構成する。これにより、順方向電流であるゲート整流電流が発生すると、ゲート電圧抑制用抵抗２１によって電位降下が生じ、ショットキー接合ＦＥＴ１３のゲート電圧が引き下げられる。 （もっと読む）

【課題】過電流検出において精度の高い温度補償を行う。
【解決手段】制御回路２０は、ＮＭＯＳトランジスタＮＭ０と出力端子ＯＵＴ間を接続するワイヤ１７に流れる負荷電流Ｉａとワイヤ１７の抵抗分とによってワイヤ１７の両端に生じる電位差を検出し、電位差が所定値より大きくなった場合に負過電流Ｉａを制限するようにＮＭＯＳトランジスタＮＭ０を制御する。制御回路２０は、一端から電流源Ｉ１によって電流を順方向に流すと共に他端をワイヤ１７の一端に接続するダイオード群２１と、一端から電流源Ｉ２によって電流を順方向に流すと共に他端をワイヤ１７の他端に接続するダイオード群２２と、を備え、ワイヤ１７の抵抗分の温度変化によって生じる出力電流制限値の変化が少なくなるように、ダイオード群２１、２２の一端間の電位差に基づいて所定値を補正する。 （もっと読む）

【課題】 負荷側に短絡故障が生じた場合であっても、構成部品の破損を防止できるプッシュプル回路を提供する。
【解決手段】 第１のＰＮＰトランジスタ１と第１のＮＰＮトランジスタ２とのコレクタを共通に接続し、第１のＰＮＰトランジスタ１のエミッタを直流電源に接続し、第１のＮＰＮトランジスタ２のエミッタを基準電位点に接続し、第１のＰＮＰトランジスタ１及び第１のＮＰＮトランジスタ２の双方のベースに同一の入力信号を加え、共通のコレクタから負荷に出力を取り出すプッシュプル回路であって、第１のＮＰＮトランジスタ２のベースにアノードが接続し、第１のＰＮＰトランジスタ１のベースにカソードが接続する整流素子３と、第１のＰＮＰトランジスタ１及び第１のＮＰＮトランジスタ２の双方のベース及びエミッタに接続する保護回路５，６と、を備えてなる。 （もっと読む）

【課題】相互変調歪みが低減された増幅素子及び増幅回路を提供する。
【解決手段】第１のバイポーラトランジスタと、前記第１のバイポーラトランジスタのコレクタとエミッタとの間に並列接続され、ｐｎ接合方向が同一となるように複数のダイオードが直列接続された過渡電流バイパス回路と、を備え、前記ダイオードの導電層のうち前記エミッタと接続される側の導電型は前記エミッタの導電型と同一であることを特徴とする増幅素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】本発明は増幅器に使用されるＦＥＴへの電源投入及び切断方法及び装置に関し、増幅器電源電圧投入及び切断を確実に行なうことができる電源投入及び切断方法及び装置を提供することを目的としている。
【解決手段】一次負電圧を二次正電圧に変換し、その出力が前記ＦＥＴ６のドレインに接続される第１のコンバータ１と、同じく一次負電圧を二次正電圧に変換する第２のコンバータ２と、前記第１のコンバータ１の出力を受けて二次負電圧に変換する第３のコンバータ１０と、前記第２のコンバータ２の出力を受けて二次負電圧に変換する第４のコンバータ３と、前記第３のコンバータ出力と第４のコンバータ出力とを結合して前記ＦＥＴのゲートに印加するダイオード回路と、該ダイオード回路のより負方向の出力を受けて、前記第１のコンバータ１にオン／オフ信号を与えるシーケンス回路と、を有して構成される。 （もっと読む）

【課題】 過大な電流が流れたとき、瞬時にかつ確実に過大な電流から電力増幅器を保護する。
【解決手段】 可聴周波数信号を供給された制御電圧に応じた利得で増幅して電圧制御増幅器６が出力する。その出力には直流成分が含まれている。電圧制御僧服器６の出力信号が直流阻止コンデンサ１６及びプリアンプ４を介して入力側にデジタルアンプ２に供給される。デジタルアンプ２の入力側と基準電位との間に接合型ＦＥＴ２４が接続され、デジタルアンプ２に短絡電流が流れているとき、短絡電流検出器１４からの信号によって、電圧制御増幅器６の利得が最小とされ、ＦＥＴ２４が導通する。 （もっと読む）

【課題】ブリッジ接続形アンプを構成時、負荷ショート等の状態が長く続いた場合、ブリッジ接続形アンプを構成するそれぞれのＤクラスアンプに流れる電流を、シングルエンド形アンプを構成したときと同じ設計値で制御できるアンプの過電流保護装置を提供する。
【解決手段】それぞれが入力及び出力を有し、ＤＳＰ５によってＰＷＭ変調信号のデューティー比が制御されて出力レベルがコントロールされるシングルエンド形アンプあるいはブリッジ接続形アンプとして動作可能に構成した複数のＤクラスアンプ６、７を備える。このＤクラスアンプ６、７がブリッジ接続形アンプを構成したとき、このブリッジ接続形アンプを構成したＤクラスアンプ６、７に備えた過電流検出回路８、９の出力のＯＲ信号をつくり、このＯＲ信号を前記ＤＳＰ５へ供給するように構成する。 （もっと読む）

【課題】負電源がオンの場合は、余計な電圧降下を及ぼすことなく、負電源がオフの場合には、大電力ＦＥＴに流れ込む電流を抑制し、熱破損を防ぐことを可能とする高出力増幅器を提供する。
【解決手段】ドレイン電源回路に過電流防止回路を備えたＦＥＴ高出力増幅器において、前記過電流防止回路は、ドレインラインとグランドとの間に前記ドレインラインと並列に接続されたｎ型スイッチングＦＥＴを含む回路であり、前記ドレイン電源回路のゲート電圧の異常が発生した場合には、前記過電流防止回路は前記ゲート電圧の異常を検知し、前記ゲート電圧の異常により生ずる前記ＦＥＴ高出力増幅器に流れる過電流を前記グランドへ流すことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】音声の急激な消音と再開を伴う熱保護回路を作動させることなく、音声制御信号及び駆動電圧のレベルを調整し、前記制御ＩＣの熱破壊を防止しつつ、視聴者の違和感を低減することを目的とする。
【解決手段】音声制御信号及び駆動電圧のレベルを最初に第１のレベル及び第１の電圧だけ低下させた後、一定時間、温度を監視し、設定温度を下回らない場合には、より小さい第２のレベル及び第２の電圧だけ以下させて小刻みに調整し、熱保護回路が作動する温度よりも低くなるようにする。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、安全な電力で動作し続ける低雑音増幅器に関し、特に高い電力での使用に好適な低雑音増幅器を提供する事を目的とする。
【解決手段】
ソース、ドレイン、ゲートを備える少なくとも一の電界効果トランジスターと、
ドレイン電源と、前述のドレイン電源と前述のドレインを結ぶドレインバイアス入力線路を備える。さらに、前述のドレインバイアス入力線路上に配置される、前述のドレインに耐電力以上の電力が印加される事を防止するように抵抗値が定められたドレイン抵抗を備える。 （もっと読む）

【課題】出力端の短絡などにより出力トランジスタに大電流が流れても、かかる状態を速やかに解消し、回路保護を図ることを可能とする。
【解決手段】
電源とグランドとの間に２つの出力トランジスタ１１，１２がプッシュプル動作するよう設けられる一方、出力トランジスタ１１，１２のベース電流が所定値以上となったことを検出する電流モニタ回路３と、電流モニタ回路３の出力により発振動作を行う発振回路４とが設けられ、電流モニタ回路３により出力トランジスタ１１，１２のベース電流が所定値以上であることが検出されると、発振回路４が動作開始し、増幅回路２へ電流供給を行う電流源５の動作が停止せしめられ、出力トランジスタ１１，１２も動作停止とされて、出力トランジスタ１１，１２の大電流が遮断されるようになっている。 （もっと読む）

【課題】スイッチ素子に過電流が流れたときに、所定時間遅延させて、過電流を検出することができるスイッチングアンプを提供する。
【解決手段】トランジスタＱ２、Ｑ３は、ＭＯＳＦＥＴ１５がオン状態のときにオン状態になりブートストラップ電圧＋ＶＢをコンデンサＣ３に出力し、ＭＯＳＦＥＴ１５がオフ状態のときにオフ状態になり電圧＋ＶＢのコンデンサＣ３への出力を遮断する。コンデンサＣ３は、電圧＋ＶＢによって、ＭＯＳＦＥＴ１５に流れる電流に対応する電圧まで充電され、その充電電圧を検出入力端子２１に供給する。ドライバ１１は、検出入力端子２１に入力された電圧が基準電圧以上である場合に、ＭＯＳＦＥＴ１５に過電流が流れていると判断し、駆動信号の出力を停止する。 （もっと読む）