【課題】レイアウト面積の増大を防ぎ、温度依存特性のない基準電流を発生させることのできる基準電流発生回路を提供。
【解決手段】差動増幅器12を備える定電流発生回路14と、定電流発生回路14に接続され差動増幅器16を備える定電流発生回路18と、定電流発生回路18に接続され、基準電圧Vref1およびVref2を出力する出力回路20とを有し、定電流発生回路18は、熱電圧に比例する定電流を加算するトランジスタのミラー比を選択可能とし、ダイオード電圧に比例する定電流を発生させる差動増幅回路16の入力に、高インピーダンスMOSゲートを介して抵抗R1による分割電圧を印加する際に、分割されたノードを切替え可能として基準電流を発生する。 （もっと読む）

【課題】回路規模を増大させることなく、ＰＬＬ又はＤＬＬの制御電流に対する定電流回路の雑音の混入を防ぐ。
【解決手段】電流制御回路は、入力電流に対してミラー比を用いて第１電流及び第２電流を出力する第１カレント・ミラー回路１０２と、ＭＯＳトランジスタ１０３のゲートにゲートバイアス電圧を印加するバイアス回路１０４と、定電流回路１０４と、ＭＯＳトランジスタ１０３が導通状態である場合に第１カレント・ミラー回路１０２から出力された第１電流及び第２電流と定電流を合成した電流であるＭＯＳトランジスタ１０３に流れる補正電流を合成して出力し、ＭＯＳトランジスタ１０３が非導通状態である場合に第１カレント・ミラー回路１０２から出力された第１電流を出力する電流出力端子１０６とを備え、ＭＯＳトランジスタ１０３は、第１カレント・ミラー回路１０２の制限電流と入力電流の大小関係に応じて導通状態又は非導通状態が切り替わる。 （もっと読む）

【課題】バイアス回路により、電源投入後短時間に安定なバイアス動作を行うことができ、長時間にわたりバイアス回路が電源変動に対し不安定になることを防ぐ。
【解決手段】バンドギャップリファレンスを有するバイアス回路であって、前記バンドギャップリファレンスに駆動電流を供給する第１の電流路１０５と、電源投入後、所定期間前記バンドギャップリファレンスに対して電流を供給する第２の電流路１１４とを設ける。 （もっと読む）

【課題】 単電源で動作し、かつ、スピーカー及びヘッドフォンが接続される増幅回路において、抵抗値の高いヘッドフォンが接続されている状態で、電源をオン状態又は電源オフ状態にする際のノイズ発生を抑制する増幅回路を提供すること。
【解決手段】 電源がオン状態とされるとき又は電源がオフ状態とされるときに、抵抗Ｒ３を信号出力端子ＲＯＵＴに対して接続状態とすることにより、時定数を小さくすることができる。そのため、コンデンサＣ７の充放電時間を迅速化することができ、信号出力端子ＲＯＵＴの出力信号の直流成分と、電源ラインＶ−の電圧との誤差を小さくすることができ、誤差に起因するノイズを低減することができる。また、通常状態においては、抵抗Ｒ３を信号出力端子ＲＯＵＴから開放状態とするので、信号出力端子ＲＯＵＴの出力信号が抵抗Ｒ３に流れて無駄な電力が消費されることを防止できる。 （もっと読む）

【課題】位相補償特性を確保しつつ電源電圧除去比を改善でき、そのための回路は規模が小さく、低消費電流のもので実現できるようにした演算増幅器の提供。
【解決手段】この発明は、差動増幅回路１と、この差動増幅回路１の後段に直列に接続される出力増幅回路２と、入出力特性の位相補償を行う位相補償回路３と、この位相補償回路３に交流電流を供給する電流供給回路５と、を備えている。電流供給回路５のインピーダンスは、位相補償回路３のインピーダンスと等しい。位相補償回路３は、直列に接続されたキャパシタＣｃ１および抵抗Ｒｃ１を有する。電流供給回路５は、直列に接続されたキャパシタＣｃ２および抵抗Ｒｃ２を有する。 （もっと読む）

【課題】従来の回路では出力電圧に重畳されるノイズを低減することが困難であった。
【解決手段】本発明のバンドギャップ回路は、第１の電源ラインにＮ型半導体領域が接続される第１のダイオード素子Ｑ２と、第１のダイオード素子Ｑ２のＰ型半導体領域に一端が接続される第１の抵抗Ｒ２と、第１の電源ラインにＮ型半導体領域が接続され、第１のダイオード素子Ｑ２とは異なるサイズの第２のダイオード素子Ｑ１と、第１の抵抗Ｒ２の他端に発生する第１の電位と第２のダイオード素子Ｑ１のＰ型半導体領域に発生する第２の電位に基づき制御電圧を生成する制御電圧生成部１０と、第２の電源ラインと出力端子ｏｕｔの間に接続され、制御電圧に応じた出力電流を出力する出力トランジスタＭ３と、制御電圧生成部１０と出力トランジスタＭ３の制御端子の間に接続されるフィルタ１１と、出力端子ｏｕｔと第１の電源ラインの間に接続される負荷回路１２とを有する。 （もっと読む）

【課題】高速型の画像表示装置に対応可能な偏向アンプ回路を提供する。
【解決手段】アンプ２０１，２０２を二台設け、アンプには並列に接続された複数個の定電流源２３１，２３２を設け、これら定電流源の両端には補助電源２６１，２６２，２７１，２７２と第一トランジスタ２１１，２１２，２２１，２２２とを切り換え可能に接続した切り換えスイッチ２４１，２４２，２５１，２５２を設け、補助電源は直列接続され、その中点は出力となっており、第一トランジスタは正の主電源３に、第二トランジスタは負の主電源４にそれぞれ接続してアンプを構成し、正負の補助電源の中点の出力に抵抗５，６を接続し、一方の第一トランジスタは他方の第二トランジスタと接続し、他方の第一トランジスタは一方の第一トランジスタと接続して、抵抗に流れる電流を相殺することを特徴とするアンプ回路。 （もっと読む）

【課題】 動作速度を犠牲にせず、半導体集積回路の出力信号のリンギングを低減する。
【解決手段】 リンギング低減回路４０ＮＡは、出力信号線１２０および低電位電源線１１２間のＮチャネルトランジスタ４０１と、コンパレータ４１０とを有する。コンパレータ４１０は、出力信号ＯＵＴを高電位電源線１１１のレベルＰＶＤＤＩと比較し、出力信号ＯＵＴがレベルＰＶＤＤＩを越えるオーバシュートが発生しているとき、Ｎチャネルトランジスタ４０１をＯＮ状態とし、オーバシュートを低減する。リンギング低減回路４０ＰＡは、同様の原理により、出力信号ＯＵＴのアンダシュートを低減する。 （もっと読む）

【課題】大振幅入力に対応するため、入力差動対を高耐圧素子を用いて構成する必要があった。
【解決手段】カスコードカレントミラー回路２０は、入力差動対１０に能動負荷として接続される。テール電流源３０は、入力差動対１０にテール電流Ｉｔを供給する。定電流源４０は、入力差動対１０と並列に接続され、テール電流源３０に定電流Ｉｃを供給する。定電流源４０により供給される定電流ＩｃはトランジスタＭ７がカットオフしない値に設定される。 （もっと読む）

【課題】無調整で、より高精度で理想的なベース電流補償回路付きの差動増幅回路を実現する。
【解決手段】 トランジスタＱ１〜Ｑ４、電流源Ｉ１、負荷抵抗Ｒ１，Ｒ２、カレントミラー回路Ｃ１、Ｃ２を備えた差動増幅回路において、カレントミラー回路Ｃ１，Ｃ２に入力電流を与える電流源Ｉ２，Ｉ３とを設け、トランジスタＱ１〜Ｑ４の電流増幅率をβ、トランジスタＱ３，Ｑ４のコレクタ電流をＩとするとき、電流源Ｉ２，Ｉ３の電流値をＩ／β^２に設定する。 （もっと読む）

【課題】 従来のマイクロ波増幅器では半導体素子から発生する熱雑音レベルの種々の周波数成分の不要なマイクロ波を十分吸収させることができず、吸収されないマイクロ波が増幅器内で多重反射し、これによりマイクロ波増幅器が発振したり、不安定動作してしまう課題があった。
【解決手段】 第一の抵抗と先端短絡線路との直列回路と、この直列回路に並列に接続された第二の抵抗と先端開放線路との直列回路とからなる安定化回路を、半導体素子の入力端子、出力端子のうち少なくとも一方の端子に信号路に並列に設け、かつ、第一の抵抗と第二の抵抗、先端短絡線路の長さと先端短絡線路の長さとを等しく選び、かつ、先端短絡線路の特性インピーダンスと先端開放線路の特性インピーダンスとの積が第一の抵抗あるいは第二の抵抗の２乗になるようにした。 （もっと読む）

【課題】相互変調歪みが低減された増幅素子及び増幅回路を提供する。
【解決手段】第１のバイポーラトランジスタと、前記第１のバイポーラトランジスタのコレクタとエミッタとの間に並列接続され、ｐｎ接合方向が同一となるように複数のダイオードが直列接続された過渡電流バイパス回路と、を備え、前記ダイオードの導電層のうち前記エミッタと接続される側の導電型は前記エミッタの導電型と同一であることを特徴とする増幅素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】高周波に適する増幅装置を提供することである。
【解決手段】高周波Ｄ級増幅装置（１０）であって、該増幅装置は出力電力が１ｋＷ以上であり、１００Ｖ以上の供給電圧で動作し、直列に接続された２つのスイッチング素子（１１，１２）、とりわけＭＯＳＦＥにより形成されたハーフブリッジを有し、該ハーフブリッジは２つの給電端子（１８，１９）と、前記スイッチング素子（１，１２）間に接続された出力端子（２４）を備え、前記スイッチング素子（１１，１２）の直列回路に対して並列にバイパスコンデンサ（２０）が設けられている形式の増幅装置において、前記スイッチング素子（１１，１２）と前記バイパスコンデンサ（２０）を通る電流経路は、１０ｃｍ以下の長さを有する、ことを特徴とする増幅装置。 （もっと読む）

【課題】負電源がオンの場合は、余計な電圧降下を及ぼすことなく、負電源がオフの場合には、大電力ＦＥＴに流れ込む電流を抑制し、熱破損を防ぐことを可能とする高出力増幅器を提供する。
【解決手段】ドレイン電源回路に過電流防止回路を備えたＦＥＴ高出力増幅器において、前記過電流防止回路は、ドレインラインとグランドとの間に前記ドレインラインと並列に接続されたｎ型スイッチングＦＥＴを含む回路であり、前記ドレイン電源回路のゲート電圧の異常が発生した場合には、前記過電流防止回路は前記ゲート電圧の異常を検知し、前記ゲート電圧の異常により生ずる前記ＦＥＴ高出力増幅器に流れる過電流を前記グランドへ流すことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】入力端子と出力端子との間のＳＮ比の低下を抑制しつつも、従来構成に比べて出力電圧への影響を抑制可能な直流成分の大きさの上限を広げることができる電流電圧変換回路およびそれを備えた煙感知器を提供する。
【解決手段】平均化回路部４は、変換部３の出力電圧Ｖｏｕｔを積分することで、変換部３の出力電圧Ｖｏｕｔの平均値成分に相当する平均電圧Ｖｄｃを出力する。分流回路部５は、平均電圧Ｖｄｃの大きさに応じた電流を入力電流Ｉｉｎから引き抜いて分流用抵抗Ｒ１に流すことによって出力電圧Ｖｏｕｔから平均値成分を減算する。分流用抵抗Ｒ１に並列に接続された切替回路部９は、分流用抵抗Ｒ１の両端間の電位差が所定の閾値を超えると、分流用抵抗Ｒ１の両端間の抵抗値を小さくすることにより入力電流Ｉｉｎから分流回路部５に引き抜く電流量を増加させる。 （もっと読む）

【課題】 従来の受光回路では、過飽和状態によるＩ−Ｖ変換回路への影響と、オフ状態のフォトダイオードに光が入力される場合にＩ−Ｖ変換回路に与える光電流の影響とを同時に解決することができなかった。
【解決手段】 受光回路は、光入力信号を電流信号に変換して出力する第１の受光素子と、電流信号を電圧信号に変換して出力する電流電圧変換回路と、第１の受光素子と電流電圧変換回路との間に接続された第１のスイッチ素子と、第１の電圧源と第１の受光素子との間に接続され、第１の電圧源から第１の受光素子への電流経路を形成する第１の電流供給素子とを有する。 （もっと読む）

無線周波数（ＲＦ）電力をプラズマ室に印加するための無線周波数発生装置はＤＣ電源（Ｂ+）を含む。無線周波数スイッチは中心周波数ｆ₀の上記ＲＦ電力を発生させる。低域通過散逸終端回路網はＤＣ電源（Ｂ+）とスイッチとの間に接続され、第一遮断周波数にて作動する。スイッチはシステムの忠実度を向上させる出力回路網へ信号を出力する。出力回路網は所定周波数を超えるＲＦ電力を通過させる高域通過サブ高調波負荷絶縁フィルターへ送られる出力信号を発生させる。低域高調波負荷絶縁フィルターが出力回路網と高域通過サブ高調波負荷絶縁フィルターとの間に挿入されてもよく、高調波終端回路網が出力回路網の出力に接続されてもよい。高域通過終端回路網は所定周波数を超える周波数のＲＦ電力を散逸させる。オフラインショートまたは分路回路網はスイッチの出力と出力回路網の入力とに接続され、所定周波数にてスイッチの出力を短絡させてもよい。
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【課題】カレントミラー回路の精度を向上する。
【解決手段】ベース・コレクタ間が短絡されたトランジスタＱ１と、トランジスタＱ１のベースにベースが接続されたトランジスタＱ２とを含み、トランジスタＱ１のコレクタにゲートが接続され、ソースが第１および第２トランジスタのベースに接続され、ドレインが電源に接続されたＭＯＳ型の補償トランジスタを有する。これによって、トランジスタＱ１に流れる電流に応じた電流をトランジスタＱ２に流すが、補償トランジスタＱ５には、ベース電流が不要となる。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路の電流出力バッファ回路の電流を増加させずに、または、少ない電流増加量で、伝送信号のエンファシスあるいはディエンファシスを実現する。
【解決手段】半導体集積回路において、定電流Ｉｓで駆動され、差動的な伝送信号入力inp、innのビットレートに応じて出力インピーダンスが制御される電流出力バッファ回路を具備し、電流出力バッファ回路から信号伝送路に出力される信号波形が伝送信号入力のビットレートに応じて制御される。 （もっと読む）

【課題】カップリングキャパシタの充電時間中に信号処理が行えない。
【解決手段】増幅回路１００は、増幅部１０および充電回路２０を備える。増幅部１０には、カップリングキャパシタＣ１を介してオーディオ信号Ｓ１が入力される。増幅部１０は、このオーディオ信号Ｓ１を増幅（減衰、あるいは単なるインピーダンス変換を含む）する。充電回路２０は、増幅回路１００の起動時にオン状態となり、増幅部１０の入力端子に接続されるカップリングキャパシタＣ１の一端１０２を充電する。 （もっと読む）