半導体部品の製造プロセスの排ガスまたはプロセスガスを除去するための方法であって、前記排ガスまたはプロセスガスは以下の、a)硫黄(S)、b)セレン(Se)、c)テルル(Te)およびd)ポロニウム(Po)のうちの少なくとも1つを含有する少なくとも1つの水素化カルコゲン化合物を含み、前記水素化カルコゲン化合物は、前記プロセスガスを少なくとも1つの塩基の水溶液に導き、前記少なくとも1つの塩基を前記水溶液に供給し、流出排ガス流を前記水溶液から抽出することにより、ウェットスクラバー中で前記プロセスガスから除去され、供給される塩基の量は前記溶液のpH値が12超となるように制御されることを特徴とする方法。本発明による装置(1)および方法は、例えば光起電力モジュールなどの半導体部品の製造プロセスの排ガスからの、水素化カルコゲン化合物の効率的な除去を可能にする。
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【課題】 メンテナンス性を向上するとともに、反応生成物の捕捉効率を向上する。
【解決手段】 基板を処理する処理室と、前記処理室に処理ガスを供給するガス供給管ラインと、前記処理室からの排気ガスを排気するガス排気ラインと、ガス排気ラインの途中に設けられ排気ガスに含まれる成分を除去する排気トラップ３００であって、少なくとも排気ラインに装着されるケース３１０と、ケース開口部を閉塞する蓋体３３１と、排気ガスに含まれる成分を捕集する捕集体３４３と、前記蓋体３３１に設けられ前記捕集体３４３を支持する中空支持体と、前記蓋体３３１外側から前記蓋体３３１を貫通し前記中空支持体内に至るように配置されるヒートパイプ３４５とで構成される排気トラップ３００とを備える。 （もっと読む）

【課題】ホスフィンの無害化のために使用される除害塔内に残存するリンを短時間かつ安全に無害の化合物に変換する除害塔におけるリンの安定化方法を提供する。
【解決手段】ホスフィンを含む有毒ガスを無害化する除害剤が充填された除害塔におけるリンの安定化方法であって、ホスフィンの無害化処理後に残存するリンを安定な化合物にするため、除害塔内に硝酸銅溶液を循環させる工程を有し、循環される硝酸銅溶液に含まれる硝酸イオン濃度と、銅イオン濃度が下記の関係にある。Ｘ座標を硝酸イオン濃度（ｇ／Ｌ）、Ｙ座標を銅イオン濃度（ｇ／Ｌ：ただし対数スケール）とした場合、Ｐ１（０．１０，０．０５），Ｐ２（７３，０．０５），Ｐ３（１０５，０．１０），Ｐ４（１０７，１．０），Ｐ５（９２，１０），Ｐ６（１４８，５０），Ｐ７（９９，５０），Ｐ８（２０，１０），Ｐ９（２．０，１．０）で囲まれる図形の範囲に含まれる（Ｘ，Ｙ）の組み合わせ。 （もっと読む）

【課題】容器内のエッチング排ガスの流通状態を改善すること。
【解決手段】エッチング排ガスに含まれる有害物質を除去する排ガス処理装置であって、 エッチング排ガスが導入される導入口および導入されたエッチング排ガスが排出される排出口を備えた筒状容器、筒状容器内に充填された除害剤、ならびに、複数の開口部を備えた平板部材を有して成り、平板部材は、除害剤が充填されている筒状容器内の領域を仕切るように配置されていることを特徴とする排ガス処理装置。 （もっと読む）

【課題】水素オフガスを安全かつ迅速に処理することができ、処理コストが低廉で、車両搭載用として好適に用いることができる水素オフガス処理装置、燃料電池システム及び水素オフガスの処理方法を提供する。
【解決手段】電極１２、１３間に、二重壁構造によってガス流路１１ａが形成された反応管１１が設けられており、電極１２、１３は電圧を付与する高圧電源２０に接続されている。ガス流路１１ａ内に水素オフガス及び酸素ガスを含有する混合ガスを供給するガス供給手段が設けられている。 （もっと読む）

本発明は、次の連続した工程：ａ）予備処理工程；ｂ）圧縮工程；ｃ）精製CO₂富化ガス流れを液体、ガスまたは超臨界の状態で回収する工程；を含むCO₂、並びに水、SOxおよびNOxから選択される少なくとも１つの不純物を含む供給ガス流れの精製方法に関する。本発明は、精製工程が水の少なくとも部分的な除去を与える吸着特性を有するNOxおよび／またはSox−中性吸着材の少なくとも第１床が用いて、工程ａ）とｂ）の間でなされることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体製造工程で発生する金属水素化物含有排ガスの除害処理において、高い除害能力を示す除害剤と除害方法とを提供する。
【解決手段】金属水素化物含有排ガスの除害剤及び除害方法に関し、金属酸化物、金属水酸化物、金属炭酸塩、又は金属塩基性炭酸塩の何れか一種又は二種以上のこれら化合物の混合物を成型し、その成型体にアンモニアを吸収させたものを除害剤とし、該除害剤に金属水素化物を含む排ガスを通し除害する。 （もっと読む）

【課題】リン成分の捕集能力を高めたリン捕集装置及びそれを備えた半導体製造装置を提供する。
【解決手段】リン捕集装置内に流入するリン成分を含有するガスＴＧを、リン成分の融点以下に冷却することにより、ガスＴＧ中の気相リン成分を液化あるいは固化させると共に、その液化あるいは固化リン成分を凝縮させて捕集するリン捕集装置本体２の上流に、前記ガスＴＧ中に気相リン成分を液化あるいは固化させるための核となる核物質Ｃを添加するための核物質添加器３を設けた。 （もっと読む）

【課題】長期間にわたってプラズマを良好に発生させて使用することができるプラズマ発生体、プラズマ発生装置、オゾン発生装置、排ガス処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ発生体は、互いの主面が、間に空間Ｓを介して対向する第１電極３及び第２電極４と、第１電極３の両側に接続される第１配線導体８と、第２電極４に接続される第２配線導体９と、第１配線導体４及び第２配線導体９にそれぞれ接続される一対の外部端子１０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、吸着体の温度を均一とし、吸着体の電気的設計の自由度を高め、吸着物質を離脱させるための、キャリアガスの使用量を抑え、吸着物質の回収率を高め、メンテナンス容易な通電加熱によって再生する吸着体及びそれを用い吸着回収装置を提供することを目的とする。
【解決手段】上記課題を解決するために、本発明は、吸着した吸着物質を通電加熱により離脱させるシート状の吸着材２と、前記吸着材２の両端全長に接続した両電極３、３ａとからなる吸着体であって、前記電極３、３ａの長さが、両電極３、３ａ間の長さより長いことを特徴とする吸着体１の構成とした。 （もっと読む）