【課題】半導体製造装置から排出された後、加熱処理された排ガス中に含まれる粉塵およびフッ化水素等の除去効率が高く、かつ、フッ化水素等との反応に用いられる消石灰を無駄なく反応させることのできる濾過式集塵機を提供する。
【解決手段】排ガス加熱装置１２からの排ガスＦを受け入れ、この排ガスＦを乾式処理した後、排気ファン１６に導出する本体部２０と、フィルタ２８で濾過された後の排ガスＦの一部をケーシング２４の上部空間２４ｃから下部空間２４ｄに循環排ガスＣＦとして循環させる循環部２２とを有する濾過式集塵機１４において、ケーシング２４の下部空間２４ｄに循環排ガスＣＦを導入する循環用排ガス導入ダクト４６をケーシング２４の底部２４ｂに接続することにより、上記課題を解決することができる。 （もっと読む）

【課題】揮発性有機化合物を含む水蒸気を燃焼装置に供給する場合に、燃焼装置にて所望の燃焼状態を得る。
【解決手段】ガスタービン２に浄化容器１１から排出したＶＯＣ含有水蒸気を供給する処理を行う場合に、先に純粋水蒸気のみをガスタービン２に供給し、その後ガスタービン２に供給するＶＯＣ含有水蒸気の割合を増加させる。 （もっと読む）

【課題】Ｈ₂Ｏと炭素含有成分とを含むガス体中のＨ₂Ｏを反応剤として用いることができ、高い酸化性能で炭素含有物質を酸化することができる酸化装置を提供すること。
【解決手段】Ｈ₂Ｏ４と炭素含有成分５とを含むガス体中の炭素含有成分５を酸化する酸化装置１である。プロトン導電体２と、プロトン導電体２上に配置された電極部材３とからなる。プロトン導電体２は、導電率が４００℃以下の温度において０．０１Ｓｃｍ^-1以上である。電極部材３は、互いに接触するアノード電極部３１及びカソード電極部３２を有する。アノード電極部３１によって、アノード電極部３１とプロトン導電体２との境界部分に接触したＨ₂Ｏ４からプロトン（Ｈ^＋）を分離し、プロトン導電体２に取り込む反応を促進する。カソード電極部３２によって、カソード電極部３２とプロトン導電体２との境界部分において、プロトン導電体２から供給されるプロトンによる還元反応を促進する。 （もっと読む）

流体流から元素状微量汚染物質を除去する方法であって、この方法は、元素状微量汚染物質を含む流体流を、酸化触媒を含むフロースルーモノリスに通して、この元素状微量汚染物質を酸化する工程、および、この酸化された微量汚染物質を含む流体流を、酸化触媒を含まない吸着剤と接触させて、酸化された微量汚染物質を吸着する工程、を含む。
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【課題】接着強度に優れ、粒状体の機能性を最大限に活用できる粒状体の接着方法が必要とされている。
【解決手段】本発明の粒状体の接着方法は、粒状体の表面を被覆するとともに粒状体同士を連結しているホットメルト樹脂膜８に、微細孔９を形成することによって流体透過性を持たせることを特徴とする。粒状体をホットメルト樹脂膜８が被覆しているので接着強度が大きく、ホットメルト樹脂膜８が流体透過性を有しているので流体の粒状体への到達や粒状体からの流体の放出が促進され、粒状体の吸着容量を最大限に活用できる粒状体の接着方法である。 （もっと読む）

【課題】シラン系ガスの除害能力を増大させることができる除害剤及び除害方法を提供する。
【解決手段】酢酸銅を銅原料として製造した塩基性炭酸銅を主成分とした除害剤である。シラン系ガスを除害するには、シラン系ガスを含むガスを、前記除害剤に接触させることで行うことができる。さらに、前記除害剤に接触させた後、金属酸化物を主成分とする第２の除害剤に接触させること、また、前記除害剤に接触させた後、前記金属酸化物を主成分とする第２の除害剤に接触させる前に脱水剤に接触させることにより、全体としての除害能力を大幅に向上させる。 （もっと読む）

【課題】２種類以上の排気ガスを十分に除害する。
【解決手段】本発明に係る排ガス処理部（ガス処理装置）１０８は、第１の排気ガスを主に含有する排気ガスを処理する第１のガス処理部１１４と、第２の排気ガスを主に含有する排気ガスを処理する第２のガス処理部１１５とを備えているそして、第１のガス処理部１１４において、第１のガス除害部１１６は、第２のガス除害部１１７に対して排気ガスの流入方向上流側に配設されており、第２のガス処理部１１５において、第２のガス除害部１１８は、第１のガス除害部１１９に対して排気ガスの流入方向上流側に配設されている。したがって、排気ガス中に第１の排気ガスおよび第２の排気ガスの両方が含まれていたとしても、十分に排気ガスを除害することが可能である。 （もっと読む）

水素、亜酸化窒素若しくは炭化水素ガスなどの燃料ガスのみ又は燃料ガスと酸化ガスの両方を含むガス流を処理する方法が記載されている。前記ガス流は、複数のポンプ段階を有する真空ポンプ配列を介して運ばれる。最後のポンプ段階の直前又は直後に、ガス状の酸化剤を前記ガス流に加えて前記燃料ガスを酸化させる工程が行われる。このようにして前記ガス流を処理することにより、前記燃料ガスの制御不能な燃焼のリスクを最小限にすることができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体製造等のレジスト処理工程における超清浄空間から排出される分子状汚染物質を含有する排気を、製造設備ラインの操業を停止させることなく除去清浄化し、精密に調温・調湿して、超清浄空間に長期間に亘って連続安定に循環供給する。
【解決手段】 半導体又等のレジスト処理工程排気を清浄化して循環供給するレジスト処理工程排気の清浄化方法において、排気を処理空気として加湿冷却装置に取り入れて加湿冷却空気を得、これを回分式温度スイング吸着装置に通じて汚染物質除去した後に、さらに、調温調湿装置で調温・調湿と分子状汚染物質及び粒子状汚染物質の除去を実施するレジスト処理工程排気の清浄化方法を提供する。 （もっと読む）

少なくとも１つの燃焼室を有する燃焼装置内で、酸素含有排煙（９）の排煙物質を浮遊流硫酸塩化するための方法である。本発明の課題は、硫酸塩化可能な排煙物質の実際上完全な浮遊流硫酸塩化のための方法を開発することにあり、そしてこれによって塩化物含有浮遊灰の形成の最少化が、硫黄酸化物の低減された使用で可能になる。この課題は、排煙物質が排ガス焼却帯域を通過後、反応室（２２）によって誘導され、排煙中に４〜２０秒の滞留時間にわたって７００〜９００℃の反応温度を占めさせ、この際に硫酸塩化可能な排ガス物質が排ガス中に存在するＳＯ₂／ＳＯ₃と共に貫流の際に固体硫酸塩灰粒子（２４）に移行し、そして浮遊灰中のハロゲン化物濃度が低減されることによって解決される。
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