【課題】耐電圧や遮断性能やコンデンサ開閉性能を向上できる真空遮断器用電極材料の製造方法及び真空遮断器用電極材料を提供する。
【解決手段】真空遮断器用電極材料は、混合工程と、プレス焼結工程と、Ｃｕ溶浸工程で製造する。混合工程で、粒径が０．８〜６μｍのＭｏ粉と粒径が４０〜３００μｍのテルミットＣｒ粉とを、混合比率をＭｏ：Ｃｒ＝１：１〜９：１にすると共に混合重量をＭｏ≧Ｃｒにして均一に混合する。プレス焼結工程で、混合した混合物をプレス圧１〜４ｔ／ｃｍ^２で加圧成形して成形体を形成し、かつ成形体を加熱炉において１１００〜１２００℃の温度で１〜２時間保持する焼結を行って仮焼結体を作る。Ｃｕ溶浸工程で、仮焼結体上にＣｕ薄板を配置し、加熱炉において１１００〜１２００℃の温度で１〜２時間保持することで仮焼結体中にＣｕを液相焼結させて溶侵させる。 （もっと読む）

【課題】簡便で容易な方法で、Ｍ_３Ｂ_２型分散物を含む合金を作製する方法を提供する。
【解決手段】Ｍ_３Ｂ_２型分散物を含む合金の製造方法であって（Ｍは、１または２種以上の金属元素であり、Ｂは、ホウ素である）、（ａ）少なくとも、ホウ素を含まない第１の粉末、およびホウ素を含む第２の粉末を準備する。前記第１の粉末は、平均粒径が１３．５μｍ〜１７．５μｍの範囲にあり、前記第２の粉末は、平均粒径が１００μｍ以下の範囲にある。（ｂ）前記第１の粉末および第２の粉末を混合した混合粉末。（ｃ）前記混合粉末を成形型に入れ、前記混合粉末を成形する成形体。（ｄ）前記成形体を減圧環境下で熱処理した所望の形状の前記合金。 （もっと読む）

【課題】高い強度を有するマグネシウム−シリコン系熱電変換材料およびその製造方法を提供することにある。
【解決手段】
また本発明によれば、原料として少なくとも金属Ｍｇと金属ＳｉとＳｉＯ_２を使用し、これらを混合した状態で、真空もしくは不活性雰囲気中、４５０〜１０００℃で熱処理するマグネシウム−シリコン系熱電変換材料の製造方法が提供される。
さらに本発明によれば、Ｃｕ−Ｋα線をＸ線源とするＸ線回折測定において、ＭｇＯ相に起因する２θ＝４２．０°〜４４．０°の範囲に現れる最強ピーク強度（Ｉａ）とＭｇ_２Ｓｉ相に起因する２θ＝３９．０°〜４１．０°の範囲に現れる最強ピーク強度（Ｉｂ）との強度比（Ｉａ／Ｉｂ）が０．６以下（０を含まない）であるマグネシウム−シリコン系熱電変換材料が提供される。 （もっと読む）

【課題】 低コストにて生産でき、かつ、高い透磁率と高い飽和磁束密度の両方の特性を兼ね備えた磁性体を用いたコイル型電子部品を提供する。
【解決手段】 素体の内部あるいは表面にコイルを有するコイル型電子部品であって、コイル型電子部品での素体は、鉄、ケイ素および鉄よりも酸化しやすいを含有する軟磁性合金の粒子群から構成され、各軟磁性体粒子の表面は当該粒子が酸化した酸化層が形成され、当該酸化層は当該合金粒子に比較して鉄よりも酸化しやすいを多く含み、粒子同士は、当該酸化層を介して結合されている。 （もっと読む）

【課題】焼結スプロケットなどの焼結部品について、重ねた状態での焼結を安定して行えるようにする。
【解決手段】複数個を積み重ねて焼結を行う焼結部品１を、重ね面となす部品の端面５に周方向に列をなす微小な突起７を有し、その突起７が径方向に列の位置を変えて少なくとも３列設けられ、奇数列Ｇ_Ｌの突起７は端面５の中心から放射状に延びだす直線上に配置され、偶数列Ｅ_Ｌの突起７は前記放射状に延びだす直線間に配置されたものにする。 （もっと読む）

【課題】匣鉢で焼成された粉体の冷却に際し、長大な粉体冷却スペースまたは強力な冷却能力を有する冷却装置の設置を不要とする冷却装置および冷却方法を提供すること。
【解決手段】匣鉢内の粉体を吸引して回収する粉体吸引ノズル１と、粉体吸引ノズル１から吸引された粉体を輸送する輸送ライン２を備えた粉体の冷却装置であって、固定配置された粉体吸引ノズル１の下方で匣鉢３を移動させる匣鉢移動手段５あるいは固定配置された匣鉢３の上方で粉体吸引ノズル１を移動させる粉体吸引ノズル移動手段を備え、匣鉢移動手段あるいは粉体吸引ノズル移動手段は、匣鉢内の粉体を層状に吸引するために垂直方向で段階的に移動し、同一高さの水平方向で連続的に移動する移動機構を有する。 （もっと読む）

【課題】セッターの劣化を防止しつつ、焼結密度の高い焼結体を製造可能な焼結体の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の焼結体の製造方法は、金属粉末と有機バインダーとを含む組成物を、所定の形状に成形し、成形体を得る成形工程と、ＳｉＯ_２（シリカ）を含むセッター（治具）を炉内に備えた焼成炉を用いて、成形体を焼成し、焼結体を得る焼成工程とを有し、焼成工程において、焼成炉の炉内雰囲気を不活性ガス雰囲気とし、かつ、炉内圧力を０．１ｋＰａ以上１００ｋＰａ以下に設定するとともに、焼成工程における昇温過程において、途中で炉内圧力を上昇させることを特徴とする。また、炉内圧力の上昇は、炉内温度が９００℃以上１２００℃以下の温度範囲にあるときに行われるのが好ましく、炉内圧力の上昇により、炉内圧力を３５ｋＰａ以下から、３５ｋＰａ超とするのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】焼結時における単磁区粒子径を有する磁石粒子の粒成長を抑制するとともに、磁気性能を向上させた永久磁石及び永久磁石の製造方法を提供する。
【解決手段】粉砕されたネオジム磁石の微粉末に対して、Ｍ−（ＯＲ）_ｘ（式中、ＭはＶ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ又はＮｂである。Ｒは炭化水素からなる置換基であり、Ｒは炭素数２〜６のアルキル基のいずれかであり、直鎖でも分枝でも良い。ｘは任意の整数である。）で示される有機金属化合物が添加された有機金属化合物溶液を加え、ネオジム磁石の粒子表面に対して均一に有機金属化合物を付着させる。その後、乾燥させた磁石粉末をプラズマ加熱により仮焼処理を行い、更に、仮焼された粉末状の仮焼体を成形後に焼結することにより永久磁石１を製造する。 （もっと読む）

【課題】レーザ焼結される部品が極めて小さかったり、少なかったりする場合には、必要とされる粉末量を減少でき、さらに構成空間体積を可変とし、その時々の要求に適合され得るようにしたレーザ焼結装置の下部構成空間を縮小するための装置を提供する。
【解決手段】既存のレーザ焼結装置において、下部構成空間を縮小可能なように、付加的な又は新たな複数の側壁を設ける。該側壁に適合されたアタッチメントが、既存或いは新たなプラットホームに付与される。該側壁による様々な領域がそれぞれ異なる強さで、又は同じ強さで加熱或いは冷却可能である。さらに、該側壁は、摺動及び固定機構によって可変に調節可能である。下部構成空間は、良好な断熱特性を有する構成フィールドプレートによってカバーされる。 （もっと読む）

【課題】仮焼処理により活性化された仮焼体の活性度を低下させる永久磁石及び永久磁石の製造方法を提供する。
【解決手段】粉砕されたネオジウム磁石の微粉末に対して、Ｍ−（ＯＲ）_ｘ（式中、ＭはＶ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ又はＮｂである。Ｒは炭化水素からなる置換基であり、直鎖でも分枝でも良い。ｘは任意の整数である。）で示される有機金属化合物が添加された有機金属化合物溶液を加え、ネオジム磁石の粒子表面に対して均一に有機金属化合物を付着させる。その後、乾燥させた磁石粉末を水素雰囲気において２００℃〜９００℃で数時間保持することにより水素中仮焼処理を行い、更に、水素中仮焼処理によって仮焼された粉末状の仮焼体を真空雰囲気で２００℃〜６００℃で数時間保持することにより脱水素処理を行う。 （もっと読む）