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国際特許分類[B28D5/04]の内容

処理操作;運輸 (1,245,546) | セメント,粘土,または石材の加工 (6,498) | 石材または石材類似材料の加工 (2,419) | 宝石類,結晶体の精密加工,例.半導体の材料;そのための装置 (1,411) | 回転式以外の工具によるもの,例.往復動工具 (429)

国際特許分類[B28D5/04]に分類される特許

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【課題】接着剤を用いることがなくてもワイヤの挙動が安定し、ワイヤの断線のおそれが低減され、ワークの切断精度が向上するワーク切断装置及びワーク切断方法を提供する。
【解決手段】ワーク切断装置は、複数のブロック状ワークの端面同士を押し当てて重ねた集合体であるワークを同時に複数の片状ワークに切断する複数のワイヤを有するワーク切断部と、ワークが保持され収納されるワーク収納部と、ワーク収納部に収納されたワークを、位置固定されたワーク切断部に対して切断方向に押し出す押出手段と、片状ワークが載置され、片状ワークの落下高さを規制する落下高さ規制板を含む。 (もっと読む)


【課題】ダイヤモンドワイヤが硬脆材料をカットする効果を更に向上させ、且つダイヤモンドワイヤの使用寿命も更に延長することができるカット冷却装置を提供する。
【解決手段】連続する面又は複数の面に囲繞されて形成され一時的に冷却液を滞留し蓄えることができる閉塞空間である液槽4を設け、且つ液槽4を囲繞形成する面又は各面の間が連続した閉状態又は半開放状態を呈し、且つ硬脆材料に対してカットするダイヤモンドワイヤ1のカット部位が、前記液槽4を通過し随時前記冷却液中に浸漬するとともに、前記液槽4の下に分離収集器5を設ける。 (もっと読む)


【課題】接着剤を用いることなくても複数段のブロック状ワークの摺動状態又は保持状態が安定し、切断精度が向上するワーク切断装置及びワーク切断方法を提供する。
【解決手段】ワーク切断装置は、複数のワイヤを有するワーク切断部と、位置決め用基準面を有する位置決め用基準板と、位置決め用基準面にワークを押し当てる状態で位置決め用基準面に直交する方向にずれないようにワークを位置決めする位置決め用保持部材と、を有するワーク位置決め体と、位置決め用基準面に直交する挟持用基準面を有する挟持用基準板と、挟持用基準板に対向配置されて前記ワークが切断される方向の端部にスリットを有する挟持用保持部材を有し、ワイヤ長手方向に位置するワークの両端を挟持するワーク挟持体と、ワークを、位置固定されたワーク切断部に対して切断方向に押し出す押出手段と、を含み、ワイヤがスリットを通過する。 (もっと読む)


【課題】接着剤を用いずに複数のブロック状ワークを複数段積み重ねて切断する場合に、切断精度の低下を抑制すること。
【解決手段】このワーク切断方法は、切断対象となる複数のブロック状ワークをワイヤで切断するにあたって、複数のブロック状ワークを複数段積み重ねる準備工程と(ステップS11)、ワイヤで複数のブロック状ワークを切断する切断工程と(ステップS13)、を含む。切断工程においては、第1のブロック状ワークの段を切断中に、第1のブロック状ワークの段に隣接して積み重ねられた第2のブロック状ワークの段の切断が開始されるように前記ワイヤの撓みが制御される。 (もっと読む)


【課題】反りが小さい六方晶系半導体板状結晶を効率良く製造する方法を提供すること.
【解決手段】結晶切断用ワイヤーにより六方晶系半導体結晶を切削して板状結晶を製造する方法であって、前記六方晶系半導体結晶に対して25°< α ≦ 90°およびβ = 90°±5°[αは六方晶系半導体結晶のc軸とワイヤーにより切り出される結晶面の法線とがなす角度であり、βは六方晶系半導体結晶のc軸をワイヤーにより切り出される結晶面上に垂直投影した基準軸と切削方向とがなす角度である。]の各条件を満たすように前記結晶切断用ワイヤーを移動させて切削することを特徴とする六方晶系半導体板状結晶の製造方法。 (もっと読む)


【課題】サファイアの切断能率を上げ、切断時間を短縮できる切断方法を提供する。
【解決手段】ワイヤソーを用いたサファイアの切断方法であって、化学作用を有する砥粒2を含む溶液3をワイヤ6が被工作物4を切断している切断部に供給しながら切断する。 (もっと読む)


【課題】固定砥粒ワイヤソーに供給するスラリの調整が容易で且つ安定した切断が図れるようにする。
【解決手段】スラリ廃液3を受ける第1槽5Aと、第1槽5Aのスラリ廃液3bを導入してスラリ2を分離する遠心分離機14と、遠心分離機14のスラリ2を受ける第2槽5Bと、第2槽5Bのスラリ2を固定砥粒ワイヤソー1に供給するスラリ供給系路26と、第2槽5Bのスラリ2を取り出して循環する循環流路28に備えた比重計29と粘度計30による検出値からスラリ濃度を検出する制御器41と、第2槽5Bのスラリ2の一部を廃スラリ31として排出するスラリ排出系路33と、新スラリ2aを第2槽5Bに供給する新スラリ供給系路38とを備え、制御器41で検出するスラリ濃度が規定濃度を保持するように、スラリ排出系路33による廃スラリ31の排出と新スラリ供給系路38による新スラリ2aの供給とを行う。 (もっと読む)


【課題】マルチワイヤソーでの切断時に、分離プレートの挿入時やマウンティングプレートからの分離及び個別化時のウェハの損傷を回避する方法を提供する。
【解決手段】インゴットをギャング長さ(刃部の幅)LGを有するワイヤソーによって同時に多数のウェハに同時に切断する。工作物の長さをLi、工作物間を識別する分離プレート挿入スペースなどを考慮した工作物間の最小間隔をAminとすると、
[数1]


を満足し、かつ右辺ができるだけ大きくなるように同時に切断する工作物の組み合わせを選定する。次に工作物の間隔A(A≧Amin)が下式を満たすように決めてマウンティングプレート11に固定する。
[数2]
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【課題】ワイヤソーにおけるワイヤの使用量を抑制できるインゴットの切断方法を提供すること。
【解決手段】インゴットを切断するワイヤソーを用いて、複数のインゴットを順次に切断するインゴットの切断方法であって、前記ワイヤソーのワイヤを一方向に送りつつ1つのインゴットを切断する工程と、この切断時における、前記ワイヤが前記1つのインゴットから離れたときのワイヤの送り位置を基準として、当該ワイヤを以下の数式(1)で示される距離Lだけ他方向に巻き戻す工程と、この巻き戻した状態のワイヤに次のインゴットを接触させ、前記ワイヤを一方向に送りつつ前記次のインゴットを切断する工程とを実施する。
0<L<Xa+Xb…(1)
数式(1)中、ワイヤ径減少領域R1の長さをXaとし、ワイヤ径増加領域R3の長さをXbとする。 (もっと読む)


【課題】ワイヤの断線を抑制するとともに、加工速度の低下を抑制する、半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の製造方法は、砥粒が固着されたワイヤWを単数列または複数列用いてインゴット1を切断することにより半導体基板を製造する方法であって、インゴット1を準備する工程と、ワイヤWの延在方向に対して交差する方向yにワイヤを回転させながら、インゴット1を切断する工程とを備えている。切断する工程では、ワイヤWを往復運動することが好ましい。 (もっと読む)


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