【課題】ペロブスカイト型銅酸化物において、１００Ｋを超える高温超電導体が見出され
ているが、まだ、室温超伝導体は見出されていない。
【解決手段】化学式ＬａＦｅＯＰｈ（Ｐｈは、Ｐ、Ａｓ及びＳｂのうちの少なくとも１種
）で示され、ＺｒＣｕＳｉＡｓ型（空間群Ｐ４／ｎｍｍ）の結晶構造を有する化合物で超
伝導転移を見出した。ＬａＦｅＯＰｈは、一般化学式ＬｎＭＯＰｎ（Ｍは遷移金属）で示
される遷移金属イオンを骨格構造に有する層状構造化合物群の一員である。ここで、Ｌｎ
は、Ｙ及び希土類金属元素（Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，
Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ、Ｙｂ，Ｌｕ）の少なくとも一種であり、Ｍは，遷移金属元素（Ｆｅ，
Ｒｕ，Ｏｓ）の少なくとも一種であり、Ｐｎは、プニクタイド元素（Ｎ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ
）の少なくとも一種である。この化合物はＦイオンの添加などにより、キャリア数を変化
させ、転移温度を制御できる。 （もっと読む）

固体コアのみを備えたコア構造を有する、または、無機物質から成る固体シェルによって取り囲まれた固体コアを備えたコア‐シェル構造を有する凝集していない固体ナノ粒子を少なくとも二つ備えたビード。該ナノ粒子は無孔質金属酸化物でコーティングされている。該ビードの作製方法。該ビードを含有するガラス、結晶、セラミック、ポリマー等の物質。 （もっと読む）

【課題】ナノ複合材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】外表面上が金属酸化物でコーティングされている複数のナノ粒子と、前記ナノ粒子を固定し、内部に該ナノ粒子を分散されてなる金属酸化物のマトリックスと、
を含むことを特徴とするナノ複合材料である。これにより、製造過程で発生しうるマクロ及びマイクロの亀裂が防止され、経時的発光による光安定性が向上し、その光の輝度が改善されうる。 （もっと読む）

【課題】太陽電池などの光電変換装置および発光装置に有用な新規な化合物、その化合物を用いた光電変換装置および発光装置、並びにその発光装置を用いた光通信用装置を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族元素とＶ族元素との化合物であって、ＧａＡｓまたはＧｅにほぼ格子整合し、Ｖ族元素はＢｉおよびＰを含む化合物である。ここで、化合物の３００Ｋの温度における格子定数は０．５６ｎｍ以上０．５７ｎｍ以下であることが好ましい。また、化合物のエネルギギャップは１．４ｅＶ以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】元素組成の均一化が図れるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体多結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】封管内にＩＩＩ族原料およびＶ族原料を分けて配置し、封管全体を加熱すると共に、ＩＩＩ族原料の一部の領域を他の部分より高い温度で加熱し（以後、この領域を高温加熱部とする。）、かつ、高温加熱部をＩＩＩ族原料内で移動させ、Ｖ族原料から発生する原料ガスとＩＩＩ族原料とを反応させることにより、ＩＩＩ族原料をＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体多結晶とするＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体多結晶の製造方法において、ＩＩＩ族原料の高温加熱部を、ＩＩＩ族原料の一端から他端に移動させ、その後、移動方向を反転させ、再び、他端方向に移動させる。 （もっと読む）

【課題】 ＩｎＰ微粒子をナノメートルサイズで短時間に効率よく、工業的に有利に製造する方法、およびＩｎＰ微粒子分散液を提供する。
【解決手段】 溶媒中において、２種以上のＩｎ化合物からなるＩｎ原料と１種以上のＰ化合物からなるＰ原料を反応させてＩｎＰ微粒子を製造する方法であって、
前記２種以上のＩｎ化合物として、Ｉｎ−Ｐ結合の形成に際し、Ｉｎ原子に隣接するＰ原子をもつＰ化合物の官能基と反応して脱離を生じさせる基を有する第１のＩｎ化合物１種以上と、前記第１のＩｎ化合物よりも化合物中のＩｎ原子の電子密度が低い第２のＩｎ化合物１種以上を用い、かつ前記溶媒として、ルイス塩基性溶媒を用いるＩｎＰ微粒子の製造方法、およびこの方法で得られたＩｎＰ微粒子分散液である。 （もっと読む）

【課題】 超伝導素子を作成に際して、例えば超伝導トランジスター等にみられる超伝導−非超伝導体の接合における非超伝導体部分に用いる場合に有用である燐化合物からなる材料を提供する。
【解決手段】 Co₂Si型結晶構造をとり、化学組成が式MIrP（M=Ti,Zr,Nb又はMoから選択した１以上の元素）で表わされる化合物であることを特徴とする燐化合物。（但し、各成分M：Ir：Pの比率は基本的には1：1：1であるが、格子欠陥等により組成変動がある場合に、その組成変動範囲を含む） （もっと読む）

チタン含有材料からチタン金属を製造する方法は、チタン含有材料からＭ^ＩＩＴｉＦ_６の溶液を製造する工程、（Ｍ^Ｉ）ａＸｂの添加によって溶液からＭ^Ｉ_２ＴｉＦ_６を選択的に沈殿する工程、選択的に沈殿されたＭ^Ｉ_２ＴｉＦ_６を用いてチタンを製造する工程、を包含する。Ｍ^ＩＩは、ヘキサフルオロチタネートを形成するタイプのカチオンであり、Ｍ^Ｉはアンモニウム及びアルカリ金属カチオンから選択され、Ｘはハライド、サルフェート、ニトライト、アセテート、及びニトレートから選択され、ａ及びｂは１又は２である。
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【課題】 高い発光量子収率を示す量子ドットを提供すること。
【解決手段】 金属化合物と５Ｂ族もしくは６Ｂ族原子の供給源である化合物とを、トリオクチルホスフィン（ＴＯＰ）中、４℃〜５０℃の温度で反応させることを特徴とする、金属化合物の金属と５Ｂ族もしくは６Ｂ族原子とからなるナノ粒子の製造方法。
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複合材料が、Ｌｉ_xＭ_y（ＰＯ₄）_zを含む第一の相を含み、ここでＭは少なくとも一つの金属であり、ｙ及びｚは独立に０であり、及びｘは１以下である。該材料は、該第一の相の電気及び／又はリチウムイオンの伝導性よりも高い伝導性を有する第二の相を含む。該材料は、リチウム、鉄、ホスフェートイオン及び触媒を含む出発混合物を、還元雰囲気下で加熱することにより調製される。同様に開示されたものは、該材料を取り込んだ電極及びカソードとしてこれら電極を使用した電池である。 （もっと読む）