【課題】水溶液中で高い発光効率を有するIII−Ｖ族半導体ナノ粒子及びその製造方法を
提供する。また、該III−Ｖ半導体ナノ粒子をガラスマトリックスに保持してなる高い発
光効率を有する蛍光体、その製造方法及び該蛍光体を含む発光デバイスを提供する。
【解決手段】III族元素およびＶ族元素を含有するコアとII族元素およびVI族元素を含有
する厚さ０．２ナノメートル以上４ナノメートル以下のシェルからなるコア／シェル構造を有し、Ｖ族元素に対するIII族元素のモル比が１．２５〜３．０であり、かつ蛍光発光
効率が１０％以上である直径２．５〜１０ナノメートルのナノ粒子、並びにIII−Ｖ族半
導体ナノ粒子を分散した有機溶媒分散液と、II族化合物及びVI族化合物を含有する水溶液とを接触させて、III−Ｖ族半導体ナノ粒子を水溶液中に移動させた後、該水溶液に光を
照射することを特徴とする上記ナノ粒子の製造方法、さらに、該ナノ粒子を分散させたガラスマトリックスの製造方法。 （もっと読む）

【解決手段】表面官能化ナノ粒子の製造方法に関し、溶媒、インク、ポリマー、ガラス、金属、電子材料ならびにデバイス、生体分子および細胞に組み込むなどの利用時に、ドットをさらに容易に使用できる表面結合官能基を含む半導体の量子ドットナノ粒子の製造方法に関する。この方法は、ナノ粒子表面結合配位子Ｘ−Ｙ−Ｚ（式中、Ｘはナノ粒子表面結合基であり、Ｙは結合基であり、Ｚは官能基であり、Ｙはポリエチレングリコール基を含み、および／または、Ｚは末端不飽和基を含む脂肪族基を含む）の存在下で第１および第２のナノ粒子前駆体種を反応させることを含み、前記反応は、成長するナノ粒子に前記表面結合配位子を結合させる条件下で実施して、前記表面官能化ナノ粒子を生成する。 （もっと読む）

【課題】結晶基板の結晶状態を維持し且つ欠陥のない単結晶のナノワイヤを成長させることが可能なナノワイヤ作製方法を提供する。
【解決手段】フリースタンディングナノワイヤの成長を可能とする比較的狭い範囲の成長条件からあえてずらした成長条件でナノワイヤを成長させることにより、フリースタンディングナノワイヤに必要なサイドファセットの形成を不安定にし、結晶基板の表面と平行に且つ当該表面に沿ったナノワイヤの成長を可能とする。また、ナノワイヤの成長途中で、例えばドーパントを切り替えることにより、ｎ型ＩｎＰナノワイヤ３ｎとｐ型ＩｎＰナノワイヤ３ｐを連設することができる。更に、平行な複数のナノワイヤを交差させて網状の半導体膜を得ることもできる。 （もっと読む）

【課題】溶媒分散性の高い、基板等への固定化が容易なシリカ被覆ナノ粒子を提供する。
【解決手段】シリカ被覆ナノ粒子は、ナノ粒子からなるコアと、前記コアの周囲に前記コアを被覆するように設けられた珪素化合物からなるシェルと、前記シェルの周囲に付着した炭素数７以上の第１のシランカップリング剤と、を有し、前記第１のシランカップリング剤は、一端は前記シェル中のＳｉ元素と結合し、他端は反応性官能基を具備することを特徴とする。
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【課題】従来よりも高く、特に周囲温度において５０％を超える蛍光量子収率を有し、光酸化に対して高い安定性を有するＩｎＰ／ＺｎＳ コア／シェルナノ結晶を合成する新規な方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、（ｉ）＋ＩＩＩ酸化状態での金属または非金属を表すＡおよび−ＩＩＩ酸化状態での元素を表すＢを含む半導体を含むコアを有し、このコアが、（ｉｉ）外側部分が式ＺｎＳ_１−ｘＥ_ｘを有する半導体を含むシェルでコーティングされているナノ結晶を調製するための方法を含む。ここで、Ｅは−ＩＩ酸化状態の元素を表し、ｘは０≦ｘ＜１となるように少数である。 （もっと読む）

【課題】バンドギャップが水分解反応に必要な範囲（１．５ｅＶ以上）で出来るだけ小さく可視光を吸収するとともに、化学的に安定な光触媒材料を提供する。
【解決手段】Ｉｎ_ｘＺｎ_ｙＰ_ｚ(式中、ｘとｙは、ｘ＋ｙ＝１と０＜ｙ≦０．１を満足する正数であって、ｚは１である。)で表される組成を有する光触媒と、前記光触媒の粒子と金属粒子又は金属酸化物粒子を結合させた水分解用触媒粒子と、前記光触媒を陰極として水を電解分解する水素の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ペロブスカイト型銅酸化物に代わる新しい化合物組成からなる超伝導体を見出す
こと。
【解決手段】化学式Ａ（ＴＭ）_２Ｐｎ_２［ただし、Ａは、１族元素、２族元素又は３族元
素（Ｓｃ，Ｙ及び希土類金属元素）から選ばれる少なくとも１種、ＴＭは、Ｆｅ，Ｒｕ，
Ｏｓ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔの遷移金属元素から選ばれる少なくとも１種、Ｐｎは、１５族元
素（プニコゲン元素）から選ばれる少なくとも１種である。］で表され、（ＴＭ）Ｐｎ層
とＡ元素からなる金属層とが交互に重なる無限層結晶構造を有する化合物からなることを
特徴とする超伝導体。 （もっと読む）

【課題】半導体結晶の劣化を引き起こすＡｕ等の材料を必要とせず、先端が極めて鋭い針状結晶を製造することができる針状結晶の製造方法と、被観察物表面の極めて微細な凹凸に対応することが可能な走査型プローブ顕微鏡のカンチレバーとを提供する。
【解決手段】ガリウム砒素基板２０上に所定パターンの絶縁膜２６を形成する絶縁膜形成工程と、絶縁膜２６が形成されたガリウム砒素基板２０上にＭＯＣＶＤ法によりＧａＩｎＰを堆積する半導体堆積工程とを備え、堆積工程の際に、絶縁膜２６が形成された領域を除くガリウム砒素基板２０上の領域にＧａＩｎＰの層２８を成長させつつ、絶縁膜２６上にＧａＩｎＰからなる粒状物３０を発生させ、該粒状物３０を種結晶としてガリウム砒素基板２０の板面の法線方向に沿ってＧａＩｎＰを結晶成長させることにより、針状結晶１０を形成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体で使用されるものなどのナノ粒子形態のＩＩＩ−Ｖ化合物の製造方法。
【解決手段】 ＩＩＩ化合物原料とＶ化合物原料との反応により大気圧にて反応液中で反応が進行する。反応は高沸点溶媒中で進行する。溶媒は安定剤および塩基を含む。製造されたＩＩＩ−Ｖ化合物は、反応溶液から析出され、単離され、精製され、分析される。 （もっと読む）

【課題】発光量子効率が高く、且つ、安定性に優れたナノ粒子を得ることが可能な製造方法を提供すること。
【解決手段】第III元素又は第III元素化合物を配位性有機溶媒に溶解させ（工程１）、この配位性有機溶媒に第Ｖ元素又は第Ｖ元素化合物を注入する（工程２）。次に、所定温度に所定時間保持して、第III−Ｖ族化合物半導体ナノ粒子を合成する（工程３）。合成された第III−Ｖ族化合物半導体ナノ粒子を分取して（工程４）、これを有機溶媒に分散させる（工程５）。第III−Ｖ族化合物半導体ナノ粒子が分散された有機溶媒にフッ素化合物を添加し、光照射して、第III−Ｖ族化合物半導体ナノ粒子の表面処理を行う（工程６）。表面処理の後、フッ素化合物を除去して（工程７）、第III−Ｖ族化合物半導体ナノ粒子を有機溶媒に分散させる（工程８）。更に、有機溶媒に分散された第III−Ｖ族元素化合物半導体ナノ粒子に、大気を除去した不活性雰囲気で光照射を行う。 （もっと読む）